JPH03106663A - サーマルヘッドの保護膜構造 - Google Patents
サーマルヘッドの保護膜構造Info
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- JPH03106663A JPH03106663A JP24193389A JP24193389A JPH03106663A JP H03106663 A JPH03106663 A JP H03106663A JP 24193389 A JP24193389 A JP 24193389A JP 24193389 A JP24193389 A JP 24193389A JP H03106663 A JPH03106663 A JP H03106663A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔作業上の利用分野〕
本発明はファクシミリなどに使用されるサーマルヘッド
に係わり，詳しくは発熱抵抗体，配線導体を被覆する保
護膜の構造に関するものである．〔従来の技術〕 従来技術におけるヘッドの構造の一例を第２図，第３図
および第４図に示す．第２図は発熱抵抗体近傍を示す平
面外観図，第３図，第４図は第２図におけるＡ−Ａ，Ｂ
−Ｂ断面で第４図には眉間絶縁膜を兼ねる保護膜上に形
成される第２層配線や外部接続端子の構成例を併せて示
している。基本的な構造は、グレージングされた平滑面
を有するアルミナ基板などの高抵抗基材ｌ上に発熱抵抗
体層２、電極配線導体層３を形威し所望のパターン化を
行ない発熱抵抗体、配線パターンを形成する．この後に
、配線層３と発熱抵抗体部を覆うように保護膜４として
酸化防止層４１を、また発熱抵抗体部には記録時の紙の
摺動に対する耐摩耗層４２が形成された構造が一般的で
ある．これらはいずれも蒸着、スパッタリング等の手法
によって形成されるが保護膜４の酸化防止層４１として
は酸化硅素（ＳｉＯｚ）が一般的に適用される．しがし
ながら，これら手法による配線パターンの被覆性は必ず
しも優れた状態を得ることが難かしく、第３図，第４図
に示す如く、配線段差の付き廻りが悪く特に底面と、壁
面境界部に欠陥が発生し易い．これは発熱抵抗体の性能
を劣化させる要因となるだけでなく、さらに第２層配線
あるいは外部接続端子５のパターン化に際してエッチン
グ処理液の浸入による下層導体の腐食あるいは、配線導
体３の信頼性においても配線腐食などの点で問題である
．これらを改善する目的でｒｃＭｏＳドライバ搭載形高
精細感熱記録ヘッド』日立評論Ｖｏｌ ６７，＆７では
第４図に示すように配線導体３の領域にさらにポリイミ
ド樹脂等に代表される有機系材料からなる保護膜４３を
抱布形成し上記問題の対策を図っている。しかし、製造
工程の増加を招きコスト面においても歩留りの点でも不
利である．〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点をなくし被覆
性が良好で信頼性に優れる保護膜構造を有するサーマル
ヘッドを提供することにある．〔課題を解決するための
手段〕 本発明は上記目的にもとづき従来技術におけるヘッドの
保護膜構造が複雑でコスト面でも不利であったのを、被
覆性に優れた極薄な保護膜４４を従来技術における保護
ＩＦＪ４（酸化防止層４１）の下層に形成し気密性を持
たせた・後、従来の保護膜４（酸化防止層４１、耐摩耗
層４２）を積層した構造とすることにより達威される。
に係わり，詳しくは発熱抵抗体，配線導体を被覆する保
護膜の構造に関するものである．〔従来の技術〕 従来技術におけるヘッドの構造の一例を第２図，第３図
および第４図に示す．第２図は発熱抵抗体近傍を示す平
面外観図，第３図，第４図は第２図におけるＡ−Ａ，Ｂ
−Ｂ断面で第４図には眉間絶縁膜を兼ねる保護膜上に形
成される第２層配線や外部接続端子の構成例を併せて示
している。基本的な構造は、グレージングされた平滑面
を有するアルミナ基板などの高抵抗基材ｌ上に発熱抵抗
体層２、電極配線導体層３を形威し所望のパターン化を
行ない発熱抵抗体、配線パターンを形成する．この後に
、配線層３と発熱抵抗体部を覆うように保護膜４として
酸化防止層４１を、また発熱抵抗体部には記録時の紙の
摺動に対する耐摩耗層４２が形成された構造が一般的で
ある．これらはいずれも蒸着、スパッタリング等の手法
によって形成されるが保護膜４の酸化防止層４１として
は酸化硅素（ＳｉＯｚ）が一般的に適用される．しがし
ながら，これら手法による配線パターンの被覆性は必ず
しも優れた状態を得ることが難かしく、第３図，第４図
に示す如く、配線段差の付き廻りが悪く特に底面と、壁
面境界部に欠陥が発生し易い．これは発熱抵抗体の性能
を劣化させる要因となるだけでなく、さらに第２層配線
あるいは外部接続端子５のパターン化に際してエッチン
グ処理液の浸入による下層導体の腐食あるいは、配線導
体３の信頼性においても配線腐食などの点で問題である
．これらを改善する目的でｒｃＭｏＳドライバ搭載形高
精細感熱記録ヘッド』日立評論Ｖｏｌ ６７，＆７では
第４図に示すように配線導体３の領域にさらにポリイミ
ド樹脂等に代表される有機系材料からなる保護膜４３を
抱布形成し上記問題の対策を図っている。しかし、製造
工程の増加を招きコスト面においても歩留りの点でも不
利である．〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点をなくし被覆
性が良好で信頼性に優れる保護膜構造を有するサーマル
ヘッドを提供することにある．〔課題を解決するための
手段〕 本発明は上記目的にもとづき従来技術におけるヘッドの
保護膜構造が複雑でコスト面でも不利であったのを、被
覆性に優れた極薄な保護膜４４を従来技術における保護
ＩＦＪ４（酸化防止層４１）の下層に形成し気密性を持
たせた・後、従来の保護膜４（酸化防止層４１、耐摩耗
層４２）を積層した構造とすることにより達威される。
この被覆性に優れる極薄な第１の保護膜４４の形成には
、化学気相成長法（ Ｐ − Ｃ Ｖ Ｄ ， Ｐ ｌ
ａｓ＋ｗａ − ＣｈｅｍｉｃａｌＶ ａｐｐｏｒ
旦ａｐｏｓｉｔｉｏｎ ）による窒化硅素（ｐ−ＳｉＮ
と略記）が好適であり、その良好な被覆性は一般的に知
られており膜厚としては気密性の得られる最小の膜厚で
よくその後積層する保護膜４の形成については従来技術
の手法で何ら問題はない。
、化学気相成長法（ Ｐ − Ｃ Ｖ Ｄ ， Ｐ ｌ
ａｓ＋ｗａ − ＣｈｅｍｉｃａｌＶ ａｐｐｏｒ
旦ａｐｏｓｉｔｉｏｎ ）による窒化硅素（ｐ−ＳｉＮ
と略記）が好適であり、その良好な被覆性は一般的に知
られており膜厚としては気密性の得られる最小の膜厚で
よくその後積層する保護膜４の形成については従来技術
の手法で何ら問題はない。
上記保護膜構造を有するサーマルヘッドによれば配線導
体３の被覆性も良好となり，従来の酸化防止層４１の欠
陥部を保護する目的で形成した有機系保護膜の形成も必
要がなくなる．また，保護膜４上に形成する第２層配線
および外部接続端子のパターン形成においても、あらか
じめ保護膜のスルーホール（接続孔）のエッチング処理
が共通の処理液で対応可能という利点も有する．〔実施
例〕 以下，本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は第２図の発熱抵抗体近傍を示したＢ一Ｂ断面の構造
図である．基本的な構成は従来技術と同様であ・り，グ
レージングされた平滑面を有するアルミナ基板などの高
抵抗基材１上にクロムーシリコン（Ｃｒ−ＳＬ）の発熱
抵抗体層２、アルミ／クロム（ＡＱ／Ｃｒ）の積層され
た電極配線導体３をスパッタリングにより成膜し所望の
パターン化を行ない発熱抵抗体、配線パターンを形或す
る．配線導体３の下層に形成するＣｒ３１はＡＱ配線導
体３２との接着層および数１００℃の高温に発熱を繰り
返す発熱抵抗体との熱反応を抑制する目的で形成される
．この配線導体３の膜厚は約１μｍである．この配線導
体３全域を覆うように形成する保護膜４の形威に対して
は、Ｐ−ＣＶＤによる第１の保護膜４４となるＰ−Ｓｉ
Ｎを０．２〜０．３μｍ，スパッタリングによる従来技
術の酸化防止Ｎ４１となるＳ ｉ Ｏ ，を４．０μｍ
成膜し，その後記録紙の摺動に対する耐摩耗層４２とし
てＰ−ＣＶＤによるＰ−ＳｉＮをマスク成膜によって発
熱抵抗体領域に１．５μｍ形成する．さらに従来技術の
第４図で示した第２層配線あるいは外部接続端子５の形
成に対するスルーホール（接続孔）の形成についてはフ
ッ酸系エッチング液によりＳｉＯ．／Ｐ−ＳｉＮを共通
に一括処理する．この構造によりさらに第２層配線ある
いは外部接続端子５となる配線パターンを形成する際の
エッチング処理液の浸入による配線腐食もなく第１の保
護膜４４の形成によって耐環境性に対する配線導体３の
信頼性も向上し、同時にポリイミド膜等の有機系保護膜
が不要となり材料，ホトリソ工程の削減によって製造コ
ストの低減が図れ、歩留まり向上に効果が得られる。
体３の被覆性も良好となり，従来の酸化防止層４１の欠
陥部を保護する目的で形成した有機系保護膜の形成も必
要がなくなる．また，保護膜４上に形成する第２層配線
および外部接続端子のパターン形成においても、あらか
じめ保護膜のスルーホール（接続孔）のエッチング処理
が共通の処理液で対応可能という利点も有する．〔実施
例〕 以下，本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は第２図の発熱抵抗体近傍を示したＢ一Ｂ断面の構造
図である．基本的な構成は従来技術と同様であ・り，グ
レージングされた平滑面を有するアルミナ基板などの高
抵抗基材１上にクロムーシリコン（Ｃｒ−ＳＬ）の発熱
抵抗体層２、アルミ／クロム（ＡＱ／Ｃｒ）の積層され
た電極配線導体３をスパッタリングにより成膜し所望の
パターン化を行ない発熱抵抗体、配線パターンを形或す
る．配線導体３の下層に形成するＣｒ３１はＡＱ配線導
体３２との接着層および数１００℃の高温に発熱を繰り
返す発熱抵抗体との熱反応を抑制する目的で形成される
．この配線導体３の膜厚は約１μｍである．この配線導
体３全域を覆うように形成する保護膜４の形威に対して
は、Ｐ−ＣＶＤによる第１の保護膜４４となるＰ−Ｓｉ
Ｎを０．２〜０．３μｍ，スパッタリングによる従来技
術の酸化防止Ｎ４１となるＳ ｉ Ｏ ，を４．０μｍ
成膜し，その後記録紙の摺動に対する耐摩耗層４２とし
てＰ−ＣＶＤによるＰ−ＳｉＮをマスク成膜によって発
熱抵抗体領域に１．５μｍ形成する．さらに従来技術の
第４図で示した第２層配線あるいは外部接続端子５の形
成に対するスルーホール（接続孔）の形成についてはフ
ッ酸系エッチング液によりＳｉＯ．／Ｐ−ＳｉＮを共通
に一括処理する．この構造によりさらに第２層配線ある
いは外部接続端子５となる配線パターンを形成する際の
エッチング処理液の浸入による配線腐食もなく第１の保
護膜４４の形成によって耐環境性に対する配線導体３の
信頼性も向上し、同時にポリイミド膜等の有機系保護膜
が不要となり材料，ホトリソ工程の削減によって製造コ
ストの低減が図れ、歩留まり向上に効果が得られる。
本発明によるサーマルヘッドの保護膜構造によれば配線
導体の被覆性が著しく改善されるため耐環境性に対する
配線の信頼性が向上し、有機系保護材料の形成にもとづ
く材料、ホトリソ工程の削減が達成され、製造コストの
低減および製品歩留りの改善にも効果が顕著である．
導体の被覆性が著しく改善されるため耐環境性に対する
配線の信頼性が向上し、有機系保護材料の形成にもとづ
く材料、ホトリソ工程の削減が達成され、製造コストの
低減および製品歩留りの改善にも効果が顕著である．
第１図は本発明の一実施例のサーマルヘッドの発熱抵抗
体近傍を示す断面構造図，第２図は発熱抵抗体近傍を示
す平面外観図、第３図，第４図は各々従来技術によるサ
ーマルヘッドの発熱抵抗体および多層配線構造を示す断
面構造図である．ｌ・・・高抵抗基材， ２・・・発熱抵抗体層， ３・・・配線導体， ４・・・保護膜、 ３ｌ・・・接着層、 ３２・・・配線導体層， ４ｌ・・・酸化防止層， ４２・・・耐摩耗層、 ４３・・・有機系保護膜、 ４４・・・第１の保護膜． Ａ ｉ 手・一一イ』た１量ｊ［
体近傍を示す断面構造図，第２図は発熱抵抗体近傍を示
す平面外観図、第３図，第４図は各々従来技術によるサ
ーマルヘッドの発熱抵抗体および多層配線構造を示す断
面構造図である．ｌ・・・高抵抗基材， ２・・・発熱抵抗体層， ３・・・配線導体， ４・・・保護膜、 ３ｌ・・・接着層、 ３２・・・配線導体層， ４ｌ・・・酸化防止層， ４２・・・耐摩耗層、 ４３・・・有機系保護膜、 ４４・・・第１の保護膜． Ａ ｉ 手・一一イ』た１量ｊ［
Claims (1)
- １、アルミナセラミックス基板等の高抵抗基材上に形成
された複数個の発熱抵抗体素子、これにつながる電極配
線導体およびこれらの領域もしくは基板全域を覆うよう
に形成される保護膜を備えて成るサーマルヘッドにおい
て、該保護膜の構造が基板表面から酸化防止層としての
第１の保護膜窒化硅素、第２の保護膜酸化硅素の積層膜
を成し、発熱抵抗体素子近傍にはさらに耐摩耗層として
の窒化硅素を積層した構成であることを特徴とするサー
マルヘッドの保護膜構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24193389A JPH03106663A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | サーマルヘッドの保護膜構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24193389A JPH03106663A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | サーマルヘッドの保護膜構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106663A true JPH03106663A (ja) | 1991-05-07 |
Family
ID=17081728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24193389A Pending JPH03106663A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | サーマルヘッドの保護膜構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03106663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6532027B2 (en) * | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24193389A patent/JPH03106663A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6532027B2 (en) * | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
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