JPH0745550A - 微細電極作製法と電子装置 - Google Patents
微細電極作製法と電子装置Info
- Publication number
- JPH0745550A JPH0745550A JP10870093A JP10870093A JPH0745550A JP H0745550 A JPH0745550 A JP H0745550A JP 10870093 A JP10870093 A JP 10870093A JP 10870093 A JP10870093 A JP 10870093A JP H0745550 A JPH0745550 A JP H0745550A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- etching
- resist
- etched
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
レジスト膜を用いてエッチングに強い保護膜を作成し、
この保護膜を用いて微細構造の電極を作製することを目
的としている。 【構成】 基板表面に金属膜を付着させ、レジスト膜を
用いてパターンを作成した後、露出した金属膜の表面に
新たな保護膜を作成した後、エッチングにより目的の微
細構造の電極を得る。
この保護膜を用いて微細構造の電極を作製することを目
的としている。 【構成】 基板表面に金属膜を付着させ、レジスト膜を
用いてパターンを作成した後、露出した金属膜の表面に
新たな保護膜を作成した後、エッチングにより目的の微
細構造の電極を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細構造の電極を作製す
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来は、微細構造の電極を作製する一つの
方法として、基板表面に金属膜を付着させた後、その上
にレジストを塗布し、フォトマスクを用いてレジストを
露光現像することにより目的のパターンを作製した後、
レジストを保護膜として、金属膜をエッチングすること
により目的の金属電極を得ている。しかし、この方法で
は、レジスト膜がエッチング液或いはエッチングガスに
耐えられない場合、或いは金属膜とレジストの密着度が
悪い場合、エッチング液或いはエッチングガスが保護膜
であるレジスト膜の下に廻り込み、目的の電極構造が得
られない場合が生ずる。
方法として、基板表面に金属膜を付着させた後、その上
にレジストを塗布し、フォトマスクを用いてレジストを
露光現像することにより目的のパターンを作製した後、
レジストを保護膜として、金属膜をエッチングすること
により目的の金属電極を得ている。しかし、この方法で
は、レジスト膜がエッチング液或いはエッチングガスに
耐えられない場合、或いは金属膜とレジストの密着度が
悪い場合、エッチング液或いはエッチングガスが保護膜
であるレジスト膜の下に廻り込み、目的の電極構造が得
られない場合が生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したごと
き従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、金属
膜との密着度の良い、エッチング液或いはエッチングガ
スに強い保護膜を得ることにより、超微細構造の電極膜
を得る方法に関するものである。
き従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、金属
膜との密着度の良い、エッチング液或いはエッチングガ
スに強い保護膜を得ることにより、超微細構造の電極膜
を得る方法に関するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、従来のレジスト膜を保護膜として、金属膜をエッ
チングすることにより微細構造の電極を得る方法に対し
て、レジスト膜を１次の保護膜として用い、金属膜２を
エッチングする場合の保護膜は、最初の金属膜はエッチ
ングされるが、このエッチング液或いはエッチングガス
ではエッチングされない或いはエッチングされにくい金
属膜或いは化学変化した膜或いは最初の金属膜の陽極酸
化膜などの膜とすることにより、エッチングにより微細
構造の電極を得る方法であり、レジストの選択の自由度
を広げると共に、レジストと基板との密着性の問題を解
決した方法である。
めに、従来のレジスト膜を保護膜として、金属膜をエッ
チングすることにより微細構造の電極を得る方法に対し
て、レジスト膜を１次の保護膜として用い、金属膜２を
エッチングする場合の保護膜は、最初の金属膜はエッチ
ングされるが、このエッチング液或いはエッチングガス
ではエッチングされない或いはエッチングされにくい金
属膜或いは化学変化した膜或いは最初の金属膜の陽極酸
化膜などの膜とすることにより、エッチングにより微細
構造の電極を得る方法であり、レジストの選択の自由度
を広げると共に、レジストと基板との密着性の問題を解
決した方法である。
【０００５】
【実施例】実施例の１は、第１図のように、絶縁性基板
或は圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶
縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜２を付着
させる第１の工程と、その上にレジストなどを塗布して
光露光法などにより目的とするレジスト３からなる種々
のパターンを作製する第２の工程と、その上から金属膜
４を付着させる第３の工程と、レジスト膜を除去して第
１の工程の金属膜２と第３の工程の金属膜４を露出させ
る第４の工程と、第１の工程の金属膜２はエッチングさ
