TW527519B - Method for forming resist pattern - Google Patents
Method for forming resist pattern Download PDFInfo
- Publication number
- TW527519B TW527519B TW088120045A TW88120045A TW527519B TW 527519 B TW527519 B TW 527519B TW 088120045 A TW088120045 A TW 088120045A TW 88120045 A TW88120045 A TW 88120045A TW 527519 B TW527519 B TW 527519B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- acid
- substrate
- group
- treatment agent
- agent composition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
527519
五、發明說明(1) 本發明係有關於藉由光刻術法_造積體電路元件、液 晶顯示元件等之程序中,藉由基板之性狀或基板表面之 酸性度來降低對阻體形狀的不良影響方法以及該方法所 使用的基板處理劑組成物。 於積體電路元件之製造範圍內,爲製得較高的積體度 時,進行光刻程序之加工尺寸的微細化,近年來,圖案 技術之發展已進行硏究能至0.25微米級之微細圖案。在 此微影程序中,係使阻體劑塗覆於基板上 旦藉由曝;)b 以使罩圖案複印,再使用適當的顯像溶液予以顯像,形 成所企求的阻體圖案。然而,所使用的基板係大多爲反 射率高者,因通過阻體層的曝光用之光藉由基板反射, 再射入於阻體層,以使光到達沒有照射光之阻體部份, 或因入射光與來自基板之反射光干涉等,而無法得到企 求的圖案。此係不只限於積體蕙路元件之製造領域,旦 爲液日日顯不兀件之製造等使用光刻技術程序予以超微細 加工的領域中之共同問題。 爲解決該問題,係硏究、檢討例如使具吸收曝光用之 光長範圍的色素分散於阻體的方法,設置底面防止反射 膜(BARC)或上面防止反射膜的方法’上面結像法(tsi ) 、多層阻體法(MLR )等之各種方法。於此等之中,藉由 底面防止反射膜的方法係爲目前最爲使用的方法。底面 防止反射膜係有已知的無機膜及有機膜,形成無機膜的 方法’例如使無機或金屬材料藉由CVD(Chem ά 1 Vap〇r
Depos i t i〇n)法、蒸熔法或濺射法等被熔的方法 a,肜成右 527519 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明() 機膜的方法,傺使色素溶解或分散於有機聚合物溶液者 ,或使聚合物中鍵結有發色團之聚合物染料的溶液或分 散液塗覆於基板的方法等偽為已知。此等底面防止反射 膜之材料及底面防止反射膜的形成方法,例如有於曰本 特開平6-75378號公報、特開平6-118656號公報、W0 9412912、美國專利490122號說明書、美國專利5057399 號說明書等記載的方法。 使用底面防止反射膜時,藉由底面防止反射膜之膜厚 及吸收特性等,可吸收透過阻體膜之光或使其減弱,以 抑制透過阻體膜之光自基板反射,惟視形成反面,底面 防止反射膜之材料而定,在底面防止反射膜中或其表面 上存在有鹼性或酸性殘留物或取代基。在底面防止反射 膜中或底面防止反射膜表面上存在有酸性物質或鹸性物 質等時,例如使用化學增幅型阻體做為阻體劑時,曝光 時阻體中産生的酸會因底面防止反射膜之鹸性殘留物或 鹼性基中和而失活,或阻體中之鹼性成份會與底面防止 反射膜之酸性殘留物或酸性基反應,致使形成的阻體圖 案之截面形狀惡化。 例如,底面防止反射膜藉由C V D法形成氮化膜時,形 成的氮化膜表面不會平滑,且面内之膜組成産生不均勻 情形。而且,該膜表面視膜形成條件等而定,可能有部 份胺基殘留,且殘留有胺基時,膜内之胺基分佈亦不均 勻。因此,使用化學增幅型阻體做為光阻劑時,曝光時 阻體膜中産生的酸會因部份基板之胺基而截留為正型時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------*--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 527519 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7______ 五、發明說明(3 ) 阻體截面會産生凸出情形,而為負型時會産生側蝕 (undercut)情形。另外,由有機膜所成的防止反射膜時 ,該膜表面上殘存有酸或鹼性成份時,此時同樣會引起阻 體凸出或凹入情形。此情形不限於設有底面防止反射膜 時,於基板上設有底面防止反射膜以外之其他膜(例如 ITO膜等)時或直接在基板上塗覆光阻劑時亦會引起相 同的情形。此外,此情形不限於使用化學增幅型阻體做 為光阻劑時,在光阻劑中存在有酸或鹸性成份,或在阻 體圔案之形成工程中形成酸性物質或鹼性物質,且利用 此形成阻體圖案者中,與化學增幅型阻體時相同地阻體 截面會受基板影響,而無法形成良好形狀之圖案。 