JPH10226707A - ポリイオン性ポリマー化合物、その製造方法及び光開始剤としての使用 - Google Patents

ポリイオン性ポリマー化合物、その製造方法及び光開始剤としての使用

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【解決手段】複数のオニウム単位を含んだポリカチオン
部分(A+pと、化合物を電気的に中性にするのに十分
な数のアニオンX-とから構成される高分子又はオリゴ
マーイオン性化合物。(前記オニウム単位が、ビアリー
ルヨードニウム、アリールスルホニウム、アリールアシ
ルスルホニウム、ジアゾニウム等、X-が、イミドアニ
オン[RFSO2NSO2R’F-、またはメチリドアニ
オン[RFSO2C(Q)SO2R’F-であること、こ
のときQは、H−、Cl−、F−、Br−、またはCN
−;C1〜30アルキル基等;基R”Fまたは基R”F
2;であり、RF、RF’、RF”はフッ素、パーハロア
ルキル基等、また−SO2−と環を形成してもよい。) 【効果】フォトレジストとして使用するときに、ポリマ
ーの変性用に、またはカチオン重合若しくはモノマーの
架橋用の光開始剤として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子イオン性化
合物(polyionic compound)、それらの製造法、およ
びそれらをカチオン重合のための、モノマーやプレポリ
マーの架橋のための、あるいはフォトレジストとして使
用できる特定のポリマーの溶解性パラメーターを変性さ
せるための光開始剤として使用することに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】カチ
オンタイプのメカニズムを含む重合は多くの利点を有す
る。具体的に言えば、こうした重合は、低温でも速やに
進行し、モノマーの反応率が高く、そしてラジカル重合
やアニオン重合に比較して、大気汚染物(例えば酸素)
に対する感受性が低い。
【0003】脂環式エポキシ官能基を有するモノマー、
プレポリマー、およびポリマー、ならびにビニルエーテ
ルは、例えばペイント、ワニス、インキ、接着剤、およ
び粘着防止支持体(antiadhesive support)等の工業
において益々使用されるようになってきている。さら
に、ビニルエーテルは一般に、アクリレートやメタクリ
レートとは異なって無毒性のようである。エポキシタイ
プまたはビニルエーテルタイプのモノマーおよびプレポ
リマーは種々の方法にしたがって重合させることができ
るが、特に好ましいのはイオン重合である。
【0004】カチオン重合触媒は一般に、ブレンステッ
ドHX(プロトン供与体)という意味で酸として、ある
いはルイス酸(電子対の受容体)という意味で酸として
考えられ、このとき後者は、プロトンの供給源である助
触媒の存在下で作用する。これらの酸は、モノマーまた
は生長しつつある高分子鎖によって運ばれるカチオン性
化学種を確実に安定化させるに足る強さでよく、このこ
とは、対応するアニオンX-ができるだけ低い求核力を
有していなければならない、ということを意味してい
る。カチオン重合触媒として最も普通に使用されている
ブレンステッド酸は、CF3SO3H、HClO4、HB
4、HPF6、HAsF6、およびHSbF6である。こ
れらの酸は、生長反応の開始速度および最高分子量の得
られやすさに関して、以下のように分類される。 CF3SO3H<HClO4≒HBF4<HPF6≒HAs
6≒HSbF6
【0005】ごく最近では、ビス(パーフルオロアルキ
ルスルホニル)イミド(Kosharらによる米国特許
第4,031,036号)またはビス(パーフルオロア
ルキルスルホニル)メタン(Allenらによる米国特
許第3,632,843号)等の酸の性質を有する化合
物も使用されている。
【0006】重合触媒のその場製造(in situ
preparation)は多くの利点を有しているこ
とが知られている。実際、モノマーの架橋反応を触媒す
ることのできる酸をその場で製造することにより、モノ
マーまたは流体プレポリマー(熱可塑性物質または溶
液)を得ることができ、そして例えば輻射線の単純な作
用によってその最終特性を付与することが可能となる。
この技術は、インキ、ペイント、接着フィルム、および
粘着防止フィルムに対して極めて有用である。さらに、
塩から酸をその場で製造するという手法を使用すれば、
多くの場合、対応する塩より腐食性の高い酸化合物を塩
の形で貯蔵したり取り扱ったりできる、という点にも注
目すべきである。
【0007】触媒は、熱処理によってその場で製造する
ことができる。例えば、ビス(パーフルオロアルキルス
ルホニル)イミド(Kosharらによる米国特許第
4,031,036号)のアンモニウム塩もしくは金属
塩、あるいはビス(パーフルオロアルキルスルホニル)
メタン(Allenらによる米国特許第3,632,8
43号)のアンモニウム塩もしくはアミン塩を使用し
て、これらをその場で加熱することにより対応するビス
(パーフルオロアルキルスルホニル)イミドまたはビス
(パーフルオロアルキルスルホニル)メタン(これらが
触媒として作用する)を得ている。しかしながら“潜在
性(latent)”と呼ばれるこれらの触媒は、酸の生成を
起こさせるために高温にて多くの加熱が必要であるこ
と、そしてこの酸生成が漸進的であって開始時に完全に
は起こらないことから、ごく限られた関心しか寄せられ
ていない。こうした触媒を使用すると、反応速度が遅
く、また得られるポリマーは、分子量(molecular mas
s)、多分散性、および着色に関して低品質である。
【0008】酸触媒はさらに、適切な塩に化学線(例え
ば、その波長が紫外線、可視光線、γ線、およびX線に
対応する光子)あるいはβ線(電子のビーム)を照射す
ることによって、その場で製造することもできる。この
ような塩は、強い触媒活性をもつ対応した酸を放出させ
る化学線またはβ線の作用の下で化学的に不安定であ
り、光開始剤と呼ぶことができる。このようなプロセス
のもつ利点は多い。すなわち、放射線による触媒の放出
は速やかでほぼ完全に起こり、その結果、生長と連鎖形
成が同時に始まり、したがって分子量(masses)の分布
がより均一となり、多分散性はより小さく機械的特性は
より良好となる。重合は比較的低い温度で行うことがで
き、このため得られる物質の分解や着色が防げるだけで
なく、溶媒が使用されるときや、最終物質中に保持され
るべく組み込まれていて可塑剤の役割を果たす揮発性添
加剤を反応混合物が含有しているときの、気泡の形成が
防げる。
【0009】アリールジアゾニウム、アリールヨードニ
ウム、アリールスルホニウム、アリールアシルスルホニ
ウム、またはアレーンフェロセニウムの種々の塩(ヘキ
サフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアーセネー
ト、ヘキサフルオロプラチネート、およびテトラフルオ
ロボレート)が、化学線の作用によりカチオン重合触媒
として使用できる酸(それぞれ、HSbF6、HAs
6、HPF6、およびHBF4)を形成できることが知
られている。しかしながら、これらの塩はいずれも、無
視しえないほどの、そして主としてアニオン部分の中心
元素(Sb、As、P、及びB)だけでなく、光分解反
応時又はポリマーの後処理(溶融、押出、...)時に
放出されることのあるフッ素イオンに関係した毒性を有
する。一般的な値を示すと、ジフェニルヨードニウムヘ
キサフルオロアンチモネートは40mg/kgというL
D50(試験番号10929TARにしたがって測定)
を有し、“高毒性”として分類される物質の範疇に入
る。
【0010】同じ性質のカチオンを含有してはいるが、
より毒性の低いアニオンを含有している他の塩が提唱さ
れている。米国特許第5,554,664号は、アルキ
ル基またはアリール基が過フッ化もしくは高度にフッ化
されているトリス(アルキルスルホニル)メチリド、ト
リス(アリールスルホニル)メチリド、ビス(アルキル
スルホニル)イミド、およびビス(アリールスルホニ
ル)イミドからアニオンが選択され、そしてカチオンが
ヨードニウム、スルホニウム、または有機金属であるよ
うな塩を開示している。これらの化合物は、例えば、そ
の場での活性化による重合開始剤として使用することが
できる。これらの塩を重合の光開始剤として使用する
と、化学線によって開始された分解の後に、フラグメン
トが物質の表面に拡散した形で残り、化学的特性、接着
性、または外観がかなり変わってくる。スルホニウム塩
の場合、こうした残留物はチオールやチオエーテルを含
有しており、ごく少量でもその異臭が感知され、したが
って特定の用途に対してはこれらの塩の使用が制限され
る。これらの化合物は、マイクロエレクトロニクスにお
いて使用される金属(例えば銅)や種々の部材に対して
腐食性がある。したがって触媒残留物の拡散が、コンピ
ューターの記憶用ディスク(computer storagediscs)
の欠陥の主たる原因であると、Kukzynskiは考
えている(米国特許第5,550,171号)。
【0011】ポリジアゾニウムポリカチオンとポリスル
ホネートポリアニオンとの結合によって得られる感光性
ポリマーが、米国特許第5,527,655号に開示さ
れている。このようなポリマーは、架橋効率を高めるた
めに使用される。これらの錯体は、ジアゾニウムの含有
量が明らかに10重量%未満であって、静電相互作用を
弱めるために使用される第四アンモニウム塩の存在下で
のみ溶解する。米国特許第5,534,623号は、タ
イプPF6の対イオンとポリジアゾニウムとの結合をベ
ースとした、フォトレジスト製造用の組成物を開示して
いる。しかしながら、これらのアニオンは毒性があり、
マイクロエレクトロニクスに対する適合性が良くない。
なぜなら、これらのアニオンは、ケイ素を汚染し得る元
素(B、P、As、またはSb)を含有しているからで
ある。
【0012】フォトレジストを構成しているフィルム中
に含まれている樹脂を分解させるために、化学線によっ
て生成される酸を使用することが知られている。この方
法は、ごく少量のプロトンが、高分子鎖の一部である基
(例えばtert−ブチル基等の、第三アルコールから
誘導される基を含んだエステルなど)の分解を触媒する
という化学的増幅(chemical amplification)を伴った
フォトレジストに対して特に効率的である。したがって
この方法を用いれば、化学線に暴露される樹脂の溶解性
パラメーターを変えることができ、マスキング操作や選
択的エングレービング操作(例えば、マイクロエレクト
ロニクスにおいて使用されている操作)を施すことがで
きる。
【0013】マイクロリソグラフィーにおいて使用され
る化学的増幅を伴うフォトレジスト組成物または樹脂組
成物が光開始剤を含有している場合、開始剤または形成
される酸のイオン性化学種の拡散により、空間的解像力
(非ポリマー開始剤を使用した場合は数十ミクロンであ
る)の限界が決まると考えられる。現在、電子工業にお
けるマイクロプロセッサーやメモリーに対しては、1ミ
クロン未満の分離幅が求められている。
【0014】本発明者らは、化学線またはβ線の作用に
よって、カチオン重合のための又はポリマーを変性させ
るための良好な触媒としての酸を生成することのできる
イオン性化合物を見いだした。高分子電解質に固有の挙
動(すなわち、極めて高い極性を有する溶媒に対しての
み溶解する)から予想されることとは対照的に、これら
の物質は、通常の有機溶媒、重合させようとするモノマ
ー、またはこれらの混合物に対して溶解するか、あるい
は分散することができる。
【0015】したがって本発明の目的は、新規な系列の
化合物、それらを製造する方法、およびそれらをモノマ
ーのカチオン重合または架橋のための、あるいはポリマ
ーに変性(例えば、フォトレジストとして使用する場
合)を施すための光開始剤として使用すること、を提供
することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物は、複数
のオニウム単位を含んだポリカチオン部分(polycation
ic part)Ap+と、化合物を確実に電気的中性にするの
に充分な多数のアニオンX-とからなる、オリゴマーイ
オン性化合物または高分子イオン性化合物であり、この
とき − 前記オニウム単位が、ビアリールヨードニウム化合
物、アリールスルホニウム化合物、アリールアシルスル
ホニウム化合物、ジアゾニウム化合物、および4〜12
個の炭素原子を含んだ少なくとも1つの不飽和環との錯
体を形成する遷移金属を含んだ有機金属カチオン、から
なる群から選ばれること;および − X-が、イミドアニオン[RFSO2NSO
2R’F-、またはメチリドアニオン[RFSO2
(Q)SO2R’F]−であること、このとき 1) Qは、 − H−、Cl−、F−、Br−、またはCN−; − 1〜30個の炭素原子を有するアルキル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基、アルキ
ルアリール基、またはアリールアルキル基; − 基R”Fまたは基R”FSO2;であり、 2) RF、R’F、およびR”Fは、X-がメチリドアニ
オンであるときは、フッ素、1〜30個の炭素原子を有
するパーハロアルキル基、(パーハロアルキル)アルコ
キシ基、3〜30個の炭素原子を有するパーハロゲン化
脂環式基(OとNから選ばれるヘテロ原子を含んでもよ
く、少なくとも1つのパーハロアルキル鎖を有していて
もよい)、および6〜30個の炭素原子を有するパーハ
ロゲン化アリール基;からなる群から独立的に選ばれ; 3) RFとR’Fが一緒になって、それぞれ基−SO2
−N−SO2もしくは基−SO2−C(Q)−SO2を含
んだ環を構成する二価の基を形成するか、あるいはX-
がメチリドアニオンであるときに、R”Fが基RFとR’
Fの一方と一緒になって、それぞれ基−SO2−C−SO
2もしくは基−SO2−C−を含んだ環を構成する二価の
基を形成し、このとき前記二価の基は、2〜12個の炭
素原子を有する過フッ化アルキレンから選ばれ、存在し
ていてもよい第3の基は、上記2)に記載の一価の基か
ら選ばれ;そして 4) pは、オニウム単位の数を、したがって結合して
いるアニオンの数を示す;を特徴とする。
【0017】X-の特に興味ある例は、スルホンイミド
アニオン[RFSO2NSO2R’F]-(式中、RF
R’Fは、1〜10個の炭素原子を有するパーフルオロ
アルキル基からなる群から独立的に選ばれ、好ましくは
CF3−、C25−、C49−、C613−、C8
17−、およびC1021−である)、あるいはRFとR’F
が一緒になって、1〜8個の炭素原子を有する二価の線
状パーフルオロアルキレン基が形成されているものが挙
げられる。
【0018】スルホニルメチリドアニオン[RFSO2
(Q)SO2R’F-を含めた他のアニオンも挙げるこ
とができ、このときQは、多くとも30個の炭素原子を
有するアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、
またはアリールアルキル基;1〜8個の炭素原子を有す
るパーフルオロアルキルスルホニル基(好ましくはCF
3SO2−、C25SO2−、C49SO2−、C613
2−、およびC817SO2−);および1〜12個の
炭素原子を有するパーフルオロアルキル基(好ましくは
CF3−、C25−、C49−、C613−、C8
14−、およびC102 1−);からなる群から選ばれ、R
FとR’Fは、1〜10個の炭素原子を有するアルキル基
からなる群(好ましくはCF3−、C25−、C4
9−、C613−、C814−、およびC1021−)から
独立的に選ばれるか、あるいはRFとR’Fが一緒になっ
て、1〜8個の炭素原子を有する二価の線状パーフルオ
ロアルキレン基を形成する。
【0019】RF、R’F、およびR”Fのそれぞれが1
〜10個の炭素原子(好ましくは1〜6個の炭素原子)
を有するパーフルオロアルキル基であるようなアニオン
[RFSO2NSO2R’F-と[RFSO2C(SO2R”
F)SO2R’F-が特に有利であり、さらに[RFCH2
−O−SO22N]-や[(RF2CH−O−SO22
N]-も有利である。
【0020】本発明の特有な系列の化合物は、下記の式
(I)、(II)、(III)、または(IV):
【化4】
【0021】のうちの1つに対応するポリヨードニウム
塩を含み、このとき a1) R1nは、同一または異なっていて、アリール基
の遊離炭素原子のいずれかに結合している1〜4個の、
好ましくは1〜2個の基であり、R2nは、同一または異
なっていて、アリール基の遊離炭素原子のいずれかに結
合している1〜4個の、好ましくは1〜2個の基であ
り、基R1nとR2nは、 − 1〜30個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれ
鎖のアルキル基もしくはアリールアルキル基; − 1〜30個の炭素原子を有するアルケニル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基もしくは
アルキルアリール基であって、縮合核を有するものを含
む; − 1〜30個の炭素原子を有していて、オキサアルキ
ル基、アザアルキル基、チアアルキル基、ホスファアル
キル基、オキサアルキレン基、アザアルキレン基、チア
アルキレン基、およびホスファアルキレン基からなる群
から選ばれる基; − 1〜30個の炭素原子を有していて、スルホキシド
基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、またはホスホ
ネート基(これらの基はいずれも、イオウ原子またはリ
ン原子への酸素の付加によって得られる)を含んだ基;
および − O、N、S、およびPからなる群から選ばれる少な
くとも1つのヘテロ原子を含んだ芳香族または脂環式の
複素環基;から互いに独立的に選ばれるか、あるいはR
1nとR2nから選ばれる2つの基が一緒になって二価の基
を形成し、この二価の基が、それらを有している基と一
緒になって環を構成し、このとき前記二価の基は、1〜
18個の炭素原子を有する直鎖状アルキレン基;好まし
くは1〜10個の炭素原子を有するアルキル基、オキサ
アルキル基、およびアルケニル基からなる群から選ばれ
る少なくとも1つの置換基を有するベンゾビラジカル;
および式−R’−(OCH2CH2q−O−R’−また
は−R’−[OCH(CH3)CH2q−O−R’−
(式中、R’は0〜18個の炭素原子を有する直鎖状ア
ルキレン基であり、1≦q≦22である)を有するオキ
サアルキレン基;からなる群から選ばれ; a2) L’は、1〜18個の炭素原子を有する直鎖状
アルキレン基;非置換または置換されているフェニレン
基;式−R’−(OCH2CH2q−O−R’−または
−R’−[OCH(CH3)CH2q−O−R’−(式
中、R’は0〜18個の炭素原子を有する直鎖状アルキ
レン基であり、1≦q≦22である)を有するオキサア
ルキレン基;−O−;−S−;>C=O;シロキサン基
−R’−O−[Si(R)2O]r−R’または−O−
[Si(R)2O]r−〔式中、R’は上記と同じ意味を
有し、Rは、1〜18個の炭素原子を有する直鎖状アル
キル基、2−エチルヘキシル、およびフェニルからなる
群から選ばれる(好ましくは、RはCH3またはフェニ
ルである)〕;および2つの非縮合アリール基の2つの
炭素原子間の直接結合;からなる群から選ばれる二価の
基であり; a3) Lは、L’に関して上記a2)において定義し
た基から選ばれる二価の基であるか;あるいはLは、非
イオン性であるか又は化学線の作用に対して感受性では
ないイオン性基を有する少なくとも1つのモノマー単位
からなるセグメントであり(この場合においては、Lは
活性イオン基間の平均スペースを表している); a4) pは反復構造単位の数であって、2≦p≦10
00であり; a5) Zは、−CH、−CR、−N、−SiR、また
は−SiRO3であって、このときRは、1〜18個の
炭素原子を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシ
ル基、およびフェニル基から選ばれ;そして a6) Xは前記にて定義したとおりである。
【0022】ポリヨードニウムタイプの化合物の中で
は、置換基R1nとR2nが、1〜18個の炭素原子を有す
る直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基、フェニル
基、および式R−(OCH2CH2y−またはR−[O
CH(CH3)CH2y−(式中、Rは1〜18個の炭
素原子を有する直鎖状アルキル基であって、1≦y≦2
2である)を有するオキサアルキル基からなる群から独
立的に選ばれるような化合物が特に好ましい。
【0023】本発明のポリヨードニウム化合物が式
(I)または(II)のうちの一方を有している場合、
ポリヨードニウム化合物は、ダイマーまたはポリマー鎖
中にヨードニウムイオン基を含んだポリマーという形を
とっている。
【0024】ポリヨードニウム化合物が式(III)ま
たは(IV)のうちの一方を有している場合、ポリヨー
ドニウム化合物は、ヨードニウムイオン基がぶら下がり
置換基によって担われているポリマーという形をとって
いる。
【0025】本発明の他の特有な系列の化合物は、下記
の式:
【化5】
【0026】のうちの1つで示されるポリスルホニウム
塩を含み、このとき b1) R1nは、同一または異なっていて、アリール基
の遊離炭素原子のいずれかに結合している1〜4個の、
好ましくは1〜2個の基であり、基R1nおよび基R3
4は、 − 1〜30個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれ
鎖のアルキル基もしくはアリール基; − 1〜30個の炭素原子を有するアルケニル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基もしくは
アルキルアリール基であって、縮合核を有するものを含
む; − 1〜30個の炭素原子を有していて、オキサアルキ
ル基、アザアルキル基、チアアルキル基、ホスファアル
キル基、オキサアルキレン基、アザアルキレン基、チア
アルキレン基、およびホスファアルキレン基からなる群
から選ばれる基; − 1〜30個の炭素原子を有していて、スルホキシド
基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、またはホスホ
ネート基(これらの基はいずれも、イオウ原子またはリ
ン原子への酸素の付加によって得られる)を含んだ基; − O、N、S、およびPからなる群から選ばれる少な
くとも1つのヘテロ原子を含んだ芳香族または脂環式の
複素環基;および − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F; から独立的に選ばれるか、あるいは一方において同じイ
オウ原子によって担われている基R3とR4が、および/
または、他方においてR1nから選ばれる2つの置換基が
一緒になって二価の基を形成し、この二価の基が、それ
らを有している基と一緒になって環を構成し、このとき
前記二価の基は、1〜18個の炭素原子を有する直鎖状
アルキレン基;好ましくは1〜10個の炭素原子を有す
るアルキル基、オキサアルキル基、およびアルケニル基
からなる群から選ばれる少なくとも1つの置換基を有す
るベンゾビラジカル;および式−R’−(OCH2
2q−O−R’−または−R’−[OCH(CH3
CH2q−O−R’−(式中、R’は0〜18個の炭素
原子を有する直鎖状アルキレン基であり、1≦q≦22
である)を有するオキサアルキレン基;からなる群から
選ばれ; b2) L’は、上記a2)において定義した意味を有
し; b3) Lは、上記a3)において定義した意味を有
し; b4) pは、反復構造単位の数であって、2≦p≦1
000であり; b5) Zは、上記a5)において定義した意味を有
し;そして b6) Xは、前記にて定義したとおりである。
【0027】置換基R1n、R3、およびR4が、1〜18
個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘ
キシル基、フェニル基、および式R−(OCH2CH2
y−またはR−[OCH(CH3)CH2y−(式中、R
は1〜18個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基であ
って、1≦y≦22である)を有するオキサアルキル基
からなる群から選ばれるようなポリスルホニウム化合物
が特に好ましい。
【0028】本発明のポリスルホニウム化合物が式
(V)に相当する場合、その化合物はダイマーである。
式(VII)または(VIII)のうちの1つで示され
るポリスルホニウム化合物は、主鎖中にイオン性基を含
んだポリマーという形をとっている。
【0029】ポリスルホニウム化合物が式(VI)また
は(IX)のうちの1つで示される場合、その化合物
は、イオン性基が側基によって担われているポリマーと
いう形をとっている。
【0030】本発明の他の特有な系列の化合物は、下記
の式(X)、(XI)、(XII)、(XIII)、ま
たは(XIV):
【化6】
【0031】のうちの1つで示されるポリアシルスルホ
ニウム塩を含み、このとき c1) R1nは、上記b1)において定義した意味を有
し、置換基R5とR6は、上記b1)において定義した置
換基R3およびR4と同じ意味を有し; c2) L’は、上記a2)において定義したのと同じ
意味を有し; c3) Lは、上記a3)において定義した意味を有
し; c4) Zは、上記a5)において定義した意味を有
し; c5) pは反復構造単位の数であって、2≦p≦10
00であり;そして c6) Xは、前記にて定義したとおりである。
【0032】ポリアシルスルホニウム化合物の中では、
置換基R1n、R5、およびR6が、1〜18個の炭素原子
を有する直鎖状アルキル基、2−エチルヘキシル基、フ
ェニル基、および式R−(OCH2CH2y−またはR
−[OCH(CH3)CH2y−(式中、Rは1〜18
個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基であって、1≦
y≦22である)を有するオキサアルキル基からなる群
から選ばれるような化合物が特に好ましい。
【0033】本発明による化合物の第4群は、カチオン
部分AP+が次式(XV)によって表わされるポリジアゾ
ニウムである塩を含む。
【0034】
【化7】
【0035】(式中、 d1)Lは前記b3)項で述べた意味を有する。
【0036】d2)L´は前記a2)項で述べた意味を
有する。
【0037】d3)pは繰返し単位の数、2≦p≦10
00を表わす。
【0038】d4)Xはさきに規定したアニオンを表わ
す。) 本発明による化合物の第5群は、下式の1つによって表
わされる有機金属ポリオニウム(polyonium)
化合物を含む。
【0039】
【化8】
【0040】(式中、 e1)R1nは前記b1)項で述べた意味を有し、その置
換基R7は下記から選択する。
【0041】− 炭素原子が1〜30個の線状もしくは
分枝状アルキルまたはアリールアルキル基; − 炭素原子が1〜30個のアルケニル基; − 炭素原子が6〜30個のアリールまたはアルキルア
リール基で、縮合核を有する該基も含む; − オキサアルキル、アザアルキル、チアアルキル、ホ
スファアルキル、オキサアルキレン、アザアルキレン、
チアアルキレン、ホスファアルキレンより成る群から選
ばれる炭素原子が1〜30個の基; − スルホキシド基、スルホン基、ホスフィンオキシド
基、ホスホネート基を包含し、これらの基がすべて硫黄