れるが第３の工程の金属膜はエッチングされない或いは
エッチングされにくいエッチング液或いはエッチングガ
スを用いて第１の金属膜２を除去する第５の工程により
目的の電極を得る方法が実施例の１である。実施例の２
は、第２図のように、特許請求の範囲第１項において、
第３の工程として、金属膜を付着させる代わりに、露出
している第１の金属膜のある厚さまでを酸化などにより
化学変化させて新たな膜５を得る第６の工程と、第１の
工程の金属膜２はエッチングされるが第６の工程の膜は
エッチングされない或いはエッチングされにくいエッチ
ング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属膜２を
除去する第７の工程により目的の電極を得る方法が実施
例の２である。実施例の３は、特許請求の範囲第１項に
おいて、第３の工程として、金属膜を付着させる代わり
に、露出している第１の金属膜のある厚さまでを陽極酸
化により金属酸化膜６に化学変化させる第８の工程と、
第１の工程の金属膜２はエッチングされるが第８の工程
の膜はエッチングされない或いはエッチングされにくい
エッチング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属
膜２を除去する第９の工程により目的の電極を得る方法
が第３の実施例である。本発明の実験として、金属膜１
として０．３μｍのアルミニューム膜を用い、レジスト
を塗布したパターンを作成した後、陽極酸化によりＡｌ
２Ｏ３膜４を得た後Ａｌ２Ｏ３膜を保護膜としてアルミ
ニューム膜をエッチングした後のパターンを図４に示
す。この場合のアルミニューム電極幅は２μｍでり、電
極周期は４μｍである。本発明のレジスト除去後のエッ
チングに用いた保護膜は、そのまま残す場合と除去する
場合のいずれも本特許に含まれる。また、第３の工程の
金属膜４は、必ずしも金属膜である必要はなく、レジス
ト或いは有機薄膜その外の薄膜でもよく、これらも本特
許に含まれる。また、本発明で第１の工程の金属膜２を
エッチングする方法は、ウエットエッチング或いはドラ
イエッチング或いはその外の方法でもよく、本特許に含
まれる。
或は圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或いは半絶
縁性の基板或いは半導体基板１の上に、金属膜２を付着
させる第１の工程と、その上にレジストなどを塗布して
光露光法などにより目的とするレジスト３からなる種々
のパターンを作製する第２の工程と、その上から金属膜
４を付着させる第３の工程と、レジスト膜を除去して第
１の工程の金属膜２と第３の工程の金属膜４を露出させ
る第４の工程と、第１の工程の金属膜２はエッチングさ
れるが第３の工程の金属膜はエッチングされない或いは
エッチングされにくいエッチング液或いはエッチングガ
スを用いて第１の金属膜２を除去する第５の工程により
目的の電極を得る方法が実施例の１である。実施例の２
は、第２図のように、特許請求の範囲第１項において、
第３の工程として、金属膜を付着させる代わりに、露出
している第１の金属膜のある厚さまでを酸化などにより
化学変化させて新たな膜５を得る第６の工程と、第１の
工程の金属膜２はエッチングされるが第６の工程の膜は
エッチングされない或いはエッチングされにくいエッチ
ング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属膜２を
除去する第７の工程により目的の電極を得る方法が実施
例の２である。実施例の３は、特許請求の範囲第１項に
おいて、第３の工程として、金属膜を付着させる代わり
に、露出している第１の金属膜のある厚さまでを陽極酸
化により金属酸化膜６に化学変化させる第８の工程と、
第１の工程の金属膜２はエッチングされるが第８の工程
の膜はエッチングされない或いはエッチングされにくい
エッチング液或いはエッチングガスを用いて第１の金属
膜２を除去する第９の工程により目的の電極を得る方法
が第３の実施例である。本発明の実験として、金属膜１
として０．３μｍのアルミニューム膜を用い、レジスト
を塗布したパターンを作成した後、陽極酸化によりＡｌ
２Ｏ３膜４を得た後Ａｌ２Ｏ３膜を保護膜としてアルミ
ニューム膜をエッチングした後のパターンを図４に示
す。この場合のアルミニューム電極幅は２μｍでり、電
極周期は４μｍである。本発明のレジスト除去後のエッ
チングに用いた保護膜は、そのまま残す場合と除去する
場合のいずれも本特許に含まれる。また、第３の工程の
金属膜４は、必ずしも金属膜である必要はなく、レジス
ト或いは有機薄膜その外の薄膜でもよく、これらも本特
許に含まれる。また、本発明で第１の工程の金属膜２を
エッチングする方法は、ウエットエッチング或いはドラ
イエッチング或いはその外の方法でもよく、本特許に含
まれる。
【０００７】
【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、レジ
スト膜は耐エッチング性の大きいレジスト膜である必要
が無くなると共に、非常に薄いレジスト膜で微細構造の
電極が得られる。また、保護膜と金属膜との密着性が良
いので、更に狭い幅の電極が得られる。
スト膜は耐エッチング性の大きいレジスト膜である必要
が無くなると共に、非常に薄いレジスト膜で微細構造の
電極が得られる。また、保護膜と金属膜との密着性が良
いので、更に狭い幅の電極が得られる。
【０００８】
【図１】本発明の微細構造の電極を作成する工程の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明の微細構造の電極を作成する工程の内、
図１の第３の工程の代わりに、化学変化膜を保護膜とし
て用いる工程を示す断面図である。
図１の第３の工程の代わりに、化学変化膜を保護膜とし
て用いる工程を示す断面図である。
【図３】本発明の微細構造の電極を作成する工程の内、
図１の第３の工程の代わりに、陽極酸化膜を保護膜とし
て用いる工程を示す断面図である。
図１の第３の工程の代わりに、陽極酸化膜を保護膜とし
て用いる工程を示す断面図である。
【図４】本発明の方法を用いて作成したアルミニューム
電極の顕微鏡写真である。
電極の顕微鏡写真である。
１…基板、２…金属膜、３…レジスト、４…金属膜、５
…化学変化膜、６…陽極酸化膜、
…化学変化膜、６…陽極酸化膜、
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】本発明の方法を用いて作成したアルミニューム
電極の図である。
電極の図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性基板或いは圧電性基板或いは圧電性
薄膜をもつ基板或いは半絶縁性の基板或いは半導体基板
１の上に、金属膜を付着させる第１の工程と、その上に
レジストなどを塗布して光露光法などにより目的とする
種々のパターンを作製する第２の工程と、その上から金
属膜を付着させる第３の工程と、レジスト膜を除去して
第１の工程の金属膜と第３の工程の金属膜を露出させる
第４の工程と、第１の工程の金属膜はエッチングされる
が第３の工程の金属膜はエッチングされない或いはエッ
チングされにくいエッチング液或いはエッチングガスを
用いて第１の金属膜を除去する第５の工程により目的の
電極を得る作製法或いはこの作製法を用いて得られる電
子装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、第３の工
程として、金属膜を付着させる代わりに、露出している
第１の金属膜のある厚さまでを酸化などにより化学変化
させる第６の工程と、第１の工程の金属膜はエッチング
されるが第６の工程の膜はエッチングされない或いはエ
ッチングされにくいエッチング液或いはエッチングガス
を用いて第１の金属膜を除去する第７の工程により目的
の電極を得る作製法或いはこの作製法を用いて得られる
電子装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、第３の工
程として、金属膜を付着させる代わりに、露出している
第１の金属膜のある厚さまでを陽極酸化により金属酸化
膜に化学変化させる第８の工程と第１の工程の金属膜は
エッチングされるが第８の工程の膜はエッチングされな
い或いはエッチングされにくいエッチング液或いはエッ
チングガスを用いて第１の金属膜を除去する第９の工程
により目的の電極を得る作製法或いはこの作製法を用い
て得られる電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870093A JPH0745550A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 微細電極作製法と電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10870093A JPH0745550A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 微細電極作製法と電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745550A true JPH0745550A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=14491418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10870093A Pending JPH0745550A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 微細電極作製法と電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005078067A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Prime View Internatl Co Ltd | 干渉式変調ピクセル及びその製造法 |
| US7776631B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and method of forming a MEMS device |
| US7846344B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP10870093A patent/JPH0745550A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776631B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and method of forming a MEMS device |
| US7846344B2 (en) | 1994-05-05 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| JP2005078067A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Prime View Internatl Co Ltd | 干渉式変調ピクセル及びその製造法 |
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