JPS60207336A - ホトエツチング用露光方法 - Google Patents
ホトエツチング用露光方法Info
- Publication number
- JPS60207336A JPS60207336A JP59063483A JP6348384A JPS60207336A JP S60207336 A JPS60207336 A JP S60207336A JP 59063483 A JP59063483 A JP 59063483A JP 6348384 A JP6348384 A JP 6348384A JP S60207336 A JPS60207336 A JP S60207336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- photoresist
- glaze
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホトエツチング用露光方法に関する、集積回
路の製作過程で不純物拡散領域の酸イヒシリコン膜を切
りとるために、或すは基板上のアVミニウム配線パター
ンを作るときなどにホトエツチングが広く利用されてb
る。とのホトエツチングのためには、被ホトエツチング
面に中トレジストを診布、乾燥し、これにホトマスクを
のせてから紫外線を照射することによって露光する。
路の製作過程で不純物拡散領域の酸イヒシリコン膜を切
りとるために、或すは基板上のアVミニウム配線パター
ンを作るときなどにホトエツチングが広く利用されてb
る。とのホトエツチングのためには、被ホトエツチング
面に中トレジストを診布、乾燥し、これにホトマスクを
のせてから紫外線を照射することによって露光する。
ところでとのよりな露光操作の際、ホトレジストの表面
とホトマスクとが互Ln[接触し合わな−よりに遺産の
隙間を設けておくことが望ましい。
とホトマスクとが互Ln[接触し合わな−よりに遺産の
隙間を設けておくことが望ましい。
これはホトレジストと被ホトレジスト面たとえば配線パ
ターン用のアVミ=ウムとの密着性が悪すので、ホトマ
スクと被ホトレジスト面とを密着加圧す石と、露光後に
ホトマスクを剥離するときホトレジストが被ホトレジス
ト面からmれてホトマスクに付蕾してしまりこと省ある
ためである。このよりな現象が発生すれば高精廖のエツ
チングが期待できなりととけ明ら赤である。このよらな
現象はポジ形のホトレジストにつ−て顕著に現われる。
ターン用のアVミ=ウムとの密着性が悪すので、ホトマ
スクと被ホトレジスト面とを密着加圧す石と、露光後に
ホトマスクを剥離するときホトレジストが被ホトレジス
ト面からmれてホトマスクに付蕾してしまりこと省ある
ためである。このよりな現象が発生すれば高精廖のエツ
チングが期待できなりととけ明ら赤である。このよらな
現象はポジ形のホトレジストにつ−て顕著に現われる。
従来ではホトレジストの表面とホトマスクとの[[11
を設けるのに、ホトマスクの、ホトレジストの面に向か
−合う面のうち−バI−ンの形成に支障を与えなり部分
の複数個所に、薄bテープを貼付けて、これをスペーサ
として、ホトレジストの面とホトマスクとの間に、テー
プの厚みに相当する隙間を形成するよりにしてbた。
を設けるのに、ホトマスクの、ホトレジストの面に向か
−合う面のうち−バI−ンの形成に支障を与えなり部分
の複数個所に、薄bテープを貼付けて、これをスペーサ
として、ホトレジストの面とホトマスクとの間に、テー
プの厚みに相当する隙間を形成するよりにしてbた。
しかしこのテープの貼蕾作業は極めて面倒であるばかり
でな(、その貼着時にホトマスクに傷がつ−たり、ゴミ
が付着したりすることがあり、そのため精廖よ(露出す
るとと赤できな(なってしまりことがある。又貼着位置
に諷精廖で貼着するのゴ極めて困難である。
でな(、その貼着時にホトマスクに傷がつ−たり、ゴミ
が付着したりすることがあり、そのため精廖よ(露出す
るとと赤できな(なってしまりことがある。又貼着位置
に諷精廖で貼着するのゴ極めて困難である。
との発明はホトマスクとホトレジストの面との間の隙間
の形成を簡単にかつ高精廖で、しかも傷。
の形成を簡単にかつ高精廖で、しかも傷。
ゴミ等が付華することな(可能にし、もって高精廖に露
光ができるよりにすることを目的とする。
光ができるよりにすることを目的とする。
この発明は被ホトエツチング面を有する基板上の、パタ
ーン形成に支障のない個所に、グレーズによる突出部を
形威し−この突出部をスペーサとしてこれにホトマスク
が当接するよりにのせて露光するよつKしたことを特徴
とする。
ーン形成に支障のない個所に、グレーズによる突出部を
形威し−この突出部をスペーサとしてこれにホトマスク
が当接するよりにのせて露光するよつKしたことを特徴
とする。
この発明の実施例を図によって詩明する。、図はY7L
/ミニウム配線パターンのためのホトエツチングに用帆
る露光方法の例であり、1はアVミナセラミック等から
なる基板で、その表面は必要によりグレーズでコーティ
ングされている。、Qはそのグレーズ層を示す。8は配
線用のアルミニウム層、4はホトレジスト層である。こ
れらは基板lの表面に順次形成されである。、6けホト
マスクである。
/ミニウム配線パターンのためのホトエツチングに用帆
る露光方法の例であり、1はアVミナセラミック等から
なる基板で、その表面は必要によりグレーズでコーティ
ングされている。、Qはそのグレーズ層を示す。8は配
線用のアルミニウム層、4はホトレジスト層である。こ
れらは基板lの表面に順次形成されである。、6けホト
マスクである。
このホトマスク5とホトレジスト層4との間に隙間6カ
!形成される必要のあることは前述したとおりである。
!形成される必要のあることは前述したとおりである。
との発明にしたが帆、基板lの表面にグレーズからなる
突出部7を形成する。この形成位置はアVミニウム配線
パターンの形成に支障のなり位置である。具体的VcI
fi基板l上の、アルミニウム層8を形成しなり位置で
あれば(最本)より0又その形成位置の確保のなめに基
板として大きめの形状のものを用い、その余分な位置に
突出部7の形成位置を確保するよりにしてもより0この
上にのせられるホトマスクの安定性を維持するためKは
。
突出部7を形成する。この形成位置はアVミニウム配線
パターンの形成に支障のなり位置である。具体的VcI
fi基板l上の、アルミニウム層8を形成しなり位置で
あれば(最本)より0又その形成位置の確保のなめに基
板として大きめの形状のものを用い、その余分な位置に
突出部7の形成位置を確保するよりにしてもより0この
上にのせられるホトマスクの安定性を維持するためKは
。
突出部を複数個所に設置することが望ましb0突出部7
の形成はグレーズ材料を所定の個所に印刷し、焼成すれ
ばよLfho突出部7の形成のためだけにグレーズを印
刷焼成して本よl/−h−71、基板1上に他のグレー
ズを印刷焼成するようなことがあるとき社、これらを併
せて印刷焼成するようにしてもよV、たとえば図のより
に基板lの表面に基板表面の平滑化のためにグレーズ層
2を形成するとき、このグレーズ層2の形成とともに突
出部7を印刷焼成するよりにしてもより0或いはサーマ
Vプリントヘッドの場合のよりにグレーズ層80表面に
突条状のグレーズ層8を設け、その表面にプリント用の
発熱抵抗体を設置するよらな場合、との突条状のグレー
ズ層とともに突出部7全印刷し、焼成するよりKしても
よ−。第8図は第1図からホトマスクを除すた状態の平
面図を示す。突出部りはたとえば底面の直径がα6〜1
00. 高さ5(’1〜100μm@71の形状がよい
。
の形成はグレーズ材料を所定の個所に印刷し、焼成すれ
ばよLfho突出部7の形成のためだけにグレーズを印
刷焼成して本よl/−h−71、基板1上に他のグレー
ズを印刷焼成するようなことがあるとき社、これらを併
せて印刷焼成するようにしてもよV、たとえば図のより
に基板lの表面に基板表面の平滑化のためにグレーズ層
2を形成するとき、このグレーズ層2の形成とともに突
出部7を印刷焼成するよりにしてもより0或いはサーマ
Vプリントヘッドの場合のよりにグレーズ層80表面に
突条状のグレーズ層8を設け、その表面にプリント用の
発熱抵抗体を設置するよらな場合、との突条状のグレー
ズ層とともに突出部7全印刷し、焼成するよりKしても
よ−。第8図は第1図からホトマスクを除すた状態の平
面図を示す。突出部りはたとえば底面の直径がα6〜1
00. 高さ5(’1〜100μm@71の形状がよい
。
W、SWに示す突出部qは次のよりKして形成した例で
ある。すなわち基板lに、グレーズ層8を形成する以前
に、裏面にスナップ8を不ポット状に或いはライン状に
押圧成形する。このとき表面Kまで押圧力が作用して突
出する。したがってこの基板1の表面にグレーズ層2の
形成のためにグレーズを印刷すれば、前記した突出した
部分に本印刷され、これを焼成すれば一所望の突出部F
が形成されるよりになる。
ある。すなわち基板lに、グレーズ層8を形成する以前
に、裏面にスナップ8を不ポット状に或いはライン状に
押圧成形する。このとき表面Kまで押圧力が作用して突
出する。したがってこの基板1の表面にグレーズ層2の
形成のためにグレーズを印刷すれば、前記した突出した
部分に本印刷され、これを焼成すれば一所望の突出部F
が形成されるよりになる。
第4因は突条状の突出部7を形成した状態を示すが、こ
の例は基板1としてその寸法形状の若干太きbものを用
意し、その余分な個所9に突出部りを形成している。こ
の形成のあとスナップラインlOを形成し、ここから基
板1を割って一余分な個所9を破棄するよりにしてもよ
り。
の例は基板1としてその寸法形状の若干太きbものを用
意し、その余分な個所9に突出部りを形成している。こ
の形成のあとスナップラインlOを形成し、ここから基
板1を割って一余分な個所9を破棄するよりにしてもよ
り。
上記のよりkして突出部7を基板lの表面に形成してか
らホトマスクbを突出部?の上にのるよりに基板lの表
面にのせると、ホトマスク5とホトレジスト層重との間
KPJj間6が形成され1画者互し/%に接触し合わな
いよりになる。この状態でホトマスクbの表面から紫外
線を照射して露光すればよ−。その露光後ホトマスク6
を除去しても。
らホトマスクbを突出部?の上にのるよりに基板lの表
面にのせると、ホトマスク5とホトレジスト層重との間
KPJj間6が形成され1画者互し/%に接触し合わな
いよりになる。この状態でホトマスクbの表面から紫外
線を照射して露光すればよ−。その露光後ホトマスク6
を除去しても。
ホトレジストがマスク6に付着することは起らない、な
おこの隙間6としては50〜100#m81度の空隙長
〒あればより0 にホトマスクとホトレジスト層との間の隙間を確保する
のに、基板上にグレーズ値・らなる突出−1を形成し、
これをホトマスクとホトレジスト層トの間のスペーサと
して使用したので、前記の隙間の形成は可能となり一又
前記突出部としてグレーズによって形成してbるので、
その形成の際従来のよりにホトマスクに傷、ゴミ等を付
着したりする恐れは皆無であり、しかも高精度の位置忙
形成することができ、か(してこの種露光の高精度化が
可能となるとbつた効果を奏する。
おこの隙間6としては50〜100#m81度の空隙長
〒あればより0 にホトマスクとホトレジスト層との間の隙間を確保する
のに、基板上にグレーズ値・らなる突出−1を形成し、
これをホトマスクとホトレジスト層トの間のスペーサと
して使用したので、前記の隙間の形成は可能となり一又
前記突出部としてグレーズによって形成してbるので、
その形成の際従来のよりにホトマスクに傷、ゴミ等を付
着したりする恐れは皆無であり、しかも高精度の位置忙
形成することができ、か(してこの種露光の高精度化が
可能となるとbつた効果を奏する。
第1図はこの発明の実施例方法を瞬明するための断面図
、第g図は基板の平面図、第8図はこの発明の他の実施
例方法を瞬間するための断面図、第4図はこの発明に更
に別の実施例方法を帥、明するための基板の平面図であ
る。 l・・・・・・基板、4・・・・・・ホトレリスト層−
b・・・・・・ホトマスク、6・・・・・・隙間、り・
・・・・・突出部第1図 第3M 第2図 !
、第g図は基板の平面図、第8図はこの発明の他の実施
例方法を瞬間するための断面図、第4図はこの発明に更
に別の実施例方法を帥、明するための基板の平面図であ
る。 l・・・・・・基板、4・・・・・・ホトレリスト層−
b・・・・・・ホトマスク、6・・・・・・隙間、り・
・・・・・突出部第1図 第3M 第2図 !
Claims (1)
- 基板の表面に一突出部を設け、ホトマスクを前記突出部
にのせることによって前記基板の表面に形成されたホト
レジスト層と前記ホトマスクとの間に隙間を確保し、前
記ホトマスクを通して前記ホトレジスト層を露光するよ
りにしたホトエツチング用露光方法、
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59063483A JPS60207336A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ホトエツチング用露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59063483A JPS60207336A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ホトエツチング用露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60207336A true JPS60207336A (ja) | 1985-10-18 |
Family
ID=13230529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59063483A Pending JPS60207336A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | ホトエツチング用露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60207336A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009109843A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタ基板の製造方法 |
JP2013015821A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-24 | Nsk Technology Co Ltd | 露光装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48100076A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59063483A patent/JPS60207336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48100076A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009109843A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタ基板の製造方法 |
JP2013015821A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-24 | Nsk Technology Co Ltd | 露光装置 |
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