JPH04199849A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04199849A JPH04199849A JP33567690A JP33567690A JPH04199849A JP H04199849 A JPH04199849 A JP H04199849A JP 33567690 A JP33567690 A JP 33567690A JP 33567690 A JP33567690 A JP 33567690A JP H04199849 A JPH04199849 A JP H04199849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- organic insulating
- film
- etching
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 33
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- -1 amine silicon compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- QMMMGQKKOKYDMN-UHFFFAOYSA-N lauroguadine Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CC=C(N=C(N)N)C=C1N=C(N)N QMMMGQKKOKYDMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に有機絶縁膜
を層間膜とする半導体装置の製造方法に関する。
を層間膜とする半導体装置の製造方法に関する。
従来、有機絶縁膜を層間膜とする半導体装置の製造方法
は、有機絶縁膜として例えばポリイミドを用いている。
は、有機絶縁膜として例えばポリイミドを用いている。
その方法はまず半導体基板上にポリイミドを塗布し、そ
の上にネガ形フォトレジストを塗布し、ネカ形フォトレ
ジストをパターニングした後、それをマスクとしてヒド
ラジンとエチレシアミンの混合液を用いてポリイミドを
エツチングしていた。
の上にネガ形フォトレジストを塗布し、ネカ形フォトレ
ジストをパターニングした後、それをマスクとしてヒド
ラジンとエチレシアミンの混合液を用いてポリイミドを
エツチングしていた。
上述した有機絶縁膜、特にポリイミドのエツチングでは
、ネガ形フォトレジストをマスクとしたヒドラジンとエ
チレンジアミンとの混合液でエッチングしているので、
パターン寸法の精度が悪くエツチングの再現性も悪いと
いう欠点がある。
、ネガ形フォトレジストをマスクとしたヒドラジンとエ
チレンジアミンとの混合液でエッチングしているので、
パターン寸法の精度が悪くエツチングの再現性も悪いと
いう欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に第
１の有機絶縁膜を塗布し、熱処理して前記第１の有機絶
縁膜を固化する工程と、前記第一の有機絶縁膜上に第２
の有機絶縁膜を塗布し、熱処理して前記第２の有機絶縁
膜を半固化する工程と、前記第二の有機絶縁膜上にポジ
形フォトレジストを塗布、露光、現像し第二の有機絶縁
膜を等方的にエツチングする工程と、前記フォトレジス
トをマスクに第一の有機絶縁膜を異方性ドライエツチン
グする工程を有している。
１の有機絶縁膜を塗布し、熱処理して前記第１の有機絶
縁膜を固化する工程と、前記第一の有機絶縁膜上に第２
の有機絶縁膜を塗布し、熱処理して前記第２の有機絶縁
膜を半固化する工程と、前記第二の有機絶縁膜上にポジ
形フォトレジストを塗布、露光、現像し第二の有機絶縁
膜を等方的にエツチングする工程と、前記フォトレジス
トをマスクに第一の有機絶縁膜を異方性ドライエツチン
グする工程を有している。
又、上記のポジ形フォトレジストを使わないで、第二の
有機絶縁膜に感光性ポリイミドを用いて熱処理した後、
露光現像し、第一の有機絶縁膜を異方性ドライエツチン
グしてもよい。
有機絶縁膜に感光性ポリイミドを用いて熱処理した後、
露光現像し、第一の有機絶縁膜を異方性ドライエツチン
グしてもよい。
第１図は本発明の第１実施例の断面図である。
本実施例に用いるポリイミドはアミンシリコン化合物と
して、 ＯＣＨ３ で゛表わされるＰ−アミノフェニルトリメトキシラシン
を用い、シリコン元素を含有しないジアミンとして、４
，４′−ジアミノジフェニルエーテルを用い、また芳香
族テトラカルボン酸二無水物として、３．３’−４，４
’−ベンンフェノンテトラカルボン酸＝無水物を用い、
各原料の混合比を３．３’−４，４’−ベンツフェノン
テトラカルポン酸＝無水化物と、４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテルとＰ−７ミノフエニルトリメトキシシ
ランを２：Ｉ：２（モル比）の割合とする。ジメチルア
セトアミド溶媒中ポリマー濃度２０重量％で温度１０℃
で５時間、４０℃で２時間反応を行い、２５℃での回転
粘度３００センチポイズのポリイミドの塗布液を得る。
して、 ＯＣＨ３ で゛表わされるＰ−アミノフェニルトリメトキシラシン
を用い、シリコン元素を含有しないジアミンとして、４
，４′−ジアミノジフェニルエーテルを用い、また芳香
族テトラカルボン酸二無水物として、３．３’−４，４
’−ベンンフェノンテトラカルボン酸＝無水物を用い、
各原料の混合比を３．３’−４，４’−ベンツフェノン
テトラカルポン酸＝無水化物と、４，４′−ジアミノジ