またはリン原子に酸素を付加することにより得られる炭
素原子が1〜30個の基; − O、N、SおよびPより成る群から得られる少なく
とも1種のヘテロ原子を含む芳香族または脂環式複素環
式基; − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
−F; e2)L’は前記a2)項で述べた意味を有する; e3)Lは前記a3)項で述べた意味を有する; e4)pは繰返し単位の数、2≦p≦1000を表わ
す; e5)Zは前記a5)項で述べた意味を有する; e6)Xは前記のアニオンである; e7)Meは周期律の分類中第3〜第12欄、(第3〜
第6列)の遷移元素から選ばれる遷移金属を表わす。)
【0042】カチオン部分が有機金属ポリカチオンであ
る化合物の例にはフェロセニウム単位を含むポリマー
(とくにビニルフェロセン単位、ポリアルキルベンゼン
鉄シクロペンタジエン単位を含むポリマー)、ニッケロ
セニウム単位を含むポリマーおよびトリカルボニルマン
ガンシクロペンタジエン単位を含むポリマーがある。
【0043】本発明の化合物(A+-pは概して水に
不溶である。したがって、水または水/軽質アルコール
(メタノール、エタノール、プロパノール)混合物中
で、アニオンX1 -が親水性を有するポリカチオン
(A+pの可溶塩である化合物(A+1 -pと、水に可
溶な極めて親水性のカチオンを有するアニオンX-の化
合物とのメタセシス反応を行うことに本質がある方法に
よって該化合物を調製することができる。
【0044】ポリカチオン(A+pの可溶塩(A+-
pは、アニオンX1 -がヒドロキシド、クロリド、ブロミ
ド、ヒドロゲンスルフェート、ジヒドロゲンホスフェー
トまたはメチルスルホネートから選ばれる塩から選ぶの
が好ましい。これらアニオンは水または軽質アルコール
に極めて溶けやすいので、溶解度を高める。
【0045】水または水/アルコール混合物に可溶なア
ニオンX-の化合物(A+-pは、ペルハロアルキルス
ルホンイミドならびにペルハロアルキルスルホニルメタ
ン、リチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、
カルシウムまたはマグネシウムのペルハロアルキルスル
ホンイミド塩およびペルハロアルキルスルホニルメチリ
ドから選ぶのが好ましい。いうまでもなくカチオンの選
択は入手しやすさおよび溶解性を生じるのに必要な最低
限の親水性によって決まる。
【0046】本発明の高分子イオン性化合物(A+-
pを、X1がクロリド、ブロミド、アルキルスルホネー
ト、アルキルオキシスルホネートまたはアリールスルホ
ネートである塩(A+-pにおいて、そのNaまたは
K塩が通常の溶剤に不溶である該塩から調製する場合に
は、NaまたはK塩もしくはアニオンX-の存在下で反
応を行うのが有利である。溶剤中のこれらの塩の溶解度
は、平均極性値がかなりの値である場合でさえも、本発
明による高分子イオン性化合物が溶解状態を保っている
間に、NaClやKBrのような不溶性塩が沈殿する。
溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、アセト
ニトリル、THF、ホルメート、メチルもしくはエチル
アセテートのようなエステルを挙げることができる。
【0047】たとえば、イオン交換樹脂を利用する方法
または選択的沈澱法のような任意の他のイオン交換法を
使用できることに留意する必要がある。
【0048】驚くべきことに、本発明の高分子イオン性
化合物は、ポリスチレンヨードニウムおよびポリチアフ
ェニルスルホニウム化合物のような従来技術の高分子イ
オン性化合物とは逆に高密度にもかかわらず、ほとんど
の通常の有機溶剤に可溶であることが判明した。後者は
対イオンの種類によって水およびジメチルホルムアミド
(DMF)またはプロピレンカーボネートのような極性
の強い溶剤に溶解するだけである。ところで、水はカチ
オン重合反応には適合性がなく、またほとんどのモノマ
ーの溶剤ではない。DMFやプロピレンカーボネートの
ような溶剤は高沸点のために除去しにくく、また後にな
って、重合/架橋によって生じる生成物(食品工業、シ
ルクスクリーン等)に接触する物質を汚染することがあ
る。したがつて、カチオン重合反応の光開始剤として本
発明のポリカチオンを使用することが可能であった。イ
オン性モノマー化合物に関しては、確実な利点がある。
すなわち該化合物を光開始剤として用いると、化学線の
作用を受けて、得られた高分子相中に残留物を移行させ
ることなく分解する。
【0049】したがって、本発明の目的は、カチオン反
応によって反応しうるモノマーまたはプレポリマーの重
合もしくは架橋の触媒として用いられるブレンステッド
酸源を構成する光開始剤、またはポリマーの溶解パラメ
ーターの調節用触媒としての本発明の高分子イオン性化
合物(A+-pの使用を与えることにある。カチオン
反応を行うことができるモノマーまたはプレポリマーの
重合もしくは架橋のプロセスは、重合反応の触媒作用を
する酸源を構成する光開始剤として本発明の化合物を使
用することを特徴とする。
【0050】本発明の高分子イオン性化合物を、カチオ
ン反応によって重合することができるモノマーまたはプ
レポリマーの重合用光開始剤として使用しようとする場
合には、モノマーまたはプレポリマーとともに用いる溶
剤中の前記化合物の溶解度を高め、かつ最終ポリマーに
所望の性状を機能させるために、前記の基の中から基R
1から基R8を選択する。たとえば無置換アルキル基の選
択は低極性媒質中への溶解度をもたらす。オキサ基また
はスルホン基を含む基の選択は極性媒質中への溶解度を
もたらす。硫黄またはリン原子に酸素を付加して得られ
たスルホキシド基、スルホン基、ホスフィンオキシド
基、ホスホネート含む基は、接着性、光沢、酸化または
UVに対する抵抗性に関して、得られたポリマーにすぐ
れた性状を与えることができる。
【0051】本発明の高分子イオン性光開始剤で重合ま
たは架橋させることができるモノマーおよびプレポリマ
ーはカチオン重合を行うことができるものである。
【0052】光開始剤として用いた本発明の高分子イオ
ン性化合物で重合または架橋させることができるモノマ
ーには環状エーテル機能、環状チオエーテル機能または
環状アミン機能を有するモノマー、ビニル化合物(より
詳細にはビニルエーテル)、オキサゾリン、ラクトンお
よびラクタムがある。
【0053】環状エーテルまたはチオエーテル型のモノ
マーの中には、エチレンオキシド、プロピレンオキシ
ド、エキセタン(exetane)、エピクロロヒドリ
ン、テトラヒドロフラン、スチレンオキシド、シクロヘ
キセンオキシド、ビニルシクロヘキセンオキシド、グリ
シドール、ブチレンオキシド、オクチレンオキシド、グ
リシジルエーテルおよびエステル(たとえば、グリシジ
ルメタクリレートまたはアクリレート、フェニルグリシ
ジルエーテル、ビスフェノールAのジグリシジルエーテ
ルまたはそのフッ素化誘導体)、炭素原子が4〜15個
の環状アセタール(たとえばジオキソラン、1,3−ジ
オキサン、1,3−ジオキセパン(1,3−dioxe
pan)挙げることができる。
【0054】ビニル化合物の中で、ビニルエーテルはカ
チオン重合に対して感受性の高いモノマー中の極めて重
要な一群を構成する。例として、ビニルエチルエーテ
ル、プロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテ
ル、オクタデシルビニルエーテル、エチレングリコール
モノビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエ
ーテル、ブタンジオールモノビニルエーテル、ブタンジ
オールジビニルエーテル、ヘキサンジオールビニルエー
テル、エチレングリコールブチルビニルエーテル、トリ
エチレングリコールメチルビニルエーテル、シクロヘキ
サンジメタノールモノビニルエーテル、シクロヘキサン
ジメタノールジビニルエーテル、2−エチルヘキシルビ
ニルエーテル、分子量が150〜5000のポリTHF
ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエ
ーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、
アミノプロピルビニルエーテル、2−ジエチルアミノエ
チルビニルエーテルを挙げることができる。
【0055】(Φ3P)2RuCl2のような触媒の存在
下で対応するアリルエーテルの異性化によって好適に得
られる1個以上のCH3CH=CH−O−基を含むメチ
ルビニルエーテルも包含される。
【0056】本発明の高分子イオン性化合物を光開始剤
として用いたときにカチオン重合を行うことができる他
のビニル化合物には、例を挙げれば、1,1−ジアルキ
ルエチレン(たとえばイソブテン)、ビニル芳香族モノ
マー(たとえばスチレン)、α−アルキルスチレン(た
とえばα−メチルスチレン)、4−ビニルアニソール、
アセナフテン、およびビニル化合物(たとえば、N−ビ
ニルピロリドン、N−ビニルホルムアルデヒドまたはN
−ビニルスルホンアミド)がある。
【0057】プレポリマーの中には、脂肪族鎖、芳香族
鎖または複素環式鎖によってエポキシ基が保持される化
合物、たとえば3〜15個のエチレンまたはプロピレン
オキシド単位でエトキシル化されるビスフェノールAの
グリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンオキシドの
存在下で、ジアルキル、アルキルアリールまたはジアリ
ールシロキサンとメチルヒドロゲンシロキサン(met
hyl hydrogensiloxane)とのコポ
リマーのヒドロシリル化によって得られるエポキシシク
ロヘキセンエチルのような側基を有するシロキサン、ま
たはビニルエーテル末端およびメチルビニルエーテル末
端を有する二官能性不飽和エーテル(プロペニル)、ト
リエトキシまたはトリメトキシシラプロピルシクロヘキ
センオキシドから得られるゾル−ゲルのような縮合物、
ブタンジオールモノビニルエーテルおよび官能性が2個
以上のアルコールと脂肪族または芳香族ジ−もしくはト
リイソシアナートとの反応生成物を含むウレタンを挙げ
ることができる。
【0058】本発明による重合法は、カチオン重合を行
うことができる少なくとも1種のモノマーまたはプレポ
リマーおよび少なくとも1種の本発明のイオン性化合物
Ap+pX-を混合し、得られた混合物を化学線またはβ
線で処理することに本質がある。反応混合物は、厚さが
5mm未満の薄層、好ましくは厚さが500μm以下の
薄膜状に成形した後に放射線に曝露するのが好ましい。
反応時間は資料の厚さおよび、活性なλ波長における源
の出力によって決まる。反応時間は、300m/分ない
し1cm/分の源の全面の通路速度によって規定され
る。1層を塗布して、それを放射線で処理することに本
質がある操作を何回も繰返すことによって5mmよりも
厚い最終物質の相を得ることができる。
【0059】概して、使用する高分子イオン性光開始剤
Ap+pX-の量は、モノマーまたはプレポリマーの重量
に対して0.01〜15重量%、好ましくは0.1〜5
重量%である。
【0060】本発明の高分子イオン性化合物(A+-
pは、溶剤がない場合、たとえば、塩が可溶または容易
に分散可能である液状モノマーを重合させたいと思うと
きに、光開始剤として使用することができる。溶剤に関
連する問題(毒性、引火性)を克服することができるの
でこのような利用法にはとくに興味がある。
【0061】本発明の高分子イオン性化合物(A+-
pは、とくに重合または架橋すべき混合物が高粘度を有
する場合に、直ちに使用できかつ容易に分散可能で、重
合に対して不活性の溶剤中に均質溶液の形の光開始剤と
して用いることもできる。
【0062】不活性溶剤の例として、アセトン、メチル
エチルケトンやアクリロニトリルのような揮発性溶剤を
挙げることができる。これら溶剤は重合または架橋させ
るべき生成物を希釈(とくにプレポリマーを含む場合に
は生成物を低粘度にする)のに役立つだけである。重合
または架橋後乾燥によって該溶剤は除去される。非揮発
性溶剤を挙げることもできる。非揮発性溶剤は揮発性溶
剤と同様に使用でき、すなわち重合または架橋しようと
する生成物を希釈して、本発明の高分子イオン性化合物
(A+-pを光開始剤として用いる場合にはそれを溶
解するが、不揮発性溶剤はさらに得られた物質中に残留
して、可塑剤として働く。例として:プロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトン、モノ−、ジ−、トリエチ
レンまたはプロピレングリコールのエーテル−エステ
ル、エーテルアルコール類、モノ−、ジ−、トリエチレ
ンまたはプロピレングリコール、フタル酸もしくはクエ
ン酸のような可塑剤を挙げることができる。
【0063】本発明の別の態様によれば、使用する溶剤
または希釈剤は、重合に対して反応性があり、低分子量
および低粘度を有し、重合可能なモノマーとして働くと
同時に、一緒に使用する粘稠なモノマーまたはプレポリ
マーの溶剤もしくは希釈剤として働く化合物である。反
応後、溶剤として用いられたこれらモノマーは最終的に
得られる高分子網状組織の一部をなし、その一体化は二
官能性モノマーが存在する場合よりも大きい。照射後に
得られる物質には、低分子量および顕著な蒸気圧を有す
る生成物または該ポリマーが接触する物体を汚染しやす
い生成物は存在しない。例えば、反応性溶剤は、ビニル
モノ−およびジエーテルまたはモノ−、ジ−、トリ−、
テトラエチレンおよびプロピレングリコール、N−メチ
ルピロリドン、たとえば米国ニュージャージー州のIS
PからPEPCという商品名で市販されているプロピレ
ンカーボネートの2−プロペニルエーテルから選ぶこと
ができる。
【0064】反応混合物に照射するために、放射線を紫
外線、可視線、X線、γ線、およびβ線から選ぶことが
