JPH05205913A - 金属皮膜固定抵抗器の製造方法 - Google Patents
金属皮膜固定抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JPH05205913A JPH05205913A JP4014575A JP1457592A JPH05205913A JP H05205913 A JPH05205913 A JP H05205913A JP 4014575 A JP4014575 A JP 4014575A JP 1457592 A JP1457592 A JP 1457592A JP H05205913 A JPH05205913 A JP H05205913A
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- JP
- Japan
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- protective film
- resistor
- fixed resistor
- protective
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属皮膜固定抵抗器の高性能化のため、スパ
ッタリング、蒸着法による保護膜の形成を容易に行うこ
とができる製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 アルミナ、ＳｉＯ2による保護膜１３の膜厚
を数百Å〜数千Åに管理することにより、電極膜と抵抗
皮膜間に保護膜１３を挟み込んだ状態でオーミックコン
タクトを取ることができ、工程を増やすこと無く、保護
膜１３により性能の向上を図ることができる。
ッタリング、蒸着法による保護膜の形成を容易に行うこ
とができる製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 アルミナ、ＳｉＯ2による保護膜１３の膜厚
を数百Å〜数千Åに管理することにより、電極膜と抵抗
皮膜間に保護膜１３を挟み込んだ状態でオーミックコン
タクトを取ることができ、工程を増やすこと無く、保護
膜１３により性能の向上を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属皮膜固定抵抗器の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、金属皮膜固定抵抗器の高性能化、
小型化への進歩はめざましいものがあり、高性能品を作
るため抵抗皮膜上に酸化物による保護膜を作り、耐熱
性、耐湿性、経時変化等の性能の向上を図っている。
小型化への進歩はめざましいものがあり、高性能品を作
るため抵抗皮膜上に酸化物による保護膜を作り、耐熱
性、耐湿性、経時変化等の性能の向上を図っている。
【０００３】図６は従来の金属皮膜固定抵抗器の構造を
示すものである。図２において、１は基板、２は抵抗皮
膜、３は保護膜、４は電極、５は絶縁膜である。
示すものである。図２において、１は基板、２は抵抗皮
膜、３は保護膜、４は電極、５は絶縁膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、保護膜３が絶縁物であるため、抵抗皮膜
２の電極部を除く部分にのみ保護膜３を形成しなければ
ならない。この場合マスクによる部分着膜法や、全面に
着膜後不必要な部分を取り除く選択エッチング法により
形成するのが一般的である。しかし、部分着膜法の場
合、マスクと基板の位置合わせを高精度で行わなければ
ならず、抵抗器の小型化に伴い非常に困難である。ま
た、選択エッチング法の場合、保護膜のフォトリソ、エ
ッチング工程を増やす必要があり、工程数が多くなると
いう問題点を有している。
来の構成では、保護膜３が絶縁物であるため、抵抗皮膜
２の電極部を除く部分にのみ保護膜３を形成しなければ
ならない。この場合マスクによる部分着膜法や、全面に
着膜後不必要な部分を取り除く選択エッチング法により
形成するのが一般的である。しかし、部分着膜法の場
合、マスクと基板の位置合わせを高精度で行わなければ
ならず、抵抗器の小型化に伴い非常に困難である。ま
た、選択エッチング法の場合、保護膜のフォトリソ、エ
ッチング工程を増やす必要があり、工程数が多くなると
いう問題点を有している。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので工程数を増やすこと無く、保護膜による性能の向上
を図る金属皮膜固定抵抗器の製造方法を提供することを
目的とする。