以往,嚐試對此等基板材料之表面狀態的解析或藉由 等離子體處理使基板表面之密接性提高處理,偽於 J· S· Sturtlvant等,Proc. SPIE、 2197、 770(1994) 、k· Dean等、Proc· SPIE, 2438, 514(1995)、 S· Mori 等、J. Photopoly m e r Science and Technology、9、 6 0 1 ( 1 9 9 6 )、 B · C · Kim等、Pr0c . SP I E、 2 7 2 4、 1 1 9 (1 9 9 6 )等有記載有關此等技術之改良,惟沒有記載有關 在基板上塗覆表面處理劑之前處理技術。 本發明之目的僳提供如化學增幅型阻體之光阻中# δ 有酸或鹼性成份,或於阻體圖案之形成工程中形成酸性 物質或鹸性物質,利用該物形成阻體圖案者做為光ρ且胃 ,防止因基板之酸性度或基板面内之酸性度之不 對阻體圖案形狀産生不良影響的方法及該方法所使白9 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) - ------ί-------------訂--------- m * (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 527519 A7 _ B7_ 五、發明說明(4 ) 基板處理劑組成物。 本發明人等再三深入研究的結果,發現於塗覆光阻劑 前使基板以特定的處理劑處理,形成不具上逑缺點之阻 體圖案,遂而完成本發明。 換言之,本發明傺有關由含有至少1種選自一級、二 級或三級胺及含氮離環式化合物之鹼性化合物與磺酸、 羧酸等之有機酸的鹽之溶液所成的基板處理劑組成物, 及使基板藉由上述基板處理劑組成物處理,且予以烘烤 後,塗覆光阻劑,進行曝光、顯像以形成阻體圖案之阻 體圖案形成方法。 於下述中更詳細地說明本發明。 首先,參考圖式典型地説明藉由本發明之基板處理劑 組成物來處理基板的狀態。 第1(a)圖傺表示基板上在基板表面上殘留有胺基時之 基板處理方法。而且,此傺為簡單説明之例示,不僅含 有胺基且含有其他鹼性之含氮官能基(如胺基等胺殘基h 處理係如下述予以進行。換言之,先在基板之光阻劑塗 覆面上塗覆含有鹼性化合物與有機磺酸所成之鹽的溶液 ———.-----•裝--------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 磺合 殘留惰 機化Ϊ上殘的 有性^ 板而基 之鹼^ 基物性 鹽之 J 與性鹼 成鹽^酸惰之 形成Ϊ,磺成面 由形 W 機化表 藉與 U 有胺板 等酸rp使醯基 基磺 C 另份長 胺機0°,部助 亞有19去,為 的使如除内更 留且例發鹽會 殘,在蒸的烤 面化板或成烘 表定基 \ 形由 板安該及等藉 基以使解基 , 使予。分胺之 此和離物亞言 藉中游合的換 。酸物化留 。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527519 A7 __B7_ 五、發明說明(5) 性化,可得在基板表面上没有存在自由的亞胺基、胺基 等之基板。而且,如圖例所示基板處理劑組成物中之游 離鹼會藉由烘烤而揮發。 此外,在基板上殘留有磺酸基時,如第1(b)圖所示, 藉由含有有機羧酸與鹼性化合物之鹽的溶液處理基板時 ,形成鹽之鹼性化合物與殘留於基板上之磺酸基反應, 且使磺酸基中和而安定化。然後,使處理的基板藉由如 1 9 0 °C下烘烤,使游離的有機羧酸分解及/或蒸發除去 ,另外使藉由鹼性化合物與基板上之磺酸基等形成的鹽 内,部份醯胺化成惰性物(如磺基醯胺)而殘留於基板 上。 而且,於圖例中基板處理劑之鹽偽為與基板上之含氮 官能基或磺酸基在常溫下反應者,亦可以為在較高的處 理溫度下反應者,亦可以為藉由烘烤而反應者。 本發明之基板處理劑組成物中含有由至少1種選自一 級、二級或三级胺或含氮之雜璟式化合物的鹼性化合物 與磺酸、羧酸等之有機酸的鹽所成之基板處理劑,於下 述中更具體地說明構成該基板處理劑之鹼性化合物及有 機酸。 首先,本發明使用的一級、二级或三級胺例如有2-胺 基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺之醇胺,乙胺、二異丙胺 、三乙胺之脂肪族胺,二璟己胺、二環己基甲胺之脂環 族胺,苯胺、甲基苯胺及二甲基苯胺之芳香族胺;含氮 原子之雜環式鹼性化合物例如有吡啶、哌啶、1¾啉等。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------„------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 527519 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_._ 五、發明說明(6 ) 然而,本發明可使用的鹼性化合物不是只限於此等例示 者。本發明之鹼性化合物尤以三乙胺之典型的三级胺或 吡啶之弱鹼性化合物較佳。 本發明使用的有機酸例如有可具取代基之脂肪族、脂 環族或芳香族磺酸之有機磺酸,及可具取代基之脂肪族、 脂環族或芳香族羧酸之有機羧酸。脂肪酸或脂環族磺例 如有甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、乙烷磺酸、茨磺酸、環 己基磺酸等;芳香族磺酸例如苯磺酸、甲苯磺酸、硝基 苯磺酸、萦基磺酸、二甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、羥 基苯磺酸等。而且,磺酸並不只限於單磺酸,例如可在 聚合物中組合有聚(2-丙烯基醯胺基-2-甲基-1-丙烷磺 酸-C0-苯乙烯)之聚磺酸。