できる。化学線として紫外線を用いる場合には、本発明
の光開始剤に、工業装置が発する波長(とくに水銀灯の
場合にはλ約300nm)のような光開始剤の吸収の最
大値に相当する波長ほど強力ではない波長を用いて効果
的に光分解させることを意図する光増感剤を添加するの
が有利であろう。このような添加物は公知であって、非
限定例としては、アントラセン、ジフェニル−9,10
−アントラセン、ペリレン、フェノチアジン、テトラセ
ン、キサントン、チオキサントン、アセトフェノン、ベ
ンゾフェノン、1,3,5−トリアリール−2−ピラゾ
リンおよびその誘導体、とくに、数ある中で吸収波長を
変えることができるアルキル、オキサ−またはアザ−ア
ルキル基によって芳香核に置換される誘導体が挙げられ
る。イソプロピルチオキサントンは、本発明のポリヨー
ドニウム化合物Ap+pX-を光開始剤として用いる場合
の光増感剤の例である。
【0065】前記の種々の種類の放射線の中、紫外線が
とくに好ましい。一方では、紫外線はそれ以外に述べる
放射線よりも使用しやすい。他方では、光開始剤は概し
て紫外線に直接感応しやすく、またこの光増感剤はエネ
ルギー差(δλ)が小さい場合にとくに効率がよい。
【0066】本発明の高分子イオン性化合物(A+-
pは、また、熱によるか又は化学線によって生成される
ラジカルタイプの開始剤と共同して用いることもでき
る。しかして、重合モードが異なる機能を有するモノマ
ー又はプレポリマー、例えばフリ−ラジカル反応によっ
て重合するモノマー又はプレポリマー及びカチオン性反
応によって重合するモノマー又はプレポリマーの混合物
を重合又は架橋させることが可能である。この可能性
は、対応するモノマーから由来するポリマーの単一の混
合物によって得られるであろうものとは異なる物理特性
を有する相互浸透ネットワークを生成させることを意図
する場合には、特に有利である。ビニルエステルは、ラ
ジカル開始によっては、全く又は極めて少ししか活性で
はない。したがって、本発明による光開始剤、遊離基開
始剤、ビニルエステルタイプの少なくとも一つのモノマ
ー、及びアリル基のもののような非活性化二重結合を有
する少なくとも一つのモノマーを含む反応混合物中にお
いて、それぞれのタイプのモノマーについて別々の重合
を行うことができる。一方、フマル酸、マレイン酸、ア
クリル又はメタクリル酸、イタコン酸のエステル又はア
ミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイ
ミド及びその誘導体のような電子欠乏モノマーは、電子
に富むビニルエーテルの存在下で、ラジカル開始によっ
て1:1の交互ポリマーを与える電荷移動コンプレック
スを形成することが知られている。この化学量論に対し
てビニルモノマーが始めに過剰であると、純粋なカチオ
ン性の開始によって重合性機能が保持される。遊離基開
始剤及び本発明によるカチオン性開始剤の混合物の活性
作用の設定は、例えば本発明の光開始剤及び選択された
遊離基開始剤が活性である波長、例えばλ=250nm
における化学線による処理の場合には、二つの反応物質
に関して同時に行うことができる。例としては、開始剤
として以下の市販製品:Irgacure 184、I
rgacure 651、Irgacure 261、
Quantacure DMB、Quantacure
ITX(いずれも登録商標)を示すことができる。
【0067】また、逐次的に重合の二つのモードを用い
て、得るのが容易で、カチオン開始剤によって硬化性
(固化性:hardening)、接着性、可溶性並びに架橋度
を変性することができるプレポリマーをまず製造するこ
とができる。例えば、熱解離性遊離基開始剤及び本発明
によるカチオン性光開始剤の混合物により、最初は熱の
作用下で、次に化学線の作用下で、逐次重合及び架橋を
得ることができる。同様に、遊離基開始剤及び本発明に
よるカチオン性光開始剤を、前者が、本発明による光開
始剤によって生成するものよりもより長い波長に対して
感光性であるように選択すると、二つの制御可能な段階
において架橋が得られる。遊離基開始剤としては、例え
ば、365nmの波長における遊離基重合を開始するこ
とができるIrgacure 651(登録商標)を挙
げることができる。
【0068】マイクロリトグラフのためのホトレジスト
の化学的増幅の反応のために本発明の高分子イオン性化
合物(A+-pを提供することも、本発明の目的であ
る。一つの利用においては、ポリマー及び本発明の高分
子イオン性化合物(A+-pを含む材料のフィルムを
照射にかける。照射によって、ポリマーの分解又は転化
を触媒する酸HXが形成される。照射されたフィルムの
部分におけるポリマーの分解又は転化の後、形成された
モノマー又は転化されたポリマーを取出し、一方を非露
光部分の画像と共に残留させる。この特定の目的のため
には、イオン性置換基を有するビニル単位を有するポリ
マーを用いることが有利である。これらの化合物の中で
は、式(III)によって示されるポリヨードニウム
塩、式(VI)によって示されるポリスルホニウムの
塩、式(XI)によって示されるポリアクリルスルホニ
ウム、式(XV)によって示されるポリジアゾニウム化
合物、式(XVIII)によって示される有機金属コン
プレックスの塩を示すことができる。光分解の後、これ
らの化合物によって、非揮発性で、したがってスルフィ
ドに関する場合には匂いを有しない生成物を得ることが
できる。本発明の化合物の中では、光開始剤として特に
有効なポリスルホニウム、フェナシルスルホニウム化合
物、及び容易に得ることのできるビニルフェロセニウム
のポリマー及びコポリマーが特に好ましい。本発明の化
合物の存在下でこのように変性することのできるポリマ
ーの中では、例えば、エステル基又はtert−アルコ
ールアリールエーテル基を有するモノマー、例えばポリ
(フタルアルデヒド)、ビスフェノールAのポリマー及
び二酸のポリマー、ポリtert−ブトキシカルボニル
オキシスチレン、ポリtert−ブトキシ−α−メチル
スチレン、ポリジtert−ブチルブマレート−co−
アリルトリメチルシラン及びtert−アルコールのポ
リアクリレート、特に、tert−ブチルポリアクリレ
ートが示される。他のポリマーは、J.V.Crive
lloらのChemistry of Materia
ls 8,376−381(1996)に記載されてい
る。
【0069】高い熱安定性を有する本発明の高分子イオ
ン性化合物(A+-pは、従来技術において公知の塩
と比べて多くの有利性を与える。これらは、PF6 -,A
sF6 -及び特にSbF6 -タイプのアニオンの配位によっ
て得られるものに比較し得るか又はこれよりも高い開始
及び進行速度を有する。Mがアルカリ金属でありXが本
発明の化合物のアニオンと同じアニオンである式:M+
-の塩は、ポリマーのガラス転移温度をごく僅かしか
上昇させないで、ポリマー中に容易に溶解することが知
られている。さらに、アニオンX-の拡散係数は、ヘキ
サフルオロメタレート、テトラフルオロボレート又はフ
ェニルボレートアニオンの拡散係数よりも高い。これら
の特性は、陰電荷の非局在化及びSNS又はSCS結合
の周りでのアニオンの可撓性によって説明される。
【0070】本発明の高分子イオン性化合物(A+-
pの他の興味深い利点は、P、As又はSbのような、
毒性で、一方マイクロエレクトロニクスプロセスにおい
て汚染薬剤として考えられている元素が存在しないこと
である。
【0071】上記に定義したRF、R'F並びにQ基を、
重合、架橋又は化学増幅反応のために用いる媒体の極性
に適合するように選択することによって本発明の塩の溶
解度パラメーター及び及び溶融温度を変化させる可能性
についても、言及すべきであろう。ペルフルオロ基の特
徴である極めて低い表面張力によって、本発明の高分子
イオン性化合物(A+-pに、混合物のために有用な
張力活性特性及び重合可能な混合物中の顔料及び充填物
の均一な分布が与えられる。
【0072】以下において、本発明を以下の実施例によ
ってより詳細に説明するが、これらは例示のために与え
られるものであり、本発明はこれらの実施例に制限され
るものではない。
【0073】実施例1 ポリ(ヨードニウム)塩の調製: ポリスチレン(Mw
6000)の試料の芳香核を、Yamada他の方法(Die Ma
kromolecular Chemie, (1972) 152, 153-162)に従っ
て、ポリスチレンのヨード化、酢酸、無水酢酸および過
酸化水素の混合物によるヨードソアセテートへの酸化に
よって、ヨードフェニル基に転換する。このようにして
調製した化合物の10gを、4時間の間0℃に維持した
30mLのメタンスルホン酸および5mLのブトキシベ
ンゼンの混合物中の懸濁液中に置く。反応生成物をエー
テル:イソプロパノールの2:1v/v混合物400m
L中に注ぎ、沈殿物を濾過によって分離し、THFで洗
浄し、乾燥する。このようにして得られた8gのポリヨ
ードニウムメタンスルホネートを50mLの水中に懸濁
させ、25mLの水中の10gのリチウムビス(ノナフ
ルオロブタンスルホニル)イミドの塩の溶液を添加す
る。混合物を1時間攪拌し、濾過によって分離する。イ
オン交換(メタセシス)の収率は定量的にポリ(ビニル
フェニル−(4−ブトキシフェニル)−4−ヨードニウ
ム)のビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドを
与える。
【0074】ポリマーの構造は以下である:
【化9】
【0075】実施例2 ポリヨードニウム塩からのポリ(スルホニウム)塩の調
製: 3gの実施例1の高分子イオン性化合物を5mL
の4−ブチルフェニルチオエーテルと500mgの微細
に分散した安息香酸銅と混合し、溶融相中で3時間13
0℃で加熱する。反応終了時、混合物を30mLのアセ
トンに溶解し、100mLのエーテル中に沈殿させる。
精製処理をアセトン(溶媒)/水(沈殿剤)の系で3回
繰り返す。以下のポリスルホニウム塩が得られる。
【0076】
【化10】
【0077】実施例1および2の2種のポリマーの溶解
性パラメーターを以下の表にまとめる。
【0078】
【表1】 溶媒 アセトン C24Cl2 MEK DVE−3 PC 実施例1[I+] 可溶 s s s>5% s実施例2[S+] 可溶 s s s>5% s s = 可溶>20%w/w DVE3= トリエチレングリコールジビニルエーテル MEK = メチルエチルケトン PC = プロピレンカーボネート 高密度の電荷を有する高分子電解質の例外的な溶解特性
がこのようにして得られる。
【0079】実施例3 ブトキシの代わりにメトキシ基を有する以外は実施例1
のものと同様のポリマーを、ジクロロメタン(40m
L)中の過酢酸(45.6g)およびトルエンスルホン
酸(19.05g)の存在下でポリ(4−ヨードスチレ
ン)(23g)をアニソール(10.8g)と反応させ
ることによって、CrivelloおよびLee(米国特許4,7
80,511)の操作法を行うことによって得ることが
できる。得られた25gのポリマーをエタノールとアセ
トンの1:1混合物中に分散し、これに15gの塩ビス
(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを添加する。
粘性溶液を遠心してトルエンスルホン酸ナトリウムを除
去し、水中に黄色粉末の形態で沈殿し、これは通常の溶
媒に可溶である。
【0080】実施例4 化合物フェノキシエチルビニルエーテルは、石炭酸ナト
リウムとクロロエチルビニルエーテルを反応させ、次い
で−10℃でTiCl4で開始されるジクロロメタン中
での重合を行うことによって調製される。等量の酢酸と
ジクロロメタンとの混合物40mL中で9.8gのフェ
ニルヨードソトルエンスルホネートに対して8.2gの
ポリマーを反応させた。ポリヨードニウムはエーテルで
沈殿させて得られた。イオン交換反応を、12gのポリ
マーと7gのビス(トリフルオロメタンスルホニル)イ
ミドナトリウムとの間で、実施例3と同様に実施する。
沈殿および水洗後に、メチルエチルケトンの50%溶液
中で使用される粘性物質が得られる。
【0081】実施例5 ヨードニウム基を含有するオリゴマーを、ブロミドの形
態でJ.Polym.Sci., Polym.Lett.(1976), 14, 65に記載
の方法に従って調製する。4gのこのオリゴマーを50
mLの水中の溶液に置き、これに25mLの水に溶解し
た5gのナトリウムトリス(トリフルオロメタンスルホ
ニル)メチリドを添加する。沈殿物を濾過によって分離
する。この物質は、アセトンまたはモノマー、例えば
(4−プロペニルオキシメチレン)1,3−ジオキソラ
ン−2−オン(International Specialty Producxts, W
ayne NJ, USA)などの通常の極性溶媒中に可溶である。
ブロミドイオンに付随したポリヨードニウムは最もよく
知られた極性溶媒(DMSO、DMF、HMPA)中で
僅かな溶解性のみを有する。
【0082】実施例6 本発明によるアニオンに付随した高分子電解質に付与さ
れた溶解特性は、第3級塩基の存在下における(4,
4’−N−マレイミド)ジフェニルヨードニウムのm−
クレゾール中の1,10−デカンチオールによるトラン
ス付加によってCrivelloおよびLam(J. Polym. Sci.; P
olymer Chemistry, (1979), 17, 3845-3858)に従って
調製されたポリ(ヨードニウム)の性質の比較によっ
て、本明細書中以下において例示される。
【0083】
【表2】アニオン\溶媒 アセトン C24Cl2 MEK NMP PEPC (CF3SO2)2N- 可溶 s s s s (CF3SO2)N(SO2C4F9)- s s s s s (CF3SO2)3C- s s s s sポリマーPF6 不溶 i i i i
【0084】実施例7 ポリチオエーテルを、15gのジメルカプトヘキサンを
