JP2001228634A - レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置 - Google Patents
レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置Info
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- JP2001228634A JP2001228634A JP2000041799A JP2000041799A JP2001228634A JP 2001228634 A JP2001228634 A JP 2001228634A JP 2000041799 A JP2000041799 A JP 2000041799A JP 2000041799 A JP2000041799 A JP 2000041799A JP 2001228634 A JP2001228634 A JP 2001228634A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストパターンの形成後に残るレジスト残
渣を、容易に、しかも確実に除去し、レジスト残渣の影
響による不都合の発生を防止する。 【解決手段】 ガラス基板１と、このガラス基板１の表
面に形成されるレジスト膜３との間に、ガラス基板１及
びレジスト膜３よりもエッチングレートの高い中間膜２
を形成しておき、レジスト膜３の露光、現像を経てレジ
ストパターン30を形成した後、中間膜２の表面に残るレ
ジスト残渣31を、水洗、ドライエッチング等のエッチン
グ手段により中間膜２と共に除去する。
渣を、容易に、しかも確実に除去し、レジスト残渣の影
響による不都合の発生を防止する。 【解決手段】 ガラス基板１と、このガラス基板１の表
面に形成されるレジスト膜３との間に、ガラス基板１及
びレジスト膜３よりもエッチングレートの高い中間膜２
を形成しておき、レジスト膜３の露光、現像を経てレジ
ストパターン30を形成した後、中間膜２の表面に残るレ
ジスト残渣31を、水洗、ドライエッチング等のエッチン
グ手段により中間膜２と共に除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面、又は
該基板上に予め形成された層あるいは膜の表面にレジス
トパターンを形成する方法、及び形成されたレジストパ
ターンをマスクとして前記基板又は層あるいは膜をエッ
チングする方法に関し、更には、これらの方法を用いた
マイクロ構造物の製造方法、並びに、これらの方法によ
り製造されたマイクロ構造物及び液晶表示装置に関す
る。
該基板上に予め形成された層あるいは膜の表面にレジス
トパターンを形成する方法、及び形成されたレジストパ
ターンをマスクとして前記基板又は層あるいは膜をエッ
チングする方法に関し、更には、これらの方法を用いた
マイクロ構造物の製造方法、並びに、これらの方法によ
り製造されたマイクロ構造物及び液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路、マイクロマシン等のマイクロ
構造物は、基板の表面、又は該基板上予め形成された層
あるいは膜の表面に感光性樹脂からなるレジストを塗布
し、乾燥せしめてレジスト膜を形成し、該レジスト膜を
所要のパターンを有するフォトマスクを介して露光した
後、露光部分又は未露光部分を現像により除去して、前
記基板又は層あるいは膜の表面に対象層の表面にレジス
トパターンを形成し、このように形成されたレジストパ
ターンをマスクとして、前記基板又は層あるいは膜の露
出面に成膜する工程、又は露出面をエッチングする工程
を繰り返して製造される。
構造物は、基板の表面、又は該基板上予め形成された層
あるいは膜の表面に感光性樹脂からなるレジストを塗布
し、乾燥せしめてレジスト膜を形成し、該レジスト膜を
所要のパターンを有するフォトマスクを介して露光した
後、露光部分又は未露光部分を現像により除去して、前
記基板又は層あるいは膜の表面に対象層の表面にレジス
トパターンを形成し、このように形成されたレジストパ
ターンをマスクとして、前記基板又は層あるいは膜の露
出面に成膜する工程、又は露出面をエッチングする工程
を繰り返して製造される。
【０００３】また、近年広く普及している液晶表示装置
においては、表示画面のコントラストを高めて高品位の
表示を可能とすべく、ガラス基板の表面に遮光性材料か
らなる遮光格子（ブラックマトリックス）を形成し、該
遮光格子の開口部に、赤、緑及び青の各色に対応する画
素膜を選択的に形成してなるカラーフィルタが用いられ
ており、このカラーフィルタを安価に製造する方法とし
て、特開平９-61615号公報、特開平10−198049号公報等
には、ガラス基板の表面に対し、顔料含むレジストを用
いて前述したレジストパターンの形成方法を実施し、形
成されたレジストパターンを前記遮光格子及び画素とす
る方法が開示されている。
においては、表示画面のコントラストを高めて高品位の
表示を可能とすべく、ガラス基板の表面に遮光性材料か
らなる遮光格子（ブラックマトリックス）を形成し、該
遮光格子の開口部に、赤、緑及び青の各色に対応する画
素膜を選択的に形成してなるカラーフィルタが用いられ
ており、このカラーフィルタを安価に製造する方法とし
て、特開平９-61615号公報、特開平10−198049号公報等
には、ガラス基板の表面に対し、顔料含むレジストを用
いて前述したレジストパターンの形成方法を実施し、形
成されたレジストパターンを前記遮光格子及び画素とす
る方法が開示されている。
【０００４】図４は、カラーフィルタの製造過程の説明
図であり、まず図４（ａ）に示すように、ガラス基板１
の表面全体に、カーボンブラック等の黒色顔料を含むレ
ジストを所定厚さに塗布し、該レジストをベーキングに
より乾燥させてレジスト膜３を形成する。次いで図４
（ｂ）に示すように、前記レジスト膜３の表面上部に所
望の格子パターンを有するフォトマスク４を位置決め
し、該フォトマスク４を介して前記レジスト膜３の表面
に光を照射して露光する。
図であり、まず図４（ａ）に示すように、ガラス基板１
の表面全体に、カーボンブラック等の黒色顔料を含むレ
ジストを所定厚さに塗布し、該レジストをベーキングに
より乾燥させてレジスト膜３を形成する。次いで図４
（ｂ）に示すように、前記レジスト膜３の表面上部に所
望の格子パターンを有するフォトマスク４を位置決め
し、該フォトマスク４を介して前記レジスト膜３の表面
に光を照射して露光する。
【０００５】この露光によりレジスト膜３は、フォトマ
