JP2533088B2 - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JP2533088B2 JP2533088B2 JP61126338A JP12633886A JP2533088B2 JP 2533088 B2 JP2533088 B2 JP 2533088B2 JP 61126338 A JP61126338 A JP 61126338A JP 12633886 A JP12633886 A JP 12633886A JP 2533088 B2 JP2533088 B2 JP 2533088B2
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- Japan
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- heating resistor
- protective layer
- substrate
- thermal head
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、サーマルヘッドの製造方法に関する。
（従来の技術） 通常、サーマルヘッドは感熱記録に用いられている
が、この種のサーマルヘッドを製造するには、薄膜技術
や厚膜技術を使用する場合が一般的であり、特に薄膜技
術を使用したものが性能上優れているため、広く実用化
されている。
が、この種のサーマルヘッドを製造するには、薄膜技術
や厚膜技術を使用する場合が一般的であり、特に薄膜技
術を使用したものが性能上優れているため、広く実用化
されている。
この薄膜技術による従来のサーマルヘッドは、第１図
に示すように構成され、良熱伝導体であり、例えばアル
ミナ焼結体からなる高抵抗基板11上には、保温のための
ガラス等からなるグレーズ層12、発熱抵抗体層13、この
発熱抵抗体層13を一部露出するために開口部14aが設け
られた配線導体用の電極層14、及びこの一部露出した発
熱抵抗体層13の酸化防止かつ摩耗防止のための保護層15
（この保護層15は酸化防止層及び摩耗防止層とを別々に
形成しても良い）とが順次積層されている。
に示すように構成され、良熱伝導体であり、例えばアル
ミナ焼結体からなる高抵抗基板11上には、保温のための
ガラス等からなるグレーズ層12、発熱抵抗体層13、この
発熱抵抗体層13を一部露出するために開口部14aが設け
られた配線導体用の電極層14、及びこの一部露出した発
熱抵抗体層13の酸化防止かつ摩耗防止のための保護層15
（この保護層15は酸化防止層及び摩耗防止層とを別々に
形成しても良い）とが順次積層されている。
このようなサーマルヘッドを製造するには、従来、グ
レーズセラミック基板上に、発熱抵抗体層13、電極層14
を一様に順次積層した後、電極層14、発熱抵抗体層13を
同時にフォトエッチングによりエッチングして配線パタ
ーンを形成し、次に一旦フォトレジストを剥離し、再度
フォトレジスト塗布後、電極層14の一部を配線パターン
を横断するようにフォトエッチングにより除去し、開口
部14aを設け、その後、もう一度フォトレジストを剥離
し、発熱抵抗体層13と電極層14の一部を被覆するように
メタルマスクなどを用いて、マスクスパッタ等により保
護層15を形成している。
レーズセラミック基板上に、発熱抵抗体層13、電極層14
を一様に順次積層した後、電極層14、発熱抵抗体層13を
同時にフォトエッチングによりエッチングして配線パタ
ーンを形成し、次に一旦フォトレジストを剥離し、再度
フォトレジスト塗布後、電極層14の一部を配線パターン
を横断するようにフォトエッチングにより除去し、開口
部14aを設け、その後、もう一度フォトレジストを剥離
し、発熱抵抗体層13と電極層14の一部を被覆するように
メタルマスクなどを用いて、マスクスパッタ等により保
護層15を形成している。
（発明が解決しようとする問題点） 上記のような従来の製造方法では、保護層15の形成時
にメタルマスクなどを用いなければならないため、メタ
ルマスクと電極層14の接触により、電極層14に傷がつき
歩留りが低下する。又、メタルマスクにも保護層材料が
付着するため、ゴミの発生要因となり、歩留りが低下す
るなどの欠点がある。
にメタルマスクなどを用いなければならないため、メタ
ルマスクと電極層14の接触により、電極層14に傷がつき
歩留りが低下する。又、メタルマスクにも保護層材料が
付着するため、ゴミの発生要因となり、歩留りが低下す
るなどの欠点がある。
この発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、歩留
りの向上を図ったサーマルヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
りの向上を図ったサーマルヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は、保護層をメタルマスクなどを用いたマス
クスパッタリングなどにより形成するのではなく、基板
全面に保護層を形成した後、フォトエッチングによりエ
