KR100647026B1 - 기판 처리제 조성물 및 이를 이용한 내식막 패턴 형성방법 - Google Patents

기판 처리제 조성물 및 이를 이용한 내식막 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

사진평판법으로 집적회로 소자 등을 제조하는 공정에서, 감광성 내식막으로서 화학증폭형 내식막 등을 사용할 때에 기판의 성상 또는 기판 표면의 산성도에 기인하는 내식막 형상에 대한 악영향을 감소시키는 방법 및 본 방법에서 사용되는 기판 처리제 조성물이다. 기판 처리제 조성물은 1급, 2급 또는 3급 아민 및 질소 함유 헤테로환 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 염기성 화합물과 설폰산, 카복실산 등의 유기산과의 염을 함유하는 용액으로 이루어지며, SiON 등의 바닥면 반사방지막을 갖는 기판면에 도포하고, 소성 처리를 수행한 후에 필요에 따라 기판을 세정한 다음, 이러한 처리 기판에 화학증폭형 내식막을 도포하고, 광 노출 및 현상하여 기판 위에 내식막 패턴을 형성한다.
사진평판법, 내식막 패턴, 기판 처리제 조성물, 기판, 염기성 화합물, 유기산 염.

Description

기판 처리제 조성물 및 이를 이용한 내식막 패턴 형성방법{A substrate-treating agent composition and a method for forming resist pattern using the same}
본 발명은 사진평판법으로 집적회로 소자, 액정 표시소자 등을 제조하는 공정에서 기판의 성상 또는 기판 표면의 산성도에 따른 내식막 형상에 대한 악영향을 감소시키는 방법 및 본 방법에서 사용하는 기판 처리제 조성물에 관한 것이다.
집적회로 소자의 제조분야에서는 보다 높은 집적도를 수득하기 위해, 평판인쇄 공정에서 가공 사이즈의 미세화가 진행되고 있으며, 최근에는 1/4 미크론 등급에서 미세 가공할 수 있게 하는 기술개발이 진행되고 있다. 이러한 평판인쇄 공정에서는 감광성 내식막을 기판 위에 도포하고, 광 노출에 의해 마스터 패턴을 전사하고, 적당한 현상 용액을 사용하여 현상함으로써, 원하는 내식막 패턴이 형성된다. 그러나, 사용되는 기판에는 반사율이 높은 것이 많으며, 내식막 층을 통과하는 광 노출용 빛이 기판에 의해 반사되어 내식막 층에 재입사되며 빛을 조사해서는 안되는 내식막 부분에 빛이 도달하거나, 입사광과 기판으로부터의 반사광의 간섭 등에 의해 원하는 패턴이 수득되지 않거나, 형성된 패턴에 결함이 생기는 문제가 있었다. 이러한 점은 집적회로 소자의 제조분야에 한정되지 않으며, 액정 표시소자의 제조 등의 평판인쇄 공정을 사용하여 초미세 가공이 행해지는 분야에서는 공통적인 문제이다.
이러한 문제를 해결하기 위해 예를 들면, 광 노출용 빛의 파장 영역에 흡수되는 색소를 내식막에 분산하는 방법, 바닥면 반사방지막(BARC) 또는 상면(上面) 반사방지막을 설치하는 방법, 상면 결상법(TSI), 다층 내식막법(MLR) 등의 여러가지 방법이 연구, 검토되고 있다. 이들 중에서는 바닥면 반사방지막에 따른 방법이 현재 가장 일반적으로 사용되고 있는 방법이다. 바닥면 반사방지막에는 무기막 및 유기막이 공지되어 있으며, 무기막을 형성하는 방법으로서는 예를 들면, 무기 또는 금속 재료를 CVD(화학 증착: Chemical Vapor Deposition)법, 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 피착시키는 방법이 공지되어 있고, 또한 유기막을 형성하는 방법으로서는 유기 중합체 용액에 색소를 용해 또는 분산시킨 것 또는 중합체에 화학적으로 발색단을 결합시킨 중합체 염료의 용액 또는 분산액을 기판에 도포하는 방법 등이 공지되어 있다. 이들 바닥면 반사방지막의 재료 및 바닥면 반사방지막의 형성 방법은 예를 들면, 일본 공개특허공보 제(평)6-75378호 및 제(평)6-118656호, 국제 공개특허공보 WO 제9412912호, 및 미국 특허 제490122호 명세서 및 제5057399호 명세서 등에 기재되어 있다.
바닥면 반사방지막을 사용하면, 바닥면 반사방지막의 막 두께 및 흡수 특성 등에 따라 내식막을 투과한 빛이 흡수되거나 약해지며, 내식막을 투과한 빛이 기판으로부터 반사되는 것은 억제되지만, 반면에 바닥면 반사방지막을 형성하는 재료에 따라서는 바닥면 반사방지막 중 또는 이의 표면에 알칼리성 또는 산성의 잔류물 또는 치환기가 존재하는 경우가 있다. 바닥면 반사방지막 중 또는 바닥면 반사방지막 표면에 산성 물질 또는 알칼리성 물질 등이 존재하면 예를 들면, 감광성 내식막으로서 화학증폭형 내식막을 사용한 경우에는 광 노출시에 내식막 중에서 발생한 산이 바닥면 반사방지막의 알칼리성 잔류물 또는 알칼리성 기에 의해 중화되어 불활성화되거나, 내식막 중의 염기성 성분이 바닥면 반사방지막의 산성 잔류물 또는 산성기와 반응함으로써, 형성된 내식막 패턴의 단면 형상이 악화된다.
예를 들면, 바닥면 반사방지막이 CVD법에 의해 질화막으로서 형성된 경우, 형성된 질화막의 표면은 평활하지 않으며 또한, 면내의 막 조성에 불규칙한 분포가 발생하는 경우가 있다. 또한, 이러한 막의 표면에는 막 형성 조건 등에 따라 일부 아미노기가 잔류할 가능성이 있는 동시에, 아미노기가 잔류하는 경우 막 내에서 아미노기의 분포도 불균일해진다. 따라서, 감광성 내식막으로서 화학증폭형의 내식막이 사용되면, 광 노출시에 내식막 중에 발생한 산은 부분적으로 기판의 아미노기에 의해 트랩핑되어 포지티브형의 경우에는 내식막 프로파일에 끌린 흔적이 생기며, 또한 네가티브형의 경우에는 언더커팅(undercutting; 파고 들어감)이 생긴다. 한편, 유기막으로 이루어진 반사방지막의 경우에도 막 표면에 산 또는 알칼리성 성분이 잔존하는 경우가 있으며, 이러한 경우에도 동일하게 내식막 프로파일에 끌린 흔적 또는 파고 들어가는 것이 생긴다. 이러한 점은 바닥면 반사방지막이 설치되어 있는 경우에 한정되지 않으며, 기판에 바닥면 반사방지막 이외의 다른 막(예: ITO막 등)이 설치되어 있는 경우 또는 기판에 직접 감광성 내식막이 도포되는 경우에도 동일하게 일어날 수 있다. 또한, 이러한 점은 감광성 내식막으로서 화학증폭형 내식막이 사용되는 경우에 한정되지 않으며, 감광성 내식막 중에 산 또는 알칼리성 성분이 존재하거나 내식막 패턴의 형성 공정 중에 산성 물질 또는 알칼리성 물질이 형성되어, 이것을 이용하여 내식막 패턴이 형성되는 것에 있어서는 화학증폭형 내식막의 경우와 동일하게 내식막 프로파일이 기판의 영향을 받으며, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 없다.
종래부터 이들 기판 재료의 표면 상태의 해석이나 플라즈마 처리 등에 따른 기판 표면의 밀착성 향상 처리가 시도되고 있으며, 문헌[참조: J.S. Sturtevant 등, Proc. SPIE, 2197, 770(1994), K. Dean 등, Proc. SPIE, 2438, 514(1995), S. Mori 등, J. Photopolymer Science and Technology, 9, 601(1996), B.C. Kim 등, Proc. SPIE, 2724, 119(1996) 등]에 이들 기술의 개량에 관한 기재가 보이지만, 기판에 표면처리제를 도포한다는 전처리 기술에 관해서는 기재되어 있지 않다.
본 발명의 목적은 화학증폭형 내식막과 같이 감광성 내식막 중에 산 또는 알칼리성 성분이 존재하거나 내식막 패턴의 형성 공정중에 산성물질 또는 알칼리성 물질이 형성되며, 이것을 이용하여 내식막 패턴을 형성하도록 한 것을 감광성 내식막으로서 사용하는 경우에 기판의 산성도 또는 기판면 내에서의 산성도의 불규칙한 분포에 따른 내식막 패턴 형상에 대한 악영향을 방지하는 방법 및 본 방법에 사용되는 기판 처리제 조성물을 제공하는 것이다.
발명의 개시
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 감광성 내식막을 도포하기 전에 기판을 특 정 처리제로 처리함으로써, 상기한 결점이 없는 내식막 패턴이 형성되는 것을 밝혀내어, 본 발명을 완성한 것이다.
즉, 본 발명은 내식막 패턴이 형성될 기판을 처리하기 위한 것으로서, 1급, 2급 또는 3급 아민 및 질소 함유 헤테로환식 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 염기성 화합물과 설폰산, 카복실산 등의 유기산과의 염을 함유하는 용액으로 이루어진 기판 처리제 조성물, 및 기판을 상기한 기판 처리제 조성물로 처리한 다음, 소성 처리한 후에 감광성 내식막을 도포하고, 광 노출 및 현상을 수행하여, 내식막 패턴을 형성하는 내식막 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 표면의 처리 모델도로서, 도 1a는 기판 표면에 이미노기가 잔류하고 있는 경우의 처리 모델이며, 또한 도 1b는 기판 표면에 설폰산기가 잔류하고 있는 경우의 처리 모델이다.
하기에 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
우선, 본 발명의 기판 처리제 조성물에 의해 기판을 처리할 때의 상태를 도면을 참조하여 모델적으로 설명한다.
도 1a에는 기판 표면에 이미노기가 잔류하고 있는 경우의 기판 처리방법이 도시되어 있다. 또한, 이것은 단지 설명을 위한 예시이며, 이미노기에 한하지 않 으며, 다른 염기성의 질소 함유 관능기, 예를 들면, 아미노기 등의 아민 잔기가 포함된다. 처리는 다음과 같이 실시한다. 즉, 우선 기판의 감광성 내식막 도포면에 염기성 화합물과 유기 설폰산으로 이루어진 염을 함유하는 용액을 도포한다. 이에 따라, 기판 표면에 잔류하는 이미노기 등은 염을 형성하고 있는 유기 설폰산에 의해 중화되어 안정화되는 한편, 유기 설폰산과 염을 형성하고 있는 염기성 화합물은 유리된다. 이러한 기판을 예를 들면, 190℃에서 소성 처리하면, 유리된 염기성 화합물은 분해 및/또는 증발 제거되는 한편, 유기 설폰산과 기판 위의 잔류 이미노기 등에 의해 형성된 염 중의 일부는 다시 아미드화하여 불활성물로서 잔류한다. 즉, 소성 처리에 의해 기판 표면의 염기성기의 불활성화가 더 한층 조장되어, 기판 표면에 유리된 이미노기, 아미노기 등이 존재하지 않는 기판이 수득된다. 또한, 도면의 예에서는 기판 처리제 조성물 중의 유리된 염기는 소성 처리에 의해 휘발된다.
한편, 기판 위에 설폰산기가 잔류하는 경우에는 도 1b에 도시된 바와 같이, 유기 카복실산과 염기성 화합물과의 염을 함유하는 용액에 의해 기판이 처리되면, 염을 형성하는 염기성 화합물이 기판 위에 잔류하는 설폰산기와 반응하여 설폰산기가 중화되어 안정화된다. 이어서, 처리된 기판을 예를 들면, 190℃에서 소성 처리함으로써 유리된 유기 카복실산은 분해 및/또는 증발 제거되는 한편, 염기성 화합물과 기판 위의 설폰산기 등에 의해 형성된 염 중의 일부는 다시 아미드화되어 불활성물, 예를 들면, 설폰아미드로서 기판 위에 잔류한다.
또한, 도면의 예에서는 기판 처리제인 염은 기판 위의 질소 함유 관능기 또 는 설폰산기와 상온에서 반응하는 것이지만, 보다 높은 처리온도에서 반응할 수 있는 것이어도 좋고, 소성 처리에 의해 반응할 수 있는 것이어도 좋다.