スク４によって遮光されなかった部分が硬化する結果、
この後に適宜の現像液を用いて現像を行うと、前記レジ
スト膜３の未露光部分が除去されて、ガラス基板１の表
面上には、図４（ｃ）に示す如く、前記フォトマスク４
の格子パターンに対応するレジストパターン30が形成さ
れる。
スク４によって遮光されなかった部分が硬化する結果、
この後に適宜の現像液を用いて現像を行うと、前記レジ
スト膜３の未露光部分が除去されて、ガラス基板１の表
面上には、図４（ｃ）に示す如く、前記フォトマスク４
の格子パターンに対応するレジストパターン30が形成さ
れる。
【０００６】このように形成されたレジストパターン30
は、前述の如く、黒色顔料を含むレジストを塗布、乾燥
せしめて得られたものであり、良好な遮光性を有するか
ら、ガラス基板１の表面上にそのまま残すことにより遮
光格子として利用することができ、その後、図４（ｄ）
に示す如く、前記レジストパターン30の開口部内に露出
するガラス基板１の表面上に、赤、緑及び青の各色に夫
々対応する画素膜5R，5G, 5Bを形成し、更に、これらの
上部を図示しない保護膜により覆ってカラーフィルタが
製造される。
は、前述の如く、黒色顔料を含むレジストを塗布、乾燥
せしめて得られたものであり、良好な遮光性を有するか
ら、ガラス基板１の表面上にそのまま残すことにより遮
光格子として利用することができ、その後、図４（ｄ）
に示す如く、前記レジストパターン30の開口部内に露出
するガラス基板１の表面上に、赤、緑及び青の各色に夫
々対応する画素膜5R，5G, 5Bを形成し、更に、これらの
上部を図示しない保護膜により覆ってカラーフィルタが
製造される。
【０００７】なお、前記画素膜5R，5G, 5Bの形成に際し
ても、各色に対応する顔料を含むレジストを用い、該レ
ジストの塗布、乾燥、露光及び現像を順次行うレジスト
パターンの形成方法を採用することができる。
ても、各色に対応する顔料を含むレジストを用い、該レ
ジストの塗布、乾燥、露光及び現像を順次行うレジスト
パターンの形成方法を採用することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、以上の如く
行われるレジストパターンの形成方法においては、基板
の表面、又は該基板上に予め形成された層あるいは膜の
表面に成膜されたレジスト膜を露光した後、未露光部分
を現像により除去する過程において、この除去が完全に
行われず、レジストパターンの間に露出する基板又は層
あるいは膜の表面上に、除去されないままに残るレジス
ト残渣が発生するという問題があった。
行われるレジストパターンの形成方法においては、基板
の表面、又は該基板上に予め形成された層あるいは膜の
表面に成膜されたレジスト膜を露光した後、未露光部分
を現像により除去する過程において、この除去が完全に
行われず、レジストパターンの間に露出する基板又は層
あるいは膜の表面上に、除去されないままに残るレジス
ト残渣が発生するという問題があった。
【０００９】このようなレジスト残渣の発生は、特に、
前述の如く行われる液晶表示装置のカラーフィルタの製
造においては有害である。即ち、図４（ｃ）の一部に示
す如く、遮光格子となすべく形成されたレジストパター
ン30間に露出するガラス基板１の表面上にレジスト残渣
31が生じた状態にあり、図４（ｄ）に示す如く、この露
出面上に画素膜5R，5G, 5Bのいずれか（図においては画
素膜5R）が形成された場合、前記レジスト残渣31が遮光
性を有することから、前記画素膜5Rの発色が良好になさ
れず、液晶表示装置の画面上に画素欠陥として現出する
こととなる。
前述の如く行われる液晶表示装置のカラーフィルタの製
造においては有害である。即ち、図４（ｃ）の一部に示
す如く、遮光格子となすべく形成されたレジストパター
ン30間に露出するガラス基板１の表面上にレジスト残渣
31が生じた状態にあり、図４（ｄ）に示す如く、この露
出面上に画素膜5R，5G, 5Bのいずれか（図においては画
素膜5R）が形成された場合、前記レジスト残渣31が遮光
性を有することから、前記画素膜5Rの発色が良好になさ
れず、液晶表示装置の画面上に画素欠陥として現出する
こととなる。
【００１０】このような問題を解消するため前記特開平
10−198049号公報には、レジストパターンが形成された
基板の表面をブラシ、スポンジにより擦り、不要なレジ
スト残渣を機械的に除去する方法、同じく基板の表面に
高圧の現像液を吹き付け、不要なレジスト残渣を機械的
及び科学的に除去する方法が夫々開示されている。
10−198049号公報には、レジストパターンが形成された
基板の表面をブラシ、スポンジにより擦り、不要なレジ
スト残渣を機械的に除去する方法、同じく基板の表面に
高圧の現像液を吹き付け、不要なレジスト残渣を機械的
及び科学的に除去する方法が夫々開示されている。
【００１１】しかしながら、これらの方法を実施した場
合、基板の表面に形成されたレジストパターンにも除去
力が加わる結果、剥落、欠け等のパターン欠陥が発生す
るという新たな不都合を招来する。
合、基板の表面に形成されたレジストパターンにも除去
力が加わる結果、剥落、欠け等のパターン欠陥が発生す
るという新たな不都合を招来する。
【００１２】レジスト残渣の発生は、レジストパターン
をマスクとして行われるエッチング工程においても、エ
ッチングレートの不均一を招来することから望ましい現
象ではなく、種々のマイクロ構造物の製造分野全般にお
いてレジスト残渣を有効に除去する方法の実現が切望さ
れている。
をマスクとして行われるエッチング工程においても、エ
ッチングレートの不均一を招来することから望ましい現
象ではなく、種々のマイクロ構造物の製造分野全般にお
いてレジスト残渣を有効に除去する方法の実現が切望さ
れている。
【００１３】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、レジストパターンの形成後に残るレジスト残渣
を、容易に、しかも確実に除去することができ、レジス
ト残渣の影響による種々の不都合の発生を効果的に防止
することができるレジストパターンの形成方法を提供
し、更に、この方法により形成されたレジストパターン
をマスクとして行われるエッチング方法、並びにこれら
の方法を利用して行われるマイクロ構造物の製造方法、
これらの方法により製造されたマイクロ構造物、及びこ
のマイクロ構造物をカラーフィルタの遮光格子として備
える液晶表示装置を提供することを目的とする。
であり、レジストパターンの形成後に残るレジスト残渣
を、容易に、しかも確実に除去することができ、レジス