ッチングを行ない、所定箇所のみに保護層を形成するサ
ーマルヘッドの製造方法であり、具体的手段としては、
基板上に複数の発熱抵抗体層を形成し、この発熱抵抗体
層上に該発熱抵抗体層を一部露出するために開口部が設
けられた電極層を形成し、更に上記の一部露出した発熱
抵抗体層と複数の発熱抵抗体層間に露出した基板層及び
上記電極層の一部を覆うように保護層を形成するサーマ
ルヘッドの製造方法において、 下記〜の工程を順次具備することを特徴とするサ
ーマルヘッドの製造方法。
クスパッタリングなどにより形成するのではなく、基板
全面に保護層を形成した後、フォトエッチングによりエ
ッチングを行ない、所定箇所のみに保護層を形成するサ
ーマルヘッドの製造方法であり、具体的手段としては、
基板上に複数の発熱抵抗体層を形成し、この発熱抵抗体
層上に該発熱抵抗体層を一部露出するために開口部が設
けられた電極層を形成し、更に上記の一部露出した発熱
抵抗体層と複数の発熱抵抗体層間に露出した基板層及び
上記電極層の一部を覆うように保護層を形成するサーマ
ルヘッドの製造方法において、 下記〜の工程を順次具備することを特徴とするサ
ーマルヘッドの製造方法。
基板上への発熱抵抗体層の薄膜形成工程 発熱抵抗体層上への電極層の薄膜形成工程 フォトエッチングによる複数の発熱抵抗体層、電極形
成工程 電極の選択的エッチングによる発熱抵抗体層の一部露
出工程 発熱抵抗体露出部及び電極を含む基板上に保護層を薄
膜形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部にフォト
レジストを形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部に形成さ
れた部分以外の保護層、電極層及び発熱抵抗体層をフォ
トエッチングする工程 保護層に残ったレジストを除去する工程 からなるものである。
成工程 電極の選択的エッチングによる発熱抵抗体層の一部露
出工程 発熱抵抗体露出部及び電極を含む基板上に保護層を薄
膜形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部にフォト
レジストを形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部に形成さ
れた部分以外の保護層、電極層及び発熱抵抗体層をフォ
トエッチングする工程 保護層に残ったレジストを除去する工程 からなるものである。
（作用） この発明によれば、保護層の形成時に、メタルマスク
などを用いる必要がなくなり、サーマルヘッドを歩留り
良く製造することが出来る。
などを用いる必要がなくなり、サーマルヘッドを歩留り
良く製造することが出来る。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
即ち、この発明によるサーマルヘッドの製造方法は第
１図（ａ）〜（ｅ）に示すように構成され、先ず同図
（ａ）に示すように、アルミナ等からなる高抵抗基板11
上に、ガラス等からなるグレーズ層12を厚さ略50乃至略
80μｍ形成する。
１図（ａ）〜（ｅ）に示すように構成され、先ず同図
（ａ）に示すように、アルミナ等からなる高抵抗基板11
上に、ガラス等からなるグレーズ層12を厚さ略50乃至略
80μｍ形成する。
その後、このグレース層12上に、Ta−SiO2からなる発
熱抵抗体層13を厚さ略1000Å形成し、更に、この発熱抵
抗体層13上に、この発熱抵抗体層13の一部を露出させる
ように、従来方法と同様にしてフォトエッチングを行
い、Alからなる電極層14を厚さ1.0μｍ形成する。
熱抵抗体層13を厚さ略1000Å形成し、更に、この発熱抵
抗体層13上に、この発熱抵抗体層13の一部を露出させる
ように、従来方法と同様にしてフォトエッチングを行
い、Alからなる電極層14を厚さ1.0μｍ形成する。
次に、同図（ｂ）に示すように、高抵抗基板11の全面
にわたって、スパッタなどによりSiO2層16を厚さ2.0μ
ｍ、Ta2O5層17を厚さ3.0μｍ、順次積層形成する。
にわたって、スパッタなどによりSiO2層16を厚さ2.0μ
ｍ、Ta2O5層17を厚さ3.0μｍ、順次積層形成する。
次に、同図（ｃ）に示すように、Ta2O5層17上の所定
位置にレジスト18を塗布する。
位置にレジスト18を塗布する。
次に、同図（ｄ）に示すように、フォトエッチングに
より、Ta2O5層17、SiO2層16を順次エッチングする。
より、Ta2O5層17、SiO2層16を順次エッチングする。
この時、Ta2O5層17のエッチングは、例えばCF4に30％
のO2を加えた混合ガスを用い、出力700W、ガス圧0.40To
rrの条件によりプラズマエッチングを行なう。又、SiO2
層16のエッチングは、例えばCF4100％、出力800W、ガス
圧0.05Torrの条件によりプラズマエッチングを行なう。
のO2を加えた混合ガスを用い、出力700W、ガス圧0.40To
rrの条件によりプラズマエッチングを行なう。又、SiO2
層16のエッチングは、例えばCF4100％、出力800W、ガス
圧0.05Torrの条件によりプラズマエッチングを行なう。
次に、同図（ｅ）に示すように、レジスト18を除去す
れば、２層の保護層15が形成される。
れば、２層の保護層15が形成される。
尚、上記実施例では、保護層15としてSiO2/Ta2O5の構
成を用いたが、例えばSi3N4、SiCなど他の材料であって
も、この発明が有効であることは言うまでもない。
成を用いたが、例えばSi3N4、SiCなど他の材料であって
も、この発明が有効であることは言うまでもない。
［発明の効果］ この発明によれば、保護層15の形成時に、メタルマス
クなどの用いる必要がなくなり、サーマルヘッドを歩留
り良く製造することが出来る。
クなどの用いる必要がなくなり、サーマルヘッドを歩留
り良く製造することが出来る。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例に係るサー
マルヘッドの製造方法を示す断面図、第２図は一般的な
サーマルヘッドを示す断面図である。 11……高抵抗基板、12……グレース層、13……発熱抵抗
体層、14……電極層、15……保護層、16……SiO2層、17
……Ta2O5層。
マルヘッドの製造方法を示す断面図、第２図は一般的な
サーマルヘッドを示す断面図である。 11……高抵抗基板、12……グレース層、13……発熱抵抗
体層、14……電極層、15……保護層、16……SiO2層、17
……Ta2O5層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に複数の発熱抵抗体層を形成し、こ
の発熱抵抗体層上に該発熱抵抗体層を一部露出するため
に開口部が設けられた電極層を形成し、更に上記の一部
露出した発熱抵抗体層と複数の発熱抵抗体層間に露出し
た基板層及び上記電極層の一部を覆うように保護層を形
成するサーマルヘッドの製造方法において、 下記〜の工程を順次具備することを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法。 基板上への発熱抵抗体層の薄膜形成工程 発熱抵抗体層上への電極層の薄膜形成工程 フォトエッチングによる複数の発熱抵抗体層、電極形
成工程 電極の選択的エッチングによる発熱抵抗体層の一部露
出工程 発熱抵抗体露出部及び電極を含む基板上に保護層を薄
膜形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部にフォト
レジストを形成する工程 保護層のうち発熱抵抗体露出部とその周辺部に形成さ
れた部分以外の保護層、電極層及び発熱抵抗体層をフォ
トエッチングする工程 保護層に残ったレジストを除去する工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126338A JP2533088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126338A JP2533088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282949A JPS62282949A (ja) | 1987-12-08 |
| JP2533088B2 true JP2533088B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=14932701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126338A Expired - Lifetime JP2533088B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533088B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941872B2 (ja) * | 1977-01-27 | 1984-10-11 | 松下電器産業株式会社 | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS5784876A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of thermal head |
| JPS59209892A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-28 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
| JPS59225973A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-19 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP61126338A patent/JP2533088B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62282949A (ja) | 1987-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |