JPH05136198A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05136198A JPH05136198A JP29457991A JP29457991A JPH05136198A JP H05136198 A JPH05136198 A JP H05136198A JP 29457991 A JP29457991 A JP 29457991A JP 29457991 A JP29457991 A JP 29457991A JP H05136198 A JPH05136198 A JP H05136198A
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- semiconductor device
- bonding
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- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置におけるボンディングパッドの形
状をミゾ状または格子状にすることで、ワイヤボンディ
ングやボールボンディング等の工程において、強度的に
も電気的にも信頼性の高いボンディングパッドを提供す
る。 【構成】 半導体装置の電極となるボンディングパッド
の形状をミゾ状または格子状にするためにAlなどのボ
ンディングパッド3及び下地の酸化膜などで形成された
絶縁層のうち少なくとも一層以上の構造がミゾ状または
格子状になっている。
状をミゾ状または格子状にすることで、ワイヤボンディ
ングやボールボンディング等の工程において、強度的に
も電気的にも信頼性の高いボンディングパッドを提供す
る。 【構成】 半導体装置の電極となるボンディングパッド
の形状をミゾ状または格子状にするためにAlなどのボ
ンディングパッド3及び下地の酸化膜などで形成された
絶縁層のうち少なくとも一層以上の構造がミゾ状または
格子状になっている。
Description
【0001】
【従来の技術】従来、図3(a),(b)はボンディン
グパッドの平面図、及びそのC−C'線に沿った断面図
である。これらの図において、1は基板、2は基板上の
絶縁層、3は絶縁層上に形成したボンディングパッド、
4は保護膜を示し、ボンディングパッド3の下地である
酸化膜等で形成された絶縁層2はボンディングパッド3
に対して、フラットな形状である半導体装置が知られて
いた。
グパッドの平面図、及びそのC−C'線に沿った断面図
である。これらの図において、1は基板、2は基板上の
絶縁層、3は絶縁層上に形成したボンディングパッド、
4は保護膜を示し、ボンディングパッド3の下地である
酸化膜等で形成された絶縁層2はボンディングパッド3
に対して、フラットな形状である半導体装置が知られて
いた。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のボンデ
ィングパッドにおいては、外部との電気的接触をとるた
めのワイヤボンディングやボールボンディング等の工程
において、図3(b)のボンディングパッド3とワイヤ
及びボールとの界面にて、密着性が悪く剥がれを生じ、
正常な電気的接触がとれないというばかりか、微小な接
触においては通電によりボンディングパッド界面の腐食
などを引き起こし、半導体装置そのものの信頼性をも低
下させるというような欠点があった。
ィングパッドにおいては、外部との電気的接触をとるた
めのワイヤボンディングやボールボンディング等の工程
において、図3(b)のボンディングパッド3とワイヤ
及びボールとの界面にて、密着性が悪く剥がれを生じ、
正常な電気的接触がとれないというばかりか、微小な接
触においては通電によりボンディングパッド界面の腐食
などを引き起こし、半導体装置そのものの信頼性をも低
下させるというような欠点があった。
【0003】そこで、本発明は従来のこのような欠点を
解決するため、ボンディングパッドとワイヤボンディン
グ及びボールボンディング等の工程において、ボンディ
ングパッドとワイヤ及びボールとの界面において剥がれ
を生じないようなボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
解決するため、ボンディングパッドとワイヤボンディン
グ及びボールボンディング等の工程において、ボンディ
ングパッドとワイヤ及びボールとの界面において剥がれ
を生じないようなボンディングパッドを有する半導体装
置を提供することを目的としている。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明はボンディングパッドの形状をミゾ状ま
たは、格子状にするために、少なくともAlなどの導電
体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のうち少な
くとも一層以上の構造がミゾ状または格子状にすること
によって、前記ボンディングパッドとワイヤボンディン
グやボールボンディング等のワイヤ及びボール界面にお
いての密着不良における剥がれが生じないようにした。
めに、この発明はボンディングパッドの形状をミゾ状ま
たは、格子状にするために、少なくともAlなどの導電
体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のうち少な
くとも一層以上の構造がミゾ状または格子状にすること
によって、前記ボンディングパッドとワイヤボンディン
グやボールボンディング等のワイヤ及びボール界面にお
いての密着不良における剥がれが生じないようにした。
【0005】
【作用】上記のように、ボンディングパッドの形状をミ
ゾ状にまたは格子状にするために、少なくともAlなど
の導電体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のう
ち少なくとも一層以上の構造をミゾ状にまたは格子状に
することによって、前記ボンディングパッドにワイヤボ
ンディングやボールボンディング等の工程を行う際、ボ
ンディングパッドとワイヤ及びボールとの接触面積が拡
大することによって密着性が向上しボンディングパッド
とワイヤ及びボールの界面において剥がれが生じなくな
り、ボンディングパッドにおける電気的接触において信
頼性の高い半導体装置が提供できるのである。
ゾ状にまたは格子状にするために、少なくともAlなど
の導電体及び下地の酸化膜などで形成された絶縁層のう
ち少なくとも一層以上の構造をミゾ状にまたは格子状に
することによって、前記ボンディングパッドにワイヤボ
ンディングやボールボンディング等の工程を行う際、ボ
ンディングパッドとワイヤ及びボールとの接触面積が拡
大することによって密着性が向上しボンディングパッド
とワイヤ及びボールの界面において剥がれが生じなくな
り、ボンディングパッドにおける電気的接触において信
頼性の高い半導体装置が提供できるのである。
【0006】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図1(a),(b)はそれぞれ本発明の第一
実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図1(a)のA−A' 線に沿った断面図である図1
(b)に示すようにSiなどの基板1上に酸化膜などの
絶縁層2を形成し、ボンディングパッド3の直下になる
部位をミゾ5にするためにフォトリソ及びエッチング工
程を行う。
説明する。図1(a),(b)はそれぞれ本発明の第一
実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図1(a)のA−A' 線に沿った断面図である図1
(b)に示すようにSiなどの基板1上に酸化膜などの
絶縁層2を形成し、ボンディングパッド3の直下になる
部位をミゾ5にするためにフォトリソ及びエッチング工
程を行う。
【0007】次に、半導体装置の電極となるAlなどの
導電体をスパッタ等で堆積させ、(図示せず)その後、
ミゾ5の形状をした絶縁層2の直上にフォトリソ及びエ
ッチング工程によりボンディングパッド3を形成する。
最後に半導体装置そのものを保護する保護膜4を前記ボ
ンディングパッド3に開口部を有するように形成する。
導電体をスパッタ等で堆積させ、(図示せず)その後、
ミゾ5の形状をした絶縁層2の直上にフォトリソ及びエ
ッチング工程によりボンディングパッド3を形成する。
最後に半導体装置そのものを保護する保護膜4を前記ボ
ンディングパッド3に開口部を有するように形成する。
【0008】図2(a),(b)はそれぞれ本発明の第
二実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図2(a)のB−B' 線に沿った断面図である図2
(b)に示すようにSiなどの基板1上に酸化膜などの
絶縁層2を形成し、ボンディングパッド3の直下になる
部位を格子状(図2(a)参照)にするためにフォトリ
ソ及びエッチング工程を行う。
二実施例のボンディングパッド図の平面及び断面図を示
す。これは次のような工程によって形成される。まず、
図2(a)のB−B' 線に沿った断面図である図2
(b)に示すようにSiなどの基板1上に酸化膜などの
絶縁層2を形成し、ボンディングパッド3の直下になる
部位を格子状(図2(a)参照)にするためにフォトリ
ソ及びエッチング工程を行う。
【0009】次に、半導体装置の電極となるAlなどの
導電体をスパッタ等で堆積させ(図示せず)その後、格
子状をした絶縁層2の直上にフォトリソ及びエッチング
工程により、ボンディングパッド3を形成する。最後に
半導体装置そのものを保護する保護膜4を前記ボンディ
ングパッド3に開口部を有するように形成する。以上に
より、図1(a)及び図2(a)に示すようなボンディ
ングパッドを有する半導体装置を提供することができ
る。
導電体をスパッタ等で堆積させ(図示せず)その後、格
子状をした絶縁層2の直上にフォトリソ及びエッチング
工程により、ボンディングパッド3を形成する。最後に
半導体装置そのものを保護する保護膜4を前記ボンディ
ングパッド3に開口部を有するように形成する。以上に
より、図1(a)及び図2(a)に示すようなボンディ
ングパッドを有する半導体装置を提供することができ
る。
【0010】
【発明の効果】本発明は、以上説明したようにボンディ
ングパッドの形状をミゾ状または格子状にすることによ
って、前記ボンディングパッドにワイヤボンディングや
ボールボンディング等の工程を行う際、ボンディングパ
ッドとワイヤ及びボールとの接触面が拡大し、密着性が
向上することでボンディングパッドとワイヤ及びボール
との界面において剥がれが生じないばかりかボンディン
グパッドの電気的信頼性を向上させるなどの効果があ
る。
ングパッドの形状をミゾ状または格子状にすることによ
って、前記ボンディングパッドにワイヤボンディングや
ボールボンディング等の工程を行う際、ボンディングパ
ッドとワイヤ及びボールとの接触面が拡大し、密着性が
向上することでボンディングパッドとワイヤ及びボール
との界面において剥がれが生じないばかりかボンディン
グパッドの電気的信頼性を向上させるなどの効果があ
る。
【図1】(a)は本発明によるボンディングパッドの平
面図である。(b)は図1(a)のA−A' 線に沿った
断面図である。
面図である。(b)は図1(a)のA−A' 線に沿った
断面図である。
【図2】(a)は本発明によるボンディングパッドの平
面図である。(b)は図2(a)のB−B' 線に沿った
断面図である。
面図である。(b)は図2(a)のB−B' 線に沿った
断面図である。
【図3】(a)は従来のボンディングパッドの平面図で
ある。(b)は図3(a)のC−C' 線に沿った断面図
である。
ある。(b)は図3(a)のC−C' 線に沿った断面図
である。
1 基板 2 絶縁層 3 ボンディングパッド 4 保護膜 5 ミゾ
Claims (1)
- 【請求項1】 Alなどの導電体にて形成された外部と
の電気的接触に使用するためのボンディングパッドを有
する半導体装置において、Alなどの導電体及び下地の
酸化膜などで形成された絶縁層のうち少なくとも一層以
上の構造がミゾ状又は格子状に凹部が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29457991A JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29457991A JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136198A true JPH05136198A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17809609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29457991A Pending JPH05136198A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05136198A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692314B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level chip scale package and method for manufacturing the same |
US20130264693A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Freescale Semiconductor, Inc | Lead frame with grooved lead finger |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29457991A patent/JPH05136198A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692314B2 (en) | 2006-09-07 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level chip scale package and method for manufacturing the same |
US20130264693A1 (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-10 | Freescale Semiconductor, Inc | Lead frame with grooved lead finger |
US8643159B2 (en) * | 2012-04-09 | 2014-02-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lead frame with grooved lead finger |
US9006874B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-04-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Lead frame with grooved lead finger |
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