ト残渣の影響による種々の不都合の発生を効果的に防止
することができるレジストパターンの形成方法を提供
し、更に、この方法により形成されたレジストパターン
をマスクとして行われるエッチング方法、並びにこれら
の方法を利用して行われるマイクロ構造物の製造方法、
これらの方法により製造されたマイクロ構造物、及びこ
のマイクロ構造物をカラーフィルタの遮光格子として備
える液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【発明を解決する手段】本発明に係るレジストパターン
の形成方法は、基板の表面、又は該基板上に予め形成さ
れた層あるいは膜の表面にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクを介して露光した後、露光部分又は未露
光部分を現像により除去して、前記基板又は層あるいは
膜の表面に所望のレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記基板又は層あるいは膜と前記レジスト膜との
間に、該基板又は層あるいは膜及び前記レジスト膜より
もエッチングレートが高い材料製の中間膜を形成する工
程を含むことを特徴とする。
の形成方法は、基板の表面、又は該基板上に予め形成さ
れた層あるいは膜の表面にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクを介して露光した後、露光部分又は未露
光部分を現像により除去して、前記基板又は層あるいは
膜の表面に所望のレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記基板又は層あるいは膜と前記レジスト膜との
間に、該基板又は層あるいは膜及び前記レジスト膜より
もエッチングレートが高い材料製の中間膜を形成する工
程を含むことを特徴とする。
【００１５】また、前記中間膜を形成した後、前記レジ
スト膜を現像し、少なくとも、この現像により除去され
た部分の前記中間膜を除去する工程を含むことを特徴と
し、更に、前記中間膜は、水溶性を有する材料、又はド
ライエッチングによる除去が可能な材料製であることを
特徴とする。
スト膜を現像し、少なくとも、この現像により除去され
た部分の前記中間膜を除去する工程を含むことを特徴と
し、更に、前記中間膜は、水溶性を有する材料、又はド
ライエッチングによる除去が可能な材料製であることを
特徴とする。
【００１６】本発明においては、レジスト膜の形成対象
となる基板、又は該基板上に予め形成された層あるいは
膜の表面に、基板又は層あるいは膜及びレジスト膜より
もエッチングレートが高い材料、より具体的には、所定
の溶液に対する溶解度が高いか、又はドライエッチング
レートが高い材料製の中間膜を形成しておき、この中間
膜上にレジスト膜を形成して、該レジスト膜を露光及び
現像により除去した結果、当該除去部分の中間膜上に残
る不要なレジスト残渣を、前記中間膜を選択的にエッチ
ングすることにより、該中間膜と共に確実に除去する。
となる基板、又は該基板上に予め形成された層あるいは
膜の表面に、基板又は層あるいは膜及びレジスト膜より
もエッチングレートが高い材料、より具体的には、所定
の溶液に対する溶解度が高いか、又はドライエッチング
レートが高い材料製の中間膜を形成しておき、この中間
膜上にレジスト膜を形成して、該レジスト膜を露光及び
現像により除去した結果、当該除去部分の中間膜上に残
る不要なレジスト残渣を、前記中間膜を選択的にエッチ
ングすることにより、該中間膜と共に確実に除去する。
【００１７】ここで前記中間膜は、水溶性を有する材料
製であるのが好ましく、特に、コントラスト増強材がよ
く、反射防止膜等も使用可能である。より好ましくは、
前記中間膜がドライエッチング性を有する材料製である
のがよい。
製であるのが好ましく、特に、コントラスト増強材がよ
く、反射防止膜等も使用可能である。より好ましくは、
前記中間膜がドライエッチング性を有する材料製である
のがよい。
【００１８】前記基板又は層あるいは膜とレジスト膜と
の間に水溶性を有する材料からなる中間膜を形成した場
合には、該中間膜のみをレジストパターン形成後の基板
の水洗により分離させ、これと共に不要なレジスト残渣
を確実に除去することができる。また、前記基板又は層
あるいは膜とレジスト膜との間にドライエッチングによ
り容易に除去し得る材料からなる中間膜を形成した場合
には、該中間膜のみをレジストパターン形成後のドライ
エッチングにより除去し、これと共に不要なレジスト残
渣を確実に除去することができる。
の間に水溶性を有する材料からなる中間膜を形成した場
合には、該中間膜のみをレジストパターン形成後の基板
の水洗により分離させ、これと共に不要なレジスト残渣
を確実に除去することができる。また、前記基板又は層
あるいは膜とレジスト膜との間にドライエッチングによ
り容易に除去し得る材料からなる中間膜を形成した場合
には、該中間膜のみをレジストパターン形成後のドライ
エッチングにより除去し、これと共に不要なレジスト残
渣を確実に除去することができる。
【００１９】本発明に係るエッチング方法は、前記記載
の方法により形成されたレジストパターンをマスクとし
て、前記基板又は層あるいは膜をエッチングすることを
特徴とする。
の方法により形成されたレジストパターンをマスクとし
て、前記基板又は層あるいは膜をエッチングすることを
特徴とする。
【００２０】このエッチング方法においては、レジスト
残渣のないレジストパターンをマスクとしてエッチング
を行い、エッチングレートの均一化を図る。
残渣のないレジストパターンをマスクとしてエッチング
を行い、エッチングレートの均一化を図る。
【００２１】本発明に係るマイクロ構造物の製造方法
は、前記記載のレジストパターンの形成方法又はエッチ
ング方法を用いて製造されることを特徴とする。
は、前記記載のレジストパターンの形成方法又はエッチ
ング方法を用いて製造されることを特徴とする。
【００２２】このマイクロ構造物の製造方法において
は、レジスト残渣がなく良好な形状精度を有するレジス
トパターン、又はこのレジストパターンをマスクとする
エッチングにより良好な形状精度を有するエッチングパ
ターンを形成する。
は、レジスト残渣がなく良好な形状精度を有するレジス
トパターン、又はこのレジストパターンをマスクとする
エッチングにより良好な形状精度を有するエッチングパ
ターンを形成する。
【００２３】本発明に係るマイクロ構造物は、基板の表
面、又は該基板上に予め形成された層あるいは膜の表面
に積層形成された２層以上の成膜層を備えるマイクロ構
造物において、前記基板又は層あるいは膜に接する成膜
層が、該基板又は層あるいは膜、及び他の成膜層よりも
エッチングレートが高い材料製であることを特徴とす
る。
面、又は該基板上に予め形成された層あるいは膜の表面
に積層形成された２層以上の成膜層を備えるマイクロ構
造物において、前記基板又は層あるいは膜に接する成膜
層が、該基板又は層あるいは膜、及び他の成膜層よりも
エッチングレートが高い材料製であることを特徴とす
る。
【００２４】この発明においては、基板、又は該基板上
に予め形成された層あるいは膜の表面に２層以上に積層
された成膜層の内、前記基板又は層あるいは膜に接する
下層に、他の成膜層及び前記基板又は層あるいは膜より
もエッチングレートが高い材料を使用し、上層の露光、
現像により所望のパターンを形成した後の残渣を、前記
下層のエッチングにより、該下層と共に確実に除去し
て、形状精度の良好なパターンを有するマイクロ構造物
を構成する。
に予め形成された層あるいは膜の表面に２層以上に積層
された成膜層の内、前記基板又は層あるいは膜に接する
下層に、他の成膜層及び前記基板又は層あるいは膜より
もエッチングレートが高い材料を使用し、上層の露光、
現像により所望のパターンを形成した後の残渣を、前記
下層のエッチングにより、該下層と共に確実に除去し
て、形状精度の良好なパターンを有するマイクロ構造物
を構成する。
【００２５】本発明に係る液晶表示装置は、前記他の成
膜層が顔料を含むレジスト膜であるマイクロ構造物をカ
ラーフィルタの遮光格子として備えることを特徴とす
る。
膜層が顔料を含むレジスト膜であるマイクロ構造物をカ
ラーフィルタの遮光格子として備えることを特徴とす
る。
【００２６】この発明においては、ガラス基板の表面に
顔料を含むレジスト膜を、これらよりもエッチングレー
トが高い中間膜を介して形成し、レジスト膜の露光、現
像により所望の格子パターンを形成した後に中間膜上に
残るレジスト残渣を、前記中間膜のエッチングにより該
中間膜共に確実に除去して形状精度の良好なレジストパ
ターンを形成し、このレジストパターンをカラーフィル
タの遮光格子として用いて、画素欠陥のない高品位の液
晶表示装置を構成する。
顔料を含むレジスト膜を、これらよりもエッチングレー
トが高い中間膜を介して形成し、レジスト膜の露光、現
像により所望の格子パターンを形成した後に中間膜上に
残るレジスト残渣を、前記中間膜のエッチングにより該
中間膜共に確実に除去して形状精度の良好なレジストパ
ターンを形成し、このレジストパターンをカラーフィル
タの遮光格子として用いて、画素欠陥のない高品位の液
晶表示装置を構成する。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。図１及び図２は、本発明に
係るレジストパターンの形成方法（以下本発明方法とい
う）を利用して行われる液晶表示装置のカラーフィルタ
の製造過程の説明図である。
す図面に基づいて詳述する。図１及び図２は、本発明に
係るレジストパターンの形成方法（以下本発明方法とい
う）を利用して行われる液晶表示装置のカラーフィルタ
の製造過程の説明図である。
【００２８】図中１は、基台として用いるガラス基板で
あり、まず、図１（ａ）に示すように、前記ガラス基板
１の表面全体に、該ガラス基板１よりも液体に対する溶
解度が高い、即ち、エッチングレートが高い中間膜２を
形成し、更に必要な場合、該中間膜２の表面にバリアコ
ート膜を形成する。
あり、まず、図１（ａ）に示すように、前記ガラス基板
１の表面全体に、該ガラス基板１よりも液体に対する溶
解度が高い、即ち、エッチングレートが高い中間膜２を
形成し、更に必要な場合、該中間膜２の表面にバリアコ
ート膜を形成する。
【００２９】中間膜２としては、該中間膜２のみの水洗
による溶解を可能とすべく、コントラスト増強材（例え
ば、ナガセ産業製のＣＥＭ４２０ＷＳ）等の水溶性を有
する樹脂材料を用いることができ、中間膜２の形成は、
ガラス基板１の表面に前記コントラスト増強材を、塗布
回転数 5400rpmなる回転塗布法により膜厚が 0.4μｍと
なるように塗布して乾燥させて行われる。コントラスト
増強材は、高い光吸収特性を有し、一般的には、フォト
リソグラフィの工程においてレジストの表面に積層形成
し、露光時における受光量を増して、遮光部との間のコ
ントラストを増強すべく用いられている樹脂材料であ
る。
による溶解を可能とすべく、コントラスト増強材（例え
ば、ナガセ産業製のＣＥＭ４２０ＷＳ）等の水溶性を有
する樹脂材料を用いることができ、中間膜２の形成は、
ガラス基板１の表面に前記コントラスト増強材を、塗布
回転数 5400rpmなる回転塗布法により膜厚が 0.4μｍと
なるように塗布して乾燥させて行われる。コントラスト
増強材は、高い光吸収特性を有し、一般的には、フォト
リソグラフィの工程においてレジストの表面に積層形成
し、露光時における受光量を増して、遮光部との間のコ
ントラストを増強すべく用いられている樹脂材料であ
る。
【００３０】また、反射防止材等、水溶性を有するか、
又はドライエッチングにより容易に除去が可能な樹脂材
料を用いて中間膜２を構成し、該中間膜２をドライエッ
チングにより溶解させるようにしてもよい。反射防止材
は、ポリイミドシラン型樹脂からなり、通常は、Ａｌ表
面の反射率を抑えるためのコーティング材として用いら
れている。
又はドライエッチングにより容易に除去が可能な樹脂材
料を用いて中間膜２を構成し、該中間膜２をドライエッ
チングにより溶解させるようにしてもよい。反射防止材
は、ポリイミドシラン型樹脂からなり、通常は、Ａｌ表
面の反射率を抑えるためのコーティング材として用いら
れている。
【００３１】中間膜２の表面には、前述の如くバリアコ
ート膜を形成してもよい。このバリアコート膜は、後述
するレジスト膜３が中間膜２中に混入することを防止す
る作用をなすものであり、中間膜２の表面に適宜のコー
ト材（例えば、ナガセ産業製のＣＥＭＢＣ−５）を回転
塗布法により塗布し、乾燥せしめて形成される。なお、
図１中へのバリアコート膜の図示は省略してある。
ート膜を形成してもよい。このバリアコート膜は、後述
するレジスト膜３が中間膜２中に混入することを防止す
る作用をなすものであり、中間膜２の表面に適宜のコー
ト材（例えば、ナガセ産業製のＣＥＭＢＣ−５）を回転
塗布法により塗布し、乾燥せしめて形成される。なお、
図１中へのバリアコート膜の図示は省略してある。
【００３２】次に、図１（ｂ）に示すように、中間膜２
の表面にレジスト膜３を形成する。このレジスト膜３の
形成は、カーボンブラック等の黒色顔料を含有せしめた
レジスト材（例えば、富士フィルムオーリン製のＣＫ−