此外,構成有機磺酸之脂肪 族、脂環族或芳香族基傺為上述所例示者,亦可以例如 以烷基、芳香族璟基、鹵素原子、胺基等之基取代。 另外,有機磺酸化合物例如有典型的醋酸、三氟醋酸 、丙酸等。有機羧酸與上述磺酸相同地有構成有機羧酸 之脂肪族、脂環族或芳香族基等,惟亦可以烷基、芳香 族環基、鹵素原子、胺基等取代,如聚甲基丙烯酸之聚 羧酸。 而且,本發明可使用的有機酸不僅是限於上述之具體 例示者。 本發明中基板處理劑傺使用溶解於水或各種溶劑,做 為溶液之基板處理劑組成物。本發明之基板處理劑組成 物傺藉由使鹼性化合物及有機酸順序或同時溶解於水或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —」——,-----0^--------訂---------MmT * * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527519 A7 B7_ 五、發明說明(7 ) 溶劑予以製造,亦可以使預先成鹽之基板處理劑溶解於 水或溶劑中予以製造。為使基板處理劑溶解,可使用的 溶劑,例如有甲氧基丙醇(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA)、異丙醇、y-丁内酯、璟己酬、二甲基乙醯胺 、二甲基甲醯胺、二甲基亞碼、N -甲基吡咯烷酮、乳酸 乙酯(E L )、或此等之混合物,惟本發明可使用的溶劑並 不受此等之具體例所限制。本發明之基板處理劑的溶劑 尤以EL、PGME、PGMEA及PGME與PGMEA之混合溶劑較佳。 而且,為混合溶劑時,只要是可使基板處理劑溶解即可 ,對於其溶劑種類,組成比沒有限定。 此外,基板處理劑組成物中基板處理劑之鹽的濃度傺 為至少含有使基板中存在的胺基或酸基中和的量以上, 處理時藉由基板處理劑組成物可在短時間且順利地進行 處理之程度的濃度卽可,沒有特別的限定,一般而言以 0.01〜1重量3:較佳。而且,基板處理劑組成物可以為濃 縮液,亦可以於使用時使該濃縮液稀釋所企求的濃度。 本發明之基板處理劑組成物中,視其所需可添加水溶 性或鹼可溶性聚合物。該水溶性鹼可溶的聚合物例如有 聚乙二醇、聚丙烯酸、聚羥基苯乙烯等。此等聚合物在 基板處理劑組成物中可含有0.1〜10重量%、較佳者為1 〜5重量%。藉由添加該聚合物,可助長阻體與基板之黏 接性及基板處理劑之保持。 藉由本發明之基板處理劑組成物之基板處理,例如在 基板表面上塗覆基板處理劑組成物予以進行。塗覆傺以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 527519 A7 B7 五、發明說明(8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 旋轉塗覆、噴霧塗覆、浸漬法等任意方法進行。使基板 藉由基板處理劑組成物處理後,進行烘烤,視其所霈於 烘烤後以水或溶劑處理、洗淨基板表面。該洗淨的目的 之一係除去藉由基板處理劑塗覆所供應的鹽中未反應的 鹽。而且,視其所需基板表面之洗淨可於烘烤前進行, 惟通常以烘烤後者較佳。此外,處理後之烘烤必須在不 會使基板表面而産生不良影響,且處理後之基板處理劑 的游離酸或鹼分解及/或蒸發,及/或基板處理劑之鹽 與基板上之胺基、亞胺基等反應的溫度下進行,通常為 1 0 0〜2 5 G °C。於烘烤處理後或烘烤、洗淨處理後,在基 板上塗覆光阻劑,予以曝光、顯像而形成阻體圖案。 而且,藉由本發明基板處理劑組成物處理基板可得較 佳結果的光阻劑,僳以化學增幅型光阻劑為代表,惟並 不限於化學增幅型光阻劑,因基板之酸性度而受影響之 光阻劑皆可,惟以藉由本發明之處理可得較佳的結果。 [實施例] 於下述中藉由實施例更具體地說明本發明之基板處理 劑及使用該基板處理劑之阻體圖案形成方法,惟本發明 不受此等實施例所限制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例1 在室溫下使2 . 32 g莰磺酸與1 . 06 g三乙胺以莰磺酸之濃 度為0.0 5重量¾之條件溶解於PGMEA後,以0.ϋ5/iIn過 濾器過濾,製得基板處理劑組成物1 。 實施例2 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527519 A7 B7 五、發明說明() 9 在室溫下使1.9g對-甲苯磺酸水合物與1.04g環己胺以 對-甲苯磺酸水合物之濃度為G.05重量%之條件下溶解 於PGMEA後,以G · Q5 # m過濾器過濾,製得基板處理劑 組成物2 〇 實施例3 在室溫下使3 . 27g十二烷基苯磺酸與1 · 06 g三乙胺以十 二烷基苯磺酸之濃度為〇 . 〇 5重量%之條件溶解於P G Μ E A 後,以0 . 0 5 a in過濾器過滤,製得基板處理劑組成物3 。 實施例4藉由基板處理劑之基板處理及使用KrF用阻體 之圖案化實驗
在矽晶圓上藉由C V D法使S i 0 N成膜,形成防止反射膜 。在該防止反射膜上各以旋轉塗覆法以1 〇 〇 〇 r p m回轉數 塗覆實施例1〜3所得的基板處理劑組成物,且使塗覆後 之基板在1 9 Q °C下烘烤6 0秒。然後,在該處理的各晶圓 上塗覆克拉瑞(譯音)公司製KrF用阻體DX3110, 120°C 下預烘烤60秒,成膜厚0.55>uni,且以KrF用分餾曝光 器。曝光後在1 l〇°C下後烘烤60秒,以2 · 38重量%氫氣 化四甲銨(TMAH)水溶液顯像30秒。以掃描型電子顯微鏡 (S E Μ )觀察顯像後之各晶圓的截面,結果發現任一阻體 形狀皆良好,沒有凸出情形。 比較例1 除不藉由基板處理劑進行處理外,以與實施例4相同 的方法形成阻體圖案。所得的阻體圖案與實施例4相同 地以S Ε Μ觀察的結果,發現很多的阻體形狀産生凸出情 - 1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) · : —ί—·------^ 裝--------訂---------線 (請t閱讀背,面之注意事項再填寫本頁) 527519 A7 B7 v 1 〇 五、發明說明() 形,在實用上有問題。 [發生之效果] 本發明藉由使設有底面防止反射膜等之基板以含有驗 性化合物與有機酸之鹽的基板處理劑組成物預先處理, 可使基板表面之鹼性物質或酸性物質中和,藉此在光阻 劑中存在有酸性物質或鹼性物質,或在胆體圖案之形成 工程中形成酸性物質或鹼性物質,利用該物以形成阻體 圖案,例如使化學增幅型阻體之光阻劑塗覆於基板時, 藉由基板之鹼性物質或酸性物質可阻止對阻體之影響, 故可降低來自基板影響所産生的阻體圖案之形狀不良, 即降低阻體截面之凸出或凹入情形。 [圖式之簡單說明] [第1圔] (a)傺為在基板表面上殘留有亞胺基時藉由本發明處 理之模式圖。(b)僳為在基板表面上殘留有磺酸基時藉 由本發明處理之模式圖。 ----·——,------^裳--------訂---------線舞 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 527519 六、申請專利範圍 第881 20045號「阻體圖案之形成方祛1 · 一種阻體圖案形成用之基板處理劑組成物,含有 0 · 0 1至1重量%之酸或其鹽類溶液,包括一級、二級 或三級胺及含氮雜環式化合物,即一級、二級或三 級胺可爲2 -胺基乙醇、一乙醇胺、三乙醇胺、乙胺 、二異丙胺、三乙胺、二環己胺、二環己基甲胺、 苯胺、甲基苯胺及二甲基苯胺,可爲含氮原子之雜 環式鹼性化合物哌啶、吡啶、喹啉之選自其中至少 一種鹼性化合物之有機酸,即構成有機磺酸之脂肪 族、脂環族或芳香族基可爲烷基、芳香族環基、鹵 素原子、胺基等之取代基所取代之甲烷磺酸、三氟 甲烷磺酸、乙烷磺酸、茨磺酸、環己基磺酸、苯磺 酸、甲苯磺酸、硝基苯磺酸、萘基磺酸、二甲苯磺 酸、十二烷基苯磺酸、羧基苯磺酸、可在聚合物中 組合有聚(2-丙烯基醯胺基-2-甲基-1-丙烷磺酸-CO-苯乙烯之聚磺酸、或有機羧酸、脂肪族、脂環族或 芳香族基等烷基、芳香族環基、鹵素原子、胺基等 之取代基所取代之醋酸、三氟醋酸、丙酸、聚甲基 丙烯酸等之聚羧酸、選自其中至少一種之酸及其鹽 類溶液。 2 .如申請專利範圍第1項之基板處理劑組成物’更包 -1 - 527519 六、申請專利範圍 括含0〜1 〇重量%的永溶性或可溶鹼溶液之選自其中 至少一種聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚羥基苯乙烯。 3. —種阻體圖案形成方法,其係在含有在基板上塗覆 光阻劑,且於曝光後顯像工程之阻體圖案形成方法 中,其特徵爲使基板藉由如申請專利範圍第1項之 基板處理劑組成物,再於基板烘烤後進行上述光阻 劑之塗覆。 4 ·如申請專利範圍第3項之阻體圖案形成方法,其中, 使經烘烤的處理後基板藉由溶劑處理。 - 2 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33150598 | 1998-11-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW527519B true TW527519B (en) | 2003-04-11 |
Family
ID=18244399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088120045A TW527519B (en) | 1998-11-20 | 1999-11-17 | Method for forming resist pattern |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6465161B1 (zh) |
EP (1) | EP1061562A4 (zh) |
KR (1) | KR100647026B1 (zh) |
CN (1) | CN1145194C (zh) |
TW (1) | TW527519B (zh) |
WO (1) | WO2000031781A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW556047B (en) * | 2000-07-31 | 2003-10-01 | Shipley Co Llc | Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition |
JP2002148820A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Clariant (Japan) Kk | パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤 |
KR100569536B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Relacs 물질을 이용하여 패턴 붕괴를 방지하는 방법 |