10gの炭酸カリウムの存在下で150℃で200mL
のN−メチルピロリドン中の18.67gの1,2−ビ
ス(2−クロロエトキシ)エタンと反応させることによ
って調製する。ポリマーを水中に沈殿させ、多数の可溶
化操作(CH2Cl2)/沈殿(ジエチルエーテル)およ
び単一容器内での遠心分離において精製する。ポリマー
は粘性物質の形態である。冷却器、機械スターラーおよ
び中性ガス入口(Ar)を備えた3口フラスコ中で、7
gのポリマーを120mLのジクロロメタン(CH2
2)に溶解し、4.8gの2−ブロモアセトフェノン
を滴下添加する。混合物を40℃で環流下で加熱する。
沈殿物が急速に出現する。反応を沈殿物の出現後12時
間継続する。ポリフェナシルスルホニウムブロミドを濾
過によって分離し、ジクロロメタンおよびエーテルで洗
浄する。5gのポリ(塩)を60mLの水に溶解し、溶
液を濾過し、これに、25mLの水中の3gのビス(ト
リフルオロメタンスルホニル)イミドのリチウム塩(L
i[CF3SO22N)を添加する;沈殿物が直ちに形
成し、攪拌を1時間継続する。ポリマーを濾過によって
分離し、乾燥する(定量的収率)。比較により、同一の
調製を実施し、沈殿を2.2gのナトリウムヘキサフル
オロホスフェートの存在下で実施する。溶解性の性質は
以下の表中に例示によってまとめられる。
【0085】
【表3】 溶媒 アセトン C24Cl2 MEK DVE−3 E/DVE3 ポリマーイミド 可溶 s s s>3% s>3% c = コンパチブル(相溶性)(光学的可視相のマイクロ分離の不在) DVE3= トリエチレングリコールジビニルエーテル E = エポキシド(ビスフェノールAジグリシジルエーテル)
【0086】実施例8 上記実施例のものと同様のポリチオエーテルを、8gの
2−メルカプトエチルエーテルを4gの炭酸カリウムの
存在下において80℃で100mLのジメチルホルムア
ミド中の15.3gのα,α−ジブロモ−m−キシレン
と反応させることによって調製する。ポリマーを前記と
同様に水中に沈殿させ精製する。冷却器、機械スターラ
ーおよび中性ガス入口(Ar)を備えた3口フラスコ中
で、10gのポリマーを120mLのヘキサンに溶解
し、11.5gのブロモアセチル−4−オクチルオキシ
−ベンゼンを滴下添加する。混合物を60℃で環流下で
加熱する。沈殿物が急速に出現する。反応を沈殿物の出
現後12時間継続する。ポリフェナシルスルホニウムブ
ロミドを濾過によって分離し、ヘキサンおよびエーテル
で洗浄する。7gのポリ(塩)を60mLのアセトンに
懸濁し、攪拌下において、5.15gのトリス(トリフ
ルオロメタンスルホニル)メタンのカリウム塩(K[C
3SO23C)を添加する。反応混合物を室温で1時
間攪拌下で維持し、溶液を濾過して形成した臭化カリウ
ムを排除する;アセトンを蒸発させると、高分子イオン
性化合物の非常に粘性物質が残る。
【0087】
【表4】 溶媒 アセトン C24Cl2 MEK DVE−3 エポキシ/VGE 塩オクチルオキシ □ □ □ s>10% s>10% 溶媒 トルエン BVE−1 フォト−1 PDMS 10 PDMS 500 塩オクチルオキシ s s c>1% s>2% s>1% E = ジグリシジルエーテルのビスフェノールA DVE3 = メチレングリコールジビニルエーテル BVE−1 = ブタンジオールモノビニルエーテル フォト−1 = 化学増幅を有するレジスト用樹脂: ポリ(t−ブトキシカルボキシスチレン−コ−シアノエチル アクリレート)1:1 PDMS10 = α,ω−トリメチルシロキシ−ポリジメチルシロキサン: 粘度10cSt,Mw 約1250 PDMS500= 同上、粘度500cSt,Mw 約17250 E/VGE = 50v/vビスフェノールAジグリシジルエーテル、トリエ チレングリコールジビニルエーテル
【0088】実施例9 6.5gのトリフルオロメタンスルホンアミドCF3
2 NH2 と10.8mLのピリジンを60mLのジク
ロロメタン中で−15℃に冷却して、10mLのジクロ
ロメタン中の3.6mLの塩化スルホニルと4.6mL
の1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロ
パノールを滴下した。この混合液を−15℃で1時間、
次いで室温(25℃)で4時間攪拌した。この反応混合
液を濾過して溶媒をロータリーエバポレーターで留去し
た。5gの酢酸ナトリウムを含有する50mL水中にそ
の固体残渣を溶かして、18.45gの微粉砕したビス
〔4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル〕チオエーテ
ルのビスヘキサフルオロホスフェート(Akhtarらの方法
(Chem. Mat. (1990), 2, 732 及び K.T. Chang 米国特
許第4,197,174号)に従って調製した)を加
え、その混合液を硬質ポリエチレンジルコニウム系酸化
物ボールのロール粉砕機中で室温で3時間攪拌した。得
られた懸濁液を濾過して得られた固体を乾燥した。次の
構造の28g(78%)の化合物が得られた。
【0089】
【化11】
【0090】実施例10 20mLのアセトニトリル中に溶かして0℃に維持した
4gの二量体シクロペンタジエニル−鉄−ジカルボニル
(Aldrich,ミルウォキー,米国)に、激しく攪拌しなが
ら、5mLのアセトニトリルで希釈した0.58mLの
臭素を加えたところ、CpFe(CO)2 Br塩の生成
反応が即座にかつ定量的に起こった。150μLのSn
Cl4 でのカチオン開始重合により、20gの2−イソ
プロペニル−4−クメン(p−イソプロピルスチレン)
を200mLのジクロロメタン中で−10℃で重合させ
た。このポリマーをエーテル中に沈澱させ、溶解(CH
2Cl2 )/沈澱(ジエチルエーテル)操作を数回行う
ことにより精製した。ポリマー収率は白色固体の形で6
3%であった。冷却管、機械的攪拌器及び中性ガス導入
口(Ar)を備えた三頸フラスコ中に、8.2gのポリ
マーを120mLのジクロロエタン(C24 Cl2
中に溶かして、先に調製したアセトニトリル中のCpF
e(CO)2 Brの溶液を加えた。この混合液を加熱還
流した。一酸化炭素の放出を伴って沈澱が出現した。沈
澱が出現した後、反応を2時間続けた。濾過によりこの
ポリ(アレンフェロセニウム)ブロミドを分離し、ジク
ロロメタンとアセトニトリルで洗浄した。3gのこの高
分子イオン性化合物を50mL水に溶かして、それに2
5mLの水中の3.8gのノナフルオロブタンスルホニ
ルトリフルオロメチルスルホニルイミドのリチウム塩
(Li〔C49 SO2 NSO2 CF3 〕)を加えると
すぐに沈澱が生成し、攪拌を1時間続けた。このポリマ
ーを濾過により分離して乾燥した(定量的収率)。比較
のため、1.5gのヘキサフルオロリン酸ナトリウムの
存在下で同じ調製を行って沈澱を生じさせた。次の表に
特性の比較を纏めた。
【0091】
【表5】 溶 媒 アセトン C24 Cl2 MEK DVE−3 PC ポリマー−イミド 可溶 可溶 可溶 可溶>3% 可溶 ポリマー−PF6 不溶 不溶 不溶 不溶 可溶 DVE−3 = トリエチレングリコールジビニルエーテル PC = プロピレンカーボネート
【0092】実施例11 3.4gの〔ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード〕
ベンゼンを、50mLのトルエン中で溶液にした5gの
1,2−ジフェロセニルエタン(Aldrich,ミルウォキ
ー,米国)に加えた。すぐに青色沈澱が生成したので分
離し、エーテルで洗浄して乾燥した。5gのこの固体6
24.14724を25mLの水中で溶液にし、4.9
gのビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド・ナ
トリウムをこれに加えた。イミドアニオンの塩の形のフ
ェロセン二量体の沈澱を結晶性青色粉末の形で定量的収
率で得た。
【0093】実施例12 アゾビス(ブチロニトリル)により誘発したフリーラジ
カル重合によって得られた42%有機金属単位を含有す
る、トルエン中で溶液にした、ビニルフェロセン(Aldr
ich,ミルウォキー,米国)とメタクリル酸ブチルとの6
gのコポリマーに、3.3gの〔ビス(トリフルオロア
セトキシ)ヨード〕ベンゼン(Aldrich)を加えた。す
ぐに青色沈澱が生成したので分離し、エーテルで洗浄し
て過剰のこの乾燥酸化剤を除去した。トリフルオロ酢酸
アニオンと結合したフェリシニウムの5gのこの高分子
塩を25mL水中に懸濁させ、3gのビス(トリフルオ
ロメタンスルホニル)イミド・ナトリウムをこれに加え
た。ポリフェリシニウムのイミドアニオンの高分子塩の
沈澱を、殆どの常用溶媒に可溶性である青色非晶質粉末
の形で定量的収率で得た。
【0094】実施例13 冷却管、機械的攪拌器及び中性ガス導入口(Ar)を備
えた三頸フラスコ中に、ジメチルシロキサンと(ハイド
ロゲノ)(メチル)シロキサン(HMS30125%S
iH,Mw1900,Gelest Inc., Tullytown, ペンシ
ルバニア州,米国)との9.5gのコポリマーをTHF
中で溶液にし、7.9gのアリールフェロセンと70m
gの塩化白金酸H2 PtCl6 を加えた。この混合液を
4時間加熱還流した。サンプリングしたところ、SiH
結合のIRバンドの完全な消失が確認された。このポリ
マーをメタノール中で沈澱させ、溶解(THF)/沈澱
(メタノール)の操作を3回行うことにより精製した。
ジクロロメタン中で溶液にした5.4gのこのポリマー
に、2.4gの〔ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨー
ド〕ベンゼンを加えた。反応生成物を100mLエーテ
ル中に注いで、遠心分離により沈澱を分離した。トリフ
ルオロ酢酸アニオンをトリス(トリフルオロメタンスル
ホニル)メチリドアニオンにより置き換えることを可能
にするメタセシスを水(1mL)中で、25mL水中に
溶かした4.2gの高分子カチオン(ポリカチオン)と
3.1gのトリス(トリフルオロメタンスルホニル)メ
チリド・ナトリウム塩の間で行った。ポリマーを遠心分
離により分離したところ、シリコーンオイル中で>3%
であることを含めて殆どの溶媒に可溶な、ガム状青色塊
の形であった。このポリマーの構造は次の通りであっ
た。
【0095】
【化12】
【0096】実施例14 公知でありかつ米国特許第2,714,066号に記載
された方法に従って、4−ジアゾジフェニルアミン塩化
亜鉛酸塩の縮合により、ジアゾニウムのオリゴマーを調
製した。25gのこの高分子塩を、0℃に維持されかつ
50gの酢酸ナトリウムと28gのエチレンジアミン四
酢酸(EDTA)のナトリウムのジ塩を含有する500
mL水中に溶かした。次いで、50mL水中で溶液にし
た24gのビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミ
ドのナトリウム塩を加えた。この高分子塩を濾過により
分離して乾燥し(定量的収率)光を遮って0℃に保っ
た。この化合物は、MEKのような平均的極性の常用の
有機溶媒に非常に溶解性であり、そしてDVE−3又は
PEPC型のモノマー、グリシジルエーテル類に可溶で
あった。
【0097】実施例15 ネガティブフォトレジスト:20mLジメチルホルムア
ミド中で溶液にした2gのポリ(4−ヒドロキシスチレ
ン)−co−スチレン(8.2)(信越化学)を、メタノ
ール中の水酸化カリウムの9.7mLの1M溶液と1.
2gのクロロエチルビニルエーテルに加えた。この溶液
を80℃で1時間加熱してその反応混合液を100mL
水中に注ぐと、生成したポリ(4−ビニルオキシエチ
ル)スチレンが沈澱した。このポリマーを、アセトン
(溶媒)/水(沈澱剤)及びアセトン(溶媒)/エーテ
ル(沈澱剤)で溶解・沈澱の操作を多数回行うことによ
り精製した。10mL MEK中の1gのポリ(4−ビ
ニルオキシエチル)スチレン−co−スチレンと20mg
の実施例1のポリマーを、シリコンの支持体上にスピン
コートし、(干渉マスクを通したKrFレーザーで得ら
れた1MJ/cm2 の露光により)0.5μm厚のフィ
ルムを形成した。現像はTHFで行った。電子顕微鏡
(SEM)で観察した、得られた解像度は、そのフィル
ムの厚さのオーダー、即ち0.5μmであった。このフ
ォトレジストは、シリコンを汚染し得る金属元素を含有
していなかった。
【0098】実施例16 ポジティブフォトレジスト:ジクロロメタン中の1gの
ポリ(4−t−ブトキシカルボキシスチレン)と60m
gの実施例8のポリマーを支持体上にスピンコートし
て、干渉マスクを通したKrFレーザーで得られた1M
J/cm2 の露光で0.5μm厚のフィルムを形成し
た。現像は水中の水酸化テトラメチルアンモニウムの4
%溶液で行った。電子顕微鏡(SEM)で観察した、得
られた解像度は、そのフィルムの厚さのオーダー、即ち
0.5μmであった。このフォトレジストは、シリコン
を汚染し得る金属元素を含有していなかった。
【0099】実施例17 本発明の生成物の光開始重合性を下表に示した。先に示
した実施例の高分子イオン性化合物を種々のモノマー中
で4重量%で用いて、254nmのUV光により900
mW/cm2 の電力で15秒間照射してから、媒質中に
生成した種が伝播できるように10分間照射した(後硬
化)。
【0100】
【表6】 モノマー DVE3 エポキシ+ CHDM シクロヘキセン α−メチル DVE3 +10% エポキシド スチレン PEPC ポリシロキサン* 光開始剤 実施例1 ++ ++ + 2 ++ ++ + + + 3 ++ ++ + 4 ++ ++ + + 5 ++ ++ + 6 ++ ++ + 7 ++ ++ + + + 8 ++ ++ + + + 9 ++ ++ + + + 10 ++ ++ + + + 11 ++ ++ + + + 12 ++ ++ + + 13 ++ ++ + + + 14 ++ ++ + + * 架橋 ++ 着色したポリマーを与える非常に発熱性の重合 + 非粘着性樹脂を与える重合
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年1月21日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 ポリイオン性ポリマー化合物、その製
造方法及び光開始剤としての使用
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 597140464 クリストフ・ミショト フランス共和国3800 グルノーブル,リュ ー・レーヌ・トマス 6 (72)発明者 アラン・ヴァレー カナダ国ジ3イクス 1イグレーク9 ケ ベック,ヴァレーヌ,デュ・フィエフ 97 (72)発明者 ミシュル・アルマン カナダ国アッシュ3テ 1エヌ2 ケベッ ク,モントリオール,ファンダル 2965 (72)発明者 グザヴィエ・オリヴラン フランス共和国3800 グルノーブル,ケ ー・ドゥ・ラ・グライル 19 (72)発明者 クリストフ・ミショト フランス共和国3800 グルノーブル,リュ ー・レーヌ・トマス 6

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のオニウム単位を含んだポリカチオ
    ン部分(A+pと、化合物を電気的に中性にするのに十
    分な数のアニオンX-とから構成される高分子又はオリ
    ゴマーイオン性化合物であって、 −前記オニウム単位が、ビアリールヨードニウム、アリ
    ールスルホニウム、アリールアシルスルホニウム、ジア
    ゾニウム、および4〜12個の炭素原子を含んだ少なく
    とも1つの不飽和環と錯体形成する遷移金属を含む有機
    金属カチオン、からなる群から選択されること; −X-が、イミドアニオン[RFSO2NSO2R’F-
    またはメチリドアニオン[RFSO2C(Q)SO
    2R’F-であること、このとき: 1)Qは、 − H−、Cl−、F−、Br−、またはCN−; − 1〜30個の炭素原子を有するアルキル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基、アルキ
    ルアリール基、又はアリールアルキル基; − 基R”Fまたは基R”FSO2;であり、 2)RF、R’FおよびR”Fは、X-がメチリドアニオン
    であるときは、フッ素、1〜30個の炭素原子を有する
    パーハロアルキル基、(パーハロアルキル)アルキルオ
    キシ基、3〜30個の炭素原子を有するパーハロゲン化
    脂環式基(OとNから選ばれるヘテロ原子を含んでいて
    もよく、及び/又は、少なくとも1つのパーハロアルキ
    ル鎖を有していてもよい)、および6〜30個の炭素原
    子を有するパーハロゲン化アリール基からなる群から独
    立的に選択されてよく; 3)RFとR’Fは一緒になって、それぞれ基−SO2
    N−SO2若しくは基−SO2−C(Q)−SO2−を含
    んだ環を構成する二価の基を形成するか、又は、X-
    メチリドアニオンであるときには、R”Fは基RF又は
    R’Fの一方と一緒になってそれぞれ基−SO2−C−S
    2−若しくは−SO2−C−を含んだ環を構成する二価
    の基を形成し、このとき前記二価の基は、2〜12個の
    炭素原子を有する過フッ化アルキレンから選択され、存
    在していてもよい第3の基は、上記2)に記載の一価の
    基から選択され;そして 4)pは、オニウム単位の数を示すことを特徴とする高
    分子又はオリゴマーイオン性化合物。
  2. 【請求項2】 アニオンがスルホンイミド[RFSO2
    SO2R’F-またはスルホニルメチリド[RFSO2
    (Q)SO2R’F-であり、式中、Qは、炭素原子3
    0個以下を有するアルキル、アリール、アルキルアリー
    ルまたはアリールアルキル基、炭素原子1−8個を有す
    るペルフルオロアルキルスルホニル基及び炭素原子1−
    12個を有するペルフルオロアルキル基からなる群から
    選択され;RF及びR’Fは、独立して、炭素原子1−1
    0個を有するペルフルオロアルキル基からなる群から選
    択され;又はRF及びR’Fは、一緒になって炭素原子1
    −8個を有する線状ペルフルオロアルキレン基を形成す
    ることを特徴とする請求項1に記載のイオン性ポリマ
    ー。
  3. 【請求項3】 以下の式(I)〜(IV)のひとつによ
    り表されるポリヨードニウムの塩又は、以下の式(V)
    〜(IX)のひとつにより表されるポリスルホニウム
    塩、又は以下の式(X)〜(XIV)のひとつにより表
    されるポリアシルスルホニウム塩、又は、以下の式(X
    V)により表されるポリジアゾニウム塩、又は以下の式
    (XVI)〜(XX)のひとつにより表される有機金属
    高分子イオン塩: 【化1】 【化2】 【化3】 [式中、 a1)R1nは、同一又は異なっていてもよく、アリール
    基の遊離炭素原子のいずれか1つに結合している1〜4
    個の、好ましくは1〜2個の基であり、R2nは、同一又
    は異なっていてもよく、アリール基の遊離炭素原子のい
    ずれか1つに結合している1〜4個の、好ましくは1〜
    2個の基であり、基R1nとR2n並びにR3〜R8基は、 − 1〜30個の炭素原子を有する直鎖または枝分かれ
    鎖のアルキル基もしくはアリールアルキル基; − 1〜30個の炭素原子を有するアルケニル基; − 6〜30個の炭素原子を有するアリール基もしくは
    アルキルアリール基であって、縮合核を有するものを含
    む; − 1〜30個の炭素原子を有していて、オキサアルキ
    ル基、アザアルキル基、チアアルキル基、ホスファアル
    キル基、オキサアルキレン基、アザアルキレン基、チア
    アルキレン基、およびホスファアルキレン基からなる群
    から選択される基; − 1〜30個の炭素原子を有していて、スルホキシド
    基、スルホン基、ホスフィンオキシド基、またはホスホ
    ネート基(これらの基はいずれも、イオウ原子またはリ
    ン原子への酸素の付加によって得られる)を含んだ基;
    および − O、N、SおよびPからなる群から選択される少な
    くとも1つのヘテロ原子を含んだ芳香族又は脂環式の複
    素環基; − −NO、−CN、−OH、−Cl、−Br、−I、
    −F; から互いに独立的に選択されるか、あるいはR1n及びR
    2n及び/または置換基R3及びR8及び/または置換基R5
    及びR6から選択される2つの基が一緒になって、それ
    を有する基と共に環を形成する二価の基を形成し、この
    二価の基は、1〜18個の炭素原子を有する線状アルキ
    レン基;好ましくは1〜10個の炭素原子を有するアル
    キル基、オキサアルキル基、およびアルケニル基からな
    る群から選択される少なくとも1つの置換基を有するベ
    ンゾビラジカル;および式−R’−(OCH2CH2q
    −O−R’−または−R’−[OCH(CH3)CH2
    q−O−R’−(式中、R’は0〜18個の炭素原子を
    有する線状アルキレン基であり、1≦q≦22である)
    を有するオキサアルキレン基;からなる群から選択さ
    れ; a2)L’は、1〜18個の炭素原子を有する線状アル
    キレン基;非置換又は置換されているフェニレン基;式
    −R’−(OCH2CH2q−O−R’−または−R’
    −[OCH(CH3)CH2q−O−R’−[式中、
    R’は0〜18個の炭素原子を有する線状アルキレン基
    であり、1≦q≦22である)を有するオキサアルキレ
    ン基;−O−;−S−;>C=O;シロキサン基−R’
    −[Si(R)2O]rR’−または−O−[Si(R)
    2O]r−(式中、R’は上記と同じ意味を有し、Rは、
    1〜18個の炭素原子を有する線状アルキル基、1≦r
    ≦40である)、2−エチルヘキシル、およびフェニル
    からなる群から選択される(好ましくは、RはCH3
    たはフェニルである)];又は2つの非縮合アリール基
    の2つの炭素原子間の直接結合;からなる群から選択さ
    れる二価の基であり; a3)LはL’に関して上記a2)において定義した基
    から選択される二価の基であるか;あるいはLは、少な
    くとも一つの非イオン性モノマー単位から構成されるか
    は化学線の作用に対して感受性ではないイオン性基を有
    する(この場合においては、Lは活性イオン基間の平均
    スペースを表している)セグメントであり; a4)pは反復構造単位の数であって、2≦p≦100
    0であり; a5)Zは、CH、CR、N、SiRまたはSiRO3
    であって、このときRは、1〜18個の炭素原子を有す
    る線状アルキル基、2−エチルヘキシル基、およびフェ
    ニル基から選択され;そして a6)Meは、周期律表の3〜12欄(3〜6行)の遷
    移金属群より選択される遷移金属である]を含む請求項
    1に記載のイオン性ポリマー。
  4. 【請求項4】 反応混合物中に双方が溶解性である、ポ
    リカチオン(A+pと化合物A1 +-の塩(A+1 -p
    の間の水又は水/軽質アルコール混合物中の複分解を実
    施し、アニオンX-は親水性であり、カチオンA+はアル
    カリ及びアルカリ土類金属から選択されることを特徴と
    する請求項1に記載のイオン性ポリマーの製造法。
  5. 【請求項5】 アニオンX1 -が、ヒドロキシド、クロラ
    イド、ブロマイド、ハイドロゲノサルフェート、ジヒド
    ロゲノフォスフェートまたはメチルスルホネートである
    ことを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の化合物を、反応を触媒
    する酸の源を構成する光開始剤として用いることを特徴
    とする、カチオン性反応を実施し得るモノマー又はプレ
    ポリマーの重合又は架橋方法。
  7. 【請求項7】 モノマーが、環状エーテル官能性、環状
    チオエーテル官能性又は環状アミン官能性を有する化合
    物、ビニル化合物、ビニルエーテル、オキサゾリン、ラ
    クトン及びラクタムからなる群から選択されることを特
    徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 プレポリマーが、エポキシ基が脂肪族、
    芳香族又は複素環鎖により支持されている化合物からな
    る群から選択されることを特徴とする請求項6に記載の
    方法。
  9. 【請求項9】 カチオン重合し得る少なくとも1種のモ
    ノマー又はプレポリマーと光開始剤とを混合し、得られ
    た混合物を化学線又はβ-線に暴露することから構成さ
    れる請求項6に記載の方法。
  10. 【請求項10】 薄層に加工した後に、反応混合物を化
    学線で処理することを特徴とする請求項9に記載の方
    法。
  11. 【請求項11】 使用する光開始剤の量が、モノマー又
    はプレポリマーの重量に対して0.01〜15重量%以
    下であることを特徴とする請求項6に記載の方法。
  12. 【請求項12】 光開始剤を、重合反応に対して不活性
    である溶媒中の溶液の形態で使用することを特徴とする
    請求項6に記載の方法。
  13. 【請求項13】 不活性溶媒が、アセトン、メチル−エ
    チルケトン、アセトニトリル、プロピレンカーボネー
    ト、γ-ブチロラクトン、モノ−、ジ−、トリエチレン
    又はプロピレングリコールのエーテル−エステル、モノ
    −、ジ−、トリエチレン又はプロピレングリコールのエ
    ーテル−アルコール、フタル酸又はクエン酸のエステル
    からなる群から選択されることを特徴とする請求項12
    に記載の方法。
  14. 【請求項14】 反応を、重合に対して反応性である化
    合物からなる溶媒又は希釈剤の存在下で実施することを
    特徴とする請求項6に記載の方法。
  15. 【請求項15】 反応性化合物が、モノ−、ジ−、トリ
    −テトラエチレン又はプロピレングリコールのビニルモ
    ノ−及びジエーテル、トリビニルエーテルトリメチロー
    ルプロパン及びジメタノールシクロヘキサンのジビニル
    エーテル、N−ビニルピロリドン、プロピレンカーボネ
    ートの2−プロペニルエーテルからなる群から選択され
    ることを特徴とする請求項14に記載の方法。
  16. 【請求項16】 光増感剤を反応混合物に添加すること
    を特徴とする請求項6に記載の方法。
  17. 【請求項17】 光増感剤が、アントラセン、ジフェニ
    ル−9,10−アントラセン、ペリレン、フェノチアジ
    ン、テトラセン、キサントン、チオキサントン、イソプ
    ロピルチオキサントン、アセトフェノン、ベンゾフェノ
    ン、1,3,5−トリアリール−2−ピラゾリン及びそ
    れらの誘導体、特にアルキル、オキサ−又はアザアルキ
    ル基により芳香族核上に置換されている誘導体からなる
    群から選択されることを特徴とする請求項16に記載の
    方法。
  18. 【請求項18】 反応混合物が、フリーラジカル重合し
    得る少なくとも1種のモノマー又はプレポリマー及び、
    化学線若しくはβ-線又は加熱下でフリーラジカル重合
    開始剤を放出し得る化合物も含むことを特徴とする請求
    項6に記載の方法。
  19. 【請求項19】 請求項1に記載の化合物の存在下で、
    ポリマーを化学線又はβ-線に暴露することを含むこと
    を特徴とする、酸に感受性の基を有するポリマーの溶解
    性特性を変性する方法。
  20. 【請求項20】 ポリマーが第三アルコールのエステル
    又はアリールエーテルの単位を含むことを特徴とする請
    求項19に記載の方法。
  21. 【請求項21】 ポリマーが、tert−ブチルポリア
    クリレート、tert−ブチルポリイタコネート、ポリ
    (tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン)、ポ
    リ(tert−ブトキシスチレン)からなる群から選択
    されることを特徴とする請求項20に記載の方法。
  22. 【請求項22】 フォトレジストの化学的増幅のために
    実施することを特徴とする請求項19に記載の方法。
  23. 【請求項23】 式(III)、(VI)、(IX)、
    (XV)または(XVIII)のひとつを有する化合物
    を用いて実施することを特徴とする請求項19に記載の
    方法。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119306A (ja) * 1998-03-20 2000-04-25 Nippon Soda Co Ltd ヨ―ドニウム塩化合物を含有する光硬化性組成物
JP2002268223A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2002341539A (ja) * 2001-03-12 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2003215791A (ja) * 2002-01-18 2003-07-30 Central Glass Co Ltd 超強酸オニウム塩化合物および感放射線性樹脂組成物
JP2004085657A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2004526984A (ja) * 2000-12-04 2004-09-02 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド オニウム塩及びその潜在的酸としての使用
JP2006045425A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Dainippon Printing Co Ltd 帯電防止膜形成用の電離放射線硬化性組成物と帯電防止膜および帯電防止膜を備えた構造体
JP2006162735A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP2007052107A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2008256980A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、積層体、及びデバイス
JP2011089135A (ja) * 2003-11-04 2011-05-06 National Starch & Chemical Investment Holding Corp スルホニウム塩光反応開始剤とその使用
WO2011132702A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 日立化成工業株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
WO2011149035A1 (en) * 2010-05-25 2011-12-01 Fujifilm Corporation Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition
JP2013228447A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
JP2014119658A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JPWO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2014-07-07 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP2015172727A (ja) * 2014-02-21 2015-10-01 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
WO2018110429A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2018095854A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN111154076A (zh) * 2019-12-22 2020-05-15 浙江工业大学 一种含三苯胺-噻吩结构的聚离子液体及其制备方法与应用

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2187046A1 (fr) * 1996-10-03 1998-04-03 Alain Vallee Sulfonylimidures et sulfonylmethylures, leur utilisation comme photoinitiateur
JP4939679B2 (ja) 1997-07-25 2012-05-30 アセップ・インク 非局在化アニオン電荷を有するイオン化合物、及びそれらのイオン伝導性成分又は触媒としての使用
JP4204113B2 (ja) 1997-12-04 2009-01-07 株式会社Adeka 新規な芳香族スルホニウム化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法
US6031014A (en) * 1998-12-08 2000-02-29 Crivello; James V. Initiator compositions and methods for their synthesis and use
US6525168B2 (en) * 2000-03-09 2003-02-25 Pbt Brands, Inc. Chemically resistant polythiothers and formation thereof
WO2002028917A2 (en) * 2000-10-06 2002-04-11 Corcoran Robert C Resin and its use in converting morphine to codeine
EP1414568B1 (en) * 2001-03-12 2007-08-22 The Queen's University of Belfast Use of metal bistriflimide compounds
JP3969077B2 (ja) * 2001-04-04 2007-08-29 住友化学株式会社 高分子電解質及びその製造方法
US6545109B2 (en) 2001-06-29 2003-04-08 3M Innovative Properties Company Imide salts as emulsifiers for the polymerization of fluoroolefins
US6895156B2 (en) 2001-10-09 2005-05-17 3M Innovative Properties Company Small diameter, high strength optical fiber
US6818379B2 (en) * 2001-12-03 2004-11-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Sulfonium salt and use thereof
JP4193478B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-10 住友化学株式会社 スルホニウム塩及びその用途
WO2004002955A2 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive compositions
JP4328570B2 (ja) * 2002-06-28 2009-09-09 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7285363B2 (en) * 2002-11-08 2007-10-23 The University Of Connecticut Photoactivators, methods of use, and the articles derived therefrom
JP4772288B2 (ja) 2003-06-05 2011-09-14 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP4188265B2 (ja) 2003-10-23 2008-11-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US20050287441A1 (en) * 2004-06-23 2005-12-29 Stefano Passerini Lithium polymer electrolyte batteries and methods of making
JP4740631B2 (ja) * 2005-04-18 2011-08-03 日本カーリット株式会社 ジイモニウム塩化合物並びにこれを利用する近赤外線吸収色素および近赤外線遮断フィルター
WO2007022624A1 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Transfert Plus, S.E.C. Process for preparing sulfonylimides and derivatives thereof
JP2007148208A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
KR101174949B1 (ko) * 2006-05-17 2012-08-17 아메리칸 다이 소스, 인코포레이티드 석판 코팅을 위한 신규 물질, 이를 포함하는 석판 및 코팅,이의 제조방법 및 용도
JP5168860B2 (ja) 2006-09-14 2013-03-27 株式会社スリーボンド 光重合性組成物
JP5178273B2 (ja) * 2008-03-26 2013-04-10 本田技研工業株式会社 アクチュエータ
JP5206476B2 (ja) * 2009-02-19 2013-06-12 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン
KR101339772B1 (ko) * 2011-02-28 2014-02-05 한국과학기술원 광경화 투명 수지 조성물
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9341945B2 (en) 2013-08-22 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
KR20150086050A (ko) * 2014-01-17 2015-07-27 동우 화인켐 주식회사 신규의 설포닐이미드 염화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
JP6658204B2 (ja) * 2015-04-28 2020-03-04 信越化学工業株式会社 光酸発生剤、レジスト組成物及びパターン形成方法
KR102648061B1 (ko) 2015-12-01 2024-03-18 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물, 패턴 형성 방법 및 감방사선성 산 발생제
CN108946686A (zh) * 2018-07-31 2018-12-07 九江天赐高新材料有限公司 一种双氟磺酰亚胺锂的制备方法
CN117270320A (zh) * 2023-10-13 2023-12-22 上海艾深斯科技有限公司 一种MOFs光刻胶产品及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296755A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成方法
JPH08253705A (ja) * 1995-03-06 1996-10-01 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> フッ素化アルキルスルホニル対イオンを有する有機可溶性カチオン染料
JPH10226658A (ja) * 1996-10-03 1998-08-25 Alain Vallee フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用
JPH11501909A (ja) * 1995-03-06 1999-02-16 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー フルオロカーボンアニオンを有するエネルギー活性塩

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3632843A (en) * 1969-03-14 1972-01-04 Minnesota Mining & Mfg Bis(perfluoroalkylsulfonyl)methanes in cationic polymerization
US4049861A (en) * 1975-03-07 1977-09-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasion resistant coatings
US4031036A (en) * 1975-06-09 1977-06-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Use of bis(fluoroaliphaticsulfonyl) imides in cationic polymerization
US4115295A (en) * 1976-04-26 1978-09-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polymerizable compositions containing highly fluorinated aliphatic sulfonyl protonic acid catalyst
US4197174A (en) * 1979-03-14 1980-04-08 American Can Company Method for producing bis-[4-(diphenylsulfonio) phenyl] sulfide bis-MX6
EP0294333B1 (de) * 1987-06-05 1993-03-17 Ciba-Geigy Ag Kationisch polymerisierbare Gemische enthaltend ausgewählte Härter
US4780511A (en) * 1987-06-22 1988-10-25 General Electric Company Method for making polymeric photoactive aryl iodonium salts, products obtained therefrom, and use
US4920182A (en) * 1987-12-18 1990-04-24 Ciba-Geigy Corporation Epoxy resin compositions containing polyester flexibilizer and metallocene complex initiator
US5364738A (en) * 1991-10-07 1994-11-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
FR2688790B1 (fr) * 1992-03-23 1994-05-13 Rhone Poulenc Chimie Compositions a base de polyorganosiloxanes a groupements fonctionnels reticulables et leur utilisation pour la realisation de revetements anti-adhesifs.
US5534623A (en) * 1993-01-21 1996-07-09 Du Pont (Uk) Limited Process for preparing a polyunsaturated diazonium compounds
FR2724660B1 (fr) * 1994-09-16 1997-01-31 Rhone Poulenc Chimie Amorceurs de reticulation, par voie cationique, de polymeres a groupements organofonctionnels, compositions a base de polyorganosiloxanes reticulables et contenant ces amorceurs et application desdites compositions en antiadherence
US5527655A (en) * 1994-09-28 1996-06-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation-sensitive adducts comprising diazonium cations, quaternary cations, and sulfonated polyester anions
US5550171A (en) * 1995-05-31 1996-08-27 International Business Machines Corporation Polymeric sulfonium salt photoinitiators

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296755A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成方法
JPH08253705A (ja) * 1995-03-06 1996-10-01 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> フッ素化アルキルスルホニル対イオンを有する有機可溶性カチオン染料
JPH11501909A (ja) * 1995-03-06 1999-02-16 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー フルオロカーボンアニオンを有するエネルギー活性塩
JPH10226658A (ja) * 1996-10-03 1998-08-25 Alain Vallee フッ素化されたイオン性スルホニルイミド及びスルホニルメチリド、それらの製造方法並びに光開始剤としての使用

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119306A (ja) * 1998-03-20 2000-04-25 Nippon Soda Co Ltd ヨ―ドニウム塩化合物を含有する光硬化性組成物
JP2004526984A (ja) * 2000-12-04 2004-09-02 チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド オニウム塩及びその潜在的酸としての使用
JP2002268223A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2002341539A (ja) * 2001-03-12 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2003215791A (ja) * 2002-01-18 2003-07-30 Central Glass Co Ltd 超強酸オニウム塩化合物および感放射線性樹脂組成物
JP2004085657A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2011089135A (ja) * 2003-11-04 2011-05-06 National Starch & Chemical Investment Holding Corp スルホニウム塩光反応開始剤とその使用
JP2006045425A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Dainippon Printing Co Ltd 帯電防止膜形成用の電離放射線硬化性組成物と帯電防止膜および帯電防止膜を備えた構造体
JP2006162735A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US8241830B2 (en) 2005-08-16 2012-08-14 Fujifilm Corporation Positive resist composition and a pattern forming method using the same
JP4580841B2 (ja) * 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2007052107A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2008256980A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、積層体、及びデバイス
JP4564977B2 (ja) * 2007-04-05 2010-10-20 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、積層体、及びデバイス
JP5696723B2 (ja) * 2010-04-22 2015-04-08 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
WO2011132702A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 日立化成工業株式会社 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
US10566105B2 (en) 2010-04-22 2020-02-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing charge transport film
CN102859740A (zh) * 2010-04-22 2013-01-02 日立化成工业株式会社 有机电子材料、聚合引发剂及热聚合引发剂、油墨组合物、有机薄膜及其制造方法、有机电子元件、有机电致发光元件、照明装置、显示元件以及显示装置
KR101537654B1 (ko) * 2010-04-22 2015-07-17 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스 재료, 중합 개시제 및 열중합 개시제, 잉크 조성물, 유기 박막 및 그 제조 방법, 유기 일렉트로닉스 소자, 유기 일렉트로 루미네센스 소자, 조명 장치, 표시 소자, 및 표시 장치
JP2014112689A (ja) * 2010-04-22 2014-06-19 Hitachi Chemical Co Ltd 有機エレクトロニクス材料、重合開始剤及び熱重合開始剤、インク組成物、有機薄膜及びその製造方法、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、照明装置、表示素子、並びに表示装置
US9760003B2 (en) 2010-05-25 2017-09-12 Fujifilm Corporation Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition
JP2011248019A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
WO2011149035A1 (en) * 2010-05-25 2011-12-01 Fujifilm Corporation Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition
JPWO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2014-07-07 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP2013228447A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
JP2014119658A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2015172727A (ja) * 2014-02-21 2015-10-01 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
WO2018110429A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2018095854A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
WO2018110430A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11198748B2 (en) 2016-12-14 2021-12-14 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
US11261273B2 (en) 2016-12-14 2022-03-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
CN111154076A (zh) * 2019-12-22 2020-05-15 浙江工业大学 一种含三苯胺-噻吩结构的聚离子液体及其制备方法与应用

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EP0834492A3 (fr) 2003-10-08
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