７８００Ｌ）を用い、これを回転数 2000rpmなる回転塗
布法により、膜厚が 0.8μｍになるように中間膜２の表
面に塗布した後、ホットプレートを用いたベーキングに
より乾燥させてなされる。
の表面にレジスト膜３を形成する。このレジスト膜３の
形成は、カーボンブラック等の黒色顔料を含有せしめた
レジスト材（例えば、富士フィルムオーリン製のＣＫ−
７８００Ｌ）を用い、これを回転数 2000rpmなる回転塗
布法により、膜厚が 0.8μｍになるように中間膜２の表
面に塗布した後、ホットプレートを用いたベーキングに
より乾燥させてなされる。
【００３３】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
膜３の表面上部に所望の格子パターンを有するフォトマ
スク４を位置決めし、矢符により示す如く、前記フォト
マスク４を介して前記レジスト膜３の表面に、４００ｍ
ｊ／ｃｍ2 なる光強度を有する光を照射して露光する。
この露光によりレジスト膜３は、フォトマスク４によっ
て遮光されず前記光に曝された部分のみが硬化し、前記
格子パターンに対応する潜像が生じる。
膜３の表面上部に所望の格子パターンを有するフォトマ
スク４を位置決めし、矢符により示す如く、前記フォト
マスク４を介して前記レジスト膜３の表面に、４００ｍ
ｊ／ｃｍ2 なる光強度を有する光を照射して露光する。
この露光によりレジスト膜３は、フォトマスク４によっ
て遮光されず前記光に曝された部分のみが硬化し、前記
格子パターンに対応する潜像が生じる。
【００３４】以上の如き露光の後、レジスト膜３を構成
するレジスト材に対応する現像液を用い、30℃の現像温
度下にて60秒間現像する。この現像により、前記レジス
ト膜３の未露光部分が除去され、前記露光によってレジ
スト膜３に生じた潜像が顕在化され、図２（ａ）に示す
ように、前記格子パターンに対応するレジストパターン
30が形成される。
するレジスト材に対応する現像液を用い、30℃の現像温
度下にて60秒間現像する。この現像により、前記レジス
ト膜３の未露光部分が除去され、前記露光によってレジ
スト膜３に生じた潜像が顕在化され、図２（ａ）に示す
ように、前記格子パターンに対応するレジストパターン
30が形成される。
【００３５】さて、以上の如く行われる現像の後には、
この現像により除去し得なかったレジスト膜３の一部
が、レジストパターン30間にレジスト残渣31として残る
ことがある。本発明方法においては、前記レジスト膜３
が、ガラス基板１の表面にではなく中間膜２の表面上に
形成されているから、図２（ａ）中に示す如く、現像の
後に残るレジスト残渣31もまた中間膜２の表面に残る。
ここで中間膜２は、前述した如く、ガラス基板１及びレ
ジスト膜３の形成に使用したレジストよりも高いエッチ
ングレートを有する材料、即ち、前記ガラス基板１及び
レジスト膜３よりも、適宜の溶液（水を含む）に対する
溶解度が高いか、又はドライエッチングレートが高い材
料により形成されていることから、ガラス基板１上の中
間膜２のみをエッチングすることが可能であり、このエ
ッチングにより前記レジスト残渣31は、中間膜２と共に
完全に除去される。
この現像により除去し得なかったレジスト膜３の一部
が、レジストパターン30間にレジスト残渣31として残る
ことがある。本発明方法においては、前記レジスト膜３
が、ガラス基板１の表面にではなく中間膜２の表面上に
形成されているから、図２（ａ）中に示す如く、現像の
後に残るレジスト残渣31もまた中間膜２の表面に残る。
ここで中間膜２は、前述した如く、ガラス基板１及びレ
ジスト膜３の形成に使用したレジストよりも高いエッチ
ングレートを有する材料、即ち、前記ガラス基板１及び
レジスト膜３よりも、適宜の溶液（水を含む）に対する
溶解度が高いか、又はドライエッチングレートが高い材
料により形成されていることから、ガラス基板１上の中
間膜２のみをエッチングすることが可能であり、このエ
ッチングにより前記レジスト残渣31は、中間膜２と共に
完全に除去される。
【００３６】中間膜２によるレジスト残渣31の取り除き
手段は、該中間膜２の形成材料に応じて異なるが、前述
の如く、コントラスト増強材等の水溶性を有する樹脂材
料により形成された中間膜２は、例えば、前記現像の後
に図２（ａ）に示す状態にある半製品を洗浄水を満たし
た水槽中にて所定時間（60秒間）に亘って水洗すること
により、容易に溶解、分離させることができ、これによ
り、中間膜２と共にレジスト残渣31を取り除くことがで
きる。
手段は、該中間膜２の形成材料に応じて異なるが、前述
の如く、コントラスト増強材等の水溶性を有する樹脂材
料により形成された中間膜２は、例えば、前記現像の後
に図２（ａ）に示す状態にある半製品を洗浄水を満たし
た水槽中にて所定時間（60秒間）に亘って水洗すること
により、容易に溶解、分離させることができ、これによ
り、中間膜２と共にレジスト残渣31を取り除くことがで
きる。
【００３７】図２（ｂ）は、水洗完了後の状態を示して
おり、図２（ａ）の状態において生じているレジスト残
渣31は、水洗により溶融分離する中間膜２と共に完全に
除去されるから、水洗完了後のガラス基板１上には、図
２（ｂ）に示す如く、現像により形成されたレジストパ
ターン30のみが中間膜２を介して積層された状態に残
る。なお水洗の後には、 200℃の温度下にて30分間のベ
ーキングを行い、残った水分を飛ばすと共に、ガラス基
板１とレジストパターン30及び中間膜２の密着性を高め
るようにするのが望ましい。
おり、図２（ａ）の状態において生じているレジスト残
渣31は、水洗により溶融分離する中間膜２と共に完全に
除去されるから、水洗完了後のガラス基板１上には、図
２（ｂ）に示す如く、現像により形成されたレジストパ
ターン30のみが中間膜２を介して積層された状態に残
る。なお水洗の後には、 200℃の温度下にて30分間のベ
ーキングを行い、残った水分を飛ばすと共に、ガラス基
板１とレジストパターン30及び中間膜２の密着性を高め
るようにするのが望ましい。
【００３８】なお、中間膜２の材料として、ドライエッ
チングにより容易に除去可能な樹脂材料が用いられてい
る場合には、前記水洗に代えてドライエッチングを実施
し、前記中間膜２をレジスト残渣31と共に除去するよう
にすればよい。
チングにより容易に除去可能な樹脂材料が用いられてい
る場合には、前記水洗に代えてドライエッチングを実施
し、前記中間膜２をレジスト残渣31と共に除去するよう
にすればよい。
【００３９】このように形成されたレジストパターン30
は、前述の如く、黒色顔料を含むレジストを塗布、乾燥