フェニルエーテルとＰ−７ミノフエニルトリメトキシシ
ランを２：Ｉ：２（モル比）の割合とする。ジメチルア
セトアミド溶媒中ポリマー濃度２０重量％で温度１０℃
で５時間、４０℃で２時間反応を行い、２５℃での回転
粘度３００センチポイズのポリイミドの塗布液を得る。
シリコン基板ｌの表面にシリコン酸化膜２を１μｍ形成
し、その上に厚さ約１μｍのアルミニウム配線３を形成
する（第１図（ａ乃。次にその上からポリイミドの塗布
液を毎分４０００回転で３０秒間塗布し、窒素カス雰囲
気中で１００℃で１時間、続いて２４０℃で３０分間の
プリベータを行い、次に４００℃で１時間のポストベー
クを行うことにより、アルミニウム配線上で０．５μｍ
厚の第１ポリイミド膜４を形成する。続いて、前記塗布
液をこの上に毎分４０００回転で３０秒間塗布し、８５
℃３０分間のプリベータを窒素雰囲気中で行ないアルミ
ニウム配線上で０．５μｍＪｉの第２ポリイミド膜５を
形成する（第１図（ｂ））。
し、その上に厚さ約１μｍのアルミニウム配線３を形成
する（第１図（ａ乃。次にその上からポリイミドの塗布
液を毎分４０００回転で３０秒間塗布し、窒素カス雰囲
気中で１００℃で１時間、続いて２４０℃で３０分間の
プリベータを行い、次に４００℃で１時間のポストベー
クを行うことにより、アルミニウム配線上で０．５μｍ
厚の第１ポリイミド膜４を形成する。続いて、前記塗布
液をこの上に毎分４０００回転で３０秒間塗布し、８５
℃３０分間のプリベータを窒素雰囲気中で行ないアルミ
ニウム配線上で０．５μｍＪｉの第２ポリイミド膜５を
形成する（第１図（ｂ））。
次にポジ形フォトレジスト６を回転塗布し約２．０μｍ
の厚さに形成し、通常のフォトリンクラフィ技術により
４３６ｎｍの波長の光で選択的に露光する。現像はテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの液を用いて
、まずポジ形フォトレジストを現像し、続けて第２ポリ
イミド膜５を同じ現像液でエツチングする。この時、そ
の下の第１ポリイミド膜４は４００℃で熱処理されてい
るため、現像液ではエツチングされない。従って、この
第１ポリイミド膜４は第２ポリイミド膜５のエツチング
のストッパーになる（第１図（Ｃ））。
の厚さに形成し、通常のフォトリンクラフィ技術により
４３６ｎｍの波長の光で選択的に露光する。現像はテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの液を用いて
、まずポジ形フォトレジストを現像し、続けて第２ポリ
イミド膜５を同じ現像液でエツチングする。この時、そ
の下の第１ポリイミド膜４は４００℃で熱処理されてい
るため、現像液ではエツチングされない。従って、この
第１ポリイミド膜４は第２ポリイミド膜５のエツチング
のストッパーになる（第１図（Ｃ））。
次にウェハー全体を１２０℃で焼きしめた後、ポジ形フ
ォトレジスト６をマスクにＣＦ４５ｓｃｃｍとＤ２ ２
５Ｓｃｃｍの混合ガスにより反応性イオンエツチングを
行い、第１ポリイミド膜４を異方性エツチングする。こ
の時ポジ形フォトレジスト６と第１ポリイミド膜４のエ
ツチングレートはほぼ同一であるから、ポジ形フォトレ
ジスト膜６の膜厚２０μｍとポリイミド膜厚０．５μｍ
の差がエツチング時のポジ形フォトレジスト膜６のマス
ク性のマージンとなる（第１図（ｄ））。最後にエツチ
ングで残ったポジ形フォトレジスト６は非フエノール系
の有機剥離液で除去する。この後、ウェハー全体を２４
０℃３０分、次に４００℃１時間の熱処理を行い、第２
ポリイミド膜５をイミド化させる。この後、アルミニウ
ム約１０μｍＤＣマグネトロンスパッタにより第２層目
のアルミニウム膜を形成する。必要ならその前にＲＦ送
りスパッタを行ってもよい（図示せず）。
ォトレジスト６をマスクにＣＦ４５ｓｃｃｍとＤ２ ２
５Ｓｃｃｍの混合ガスにより反応性イオンエツチングを
行い、第１ポリイミド膜４を異方性エツチングする。こ
の時ポジ形フォトレジスト６と第１ポリイミド膜４のエ
ツチングレートはほぼ同一であるから、ポジ形フォトレ
ジスト膜６の膜厚２０μｍとポリイミド膜厚０．５μｍ
の差がエツチング時のポジ形フォトレジスト膜６のマス
ク性のマージンとなる（第１図（ｄ））。最後にエツチ
ングで残ったポジ形フォトレジスト６は非フエノール系
の有機剥離液で除去する。この後、ウェハー全体を２４
０℃３０分、次に４００℃１時間の熱処理を行い、第２
ポリイミド膜５をイミド化させる。この後、アルミニウ
ム約１０μｍＤＣマグネトロンスパッタにより第２層目
のアルミニウム膜を形成する。必要ならその前にＲＦ送
りスパッタを行ってもよい（図示せず）。
第２図は本発明の第２実施例の断面図である。
第１ポリイミド膜４を形成するところまでは第１実施例
と同じである。
と同じである。
続いて感光性ボリイミＦとして東し製のフォトニースを
毎分４０００回転で３０秒間塗布し、窒素ガス雰囲気で
８５℃３０分間ベークし、アルミニウム配線上で、１５
μｍ厚の感光性ポリイミド膜７を形成する（第２図（ｂ
））。
毎分４０００回転で３０秒間塗布し、窒素ガス雰囲気で
８５℃３０分間ベークし、アルミニウム配線上で、１５
μｍ厚の感光性ポリイミド膜７を形成する（第２図（ｂ
））。
通常のフォトリソクラフィ技術により、４３６ｎｍの波
長の光で選択的に露光する。
長の光で選択的に露光する。
続いてＮメチルピロリドンとキシレンの混合液を用いて
、感光性ポリイミド膜７を現像する（第２図（Ｃ乃。次
に、前記感光性ポリイミド膜７をマスクにして、ＣＦ
４ ５ Ｓｃｃｍと０２２５３ｃｃｍの混合ガスを用い
て第１有機絶縁膜４を反応性イオンエツチングにより異
方性エッチする。このとき第１ポリイミド膜４と感光性
ポリイミド膜のエツチング選択比は１であるから感光性
ポリイミド膜７は、第１ポリイミド膜４の厚さ分たけエ
ツチングされる。
、感光性ポリイミド膜７を現像する（第２図（Ｃ乃。次
に、前記感光性ポリイミド膜７をマスクにして、ＣＦ
４ ５ Ｓｃｃｍと０２２５３ｃｃｍの混合ガスを用い
て第１有機絶縁膜４を反応性イオンエツチングにより異
方性エッチする。このとき第１ポリイミド膜４と感光性
ポリイミド膜のエツチング選択比は１であるから感光性
ポリイミド膜７は、第１ポリイミド膜４の厚さ分たけエ
ツチングされる。
この後ウェハーを１２０℃１時間、次に２４０℃１時間
、次に４００’Ｃ３０分間とそれぞれ熱処理することに
より、感光性ポリイミド膜７の中の感光基を蒸発させイ
ミド化を行う。
、次に４００’Ｃ３０分間とそれぞれ熱処理することに
より、感光性ポリイミド膜７の中の感光基を蒸発させイ
ミド化を行う。
〔発明の効果二ｊ
以上説明したように本発明は有機絶縁膜を第１層に高温
（〜４００℃）で熱処理した有機絶縁膜（ポリイミド膜
）層と、第２層に低温（〜１００℃）で熱処理した有機
絶縁膜（ポリイミド膜）層の２層構造とし、その上にポ
ジ形フォトレジストを用いて微細パターン形成し、この
フォトレジストをマスクとして、低温形成膜の等方性エ
ツチングを行ない次に高温形成膜の異方性エツチングを
行なうことにより、テーパーを有する微細ピアホールを
形成することができる。又、第２層に感光性ポリイミド
を用いることによりこの層をバタ一二ソグした後、この
ポリイミドをマスクとする高温形成膜の異方性エツチン
グを行ない、その後の熱処理により、感光性ポリイミド
部にテーパーを有する微細ピアホール形成を行うことが
できる効果がある。
（〜４００℃）で熱処理した有機絶縁膜（ポリイミド膜
）層と、第２層に低温（〜１００℃）で熱処理した有機
絶縁膜（ポリイミド膜）層の２層構造とし、その上にポ
ジ形フォトレジストを用いて微細パターン形成し、この
フォトレジストをマスクとして、低温形成膜の等方性エ
ツチングを行ない次に高温形成膜の異方性エツチングを
行なうことにより、テーパーを有する微細ピアホールを
形成することができる。又、第２層に感光性ポリイミド
を用いることによりこの層をバタ一二ソグした後、この
ポリイミドをマスクとする高温形成膜の異方性エツチン
グを行ない、その後の熱処理により、感光性ポリイミド
部にテーパーを有する微細ピアホール形成を行うことが
できる効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の第１実施例を
示す断面図、第２図は本発明の半導体装置の製造方法の
第２実施例を示す断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・アルミニウム配線、４・・・・・
第１ポリイミド膜、訃・・・・・第２ポリイミド膜、６
・・・・・ポジ形フォトレジスト、７・・・・・・感光
性ポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図
示す断面図、第２図は本発明の半導体装置の製造方法の
第２実施例を示す断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・アルミニウム配線、４・・・・・
第１ポリイミド膜、訃・・・・・第２ポリイミド膜、６
・・・・・ポジ形フォトレジスト、７・・・・・・感光
性ポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板表面に第１の有機絶縁膜を塗布し、熱処
理して前記第１の有機絶縁膜を固化する工程と、第２の
有機絶縁膜を塗布し、熱処理して前記第２の有機絶縁膜
を半固化する工程と、前記第２の有機絶縁膜を選択的に
除去する工程と、前記第１の有機絶縁膜を選択的に異方
性ドライエッチングする工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 ２、半導体基板表面に有機絶縁膜を塗布し、熱処理する
工程と、感光性有機絶縁膜を塗布し、熱処理する工程と
、前記感光性有機絶縁膜をフォトリソグラフィーで選択
的に除去する工程と、前記有機絶縁膜を選択的に異方性
ドライエッチングする工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33567690A JPH04199849A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33567690A JPH04199849A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199849A true JPH04199849A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18291265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33567690A Pending JPH04199849A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365767B1 (ko) * | 1995-11-23 | 2003-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의콘택홀형성방법 |
| KR100656003B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2006-12-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 절연막 형성방법 및 절연막 형성장치 |
| JP2009267215A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313372A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Fujitsu Ltd | Formation of electrode window |
| JPS63299253A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33567690A patent/JPH04199849A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313372A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Fujitsu Ltd | Formation of electrode window |
| JPS63299253A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365767B1 (ko) * | 1995-11-23 | 2003-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의콘택홀형성방법 |
| KR100656003B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2006-12-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 절연막 형성방법 및 절연막 형성장치 |
| JP2009267215A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4152195A (en) | Method of improving the adherence of metallic conductive lines on polyimide layers | |
| US4430153A (en) | Method of forming an RIE etch barrier by in situ conversion of a silicon containing alkyl polyamide/polyimide | |
| US8513142B2 (en) | Method of manufacturing non-photosensitive polyimide passivation layer | |
| JPS58223149A (ja) | 感光性ポリイミド用現像液 | |
| JPH02151030A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4736864B2 (ja) | ポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
| JPH04199849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3871923B2 (ja) | パターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JP3209918B2 (ja) | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JPH03157427A (ja) | ポリイミド樹脂前駆体 | |
| JPH0572736A (ja) | 含フツ素系ポリイミド樹脂膜パターンの製造法 | |
| JPH01150342A (ja) | 多層配線構造体及びその製造方法 | |
| JPH06275577A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JP2001174996A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パタ−ンの製造法および電子部品 | |
| JPH06275511A (ja) | ポリイミドパターンの形成方法 | |
| JP2625910B2 (ja) | ポリイミド積層膜の製造方法 | |
| JPH0837142A (ja) | 半導体基板へのポリイミド前駆体組成物の塗布法 | |
| JP2002122993A (ja) | 感光性樹脂組成物およびポジ型パターン形成方法 | |
| JPH07183296A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04257239A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10120786A (ja) | 液晶配向膜材料及び液晶配向膜の形成方法 | |
| JPH04257238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218008A (ja) | ポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 | |
| JPS6125210B2 (ja) | ||
| JPH06318539A (ja) | ポリイミドのパターン形成方法 |