JPS61226748A - Ｘ線レジスト - Google Patents
Ｘ線レジストInfo
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- JPS61226748A JPS61226748A JP6799785A JP6799785A JPS61226748A JP S61226748 A JPS61226748 A JP S61226748A JP 6799785 A JP6799785 A JP 6799785A JP 6799785 A JP6799785 A JP 6799785A JP S61226748 A JPS61226748 A JP S61226748A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線リソグラフィーに用いるＸ線レジストに関
する。
する。
半導体集積回路製造工程において、レジストは半導体集
積回路の集積度と生産性を左右する重大な因子されてい
る。近年、半導体集積回路の集積度が増加する傾向の中
で、紫外線を用いて露光し。
積回路の集積度と生産性を左右する重大な因子されてい
る。近年、半導体集積回路の集積度が増加する傾向の中
で、紫外線を用いて露光し。
現像することによりレジストパターンを形成し、による
解像度の低下が少ない電離放射線を線源に用いてレジス
トパターンを形成し、プラズマエツチングや反応性イオ
ンエツチングを用いるドライエツチングによりエツチン
グするという方法に移り変わろうとしている。このよう
な方法に用いられる電離放射線としては、電子線、遠紫
外線、Ｘ線等が考えられているが、特にＸ線は一括露光
できるために生産性が高く、かつ波長が０．１〜１００
人と短かいため回折現像による解像度の低下がほとんど
ないという利点を有するため注目されている。
解像度の低下が少ない電離放射線を線源に用いてレジス
トパターンを形成し、プラズマエツチングや反応性イオ
ンエツチングを用いるドライエツチングによりエツチン
グするという方法に移り変わろうとしている。このよう
な方法に用いられる電離放射線としては、電子線、遠紫
外線、Ｘ線等が考えられているが、特にＸ線は一括露光
できるために生産性が高く、かつ波長が０．１〜１００
人と短かいため回折現像による解像度の低下がほとんど
ないという利点を有するため注目されている。
従来、このようなＸ線リソグラフィーに用いるＸ線レジ
ストとしては、例えばポリグリシジルメタクリレート等
が知られている。
ストとしては、例えばポリグリシジルメタクリレート等
が知られている。
ところが従来のＸ線レジストは、Ｘ線の吸収効率が低い
ために低感度であり、また耐ドライエツチング性が極め
て低い等の多くの欠点を有している。
ために低感度であり、また耐ドライエツチング性が極め
て低い等の多くの欠点を有している。
本発明の目的は、このような従来のＸ線レジストの欠点
を解消し、Ｘ線に対し高い感度を有し。
を解消し、Ｘ線に対し高い感度を有し。
かつ高い耐ドライエツチング性を備え、微細なレジスト
パターンを高精度に形成することができるＸ線レジスト
を提供することにある。
パターンを高精度に形成することができるＸ線レジスト
を提供することにある。
本発明は、前記の問題点を解決するものとして。
下記一般式（Ｉ）
Ｃ式中、Ｒ１およびＲ２は同一でも異なってもよく。
Ｃ１−４のアルキル基、Ｃト８のシクロアルキル基また
はＣ６−□２のアリール基、アルカリールもしくはアラ
ルキル基を示し、これらはニトロ基、シアノ基、アミノ
基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ハ
ロアルキル基、ハロアルコキシ基等の置換基を有してい
てもよい。〕 で表わされる繰返し構造単位を有する重合体を主成分と
するＸ線レジストを提供するものである。
はＣ６−□２のアリール基、アルカリールもしくはアラ
ルキル基を示し、これらはニトロ基、シアノ基、アミノ
基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ハ
ロアルキル基、ハロアルコキシ基等の置換基を有してい
てもよい。〕 で表わされる繰返し構造単位を有する重合体を主成分と
するＸ線レジストを提供するものである。
一般式（りで表わされる繰返し構造単位が有するＲ１お
よびＲ２が意味するＣ１−４のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、Ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等
を挙げることができる。
よびＲ２が意味するＣ１−４のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、Ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等
を挙げることができる。
Ｃ２−８のシクロアルキル基としては１例えば、シクロ
プロピル基、シクロブチル基、メチルシクロブチル基、
シクロペンチル基、メチルシクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、
シクロオクチル基等を挙げることができる。また、 ｃ
ｅ−ｔ２のアリール基およびアルカリール基としては１
例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル
基、メシチル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基
、アミノフェニル基、フロオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、クロロメチルフェニル基、フルオロメチルフェ
ニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、メチルナフチ
ル基、エチルナフチル基、ニトロナフチル基等を挙げる
ことができる。さらに、 Ｃ６−１２のアラルキル基と
しては、例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、ニト
ロベンジル基、シアノベンジル基、クロロメチルベンジ
ル基、フルオロメチルベンジル基、ナフトメチル基、ナ
フトエチル基等を挙げることができる。
プロピル基、シクロブチル基、メチルシクロブチル基、
シクロペンチル基、メチルシクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、
シクロオクチル基等を挙げることができる。また、 ｃ
ｅ−ｔ２のアリール基およびアルカリール基としては１
例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル
基、メシチル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基
、アミノフェニル基、フロオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、クロロメチルフェニル基、フルオロメチルフェ
ニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、メチルナフチ
ル基、エチルナフチル基、ニトロナフチル基等を挙げる
ことができる。さらに、 Ｃ６−１２のアラルキル基と
しては、例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、ニト
ロベンジル基、シアノベンジル基、クロロメチルベンジ
ル基、フルオロメチルベンジル基、ナフトメチル基、ナ
フトエチル基等を挙げることができる。
本発明に用いられる重合体が有する一般式（Ｉ）の繰返
し構造単位の好ましい具体例としては。
し構造単位の好ましい具体例としては。
しｒｉ２ シｆｉ２１−＋１等を挙げる
ことができ、これらの繰返し構造単位は１種単独でも２
種以上の組合せでも本発明に用いられる重合体に存在す
ることができる。
ことができ、これらの繰返し構造単位は１種単独でも２
種以上の組合せでも本発明に用いられる重合体に存在す
ることができる。
本発明に用いられる重合体は、一般式（Ｉ）で表わされ
る繰返し構造単位以外の構造単位を有することができ、
このような構造単位としては、例えば、次の式： 〔ここで、Ｒ１およびＲ２は同一でも異なってもよく、
一般式（Ｉ）で定義したとおりであり、ｎは１〜３の整
数である〕 等で表わされる構造単位を挙げることができる。
る繰返し構造単位以外の構造単位を有することができ、
このような構造単位としては、例えば、次の式： 〔ここで、Ｒ１およびＲ２は同一でも異なってもよく、
一般式（Ｉ）で定義したとおりであり、ｎは１〜３の整
数である〕 等で表わされる構造単位を挙げることができる。
本発明に用いられる重合体は一般式（Ｉ）で表わされる
繰返し構造単位のみからなることが最も好ましく、一般
式（Ｉ）で表わされる構造単位以外の構造単位をも有す
る場合には、一般式（Ｉ）で表わされる繰返し構造単位
が５０重量％以上、特に８０重量％以上であることが好
ましい。
繰返し構造単位のみからなることが最も好ましく、一般
式（Ｉ）で表わされる構造単位以外の構造単位をも有す
る場合には、一般式（Ｉ）で表わされる繰返し構造単位
が５０重量％以上、特に８０重量％以上であることが好
ましい。
本発明に用いられる重合体の分子量は特に制限されない
が、ポリスチレン換算重量平均分子量で、３ 、０００
〜２，０００，０００、特に３，０００〜ａｏｏ、ｏｏ
ｏであることが好ましい、この重量平均分子量が３，０
００未満である場合、得られるレジストの塗布性が悪く
、ウェーハ上に塗布したときに塗布面が荒れたものとな
り易い、また１重量平均分子量が２，０００，０００を
超えると有機溶媒に対する溶解性が極端に悪くなり、結
果として得られるレジストの塗布性が低下するようにな
る。
が、ポリスチレン換算重量平均分子量で、３ 、０００
〜２，０００，０００、特に３，０００〜ａｏｏ、ｏｏ
ｏであることが好ましい、この重量平均分子量が３，０
００未満である場合、得られるレジストの塗布性が悪く
、ウェーハ上に塗布したときに塗布面が荒れたものとな
り易い、また１重量平均分子量が２，０００，０００を
超えると有機溶媒に対する溶解性が極端に悪くなり、結
果として得られるレジストの塗布性が低下するようにな
る。
本発明に用いられる重合体の製造は、例えば、一般式（
ＩＩ） 〔式中、Ｒ−およびＲ２は一般式（Ｉ）と同じであり、
又はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子であ
る〕 で表わされるジハロゲ）オルガノシランを、ナトリウム
、カリウム、リチウム等のアルカリ金属を分散させた有
機溶媒中で重合することにより行なうことができる６重
合体中に一般式（Ｉ）で表わされる繰返し構造単位以外
の構造単位を導入する場合には、前記一般式（ＩＩ）で
表わされるジハロゲノオルガノシランの他に、所要の割
合で、後述の化合物を単量体として併用する。
ＩＩ） 〔式中、Ｒ−およびＲ２は一般式（Ｉ）と同じであり、
又はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子であ
る〕 で表わされるジハロゲ）オルガノシランを、ナトリウム
、カリウム、リチウム等のアルカリ金属を分散させた有
機溶媒中で重合することにより行なうことができる６重
合体中に一般式（Ｉ）で表わされる繰返し構造単位以外
の構造単位を導入する場合には、前記一般式（ＩＩ）で
表わされるジハロゲノオルガノシランの他に、所要の割
合で、後述の化合物を単量体として併用する。
上記重合体の製造方法に用いられる有機溶媒としては１
例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素系溶媒等を挙げることができる。反
応液中のジハロゲノオルガノシランの濃度、またはジハ
ロゲノオルガノシランとおよび場合により加えられる他
の単量体化合物の合計の濃度は１通常５〜６０容量％、
好ましくは５〜４０容量％である。また、アルカリ金属
の使用量は、ジハロゲノオルガノシランおよび場合によ
り用いられる他の単量体化合物の合計１モルに対して１
通常１．５モル以上、好ましくは１．８モル以上である
。この製造方法の反応温度は、使用する有４！溶媒によ
っても異なるが、通常、６０〜２００℃の範囲である。
例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン
等の芳香族炭化水素系溶媒等を挙げることができる。反
応液中のジハロゲノオルガノシランの濃度、またはジハ
ロゲノオルガノシランとおよび場合により加えられる他
の単量体化合物の合計の濃度は１通常５〜６０容量％、
好ましくは５〜４０容量％である。また、アルカリ金属
の使用量は、ジハロゲノオルガノシランおよび場合によ
り用いられる他の単量体化合物の合計１モルに対して１
通常１．５モル以上、好ましくは１．８モル以上である
。この製造方法の反応温度は、使用する有４！溶媒によ
っても異なるが、通常、６０〜２００℃の範囲である。
特に、このような温度範囲において溶媒の還流温度以下
であることが好ましい。
であることが好ましい。
上記の重合体の製造方法に用いられる一般式（ＩＩ）で
表わされるジハロゲノオルガノシランの具体例としては
、ジクロロジメチルシラン、ジクロロメチルエチルシラ
ン、ジクロロジメチルシラン。
表わされるジハロゲノオルガノシランの具体例としては
、ジクロロジメチルシラン、ジクロロメチルエチルシラ
ン、ジクロロジメチルシラン。
ジクロロメチルプロピルシラン、ジクロロイソプロピル
シラン、ジクロロメチルブチルシラン、ジクロロメチル
−５−ブチルシラン、ジクロロメチル−ｔ−ブチルシラ
ン、ジクロロメチル−シクロプロピルシラン、ジクロロ
メチルシクロへキシルシラン、ジクロロ・メチル・メチ
ルシクロヘキシルル シラン、ジクロロエチルシクロプロンツラン、ジクロロ
エチルシクロヘキシルシラン、ジクロロエチルメチルシ
クロヘキシルシラン、ジクロロジシクロへキシルシラン
、ジクロロメチルトリルシラン、ジクロロメチル・クロ
ロメチルフェニルシラン、ジクロロ・メチル・ニトロフ
ェニルシラン、ジクロロメチルクロロフェニルシラン、
ジクロロ・メチル・フルオロフェニルシラン、ジクロロ
・メチル・キシリルシラン、ジクロロメチルクメニルシ
ラン、ジクロロエチルフェニルシラン、ジクロロエチル
トリルシラン、ジクロロ・エチル・クロロフェニルシラ
ン、ジクロロメチル・α−ナフチルシラン、ジクロロ・
メチル・β−ナフチルシラン、ジクロロ・エチル・α−
ナフチルシラン、ジクロロメチルベンジルシラン、ジク
ロロ・メチル・クロロエチル・β−ナフチルシラン、ジ
クロロ・メチルベンジルシラン、ジクロロ・エチル・ニ
トロベンジルシラン、ジクロロ・エチル・ナフトメチル
シランおよびこれらの化合物の塩素原子を臭素。
シラン、ジクロロメチルブチルシラン、ジクロロメチル
−５−ブチルシラン、ジクロロメチル−ｔ−ブチルシラ
ン、ジクロロメチル−シクロプロピルシラン、ジクロロ
メチルシクロへキシルシラン、ジクロロ・メチル・メチ
ルシクロヘキシルル シラン、ジクロロエチルシクロプロンツラン、ジクロロ
エチルシクロヘキシルシラン、ジクロロエチルメチルシ
クロヘキシルシラン、ジクロロジシクロへキシルシラン
、ジクロロメチルトリルシラン、ジクロロメチル・クロ
ロメチルフェニルシラン、ジクロロ・メチル・ニトロフ
ェニルシラン、ジクロロメチルクロロフェニルシラン、
ジクロロ・メチル・フルオロフェニルシラン、ジクロロ
・メチル・キシリルシラン、ジクロロメチルクメニルシ
ラン、ジクロロエチルフェニルシラン、ジクロロエチル
トリルシラン、ジクロロ・エチル・クロロフェニルシラ
ン、ジクロロメチル・α−ナフチルシラン、ジクロロ・
メチル・β−ナフチルシラン、ジクロロ・エチル・α−
ナフチルシラン、ジクロロメチルベンジルシラン、ジク
ロロ・メチル・クロロエチル・β−ナフチルシラン、ジ
クロロ・メチルベンジルシラン、ジクロロ・エチル・ニ
トロベンジルシラン、ジクロロ・エチル・ナフトメチル
シランおよびこれらの化合物の塩素原子を臭素。
フッ素、ヨウ素等の塩素以外のハロゲン原子に変えた化
合物等を挙げることができる。これらのハロゲノオルガ
ノシランは１種単独でも２種以上の組合わせでも用いる
ことができる。
合物等を挙げることができる。これらのハロゲノオルガ
ノシランは１種単独でも２種以上の組合わせでも用いる
ことができる。
また、上記のジハロゲノオルガノシランに必要に応じて
併用することができる他の単量体化合物の具体例として
は。
併用することができる他の単量体化合物の具体例として
は。
およびこれらの化合物の塩素原子を臭素、フッ素、ヨウ
素等の塩素以外のハロゲン原子に変えた化合物等を挙げ
ることができる。
素等の塩素以外のハロゲン原子に変えた化合物等を挙げ
ることができる。
本発明のＸ線レジストは、上記の一般式（Ｉ）で表わさ
九る繰返し構造単位を有する重合体を主成分とするもの
であるが、通常、該重合体を適当な有機溶媒に溶解する
ことにより調製される。これＩ（ 法使用することができる有機溶媒としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン
、メシチレン、ニトロベンゼン、クロロベンゼン、等の
芳香族炭化水素；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジ
クロロエチレン。
九る繰返し構造単位を有する重合体を主成分とするもの
であるが、通常、該重合体を適当な有機溶媒に溶解する
ことにより調製される。これＩ（ 法使用することができる有機溶媒としては、例えば、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン
、メシチレン、ニトロベンゼン、クロロベンゼン、等の
芳香族炭化水素；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジ
クロロエチレン。
トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等の塩素化
炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン、トリオキ
サン等の環状エーテル類；アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；等を挙げる
ことができ、これらの有機溶媒は１種単独でも２種以上
の混合溶媒としても使用することができる。
炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン、トリオキ
サン等の環状エーテル類；アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；等を挙げる
ことができ、これらの有機溶媒は１種単独でも２種以上
の混合溶媒としても使用することができる。
これら有機溶媒の使用量は特に限定されず、Ｘ線レジス
トが必要な厚さの塗膜として形成し易い適度な粘度を有
するように適宜調整され、一般に前記重合体１００重合
部に対して１００〜４ 、０００重量部の範囲で用いら
れる。
トが必要な厚さの塗膜として形成し易い適度な粘度を有
するように適宜調整され、一般に前記重合体１００重合
部に対して１００〜４ 、０００重量部の範囲で用いら
れる。
また、本発明のＸ線レジストには、必要に応じて安定剤
、増感剤等を添加することができる。
、増感剤等を添加することができる。
使用される安定剤としては１例えばヒドロキノン、メト
キシフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，２′
−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノー
ル）等のヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン、ｐ−
トルキノン、ｐ−キシロキノン等のキノン類、フェニル
−α−ナフチルアミン、Ｐ＊ Ｐ′−ジフェニルフェニ
レンジアミン等のアミン類、ジラウサルチオジプロビオ
ナート、４，４−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）、２゜２′−チオビス（４−メチル−６
−ｔ−ブチルフェノール）、２−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシアニリノ）−４，６−ビス（Ｎ−
オクチルチオ）−δ−トリアジン等のイオウ化合物を挙
げることができる。
キシフェノール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、２，２′
−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−エチルフェノー
ル）等のヒドロキシ芳香族化合物、ベンゾキノン、ｐ−
トルキノン、ｐ−キシロキノン等のキノン類、フェニル
−α−ナフチルアミン、Ｐ＊ Ｐ′−ジフェニルフェニ
レンジアミン等のアミン類、ジラウサルチオジプロビオ
ナート、４，４−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）、２゜２′−チオビス（４−メチル−６
−ｔ−ブチルフェノール）、２−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシアニリノ）−４，６−ビス（Ｎ−
オクチルチオ）−δ−トリアジン等のイオウ化合物を挙
げることができる。
これらの安定剤の添加量は通常０．５〜５重量％程度で
ある。
ある。
増感剤としては１例えば、ブロモアダマンタン、ブロモ
−２−プロモーブチリル、ブロモデカン、ブロモウンデ
カン、ジブロモシクロヘキサン、ジブロモデカン、ジブ
ロモウンデカン、ジブロモノナン、トリブロモプロパン
、テトラブロモエタン、ヘキサブロモシクロデカン、ブ
ロモヨードデカン、ジブロモヨードプロパン、ヨードホ
ルム、ヨードへブタン、ショートメタン、クロロアダマ
ンタン、クロロ−２−クロロブチリル、クロロデカン、
クロロウンデカン、ジクロロシクロヘキサン、ジクロロ
デカン、ジクロロウンデカン、ジクロロノナン、ヘキサ
クロロデカン、ジクロロドデカン、Ｐ−プロモアセトア
ニリド、５−ブロモー０−アニスアルデヒド、９−ブロ
モアントラセン、ブロモ安息香酸、ｐ−ブロモベンゾフ
ェノン、プロモベンゾトリフルオリド、ブロモベンジル
プロミド、４−ブロモ−２−クロロアニリン、ブロモヨ
ードベンゼン、ブロモクロロフェノールブルー、ブロモ
クレゾールグリーン、α−ブロモ−２，６−ジクロロト
ルエン。
−２−プロモーブチリル、ブロモデカン、ブロモウンデ
カン、ジブロモシクロヘキサン、ジブロモデカン、ジブ
ロモウンデカン、ジブロモノナン、トリブロモプロパン
、テトラブロモエタン、ヘキサブロモシクロデカン、ブ
ロモヨードデカン、ジブロモヨードプロパン、ヨードホ
ルム、ヨードへブタン、ショートメタン、クロロアダマ
ンタン、クロロ−２−クロロブチリル、クロロデカン、
クロロウンデカン、ジクロロシクロヘキサン、ジクロロ
デカン、ジクロロウンデカン、ジクロロノナン、ヘキサ
クロロデカン、ジクロロドデカン、Ｐ−プロモアセトア
ニリド、５−ブロモー０−アニスアルデヒド、９−ブロ
モアントラセン、ブロモ安息香酸、ｐ−ブロモベンゾフ
ェノン、プロモベンゾトリフルオリド、ブロモベンジル
プロミド、４−ブロモ−２−クロロアニリン、ブロモヨ
ードベンゼン、ブロモクロロフェノールブルー、ブロモ
クレゾールグリーン、α−ブロモ−２，６−ジクロロト
ルエン。
α−ブロモ−２’、５’−ジメトキシアセトフェノン、
４−ブロモ−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアニリン、４−ブロモ
一蚤、６−シメチルアニリン、２−ブロモ−４，６−シ
ニトロアニリン、２−ブロモ−２，２−ジフェニルアセ
チルプロミド、４−ブロモジフェニルエーテル。
４−ブロモ−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアニリン、４−ブロモ
一蚤、６−シメチルアニリン、２−ブロモ−４，６−シ
ニトロアニリン、２−ブロモ−２，２−ジフェニルアセ
チルプロミド、４−ブロモジフェニルエーテル。
α−ブロモメトキシアセトフェノン、２−ブロモ−４′
−メチルアセトフェノン、ブロモナフタリン、ｐ−ブロ
モフェナシルプロミド、ブロモフェノールブルー、ブロ
モフェノールレッド、５−ブロモサリチル酸、ジブロモ
アセトフェノン、ジブロモアニリン、ジブロモアントラ
セン、ジブロモベンゼン、５．５′−ジブロモ−２，２
′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、１，２−ジ
ブロモ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジブロ
モジフェニルエーテル、α、α′−ジブロモキシレン、
２．４．６− トリブロモアニリン、１．３．５−
トリブロモベンゼン、２゜４、６− トリブロモフェノ
ール、１．２．４．５−テトラブロモベンゼン、無水テ
トラブロモフタル酸。
−メチルアセトフェノン、ブロモナフタリン、ｐ−ブロ
モフェナシルプロミド、ブロモフェノールブルー、ブロ
モフェノールレッド、５−ブロモサリチル酸、ジブロモ
アセトフェノン、ジブロモアニリン、ジブロモアントラ
セン、ジブロモベンゼン、５．５′−ジブロモ−２，２
′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、１，２−ジ
ブロモ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジブロ
モジフェニルエーテル、α、α′−ジブロモキシレン、
２．４．６− トリブロモアニリン、１．３．５−
トリブロモベンゼン、２゜４、６− トリブロモフェノ
ール、１．２．４．５−テトラブロモベンゼン、無水テ
トラブロモフタル酸。
α、α、α′、α′−テトラブロモキシレン、ヘキサブ
ロモベンゼン、５−ヨードアセトアミドサリチル酸、ヨ
ードアニリン、ヨードベンゼン、ヨード安息香酸、ヨー
ドベンジルアルコール、ヨードジフェニル、ヨードニト
ロベンゼン、ショートベンゼン、ショートビフェニル、
トリヨードフェノール、トリヨード安息香酸、ブロモヨ
ードベンゼン、ブロモヨードアニリン、ジブロモヨード
ベンゼン、ジブロモヨードフェノール、ジブロモショー
トベンゼン、ｐ−クロロアセトアニリド、５−クロロ−
０−アニスアルデヒド、９−クロロアントラセン、クロ
ロ安息香酸、ｐ−クロロベンゾフェノン、クロロベンゾ
トリフルオリド、クロロベンジルプロミド、クロロヨー
ドベンゼン、クロロクレゾールグリーン、α−クロロ−
２，６−ジクロロトルエン、α−クロロ−２’、５’−
ジメトキシアセトフェノン、４−クロロ−Ｎ、 Ｎ’−
ジメチルアニリン、２−クロロ−４，６−シニトロアニ
リン、２−クロロ−２，２−ジフェニルアセチルプロミ
ド、４−クロロジフェニルエーテル、α−クロロメトキ
シアセトフェノン、クロロナフタリン、Ｐ−クロロフェ
ナシルクロリド、クロロフェノールブルー、５−クロロ
サリチル酸、ジクロロアセトフェノン、ジクロロアニリ
ン、ジクロロアントラセン、ジクロロベンゼン、５．５
’−ジクロロ−２，２′−ジヒドロキシアルコキシド、
１，２−ジクロロ−１，２−ジフェニルエタン、４．４
’−ジクロロジフェニルエーテル、α。
ロモベンゼン、５−ヨードアセトアミドサリチル酸、ヨ
ードアニリン、ヨードベンゼン、ヨード安息香酸、ヨー
ドベンジルアルコール、ヨードジフェニル、ヨードニト
ロベンゼン、ショートベンゼン、ショートビフェニル、
トリヨードフェノール、トリヨード安息香酸、ブロモヨ
ードベンゼン、ブロモヨードアニリン、ジブロモヨード
ベンゼン、ジブロモヨードフェノール、ジブロモショー
トベンゼン、ｐ−クロロアセトアニリド、５−クロロ−
０−アニスアルデヒド、９−クロロアントラセン、クロ
ロ安息香酸、ｐ−クロロベンゾフェノン、クロロベンゾ
トリフルオリド、クロロベンジルプロミド、クロロヨー
ドベンゼン、クロロクレゾールグリーン、α−クロロ−
２，６−ジクロロトルエン、α−クロロ−２’、５’−
ジメトキシアセトフェノン、４−クロロ−Ｎ、 Ｎ’−
ジメチルアニリン、２−クロロ−４，６−シニトロアニ
リン、２−クロロ−２，２−ジフェニルアセチルプロミ
ド、４−クロロジフェニルエーテル、α−クロロメトキ
シアセトフェノン、クロロナフタリン、Ｐ−クロロフェ
ナシルクロリド、クロロフェノールブルー、５−クロロ
サリチル酸、ジクロロアセトフェノン、ジクロロアニリ
ン、ジクロロアントラセン、ジクロロベンゼン、５．５
’−ジクロロ−２，２′−ジヒドロキシアルコキシド、
１，２−ジクロロ−１，２−ジフェニルエタン、４．４
’−ジクロロジフェニルエーテル、α。
α′−ジクロロキシレン、２．４．６−ジクロロアニリ
ン、１．３．５− トリクロロベンゼン、 ２．４．６
−トリクロロフエノール、 １．２．４．５− トリク
ロロベンゼン、無水テトラクロロフタル酸、α、α。
ン、１．３．５− トリクロロベンゼン、 ２．４．６
−トリクロロフエノール、 １．２．４．５− トリク
ロロベンゼン、無水テトラクロロフタル酸、α、α。
α′、α′−テトラクロロキシレン、ヘキサクロロベン
ゼン、５−クロロアセトアミドサリチル酸、α。
ゼン、５−クロロアセトアミドサリチル酸、α。
α、α、α′、α′、α′〜へキサクロロキシレン等の
ハロゲン化炭化水素； Ｎ−（２−ブロモエチル）フタルイミド、２−ブロモエ
チルトリメチルアンモニウムプロミド、Ｎ−ブロモメチ
ルフタルイミド、５−ブロモオロチン酸、Ｎ−（３−ブ
ロモプロピル）フタルイミド、５，７−ジプロモー８−
ヒドロキシキノリン、２，６−ジブロモピリジン、Ｎ−
ヨードコハク酸イミド、Ｎ−ヨードメチルフタルイミド
、５−ヨードオロチン酸、Ｎ−（２−クロロエチル）フ
タルイミド、２−クロロエチルトリメチルアンモニウム
クロリド、Ｎ−クロロメチルフタルイミド、５−クロロ
オロチン酸、Ｎ−（３−クロロプロピル）フタルイミド
、５，７−ジクロロ−８−ヒドロキシキノリン、２，６
−ジクロロピリジン。
ハロゲン化炭化水素； Ｎ−（２−ブロモエチル）フタルイミド、２−ブロモエ
チルトリメチルアンモニウムプロミド、Ｎ−ブロモメチ
ルフタルイミド、５−ブロモオロチン酸、Ｎ−（３−ブ
ロモプロピル）フタルイミド、５，７−ジプロモー８−
ヒドロキシキノリン、２，６−ジブロモピリジン、Ｎ−
ヨードコハク酸イミド、Ｎ−ヨードメチルフタルイミド
、５−ヨードオロチン酸、Ｎ−（２−クロロエチル）フ
タルイミド、２−クロロエチルトリメチルアンモニウム
クロリド、Ｎ−クロロメチルフタルイミド、５−クロロ
オロチン酸、Ｎ−（３−クロロプロピル）フタルイミド
、５，７−ジクロロ−８−ヒドロキシキノリン、２，６
−ジクロロピリジン。
等のハロゲン含有窒素化合物；
ブチルメルカプタン、ヘキシルメルカプタン、デシルメ
ルカプタン、オクタデシルメルカプタン。
ルカプタン、オクタデシルメルカプタン。
フ
ヘキサンジチオール、デカンジチオール、チオタエノー
ル、チオクレゾール、ジチオール、 １．１−ジフェニ
ル−２−ビクリルヒドラジル、メタクリル酸、塩化第二
鉄、ｐ−ベンゾキノン、ヒドロキノン、ヨー素等の遊離
基捕捉剤や連鎖移動剤等を挙げることができる。これら
の増感剤は、通常、前記の重合体１００重量部に対して
０．０１〜１０重量部の範囲で用いられる。
ル、チオクレゾール、ジチオール、 １．１−ジフェニ
ル−２−ビクリルヒドラジル、メタクリル酸、塩化第二
鉄、ｐ−ベンゾキノン、ヒドロキノン、ヨー素等の遊離
基捕捉剤や連鎖移動剤等を挙げることができる。これら
の増感剤は、通常、前記の重合体１００重量部に対して
０．０１〜１０重量部の範囲で用いられる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
ヌ】口１Ｌ
（Ｉ） 攪拌器および冷却器を備えた容量３００ｍ１
の三つロフラスコ内にナトリウム５ｇを懸濁させたトル
エン溶液８０ｇを用意し、該ナトリウム懸濁液にジクロ
ロフェニルメチルシラン１９．１ｇを徐々に加えた後、
穏やかに攪拌しながら７０℃まで昇温し、７０℃に保ち
ながら１０時間反応させた。
の三つロフラスコ内にナトリウム５ｇを懸濁させたトル
エン溶液８０ｇを用意し、該ナトリウム懸濁液にジクロ
ロフェニルメチルシラン１９．１ｇを徐々に加えた後、
穏やかに攪拌しながら７０℃まで昇温し、７０℃に保ち
ながら１０時間反応させた。
反応後、得られた反応混合物をメタノール中に注ぎ、無
色の生成物を沈でんさせ、濾別により回収し、減圧下で
乾燥させた。
色の生成物を沈でんさせ、濾別により回収し、減圧下で
乾燥させた。
得られた生成物の元素分析を行なったところ、下記の結
果が得られ、次式で表わされる重合体が得られたことが
わかった。
果が得られ、次式で表わされる重合体が得られたことが
わかった。
元素分析＝ｌ量％）ＬＪ ケイ素 水−崇実測値
６９．８８ ２３，２３ ６．８９理論値
６９．９２ ２３．３６ ６．８９得られた重
合体のポリスチレン換算重量平均分子量をゲル・パーミ
ェーションクロマトグラフィーにより測定したところ、
１０２，０００であった。
６９．８８ ２３，２３ ６．８９理論値
６９．９２ ２３．３６ ６．８９得られた重
合体のポリスチレン換算重量平均分子量をゲル・パーミ
ェーションクロマトグラフィーにより測定したところ、
１０２，０００であった。
（２）得られた重合体５ｇをｍ−キシレン５０ｇに溶解
してＸ線レジストを調製した。このレジストを厚さ７０
００人の熱酸化膜が形成されたシリコンウェーハ上に回
転塗布し、９０℃で３０分間加熱乾燥したところウェー
ハ表面上に厚さ０．８μｍの塗膜が形成された。このウ
ェーハに、Ｘ線としてロジウムＬ 線をマスクを通して
照射した後、イソプロピα ルアルコールで６０秒間現像したところ、６０＋ｓＪ／
ａ１の照射で０．５μ−幅のポジ型レジストパターンが
マスクに忠実に解像された。
してＸ線レジストを調製した。このレジストを厚さ７０
００人の熱酸化膜が形成されたシリコンウェーハ上に回
転塗布し、９０℃で３０分間加熱乾燥したところウェー
ハ表面上に厚さ０．８μｍの塗膜が形成された。このウ
ェーハに、Ｘ線としてロジウムＬ 線をマスクを通して
照射した後、イソプロピα ルアルコールで６０秒間現像したところ、６０＋ｓＪ／
ａ１の照射で０．５μ−幅のポジ型レジストパターンが
マスクに忠実に解像された。
去】１１色
実施例１の（２）で調製したＸ線レジストに、さらに１
重合体１００重量部当り１重量部のジ（トリクロロメチ
ル）ベンゼンを添加して本実施例のＸ線レジストを調製
した。このＸ線レジストを実施例１と同様にしてシリコ
ヘンウェーハ上に塗布、乾燥して厚さ０．８μｍの塗膜
を形成し、実施例１と同様にロジウムＬ 線を照射し、
現像したところ、α ４５層Ｊ／ｄの照射で０．５μ層幅のポジ型レジストパ
ターンがマスクに忠実に解像された。
重合体１００重量部当り１重量部のジ（トリクロロメチ
ル）ベンゼンを添加して本実施例のＸ線レジストを調製
した。このＸ線レジストを実施例１と同様にしてシリコ
ヘンウェーハ上に塗布、乾燥して厚さ０．８μｍの塗膜
を形成し、実施例１と同様にロジウムＬ 線を照射し、
現像したところ、α ４５層Ｊ／ｄの照射で０．５μ層幅のポジ型レジストパ
ターンがマスクに忠実に解像された。
失凰■ユ
（Ｉ）攪拌器および冷却器を備えた容量３００■ｌの三
つロフラスコ内にナトリウム５ｇを懸濁させたトルエン
溶液８０ｇを用意し、ジクロロジメチルシラン６５ｇお
よびジクロロメチルシクロヘキシルシラン９．９ｇを徐
々に加えた後穏やかに攪拌しながらフＯ℃まで昇温し、
７０℃に保ちながら２０時間反応させた０反応後得られ
た反応混合物をメタノール中に注ぎ、析出した無色の生
成物を濾別により回収し、減圧下で乾燥させた。得られ
た生成物の元素分析を行なったところ、下記の結果が得
られ、次式：で表わされる構造を有する重合体が得られ
たことがわかった。
つロフラスコ内にナトリウム５ｇを懸濁させたトルエン
溶液８０ｇを用意し、ジクロロジメチルシラン６５ｇお
よびジクロロメチルシクロヘキシルシラン９．９ｇを徐
々に加えた後穏やかに攪拌しながらフＯ℃まで昇温し、
７０℃に保ちながら２０時間反応させた０反応後得られ
た反応混合物をメタノール中に注ぎ、析出した無色の生
成物を濾別により回収し、減圧下で乾燥させた。得られ
た生成物の元素分析を行なったところ、下記の結果が得
られ、次式：で表わされる構造を有する重合体が得られ
たことがわかった。
元素分析＝（重量％） ロ グイ素口実測値
６８．８５ ３０．５５ １０．６０理論値
５９．０３ ３０．４５ １０．９５また、こ
の重合体のポリスチレン換算重量平均分子量をゲル・パ
ーミェーション・クロマトグラフィーにより測定したと
ころ８９．０００であった。
６８．８５ ３０．５５ １０．６０理論値
５９．０３ ３０．４５ １０．９５また、こ
の重合体のポリスチレン換算重量平均分子量をゲル・パ
ーミェーション・クロマトグラフィーにより測定したと
ころ８９．０００であった。
（２） この得られた重合体５ｇを璽−キシレン５０
ｇに溶解してＸ線レジストを調製し、このＸ線レジスト
を表面に厚さ７０００人の熱酸化膜が形成されたシリコ
ンウェーハ上に回転塗布し、９Ｇ”Ｃで３０分間加熱乾
燥し、ウェーハ上に厚さ０．８μ■の塗膜を形成した。
ｇに溶解してＸ線レジストを調製し、このＸ線レジスト
を表面に厚さ７０００人の熱酸化膜が形成されたシリコ
ンウェーハ上に回転塗布し、９Ｇ”Ｃで３０分間加熱乾
燥し、ウェーハ上に厚さ０．８μ■の塗膜を形成した。
このウェーハにＸ線としてパラジウムＬ、線をマスクを
通して照射した後に、イソプロピルアルコールで６０秒
間現像したところ、４８ｍＪ／ｄの照射で幅０．５μ腸
のポジ型レジストパターンがマスクに忠実に解像された
。
通して照射した後に、イソプロピルアルコールで６０秒
間現像したところ、４８ｍＪ／ｄの照射で幅０．５μ腸
のポジ型レジストパターンがマスクに忠実に解像された
。
本発明のＸ線レジストは、ロジウムＬ−線、アルミニウ
ムに５！線、パラジウムＬ、線、モリブデンに、線、ケ
イ素Ｋａ線等の固有Ｘ線の照射、シンクロトロンによる
軟Ｘ線、レーザー誘起Ｘ線等の照射によって現像液に対
して不溶化または可溶化するレジストであり、高い感度
と高い耐ドライエツチング性を有し、かつ優れた解像度
を有するものである。
ムに５！線、パラジウムＬ、線、モリブデンに、線、ケ
イ素Ｋａ線等の固有Ｘ線の照射、シンクロトロンによる
軟Ｘ線、レーザー誘起Ｘ線等の照射によって現像液に対
して不溶化または可溶化するレジストであり、高い感度
と高い耐ドライエツチング性を有し、かつ優れた解像度
を有するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は同一でも異なってもよく
、Ｃ＿１＿−＿４のアルキル基、Ｃ＿３＿−＿８のシク
ロアルキル基またはＣ＿６＿−＿１＿２のアリール基、
アルカリール基もしくはアラルキル基を示し、これらの
基は置換基を有していてもよい。〕 で表わされる繰返し構造単位を有する重合体を主成分と
するＸ線レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6799785A JPS61226748A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | Ｘ線レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6799785A JPS61226748A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | Ｘ線レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226748A true JPS61226748A (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=13361106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6799785A Pending JPS61226748A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | Ｘ線レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61226748A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222247A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型フオトレジスト材料 |
| JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
| JP2006163248A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト材料、バリア膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014238A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 基板上に多重層レジストを形成する方法 |
| JPS60119550A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
| JPS60228542A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-11-13 | アメリカ合衆国 | ポリシランおよびこれを使用する方法 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6799785A patent/JPS61226748A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014238A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 基板上に多重層レジストを形成する方法 |
| JPS60119550A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成材料及びパタン形成方法 |
| JPS60228542A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-11-13 | アメリカ合衆国 | ポリシランおよびこれを使用する方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222247A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型フオトレジスト材料 |
| JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
| JP2006163248A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト材料、バリア膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法 |
| JP4499544B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2010-07-07 | パナソニック株式会社 | 液浸露光用化学増幅型ポジ型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
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