せしめて得られたレジスト膜３を、露光、現像せしめて
形成されたものであり、良好な遮光性を有するから、ガ
ラス基板１の表面上にそのまま残すことにより構成され
たマイクロ構造体を遮光格子として利用することができ
る。最後に、図２（ｃ）に示す如く、前記レジストパタ
ーン30の開口部内に露出するガラス基板１の表面上に、
赤、緑及び青の各色に夫々対応する画素膜5R，5G, 5Bを
形成し、更に必要な場合、これらの上部を図示しない保
護膜により覆ってカラーフィルタが製造される。
は、前述の如く、黒色顔料を含むレジストを塗布、乾燥
せしめて得られたレジスト膜３を、露光、現像せしめて
形成されたものであり、良好な遮光性を有するから、ガ
ラス基板１の表面上にそのまま残すことにより構成され
たマイクロ構造体を遮光格子として利用することができ
る。最後に、図２（ｃ）に示す如く、前記レジストパタ
ーン30の開口部内に露出するガラス基板１の表面上に、
赤、緑及び青の各色に夫々対応する画素膜5R，5G, 5Bを
形成し、更に必要な場合、これらの上部を図示しない保
護膜により覆ってカラーフィルタが製造される。
【００４０】なお、前記画素膜5R，5G, 5Bの形成に際し
ても、各色に対応する顔料を含むレジストを用い、該レ
ジストの塗布、乾燥、露光及び現像を順次行う本発明方
法を採用することができる。
ても、各色に対応する顔料を含むレジストを用い、該レ
ジストの塗布、乾燥、露光及び現像を順次行う本発明方
法を採用することができる。
【００４１】このように本発明方法を用いて製造された
カラーフィルタにおいては、画素膜5R，5G, 5Bの夫々が
形成されるガラス基板１の露出面上に発生するレジスト
残渣31が、前記中間膜２の分離エッチング工程の実施に
より略完全に除去され、各画素膜5R，5G, 5Bの形成位置
に遮光性を有するレジスト残渣31が存在しないから、夫
々の画素膜5R，5G, 5Bの発色を良好に行わせることがで
きる。従って、このようなカラーフィルタを使用した液
晶表示装置においては、レジスト残渣31の影響による表
示画面上の画素欠陥の発生を大幅に軽減することがで
き、不良品の発生を抑え、製品歩留りの向上を達成する
ことができる。
カラーフィルタにおいては、画素膜5R，5G, 5Bの夫々が
形成されるガラス基板１の露出面上に発生するレジスト
残渣31が、前記中間膜２の分離エッチング工程の実施に
より略完全に除去され、各画素膜5R，5G, 5Bの形成位置
に遮光性を有するレジスト残渣31が存在しないから、夫
々の画素膜5R，5G, 5Bの発色を良好に行わせることがで
きる。従って、このようなカラーフィルタを使用した液
晶表示装置においては、レジスト残渣31の影響による表
示画面上の画素欠陥の発生を大幅に軽減することがで
き、不良品の発生を抑え、製品歩留りの向上を達成する
ことができる。
【００４２】また、遮光格子として利用されるレジスト
パターン30が良好な形状精度を有して形成されており、
前記画素膜5R，5G, 5Bの夫々が良好に隔絶されているか
ら、コントラストの良好な高品位の画像表示が可能とな
る。
パターン30が良好な形状精度を有して形成されており、
前記画素膜5R，5G, 5Bの夫々が良好に隔絶されているか
ら、コントラストの良好な高品位の画像表示が可能とな
る。
【００４３】なお、ガラス基板１とレジスト膜３との間
に介装する中間膜２の材料としては、前述したコントラ
スト増強材及び反射防止材が好ましいが、ガラス基板１
及びレジスト膜３よりもエッチングレートが高く、ガラ
ス基板１からの離脱が容易な材料も使用可能である。
に介装する中間膜２の材料としては、前述したコントラ
スト増強材及び反射防止材が好ましいが、ガラス基板１
及びレジスト膜３よりもエッチングレートが高く、ガラ
ス基板１からの離脱が容易な材料も使用可能である。
【００４４】本発明方法は、以上の実施の形態において
説明した液晶表示装置のカラーフィルタの製造に限ら
ず、基板の表面、又は該基板上に予め形成された層ある
いは膜の表面に対し、レジストの塗布、露光及び現像を
経て形成されるレジストパターンをマスクとしたエッチ
ング、成膜等の処理を繰り返して行われる集積回路、マ
イクロマシン等のマイクロ構造物の製造工程全般におい
て用いることができる。
説明した液晶表示装置のカラーフィルタの製造に限ら
ず、基板の表面、又は該基板上に予め形成された層ある
いは膜の表面に対し、レジストの塗布、露光及び現像を
経て形成されるレジストパターンをマスクとしたエッチ
ング、成膜等の処理を繰り返して行われる集積回路、マ
イクロマシン等のマイクロ構造物の製造工程全般におい
て用いることができる。
【００４５】図３は、集積回路（ｐチャネルＭＯＳ型Ｆ
ＥＴ）の製造において実施されるエッチング工程の説明
図である。図中1aは、ｎ形シリコン基板であり、その表
面には、熱酸化法によりシリコン酸化膜1bが予め形成さ
れている。以下に説明するエッチングは、ｎ形シリコン
基板1aの表面にソース領域及びドレイン領域を形成する
ための窓孔をシリコン酸化膜1bに開設すべく行われる。
ＥＴ）の製造において実施されるエッチング工程の説明
図である。図中1aは、ｎ形シリコン基板であり、その表
面には、熱酸化法によりシリコン酸化膜1bが予め形成さ
れている。以下に説明するエッチングは、ｎ形シリコン
基板1aの表面にソース領域及びドレイン領域を形成する
ための窓孔をシリコン酸化膜1bに開設すべく行われる。
【００４６】まず、シリコン酸化膜1bの表面に、コント
ラスト増強材等の水溶性を有する樹脂材料を塗布し、乾
燥させて中間膜２を形成し、該中間膜２の表面にレジス
トを塗布し、乾燥させてレジスト膜３を形成する。この
状態を図３（ａ）に示す。
ラスト増強材等の水溶性を有する樹脂材料を塗布し、乾
燥させて中間膜２を形成し、該中間膜２の表面にレジス
トを塗布し、乾燥させてレジスト膜３を形成する。この
状態を図３（ａ）に示す。
【００４７】この後、図３（ｂ）に示す如く、レジスト
膜３の上部にフォトマスク４を位置決めして露光を行
い、次いで現像を行って、図３（ｃ）に示す如く、フォ
トマスク４のパターン形状に対応するレジストパターン
30を形成し、この後、水洗により中間膜２を溶解，分離
させ、現像後に残るレジスト残渣31を前記中間膜２と共
に除去する。この状態が図３（ｄ）に示されている。
膜３の上部にフォトマスク４を位置決めして露光を行
い、次いで現像を行って、図３（ｃ）に示す如く、フォ
トマスク４のパターン形状に対応するレジストパターン
30を形成し、この後、水洗により中間膜２を溶解，分離
させ、現像後に残るレジスト残渣31を前記中間膜２と共
に除去する。この状態が図３（ｄ）に示されている。
【００４８】そして、以上の如く形成されたレジストパ
ターン30をマスクとし、ｎ形シリコン基板1a上に予め形
成されているシリコン酸化膜1bをドライエッチングして
窓孔を開設し、ｎ形シリコン基板1aの表面を露出させ
る。このとき、前記中間膜２の溶解，分離により、レジ
ストパターン30の開口部内のレジスト残渣31が中間膜２
と共に良好に除去されていることから、シリコン酸化膜
1bのドライエッチングを均一なエッチングレートにて安
定して行わせることができる。図３（ｅ）は、ドライエ
ッチングした後の状態を示している。
ターン30をマスクとし、ｎ形シリコン基板1a上に予め形
成されているシリコン酸化膜1bをドライエッチングして
窓孔を開設し、ｎ形シリコン基板1aの表面を露出させ
る。このとき、前記中間膜２の溶解，分離により、レジ
ストパターン30の開口部内のレジスト残渣31が中間膜２
と共に良好に除去されていることから、シリコン酸化膜
1bのドライエッチングを均一なエッチングレートにて安
定して行わせることができる。図３（ｅ）は、ドライエ
ッチングした後の状態を示している。
【００４９】この後、マスクとして用いたレジスト膜３
を除去し、残されたシリコン酸化膜1bを露出させるが、
このとき、前記レジスト膜３は、ｎ形シリコン基板1a上
に中間膜２を介して形成されていることから、現像され
たレジスト膜３の除去後に該レジスト膜３の残渣を、中
間膜２と共に容易に、しかも確実に除去することができ
る。即ち、露出させたシリコン酸化膜1bの表面にレジス
ト残渣が残ることがなくなる。
を除去し、残されたシリコン酸化膜1bを露出させるが、
このとき、前記レジスト膜３は、ｎ形シリコン基板1a上
に中間膜２を介して形成されていることから、現像され
たレジスト膜３の除去後に該レジスト膜３の残渣を、中
間膜２と共に容易に、しかも確実に除去することができ
る。即ち、露出させたシリコン酸化膜1bの表面にレジス
ト残渣が残ることがなくなる。
【００５０】ｐチャネルＭＯＳ型ＦＥＴは、ドライエッ
チングにより形成された窓孔内に露出するｎ形シリコン
基板1aの表面に、ｐ型不純物を拡散せしめてソース、ド
レイン領域を形成し、次いで、これらの上部での酸化膜
の形成及びエッチングを繰り返し、ゲート領域、配線領
域を形成し、更に、アルミニウムの真空蒸着、蒸着層の
エッチングにより、ゲート電極及び配線を形成する手順
にて製造される。
チングにより形成された窓孔内に露出するｎ形シリコン
基板1aの表面に、ｐ型不純物を拡散せしめてソース、ド
レイン領域を形成し、次いで、これらの上部での酸化膜
の形成及びエッチングを繰り返し、ゲート領域、配線領
域を形成し、更に、アルミニウムの真空蒸着、蒸着層の
エッチングにより、ゲート電極及び配線を形成する手順
にて製造される。
【００５１】以上の夫々の形成工程において行われるエ
ッチングに際しても、マスクとなすべきレジストパター
ンの形成に本発明方法を用いることにより、各工程での
エッチングレートの均一化を図り、エッチング形状の高
精度化を達成することができる。
ッチングに際しても、マスクとなすべきレジストパター
ンの形成に本発明方法を用いることにより、各工程での
エッチングレートの均一化を図り、エッチング形状の高
精度化を達成することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明に係るレジスト
パターンの形成方法においては、レジスト膜の露光、現
像によりレジストパターンを形成した後に残る不要なレ
ジスト残渣が中間膜上に残り、該中間膜と共に、容易
に、しかも確実に除去することが可能となり、形成され
たレジストパターンを利用して行われる成膜、エッチン
グ等の後工程において、レジスト残渣の影響による不都
合の発生を効果的に防止して、形状精度の向上に寄与す
ることができる。
パターンの形成方法においては、レジスト膜の露光、現
像によりレジストパターンを形成した後に残る不要なレ
ジスト残渣が中間膜上に残り、該中間膜と共に、容易
に、しかも確実に除去することが可能となり、形成され
たレジストパターンを利用して行われる成膜、エッチン
グ等の後工程において、レジスト残渣の影響による不都
合の発生を効果的に防止して、形状精度の向上に寄与す
ることができる。
【００５３】また本発明に係るエッチング方法において
は、より均一なレートでのエッチングが可能となり、形
状精度の良好なエッチングを行わせることができる。
は、より均一なレートでのエッチングが可能となり、形
状精度の良好なエッチングを行わせることができる。
【００５４】また本発明に係るマイクロ構造物の製造方
法においては、本発明に係るレジストパターンの形成方
法及びエッチング方法を利用し、基板の表面、又は該基
板上に予め形成された層あるいは膜の表面に、前記基板
並びに膜及び層よりもエッチングレートが高い、即ち、
溶解，分離性が高い成膜層を下層とする２層以上の成膜
層を形成したから、各成膜層の形状精度が優れたマイク
ロ構造物を製造することができ、また本発明に係るマイ
クロ構造物においては、不要なレジスト残渣が存在せ
ず、形状精度の良好なレジスト膜を備えるマイクロ構造
物を構成することができる。
法においては、本発明に係るレジストパターンの形成方
法及びエッチング方法を利用し、基板の表面、又は該基
板上に予め形成された層あるいは膜の表面に、前記基板
並びに膜及び層よりもエッチングレートが高い、即ち、
溶解，分離性が高い成膜層を下層とする２層以上の成膜
層を形成したから、各成膜層の形状精度が優れたマイク
ロ構造物を製造することができ、また本発明に係るマイ
クロ構造物においては、不要なレジスト残渣が存在せ
ず、形状精度の良好なレジスト膜を備えるマイクロ構造
物を構成することができる。
【００５５】更に本発明に係る液晶表示装置において
は、上層を顔料を含むレジスト膜とし、該レジスト膜の
露光、現像により所望のレジストパターンを形成した後
のレジスト残渣を下層のエッチングにより除去したマイ
クロ構造物をカラーフィルタの遮光格子として備えたか
ら、レジスト残渣の影響による画素欠陥の発生を有効に
防止することができ、高品位の画像表示が可能となり、
また製品歩留りの向上を図ることができる等、本発明は
優れた効果を奏する。
は、上層を顔料を含むレジスト膜とし、該レジスト膜の
露光、現像により所望のレジストパターンを形成した後
のレジスト残渣を下層のエッチングにより除去したマイ
クロ構造物をカラーフィルタの遮光格子として備えたか
ら、レジスト残渣の影響による画素欠陥の発生を有効に
防止することができ、高品位の画像表示が可能となり、