본 발명의 기판 처리제 조성물에는 1급, 2급 또는 3급 아민 또는 질소 함유 헤테로환식 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 염기성 화합물과 설폰산, 카복실산등의 유기산과의 염으로 이루어진 기판 처리제가 함유되지만, 이러한 기판 처리제를 구성하는 염기성 화합물 및 유기산을 하기에 보다 구체적으로 설명한다.
우선, 본 발명에서 사용되는 1급, 2급 또는 3급 아민으로서는 예를 들면, 2-아미노에탄올, 디에탄올아민, 트리에탄올아민과 같은 알콜아민; 에틸아민, 디이소프로파일아민, 트리에틸아민과 같은 지방족 아민; 디사이클로헥실아민, 디사이클로헥실메틸아민과 같은 지환족 아민; 아닐린, 메틸아닐린 및 디메틸아닐린과 같은 방향족 아민을 들 수 있으며, 또한 질소원자를 함유하는 헤테로환식 염기성 화합물로서는 피페리딘, 피리딘, 퀴놀린 등을 대표적인 것으로 들 수 있다. 그러나, 본 발명에서 사용할 수 있는 염기성 화합물이 이들 예시된 것으로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 염기성 화합물로서는 트리에틸아민으로 대표되는 3급 아민 또는 피리딘 과 같은 약염기성 화합물이 특히 바람직하다.
또한, 본 발명에서 사용되는 유기산으로서는 치환기를 가질 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 설폰산과 같은 유기 설폰산 및 치환기를 가질 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 카복실산과 같은 유기 카복실산을 들 수 있다. 지방족 또는 지환족 설폰산으로서는 메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 에탄설폰산, 캄포르설폰산, 사이클로헥실설폰산 등을, 또한 방향족 설폰산으로서는 벤젠설폰산, 톨루엔설폰산, 니트로벤젠설폰산, 나프탈렌설폰산, 크실렌설폰산, 도데실벤젠설폰산, 하이드록시벤젠설폰산 등을 들 수 있다. 또한, 설폰산은 모노설폰산에 한정되지 않으며 예를 들면, 중합체 중에 조합하여 도입된 폴리(2-아크릴아미드-2-메틸-1-프로판설폰산-co-스티렌)과 같은 폴리설폰산일 수 있다. 또한, 유기 설폰산을 구성하는 지방족, 지환족 또는 방향족기는 상기에도 예시되어 있지만 예를 들면, 알킬기, 방향족환기, 할로겐 원자, 아미노기 등의 기로 치환될 수 있다.
한편, 유기 카복실산 화합물로서는 예를 들면, 아세트산, 트리플루오로아세트산, 프로피온산 등을 대표적인 것으로서 들 수 있다. 유기 카복실산도 상기한 설폰산과 동일하게 유기 카복실산을 구성하는 지방족, 지환족 또는 방향족기 등이 알킬기, 방향족 환기, 할로겐 원자, 아미노기 등으로 치환될 수 있으며, 폴리메타크릴산과 같은 폴리카복실산일 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용할 수 있는 유기산이 상기에서 구체적으로 예시한 것으로 한정되지 않는 것은 물론이다.
본 발명에서는 기판 처리제는 물 또는 각종 용제에 용해되며, 용액으로 하여 기판 처리제 조성물로서 사용된다. 본 발명의 기판 처리제 조성물은 물 또는 용제에 염기성 화합물 및 유기산을 순차적으로 또는 동시에 용해시킴으로써 제조할 수 있으며, 미리 염으로 한 기판 처리제를 물 또는 용제에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 기판 처리제를 용해하기 위해 사용할 수 있는 용제의 예로서는 예를 들면, 메톡시프로판올(PGME), 프로파일렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 이소프로판올, γ-부티로락톤, 사이클로헥사논, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, N-메틸피롤리돈, 에틸 락테이트(EL) 또는 이들의 혼합물을 들 수 있지만, 본 발명에서 사용할 수 있는 용제가 이러한 구체적으로 예시한 것에 한정되지 않는다. 본 발명의 기판 처리제 조성물의 용제로서 특히 바람직한 것은 EL, PGME, PGMEA 및 PGME와 PGMEA의 혼합 용매이다. 또한, 혼합 용매의 경우, 기판 처리제를 용해시킬 수 있으면 양호하며, 이러한 용제의 종류, 조성비는 한정하지 않는다.