JP3851594B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2006-11-29 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法 |
US7037559B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Immersion plating and plated structures |
JP2007101715A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物 |
TW200734448A (en) * | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
US7977037B2 (en) | 2006-08-24 | 2011-07-12 | Micron Technology, Inc. | Photoresist processing methods |
JP5658941B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2015-01-28 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
KR102195700B1 (ko) | 2013-12-04 | 2020-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화학증폭형 레지스트를 이용한 패턴 형성방법 |
CN104733290B (zh) * | 2013-12-19 | 2017-11-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂覆方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3523875A (en) * | 1967-03-15 | 1970-08-11 | Hooker Chemical Corp | Process for metal coating substrate pretreated with alkali metal sulfide and resultant product |
US3985584A (en) * | 1972-10-25 | 1976-10-12 | Oakite Products, Inc. | Metal protective coating compositions, their preparation and use |
JPS61122649A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
JPS63283028A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-11-18 | Hashimoto Kasei Kogyo Kk | 微細加工表面処理剤 |
JPH02228362A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Tokyo Seat Kk | 瀝青質材を主成分とする製品のブロッキング防止用表面処理剤 |
JP2909743B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1999-06-23 | 富山日本電気株式会社 | 銅または銅合金の化学研磨方法 |
JP2581268B2 (ja) * | 1990-05-22 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の処理方法 |
JP2918771B2 (ja) * | 1993-10-06 | 1999-07-12 | 日本ペイント株式会社 | 親水性表面処理水溶液、親水性表面処理方法及び親水性表面処理皮膜 |
JPH07122482A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-12 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法 |
US5763142A (en) * | 1995-07-06 | 1998-06-09 | Nec Corporation | Method for forming resist pattern |
JPH1048831A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Sony Corp | レジスト・パターン形成方法 |
JPH10207072A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Sony Corp | リソグラフィー方法 |
JP3031287B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 反射防止膜材料 |
TW457403B (en) * | 1998-07-03 | 2001-10-01 | Clariant Int Ltd | Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom |
-
1999
- 1999-11-17 KR KR1020007007906A patent/KR100647026B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 CN CNB998021415A patent/CN1145194C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-17 TW TW088120045A patent/TW527519B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 US US09/600,612 patent/US6465161B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-17 WO PCT/JP1999/006417 patent/WO2000031781A1/ja active IP Right Grant
- 1999-11-17 EP EP99972780A patent/EP1061562A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1288590A (zh) | 2001-03-21 |
US6465161B1 (en) | 2002-10-15 |
KR20010034237A (ko) | 2001-04-25 |
CN1145194C (zh) | 2004-04-07 |
EP1061562A1 (en) | 2000-12-20 |
WO2000031781A1 (fr) | 2000-06-02 |
EP1061562A4 (en) | 2002-03-27 |
KR100647026B1 (ko) | 2006-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7467632B2 (en) | Method for forming a photoresist pattern | |
JP5035903B2 (ja) | フォトレジストパターンを被覆するための組成物 | |
TWI223128B (en) | Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist | |
KR100593280B1 (ko) | 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법 | |
TW575790B (en) | Etching process and a composition for forming an etching protecting layer in that | |
KR100578264B1 (ko) | 석판 인쇄용 세정제 | |
JP5591623B2 (ja) | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 | |
TWI447532B (zh) | 基板處理液及使用它之光阻基板處理方法 | |
TW527519B (en) | Method for forming resist pattern | |
CN104914672B (zh) | 基于含多羟基结构分子玻璃的底部抗反射组合物及其应用 | |
TW583517B (en) | Surface treatment process for chemically amplified resist and the material thereof | |
TW200304582A (en) | Negative deep ultraviolet photoresist | |
EP0231028B1 (en) | High contrast low metal ion photoresist developing method and composition | |
EP0804753B1 (en) | Method of developing positive photoresist and developing compositions therefor | |
US7364837B2 (en) | Method for pattern formation using photoresist cleaning solution | |
TW548322B (en) | Antireflective coating compositions for photoresists | |
JP4786636B2 (ja) | 反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP3965434B2 (ja) | 反応現像画像形成法 | |
EP1154324A1 (en) | Composition for antireflection coating | |
JP6953403B2 (ja) | 高耐熱性レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JPH049064A (ja) | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |