JPH05158235A - レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジスト組成物とレジストパターンの形成方法Info
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- JPH05158235A JPH05158235A JP3327215A JP32721591A JPH05158235A JP H05158235 A JPH05158235 A JP H05158235A JP 3327215 A JP3327215 A JP 3327215A JP 32721591 A JP32721591 A JP 32721591A JP H05158235 A JPH05158235 A JP H05158235A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- upper layer
- resist pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト組成物とレジストパターンの形成方
法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジ
ストを実用化することを目的とする。 【構成】 クレゾールノボラックとナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシ
リカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジス
トを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選
択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジスト
パターンを作り、この上層レジストパターンをマスクと
してドライエッチングを行い、このパターンを下層レジ
ストに転写することを特徴としてレジストパターンの形
成方法を構成する。
法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジ
ストを実用化することを目的とする。 【構成】 クレゾールノボラックとナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシ
リカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジス
トを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選
択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジスト
パターンを作り、この上層レジストパターンをマスクと
してドライエッチングを行い、このパターンを下層レジ
ストに転写することを特徴としてレジストパターンの形
成方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は解像性と耐ドライエッチ
ング性に優れたレジスト組成物とレジストパターンの形
成方法に関する。
ング性に優れたレジスト組成物とレジストパターンの形
成方法に関する。
【０００２】大量の情報を高速に処理する必要から情報
処理装置は小型化と大容量化が進められており、この装
置の主体を構成する半導体装置は大容量化が進んでLSI
やVLSIが実用化されているが、更に集積化が進んでULSI
の開発が進められている。
処理装置は小型化と大容量化が進められており、この装
置の主体を構成する半導体装置は大容量化が進んでLSI
やVLSIが実用化されているが、更に集積化が進んでULSI
の開発が進められている。
【０００３】こゝで、集積化は主として単位素子の小形
化により行われているために電極や配線は益々微細化し
ており、最小線幅としてサブミクロン(Sub-micrn) が使
用されている。
化により行われているために電極や配線は益々微細化し
ており、最小線幅としてサブミクロン(Sub-micrn) が使
用されている。
【０００４】また、集積化に伴い、配線の交叉( クロス
オーバ) が不可避であり、そのために集積回路の形成が
行われている基板面には微細な段差が数多く存在してお
り、この微細な段差は配線の多層化が進行するに従って
益々顕著になっている。
オーバ) が不可避であり、そのために集積回路の形成が
行われている基板面には微細な段差が数多く存在してお
り、この微細な段差は配線の多層化が進行するに従って
益々顕著になっている。
【０００５】さて、集積回路の形成は薄膜形成技術, 写
真蝕刻技術( フォトリソグラフィ),イオン注入技術など
が使用されているが、微細パターンの形成には薄膜形成
技術と写真蝕刻技術が使用されている。
真蝕刻技術( フォトリソグラフィ),イオン注入技術など
が使用されているが、微細パターンの形成には薄膜形成
技術と写真蝕刻技術が使用されている。
【０００６】すなわち、被処理基板上に形成してある薄
膜上にスピンコート法などによりレジストを被覆し、投
影露光を行って微細パターンを選択露光し、レジストが
ポジ型の場合は露光部が現像液に可溶性となり、一方、
ネガ型の場合は不溶性となるのを利用してレジストパタ
ーンを作り、これをマスクとしてドライエッチングを行
うことにより微細パターンが作られている。
膜上にスピンコート法などによりレジストを被覆し、投
影露光を行って微細パターンを選択露光し、レジストが
ポジ型の場合は露光部が現像液に可溶性となり、一方、
ネガ型の場合は不溶性となるのを利用してレジストパタ
ーンを作り、これをマスクとしてドライエッチングを行
うことにより微細パターンが作られている。
【０００７】然し、段差を伴う被処理基板に対しては、
この方法で微細パターンを形成することは不可能であ
り、この段差の影響を無くして微細パターンを形成する
方法として二層レジスト法が用いられている。
この方法で微細パターンを形成することは不可能であ
り、この段差の影響を無くして微細パターンを形成する
方法として二層レジスト法が用いられている。
【０００８】本発明は二層構造の上層レジストに関する
ものである。
ものである。
【０００９】
【従来の技術】二層構造レジスト法は凹凸を伴う被処理
基板上にフェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラ
ック樹脂よりなる下層レジストを１〜５μm の厚さに塗
布して段差を平坦化した後、この上に上層レジストを0.
1 〜1 μm 程度と薄く塗布するものである。
基板上にフェノールノボラック樹脂やクレゾールノボラ
ック樹脂よりなる下層レジストを１〜５μm の厚さに塗
布して段差を平坦化した後、この上に上層レジストを0.
1 〜1 μm 程度と薄く塗布するものである。
【００１０】そして、投影露光などの方法により選択的
露光と現像とを行って上層レジストをパターンニングし
た後、このレジストパターンをマスクとして下層レジス
トを酸素( O2) プラズマによりドライエッチングを行
い、レジストパターンを得る。
露光と現像とを行って上層レジストをパターンニングし
た後、このレジストパターンをマスクとして下層レジス
トを酸素( O2) プラズマによりドライエッチングを行
い、レジストパターンを得る。
【００１１】かゝる二層構造レジスト法は従来の単層レ
ジスト法に較べると、上層レジストを格段に薄く形成で
きるために、高い解像性を実現することができる。その
ため、上層レジストはO2プラズマに対して充分な耐性を
備えていることが必要であり、この観点からシリコーン
系の樹脂または硅素(Si)含有の有機樹脂などが検討され
ている。
ジスト法に較べると、上層レジストを格段に薄く形成で
きるために、高い解像性を実現することができる。その
ため、上層レジストはO2プラズマに対して充分な耐性を
備えていることが必要であり、この観点からシリコーン
系の樹脂または硅素(Si)含有の有機樹脂などが検討され
ている。
【００１２】例えば、ポリ-p- クロロメチルフェニルフ
ェニルシロキサン, ポリアリルシルセスキオキサン, ポ
リビニルシルセスキオキサンなどが該当する。然し、こ
れらの有機硅素重合体( シリコーン) レジストは露光後
の現像に有機溶媒を使用することから膨潤が避けられ
ず、そのために解像性が低下し、サブミクロン(Sub-mic
ron)パターンを安定して形成できないと云う問題があっ
た。
ェニルシロキサン, ポリアリルシルセスキオキサン, ポ
リビニルシルセスキオキサンなどが該当する。然し、こ
れらの有機硅素重合体( シリコーン) レジストは露光後
の現像に有機溶媒を使用することから膨潤が避けられ
ず、そのために解像性が低下し、サブミクロン(Sub-mic
ron)パターンを安定して形成できないと云う問題があっ
た。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ULSIやVLSIの開発には
凹凸のある基板上に微細パターンを形成するため、二層
構造レジストの使用が不可欠であるが、従来の上層レジ
ストは現像に有機溶媒を使用するため膨潤による解像性
の低下が避けられない。
凹凸のある基板上に微細パターンを形成するため、二層
構造レジストの使用が不可欠であるが、従来の上層レジ
ストは現像に有機溶媒を使用するため膨潤による解像性
の低下が避けられない。
【００１４】そこで、この問題の解決が課題である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題はクレゾール
ノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
との混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してレ
ジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レ
ジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、ア
ルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この
上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチング
を行い、このパターンを下層レジストに転写することを
特徴としてレジストパターンの形成方法を構成すること
により解決することができる。
ノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステル
との混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してレ
ジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レ
ジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、ア
ルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この
上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチング
を行い、このパターンを下層レジストに転写することを
特徴としてレジストパターンの形成方法を構成すること
により解決することができる。
【００１６】
【作用】本発明はポジ型レジストとしては公知なクレゾ
ールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加し
てレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上
層レジストとして使用するものである。
ールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加し
てレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上
層レジストとして使用するものである。
【００１７】すなわち、一般式(1) で示されるクレゾー
ルノボラックはアルカリ可溶性であり、これに一般式
(2) で示され、アルカリ不溶性であるナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルとの混合物でレジストが構成さ
れている。
ルノボラックはアルカリ可溶性であり、これに一般式
(2) で示され、アルカリ不溶性であるナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルとの混合物でレジストが構成さ
れている。
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】 このレジストの反応としては、アルカリ可溶性であるク
レゾールノボラックの溶解はナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルがクレゾールノボラックの溶解抑止剤と
して働いているため未露光の状態では阻止されている
が、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは光照射
によりナフトキノンジアジドスルホン酸基のN2が脱離し
てカルベンとなり、ケテンを経て水( H2O) と反応して
カルボン酸となりアルカリ可溶性となる。
レゾールノボラックの溶解はナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルがクレゾールノボラックの溶解抑止剤と
して働いているため未露光の状態では阻止されている
が、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルは光照射
によりナフトキノンジアジドスルホン酸基のN2が脱離し
てカルベンとなり、ケテンを経て水( H2O) と反応して
カルボン酸となりアルカリ可溶性となる。
【００２０】また、これと共にクレゾールノボラックの
アルカリ現像液に対する溶解抑止性を失う。そのために
露光部はアルカリ可溶性となるのである。
アルカリ現像液に対する溶解抑止性を失う。そのために
露光部はアルカリ可溶性となるのである。
【００２１】この系統のレジストはシプレィ社よりMP-1
300 の商品名で、また東京応化よりOFPR-200やOFPR-400
などの商品名で市販されており、感度と解像性が優れて
いるため広く用いられている。
300 の商品名で、また東京応化よりOFPR-200やOFPR-400
などの商品名で市販されており、感度と解像性が優れて
いるため広く用いられている。
【００２２】しかし、このレジストはO2プラズマに対す
るドライエッチング耐性は頗る貧弱である。そこで、本
発明はこのレジストにシロキサン結合(Si-O)をもつシリ
カゾル( コロイド状シリカ) を添加してドライエッチン
グ耐性をもたせるものである。
るドライエッチング耐性は頗る貧弱である。そこで、本
発明はこのレジストにシロキサン結合(Si-O)をもつシリ
カゾル( コロイド状シリカ) を添加してドライエッチン
グ耐性をもたせるものである。
【００２３】然し、シリカゾルはアルカリ不溶性のため
に多量な添加はレジストの解像性を低下させる。そこ
で、シリカゾルの添加量は10〜40重量％が適当であり、
10重量％以下の添加ではO2プラズマ耐性の向上には効果
がなく、また40重量％以上の添加は解像性を低下させ
る。
に多量な添加はレジストの解像性を低下させる。そこ
で、シリカゾルの添加量は10〜40重量％が適当であり、
10重量％以下の添加ではO2プラズマ耐性の向上には効果
がなく、また40重量％以上の添加は解像性を低下させ
る。
【００２４】
実施例１：（O2プラズマ耐性の評価） クレゾールノボラック ・・・・・・・・・0.7 ｇ ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル ・0.2 ｇ シリカゾル（高純度品） ・・・・・・・0.1 ｇ
（10重量％) を５ｇのメチルイソブチルケトン( 略称MIBK) 溶解して
後、0.2 μm のメンブレンフィルタで濾過してレジスト
を作った。
（10重量％) を５ｇのメチルイソブチルケトン( 略称MIBK) 溶解して
後、0.2 μm のメンブレンフィルタで濾過してレジスト
を作った。
【００２５】このレジストをSiウエハ上にスピンコート
法を用いて１μm の厚さになるように塗布し、80℃で20
分間乾燥( ブリベーク) した。また、比較としてフェノ
ールノボラック系レジストMP-1300(シプレィ社製) を同
様に１μm の厚さになるように塗布した後、200 ℃で１
時間乾燥( ブリベーク) した。
法を用いて１μm の厚さになるように塗布し、80℃で20
分間乾燥( ブリベーク) した。また、比較としてフェノ
ールノボラック系レジストMP-1300(シプレィ社製) を同
様に１μm の厚さになるように塗布した後、200 ℃で１
時間乾燥( ブリベーク) した。
【００２６】この二種類のウエハをドライエッチング装
置にセットし、0.20Ｗ／cm2 の条件でO2プラズマにより
ドライエッチングを行い、膜厚の経時変化を測定した。
その結果、本発明をて適用したレジストはMP-1300 に較
べ約40倍のドライエッチング耐性をもっていることが判
った。 実施例２：Siウエハ上にスピンコート法を用いてフェノ
ールノボラック系レジストMP-1300 を２μm の厚さにな
るように塗布し、200 ℃で１時間乾燥して下層レジスト
を形成した。
置にセットし、0.20Ｗ／cm2 の条件でO2プラズマにより
ドライエッチングを行い、膜厚の経時変化を測定した。
その結果、本発明をて適用したレジストはMP-1300 に較
べ約40倍のドライエッチング耐性をもっていることが判
った。 実施例２：Siウエハ上にスピンコート法を用いてフェノ
ールノボラック系レジストMP-1300 を２μm の厚さにな
るように塗布し、200 ℃で１時間乾燥して下層レジスト
を形成した。
【００２７】次に、この上に実施例１で形成したレジス
トを同様な方法で0.3 μm の厚さとなるように塗布し、
80℃で20分間に亙って乾燥した。次に、マスクを介して
ｉ線（波長356nm)を60mJ/ cm2 の露光量で照射して露光
させた後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド( 略称TMAH) の2.4 ％水溶液で30秒現像し、水で30秒
間に亙って洗浄した。
トを同様な方法で0.3 μm の厚さとなるように塗布し、
80℃で20分間に亙って乾燥した。次に、マスクを介して
ｉ線（波長356nm)を60mJ/ cm2 の露光量で照射して露光
させた後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド( 略称TMAH) の2.4 ％水溶液で30秒現像し、水で30秒
間に亙って洗浄した。
【００２８】このようにして得られたレジストパターン
を走査電子顕微鏡( 略称SEM)で観察したところ0.4 μm
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
次に、このSiウエハをドライエンチング装置にセット
し、出力0.20Ｗ／cm2 の条件でO2プラズマにより15分に
亙ってドライエッチングを行い上層パターンを下層に転
写した。
を走査電子顕微鏡( 略称SEM)で観察したところ0.4 μm
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
次に、このSiウエハをドライエンチング装置にセット
し、出力0.20Ｗ／cm2 の条件でO2プラズマにより15分に
亙ってドライエッチングを行い上層パターンを下層に転
写した。
【００２９】このレジストパターンをSEMで観察したと
ころ0.4μm のライン・アンド・スペースを解像してお
り、また、アンダーカットも無かった。 比較例１：実施例１においてシリカゾルの添加量を50重
量％とした以外は全く同様にしてレジストを作った。
ころ0.4μm のライン・アンド・スペースを解像してお
り、また、アンダーカットも無かった。 比較例１：実施例１においてシリカゾルの添加量を50重
量％とした以外は全く同様にしてレジストを作った。
【００３０】このレジストを上層レジストとして使用
し、実施例２と同様な条件で上層レジストパターンを形
成した後、O2プラズマによりドライエッチングを行い上
層パターンを下層に転写した。
し、実施例２と同様な条件で上層レジストパターンを形
成した後、O2プラズマによりドライエッチングを行い上
層パターンを下層に転写した。
【００３１】このようにして得られたレジストパターン
をSEMで観察したところ、露光部分に現像残が発生して
おり、0.4 μm のライン・アンド・スペースを解像でき
なかった。
をSEMで観察したところ、露光部分に現像残が発生して
おり、0.4 μm のライン・アンド・スペースを解像でき
なかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の実施により感度，解像性に優
れ、またO2プラズマ耐性のよい二層構造上層用ポジ型レ
ジストを実用化することができる。
れ、またO2プラズマ耐性のよい二層構造上層用ポジ型レ
ジストを実用化することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/302 Ｊ 7353−4Ｍ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｎ
Claims (3)
- 【請求項１】 クレゾールノボラックとナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジスト
にシリカゾルを添加してなることを特徴とするレジスト
組成物。 - 【請求項２】 前記シリカゾルの添加量が10〜40重量％
であることを特徴とする請求項１記載のレジスト組成
物。 - 【請求項３】 請求項１記載のレジストを二層構造の上
層レジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って
後、アルカリ現像を施して上層レジストパターンを作
り、該上層レジストパターンをマスクとしてドライエッ
チングを行い、該パターンを下層レジストに転写するこ
とを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327215A JPH05158235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327215A JPH05158235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158235A true JPH05158235A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18196602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3327215A Withdrawn JPH05158235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05158235A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110509A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| US6534235B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-03-18 | Kansai Research Institute, Inc. | Photosensitive resin composition and process for forming pattern |
| US6653043B1 (en) | 1999-11-01 | 2003-11-25 | Kansai Research Institute, Inc. | Active particle, photosensitive resin composition, and process for forming pattern |
| JP2004310076A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| US6921623B2 (en) | 2000-12-05 | 2005-07-26 | Kri, Inc. | Active components and photosensitive resin composition containing the same |
| JP2006037058A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP3327215A patent/JPH05158235A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653043B1 (en) | 1999-11-01 | 2003-11-25 | Kansai Research Institute, Inc. | Active particle, photosensitive resin composition, and process for forming pattern |
| JP2002110509A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| US6534235B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-03-18 | Kansai Research Institute, Inc. | Photosensitive resin composition and process for forming pattern |
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| JP2006037058A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
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