또한, 기판 처리제 조성물 중에서 기판 처리제의 염의 농도는 적어도 기판에 존재하는 아미노기 또는 산기가 중화되는 양 이상으로 함유되어 있으며, 처리시 기판 처리제 조성물에 의한 처리가 단시간인 동시에 순조롭게 실시할 정도의 농도이면 양호하며, 특별히 한정되는 것은 아니지만 일반적으로는 0.01 내지 1중량%가 바람직하다. 또한, 기판 처리제 조성물은 농축액일 수 있으며, 사용할 때에 이러한 농축액을 희석하여 원하는 농도로서 사용할 수 있다.
본 발명의 기판 처리제 조성물에는 필요에 따라 수용성 또는 알칼리 가용성 중합체가 첨가된다. 이러한 수용성 또는 알칼리 가용성 중합체로서는 예를 들면, 폴리비닐알콜, 폴리아크릴산, 폴리하이드록시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 중합체는 기판 처리제 조성물 중에 0 내지 10중량%, 바람직하게는 1 내지 5중량% 함유시킬 수 있다. 이러한 중합체의 첨가에 의해 내식막과 기판의 접착성 및 기판 처리제의 유지가 조장된다.
본 발명의 기판 처리제 조성물에 의한 기판의 처리는 예를 들면, 기판 표면에 기판 처리제 조성물을 도포함으로써 수행된다. 도포는 스핀 피복, 스프레이 도포, 침지법 등의 임의의 방법으로 수행할 수 있다. 기판을 기판 처리제 조성물에 의해 처리한 다음, 소성 처리를 수행하고, 필요할 경우, 소성 처리 후에 물 또는 용제로 처리하여 기판 표면을 세정한다. 이러한 세정 목적의 하나는 기판 처리제 도포에 의해 공급되는 염 중에서 미반응 염을 제거하는 것이다. 또한, 필요할 경우, 기판 표면의 세정은 소성 처리전에 수행할 수도 있지만, 통상적으로 소성 처리 후에 수행하는 편이 바람직하다. 또한, 처리 후의 소성 처리는 기판 표면에 악영향이 없으며, 또한 처리 후의 기판 처리제의 유리된 산 또는 염기가 분해 및/또는 증발하고/하거나 기판 처리제인 염과 기판 위의 아미노기, 이미노기 등이 반응하는 온도로 수행하는 것이 필요하며, 통상적으로 100 내지 250℃ 정도에서 수행된다. 소성 처리 후 또는 소성 및 세정 처리 후, 기판 위에 감광성 내식막을 도포하고, 광 노출 및 현상하여, 내식막 패턴을 형성시킨다.
또한, 본 발명의 기판 처리제 조성물에 의해 기판을 처리함으로써 바람직한 결과가 수득되는 감광성 내식막은 화학증폭형 내식막이 그 대표적인 것이지만, 화학증폭형 내식막에 한정되지 않으며, 기판의 산성도에 의해 영향을 받는 감광성 내식막이면 어떤 것이라도 본 발명의 처리에 의해 양호한 결과를 수득할 수 있다.
또한, 본 발명의 기판 처리제가 적용되는 기판은 사진평판 기술을 사용하여 그 위에 내식막 패턴을 형성시키는 종래의 공지된 기판이면 어떤 것이라도 양호하며, 실리콘 기판 또는 산화막, ITO막, SiON막 등의 막을 표면에 갖는 실리콘제 기판이 바람직하다.
하기에 본 발명에 따른 기판 처리제 조성물 및 이러한 기판 처리제 조성물을 사용하여 내식막 패턴 형성방법을 실시예에 따라 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.
실시예 1
실온에서 캄포르설폰산 2.32g과 트리에틸아민 1.06g을 PGMEA에 캄포르설폰산의 농도가 0.05중량%로 되도록 용해시킨 다음, 0.05㎛ 필터로 여과하여, 기판 처리제 조성물 1을 수득하였다.
실시예 2
실온에서 p-톨루엔설폰산 수화물 1.9g과 사이클로헥실아민 1.04g을 PGMEA에 p-톨루엔설폰산 수화물의 농도가 0.05중량%로 되도록 용해시킨 다음, 0.05㎛ 필터로 여과하여, 기판 처리제 조성물 2를 수득하였다.