また製品歩留りの向上を図ることができる等、本発明は
優れた効果を奏する。
【図１】本発明方法を利用して行われる液晶表示装置の
カラーフィルタの製造過程の説明図である。
カラーフィルタの製造過程の説明図である。
【図２】本発明方法を利用して行われる液晶表示装置の
カラーフィルタの製造過程の説明図である。
カラーフィルタの製造過程の説明図である。
【図３】集積回路の製造において実施されるエッチング
工程の説明図である。
工程の説明図である。
【図４】液晶表示装置のカラーフィルタの製造過程の説
明図である。
明図である。
１ ガラス基板 1a ｎ形シリコン基板 1b シリコン酸化膜 ２ 中間膜 ３ レジスト膜 ４ フォトマスク 30 レジストパターン 31 レジスト残渣
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AB13 AC01 AD01 AD03 CC11 DA14 DA15 DA40 FA28 FA39 FA41 2H048 BA11 BA45 BA47 BA48 BB14 2H091 FA02Y FC23 FC26 GA01 GA16 LA12 LA15 LA16 LA30 2H096 AA30 BA01 BA09 CA05 EA02 GA08 HA23 5F046 LA14 LA18 PA07
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の表面、又は該基板上に予め形成さ
れた層あるいは膜の表面にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクを介して露光した後、露光部分又は未露
光部分を現像により除去して、前記基板又は層あるいは
膜の表面に所望のレジストパターンを形成する方法にお
いて、 前記基板又は層あるいは膜と前記レジスト膜との間に、
該基板又は層あるいは膜及び前記レジスト膜よりもエッ
チングレートが高い材料製の中間膜を形成する工程を含
むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記中間膜を形成した後、前記レジスト
膜を現像し、少なくとも、この現像により除去された部
分の前記中間膜を除去する工程を含む請求項１記載のレ
ジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記中間膜は、水溶性を有する材料、又
はドライエッチングによる除去が可能な材料製である請
求項１又は請求項２記載のレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の方法により形成されたレジストパターンをマスクとし
て、前記基板又は層あるいは膜をエッチングすることを
特徴とするエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項３のいずれか記載の
レジストパターンの形成方法又は請求項４記載のエッチ
ング方法を用いて製造されるマイクロ構造物の製造方
法。 - 【請求項６】 基板の表面、又は該基板上に予め形成さ
れた層あるいは膜の表面に積層形成された２層以上の成
膜層を備えるマイクロ構造物において、 前記基板又は層あるいは膜に接する成膜層が、該基板又
は層あるいは膜、及び他の成膜層よりもエッチングレー
トが高い材料製であることを特徴とするマイクロ構造
物。 - 【請求項７】 前記他の成膜層が顔料を含むレジスト膜
である請求項６記載のマイクロ構造物をカラーフィルタ
の遮光格子として備える液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041799A JP2001228634A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041799A JP2001228634A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001228634A true JP2001228634A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18564969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000041799A Pending JP2001228634A (ja) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | レジストパターンの形成方法、エッチング方法、マイクロ構造物の製造方法、マイクロ構造物及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001228634A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007093670A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | バンク形成方法、カラーフィルタ基板の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、配線パターンの形成方法 |
| CN100368892C (zh) * | 2006-04-04 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 制作彩色滤光基板的方法 |
| JP2008294476A (ja) * | 2008-08-25 | 2008-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の現像処理方法及び現像処理装置 |
| KR101061700B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 현상 처리 방법, 기판의 처리 방법 및 현상액 공급노즐 |
-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000041799A patent/JP2001228634A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101061700B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 현상 처리 방법, 기판의 처리 방법 및 현상액 공급노즐 |
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