JPS6014238A - 基板上に多重層レジストを形成する方法 - Google Patents

基板上に多重層レジストを形成する方法

Info

Publication number
JPS6014238A
JPS6014238A JP59028829A JP2882984A JPS6014238A JP S6014238 A JPS6014238 A JP S6014238A JP 59028829 A JP59028829 A JP 59028829A JP 2882984 A JP2882984 A JP 2882984A JP S6014238 A JPS6014238 A JP S6014238A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
polysilane
substrate
resist
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59028829A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0376742B2 (ja
Inventor
ヒロユキ・ヒラオカ
ドナルド・クリフオ−ド・ホフア−
ロバ−ト・デニス・ミラ−
レスタ−・アリン・ベダ−ソン
カ−ルトン・グラント・ウイルソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS6014238A publication Critical patent/JPS6014238A/ja
Publication of JPH0376742B2 publication Critical patent/JPH0376742B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターンをなす酸素反応性イオン食刻障壁層を
形成するための方法に関する。本発明の方法は溶解可能
で注型可能なポリシランの使用を含む。
〔背景技法〕
多重層レジストは集積回路装置の製造で見られる種類の
複雑な図形にわったって高分離能レリーフ像を形成する
のに顕著な効果を有する（これについては、１９８２年
刊Ａｍｅｒｉｃａｎ　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ
刊Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔ
ｈｏｇｒａｐｌ＋ｙ中のＢ、Ｊ、Ｌｉｎ著”Ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｓｙｓｔｅｍｓ”なる題の
章を参照されたい）。
複雑な図形にわたって高い縦横比で高い分解能をレリー
フ像を形成するための多重層レジスト機構の実現及び有
効性は０２−ＲＩＥ　（反応性イオン食刻）障壁層の使
用の有効性及び容易性に依存する。この障壁層は０２−
ＲＩＥに耐性を示し第１及び第３の層で使用されるプロ
セス及び材料と両立可能な性質を有さなければならない
。従来は、スピン付着ガラス及びＳｉ３Ｎ４の如き材料
が、０２−ＲＩＥ障壁層として使用されていた。しかし
ながら、この様な材料の使用には問題がある。
現在使用されている一つの標準の材料、登録商標名“ス
ピン・オン・ガラス″は溶液からスピン付着されるケイ
酸塩ガラスである。この溶液は貯蔵期間が短かく、経時
変化によってスピンキャスティング薄膜中に１０ミクロ
ン程も大きい粒子状の欠陥を生ずる。これ等の欠陥はプ
ロセスの歩留りに多大の影響を与える。他の通常の方法
はプラズマとして付着されるＳｔもしくはＳ　ｉ　３　
Ｎ　４の使用を含む。この方法は有効な０２−ＲＩＥ障
壁層を形成するが、使用される他の薄膜との熱的不整合
によってＳｉ３Ｎ４にひび割れを生じ、欠陥を生ずる。
加えてＳｉ３Ｎ４障壁層及び最上のレジスト層間の良好
な接着が困難になり、一般に接着促進剤を必要とし、追
加の処理段階を必要とし、製造コストを高くする。
〔本発明の開示〕
本発明に従い、パターン化された酸素反応性イオン食刻
障壁層の形成方法が与えられる。本発明は２層の製造段
階で十分であるが、３層の装置を形成する様に修正され
得る。本発明は可溶性の、しいポリシランはジクロルジ
メチルシラン及びジクロルフェニルメチルシランの共重
合化から誘導される１：１共重合体である。他の好まし
いポリシランはポリ（フェニルメチルシラン さらに他の好ましいポリシランはポリ（クロルヘキシル
メチルシラン）である。ポリシランは０２のプラズマに
露らした時にポリシラン層の表面上にＳ　ｉ　Ｏ　２の
薄膜を生ずるので優れたＲＩＥ耐性を示す。これ等の材
料のケイ素及び有機材料に対する接着性は優れている。
障壁材料としてポリシランを使用すると上層のレジスト
に対して優れた接着性を与える事ができる。なんとなれ
ばこれ等の層はポリシランとわずかに混合するからであ
る。
これ等の材料の使用に際しては表面を予備処理する必要
はない。
本発明にとって有用なポリシランは約４０００の分子量
（「Ｗ）及び！ＯＯ’Ｃ以上のガラス転移温度を有する
。
３− 〔実施例〕 第１図を参照するに、従来技法の第１段階として、代表
的には、ケイ素である基板４、これを覆う３層レジスト
より成る構造体が示されている。
基板４に近い層１は平坦性を与えるための重合体層であ
る。この層は通常的１−５ミクロン厚さを有する。中間
層もしくは障壁層である層２は本発明では溶解可能で注
型可能なポリシランより成る。
このポリシラン障壁層の使用が新規なものである。
層２は約０．１乃至０．５ミクロンの厚さを有する事が
好ましい。層３はその後の像転写段階での忠実度を与え
るための許容可能な欠陥密度を保証するに十分厚い写真
食刻レジストでなければならない。
第２段階において、層３は通常の如くパターン化され、
障壁層２の選択された領域が露出される。
第３段階において、レジストの像を障壁層２迄転写する
のにＣＦ４−０２食刻が使用される。
第４段階において、異方性０２−ＲＩＥが使用され，障
壁層２の像が重合体層１迄転写される。
４− この結果、高い縦横比及び高い分解能を有するテンプレ
ートが得られる。
写真食刻レジスト層３は周知の多くのレジスト材料のう
ちの任意の−っでよく、ポジティブ・レジストもしくは
ネガティブ・レジストのどちらでもよく、電子ビーム、
Ｘ線、イオン・ビームもしくは紫外線のいずれに敏感な
ものでもよい。
有用なレジストの例にはジアゾキノンで増感されたノボ
ラック、ポリ（スルホン）、ポリ（メチルメタクリレー
ト）及びその類似体で増感されたノボラックが含まれる
。
ポリシランを注型するのに使用される好ましい溶媒はト
ルエン、キシレン及び他の炭化水素並びにその混合物を
含む。
平坦化用重合体層である層ｌは周知の多くの重合体の任
意のものでよい。この層の材料はポリシラン層２を注型
するために選択された溶媒に不溶でなければならない。
代表的な有用な重合体は熱硬化されたジアゾキノン・ノ
ボラック及び交差結合されたビスアジド−ごむレジスト
である。
好ましいポリシランの１つの合成は次の如くして達成さ
れる。機械的攪拌器、添加用じょうご及び還流冷却器を
装備するフラスコ中に乾燥トルエン６５０　ｒｎ　Ｑ及
び新しく蒸留されたフェニルメチルジクロルシラン２．
０モルが加えられた。混合物は加熱されて還流を生じ、
還流を保ちつつ添加用じょうごを通してナトリウム分散
体（ミネラルスピリット中に３９．３％含まれる）が徐
々に添加された。添加後、混合物は一時間還流され２５
℃に冷却された。余分なナトリウムは４００　ｍ　Ｑの
１：１イソプロパノ−ルーエタノール混合物によって分
解された。８　ｒｎ　Ｑ、の水を加えた後、反応性混合
物は５Ｑのイソプロパツール中に加えられ、沈殿された
重合体がろ過され、空気乾燥された。
重合体はトルエン約１υに再溶融され、水で１０回洗わ
れ、塩が除去された。トルエンは硫酸ナトリウム上で乾
燥され、溶媒が回転蒸発器上で除去された。重合体残留
物は８６℃の温度で真空ろ中で乾燥された（濃度５５．
１％で６６．５ｇが得られた）。本発明によって有用な
他のポリシランも類似の方法で調製され得る。
本発明の代表的実施例における３層写真食刻用構造体は
０２ミクロンの厚さのノボラック・レジストをスピン付
着し、一時間にわたり２００℃の温度で焼く、■オキシ
シン中に６重量％のポリ（フェニルメチル・シラン）を
含む溶液をスピン付着して、０．２５ミクロンの厚さの
膜を形成し、１２５℃の温度で２０分間焼く、００．５
０ミクロンの厚さのＡＺ２４００レジストをスピン付着
する事によって形成された（登録商標名ＡＺ２４００は
シップレイ社から販売されているジアゾキノン・ノボラ
ック型レジストである）。ＡＺ２４００レジストは、高
圧水銀灯及び帯域通過光学フィルタを使用して４０４ｎ
ｍの波長の光に１００ｍ　Ｊ　／　ｃＪＩの露光量で露
光された。ＡＺ２４００レジスト像は４分間にわたり５
／１の希釈率のＨ２０／ＡＺ２４０１現像剤で現像され
た（登録商標名ＡＺ２４０１は上記シップレイ社から販
売されている現像溶液である）。ポリシランへの像転写
は２００ワツトの電力２０８ＣＣＭ（標準温度・７− 圧力下での流量２７分）のＣＦ４の流れ及び１４０ｍト
ル（１４０Ｘ１０−”　ｍＨｇ）で動作するＴｅｇａｌ
　Ｐｌａｓｍａｌｉｎｅ　１００　ＲＩ　Ｅ器を使用す
る、ＣＦ４−Ｏ２反応イオン食刻（ＲＩＥ）によって行
われた。食刻率は１０００人／分で全食刻時間は３分で
ある。ポリシランの像のノボラック・レジストへの最終
転写は０２−　ＲＩ　Ｅ　、　０２の流れ（２５ＣＦＭ
；立方フィー８７分）、ｉｏｏワットの電力及び１４０
ｍトルの圧力で遂行された。
本発明の最も好ましい実施例は通常の３重層装置に代っ
て２重層装置を与える。本発明の重要な特徴は溶解可能
で注型可能なポリシランが有効な０２−ＲＩＥ食刻障壁
層を与えるだけでなく、ポジティブ・レジストでもある
点にある。この簡単化された過程は第２図を参照する事
によって明らかにされよう。段階１において、代表的に
はケイ素である基板４は重合体１、次に可溶性の注型可
能なポリシランの順序で被覆される。段階２において、
ポリシラン層１は像に従って露光されて、現像され、重
合体１の選択領域が露出される。段８− 階３において、ポリシラン・レジスト像を重合体層に転
写するのに異方性０２−ＲＩＥが使用され、基板４の選
択された領域が露出される。この結果第１図に関連して
説明された、相対的に複雑な過程で形成されたものと同
じ高分解能、高縦横比の像が形成される。
２重層装置の製造にはポリシランの露光に３７５ｎｍ以
下の波長を使用する事が好ましい。これより長い波長の
光を使用する露出装置を使用して同等の構造体を得たい
場合には、３層構造体が適している。
本発明の代表的実施例において、２重層構造体は０２ミ
クロンの厚さのノボラック型レジストをスピン付着して
、２００℃の温度で１時間にわたり焼成し、■キシレン
中に６重量％のポリ（シクロヘキシル・メチル・シラン
）を含む溶液から０゜２５ミクロンの厚さの薄膜をスピ
ン付着し、１２５℃の温度で２０分間焼成する事によっ
て製造される。薄膜はＵＶ−３モード、走査速度９００
０、開孔設定値＃２に設定されたＰｅｒｋｉｎ　Ｅ１ｍ
ｅｒＭｉｃｒａｌｉｎｅ　５００を使用して露光される
。現像は室温のイソプロピル・アルコール中で行われた
。
像転写は２０８ＣＣＭの０２の流れ１００ワツトの使用
電力及び１４０ｍトルの圧力を使用するＴｅｇａｌ　Ｐ
ｌａｓｍａｌｉｎｅ　１００　ＲＩ　Ｅ器中で達成され
た。結果の構造体は１ミクロン以下の線幅の最小の像を
与える事ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術に従う３層装置の製造段階を示した流
れ図である。第２図は本発明によって可能な２重層装置
の製造段階を示した流れ図である。 １・・・・平坦化用重合体層、２・・・・ポリシラン層
、３・・・・レジスト層、４・・・・基板。 出願人　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 復代理人　弁理士　澤　１）　俊　夫 ＦＩＧ、２ 第１頁の続き ０発　明　者　レスター・アリン・ベダーソンアメリカ
合衆国カリフォルニア 州サンノゼ・クリ−・コート７６ ６番地 ０発　明　者　カールトン・グランド・ウィルソン アメリカ合衆国カリフォルニア 州サンノゼ・バーディング・ア ベニュー８９６番地

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に重合体の層を被覆し、
  2. （２）上記重合体の層を溶解しない有機溶媒中に溶解さ
    れたポリシランの溶液を薄膜として上記重合体の層上に
    被覆し。
  3. （３）上記ポリシランの薄膜を像に従って放射線に露ら
    し、
  4. （４）上記ポリシランの薄膜を溶媒に接触させる事によ
    って放射線に露らされた領域を溶解する事によって現像
    し、
  5. （５）異方性酸素反応性イオン食刻を行って基板の一部
    を露出する諸段階より成る基板上に多重層レジストを形
    成する方法。
JP59028829A 1983-06-28 1984-02-20 基板上に多重層レジストを形成する方法 Granted JPS6014238A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US508644 1983-06-28
US06/508,644 US4464460A (en) 1983-06-28 1983-06-28 Process for making an imaged oxygen-reactive ion etch barrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6014238A true JPS6014238A (ja) 1985-01-24
JPH0376742B2 JPH0376742B2 (ja) 1991-12-06

Family

ID=24023509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59028829A Granted JPS6014238A (ja) 1983-06-28 1984-02-20 基板上に多重層レジストを形成する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4464460A (ja)
EP (1) EP0130338B1 (ja)
JP (1) JPS6014238A (ja)
DE (1) DE3470965D1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61226748A (ja) * 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Ｘ線レジスト
JPS62153852A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS63129622A (ja) * 1986-11-20 1988-06-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS63184746A (ja) * 1984-04-05 1988-07-30 アメリカ合衆国 基板表面にポジ像を形成する方法
JPS63204253A (ja) * 1987-02-20 1988-08-23 Hitachi Ltd パタン形成法
JPH0643655A (ja) * 1991-03-04 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス
US7026099B2 (en) 2002-04-24 2006-04-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4587205A (en) * 1984-04-05 1986-05-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of using polysilane positive photoresist materials
US4523372A (en) * 1984-05-07 1985-06-18 Motorola, Inc. Process for fabricating semiconductor device
US5674648A (en) * 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4892617A (en) * 1984-08-22 1990-01-09 American Telephone & Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Processes involving lithographic materials
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
US4723978A (en) * 1985-10-31 1988-02-09 International Business Machines Corporation Method for a plasma-treated polysiloxane coating
US4778739A (en) * 1986-08-25 1988-10-18 International Business Machines Corporation Photoresist process for reactive ion etching of metal patterns for semiconductor devices
US5039593A (en) * 1986-10-31 1991-08-13 Zeigler John K Poly(silyl silane) homo and copolymers
US4820788A (en) * 1986-10-31 1989-04-11 John M. Zeigler Poly(silyl silane)homo and copolymers
US4772525A (en) * 1987-05-01 1988-09-20 Xerox Corporation Photoresponsive imaging members with high molecular weight polysilylene hole transporting compositions
US4758488A (en) * 1987-08-24 1988-07-19 Xerox Corporation Stabilized polysilylenes and imaging members therewith
JPH01118126A (ja) * 1987-10-31 1989-05-10 Fujitsu Ltd パターン形成方法
US5082872A (en) * 1987-11-12 1992-01-21 Dow Corning Corporation Infusible preceramic polymers via ultraviolet treatment in the presence of a reactive gas
US5270259A (en) * 1988-06-21 1993-12-14 Hitachi, Ltd. Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub.
US5212050A (en) * 1988-11-14 1993-05-18 Mier Randall M Method of forming a permselective layer
JP2737225B2 (ja) * 1989-03-27 1998-04-08 松下電器産業株式会社 微細パターン形成材料およびパターン形成方法
US5166038A (en) * 1989-07-27 1992-11-24 International Business Machines Corporation Etch resistant pattern formation via interfacial silylation process
US5453157A (en) * 1994-05-16 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Low temperature anisotropic ashing of resist for semiconductor fabrication
JPH1160735A (ja) * 1996-12-09 1999-03-05 Toshiba Corp ポリシランおよびパターン形成方法
US6100172A (en) * 1998-10-29 2000-08-08 International Business Machines Corporation Method for forming a horizontal surface spacer and devices formed thereby
JP2001198900A (ja) * 2000-01-22 2001-07-24 Yoshikazu Nakayama 超微細探針によるリソグラフィ法
JP2001308002A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Canon Inc フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615538A (en) * 1968-08-02 1971-10-26 Printing Dev Inc Photosensitive printing plates
US4036813A (en) * 1975-11-26 1977-07-19 General Electric Company Composition for promoting adhesion of curable silicones to substrates
JPS55166647A (en) * 1979-06-15 1980-12-25 Fuji Photo Film Co Ltd Photoconductive composition and electrophotographic receptor using this

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63184746A (ja) * 1984-04-05 1988-07-30 アメリカ合衆国 基板表面にポジ像を形成する方法
JPS61226748A (ja) * 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Ｘ線レジスト
JPS62153852A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS63129622A (ja) * 1986-11-20 1988-06-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0357610B2 (ja) * 1986-11-20 1991-09-02 Fujitsu Ltd
JPS63204253A (ja) * 1987-02-20 1988-08-23 Hitachi Ltd パタン形成法
JPH0643655A (ja) * 1991-03-04 1994-02-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス
US7026099B2 (en) 2002-04-24 2006-04-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US4464460A (en) 1984-08-07
EP0130338A3 (en) 1985-11-21
JPH0376742B2 (ja) 1991-12-06
EP0130338A2 (en) 1985-01-09
EP0130338B1 (en) 1988-05-04
DE3470965D1 (en) 1988-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6014238A (ja) 基板上に多重層レジストを形成する方法
US4692205A (en) Silicon-containing polyimides as oxygen etch stop and dual dielectric coatings
JP2744875B2 (ja) 感光性ケイ素含有レジスト組成物及びその使用方法
JPS62297837A (ja) 熱安定性の高い多層レジスト・マスクの形成方法
JP4852360B2 (ja) 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法
JPS60124940A (ja) 乾式ポジテイブ・ト−ンの微小パタ−ン形成方法
JP2005115380A (ja) スピンオンａｒｃ／ハードマスク用のシリコン含有組成物
JPS60229026A (ja) 電子デバイスの製造方法
JPH0220869A (ja) 乾式現像用レジスト
JPS62270952A (ja) 二層フオトレジストの現像
JP2901044B2 (ja) 三層レジスト法によるパターン形成方法
JPS59124134A (ja) レジスト・マスクの形成方法
TWI239567B (en) Method of manufacturing semiconductor device
JPH0364861B2 (ja)
JPS59184337A (ja) 感光性耐熱材料
JPH0343615B2 (ja)
JPH05158235A (ja) レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JPH0314333B2 (ja)
JPS6364772B2 (ja)
JPH0472223B2 (ja)
JPH02156244A (ja) パターン形成方法
JPH0334053B2 (ja)
JPH06318539A (ja) ポリイミドのパターン形成方法
Miura et al. Comparison of Silicon Containing Resist and Silylation of Imaged Resist for Multilayer Resist Lithography on a Metal Lift‐Off Application
JPH0272361A (ja) 二層構造電子線レジスト