실시예 3
실온에서 도데실벤젠설폰산 3.27g과 트리에틸아민 1.06g을 PGMEA에 도데실벤젠설폰산의 농도가 0.05중량%로 되도록 용해시킨 다음, 0.05㎛ 필터로 여과하여, 기판 처리제 조성물 3을 수득하였다.
실시예 4:
기판 처리제에 의한 기판의 처리와 KrF용 내식막을 사용한 패턴화 시험
실리콘 웨이퍼 위에 CVD법에 의해 SiON을 막 형성시켜 반사방지막을 형성시켰다. 이러한 반사방지막 위에 실시예 1 내지 3에서 수득한 기판 처리제 조성물 1 내지 3을 각각 스핀 피복기에 의해 1000rpm의 회전수로 도포하고, 도포 후의 각 기판을 190℃에서 60초 동안 소성 처리하였다. 이어서, 이와 같이 처리된 각 웨이퍼 위에 클라리언트사제의 KrF용 내식막 DX 3110을 120℃에서 60초 동안 예비베이킹한 후 막 두께가 0.55㎛로 되도록 도포하여 KrF용 스텝퍼로 광 노출시켰다. 광 노출 후, 110℃, 60초에서 후베이킹하고, 2.38중량%의 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 수용액으로 30초 동안 현상하였다. 현상 후의 각 웨이퍼의 단면을 주사형 전자현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 모두 내식막의 형상은 양호하며 끌린 흔적 등은 보이지 않았다.
비교예 1
기판 처리제에 의한 처리를 실시하지 않는 것을 제외하고, 실시예 4와 동일한 방법으로 내식막 패턴을 형성시켰다. 수득된 내식막 패턴을 실시예 4와 동일하게 SEM으로 관찰한 결과, 내식막의 형상에는 끌린 흔적이 많이 보이며, 실용적으로 문제가 있었다.
발명의 효과
본 발명에 따르면, 바닥면 반사방지막 등이 설치된 기판을 염기성 화합물과 유기산과의 염을 함유하는 기판 처리제 조성물로 미리 처리함으로써, 기판 표면의 알칼리성 물질 또는 산성 물질을 중화시킬 수 있으며, 이에 따라 감광성 내식막 중에 산 또는 알칼리성 성분이 존재하거나, 내식막 패턴의 형성 공정 중에 산성 물질 또는 알칼리성 물질이 형성되며, 이를 이용하여 내식막 패턴을 형성하는 예를 들면, 화학증폭형 내식막과 같은 감광성 내식막을 기판에 도포시킨 경우에, 기판의 알칼리성 물질 또는 산성 물질에 의한 내식막에 대한 영향을 저지할 수 있으므로, 기판으로부터의 영향에 따른 내식막 패턴의 형상 불량, 즉 내식막 프로파일의 끌린 흔적 또는 파고 들어가는 것을 감소시킬 수 있다.
상기에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리제 조성물은 사진평판법으로 집적회로 소자, 액정 표시소자 등을 제조하는 공정에서 기판의 성상 또는 기판 표면의 산성도에 따른 내식막 형상에 대한 악영향을 감소시키는 처리제로서 사용된다.

Claims (5)

  1. 내식막 패턴이 형성될 기판을 처리하기 위한 것으로, 1급, 2급 또는 3급 아민 및 질소 함유 헤테로환식 화합물로부터 선택된 하나 이상의 염기성 화합물과 유기산과의 염을 함유하는 용액으로 이루어진 기판 처리제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 유기산이 치환기를 가질 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 설폰산 및 치환기를 가질 수 있는 지방족, 지환족 또는 방향족 카복실산으로부터 선택된 하나 이상임을 특징으로 하는 기판 처리제 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 수용성 또는 알칼리 가용성 중합체를 추가로 함유하는 기판 처리제 조성물.
  4. 기판을 제1항에 따르는 기판 처리 조성물로 처리한 다음, 기판을 소성 처리한 후에 감광성 내식막을 도포함을 특징으로 하는, 기판에 감광성 내식막을 도포하고, 광 노출 후에 현상하는 공정을 포함하는 내식막 패턴 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 소성 처리 후의 기판을 용제로 처리함을 특징으로 하는 내식막 패턴 형성방법.
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