ので工程数を増やすこと無く、保護膜による性能の向上
を図る金属皮膜固定抵抗器の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の金属皮膜固定抵抗器は、保護膜層の厚みを管
理（数百Å〜数千Å）することで、電極膜と抵抗皮膜間
に絶縁体である保護膜を挟み込んだ状態でオーミックコ
ンタクトを取ることを特徴とする。
に本発明の金属皮膜固定抵抗器は、保護膜層の厚みを管
理（数百Å〜数千Å）することで、電極膜と抵抗皮膜間
に絶縁体である保護膜を挟み込んだ状態でオーミックコ
ンタクトを取ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】この構成によって、工程数を増やすことなく、
保護膜により金属皮膜固定抵抗器の性能の向上を図るこ
とができる。
保護膜により金属皮膜固定抵抗器の性能の向上を図るこ
とができる。
【０００８】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１において、１１はアルミナよ
りなる基板、１２は抵抗皮膜、１３はアルミナよりなる
保護膜、１４はニッケルよりなる電極、１５は樹脂によ
る絶縁膜である。本実施例ではアルミナの保護膜１３の
膜厚を２０００Åとしている。
照しながら説明する。図１において、１１はアルミナよ
りなる基板、１２は抵抗皮膜、１３はアルミナよりなる
保護膜、１４はニッケルよりなる電極、１５は樹脂によ
る絶縁膜である。本実施例ではアルミナの保護膜１３の
膜厚を２０００Åとしている。
【０００９】すなわち、本発明では、保護膜１３を抵抗
皮膜１２の全面に形成し、この保護膜１３上から電極１
４を形成してオーミックコンタクトを取った構成であ
る。
皮膜１２の全面に形成し、この保護膜１３上から電極１
４を形成してオーミックコンタクトを取った構成であ
る。
【００１０】次に本発明の製造方法について説明する
と、まず基板１１上に、ニッケル、クロム、タンタル、
チタン、アルミニウムよりなる群から選ばれた金属、ま
たはこの金属間化合物からなる抵抗体材料を付着させ、
抵抗皮膜１２を形成する。その後、その抵抗皮膜１２上
全面に蒸着またはスパッタリング法により、アルミナを
５００Å〜５０００Åの膜厚になるように付着させ、保
護膜１３を形成する。
と、まず基板１１上に、ニッケル、クロム、タンタル、
チタン、アルミニウムよりなる群から選ばれた金属、ま
たはこの金属間化合物からなる抵抗体材料を付着させ、
抵抗皮膜１２を形成する。その後、その抵抗皮膜１２上
全面に蒸着またはスパッタリング法により、アルミナを
５００Å〜５０００Åの膜厚になるように付着させ、保
護膜１３を形成する。
【００１１】その後、この保護膜１３上を含め、両端部
にニッケルよりなる電極１４を形成した後、保護膜１３
上の電極１４間に絶縁膜１５を形成することにより製造
される。
にニッケルよりなる電極１４を形成した後、保護膜１３
上の電極１４間に絶縁膜１５を形成することにより製造
される。
【００１２】本実施例品（特性Ａ）、膜厚２μｍのアル
ミナ保護膜の従来品（特性Ｂ）、保護膜無し品（特性
Ｃ）について、耐湿負荷寿命試験、負荷寿命試験の比較
試験結果を図２、図３に示す。
ミナ保護膜の従来品（特性Ｂ）、保護膜無し品（特性
Ｃ）について、耐湿負荷寿命試験、負荷寿命試験の比較
試験結果を図２、図３に示す。
【００１３】この図２、図３から明らかなように、従来
法と全く同等に性能が向上できる。 （実施例２）以下本発明の他の実施例について説明す
る。本実施例では、保護膜１３として、膜厚５０００Å
のＳｉＯ2を用いた。
法と全く同等に性能が向上できる。 （実施例２）以下本発明の他の実施例について説明す
る。本実施例では、保護膜１３として、膜厚５０００Å
のＳｉＯ2を用いた。
【００１４】本実施例品、従来品（ＳｉＯ2保護膜５μ
ｍ）、保護膜無し品について、比較試験結果を図４、図
５に示す。
ｍ）、保護膜無し品について、比較試験結果を図４、図
５に示す。
【００１５】この図４、図５から明らかなように、従来
法と全く同等に性能が向上できる。
法と全く同等に性能が向上できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、保護膜の膜厚を
管理することで、工程を増やすこと無く保護膜による性
能の向上を図ることができる。
管理することで、工程を増やすこと無く保護膜による性
能の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例における金属皮膜固定抵抗器
の構造を示す断面図
の構造を示す断面図
【図２】耐湿寿命試験結果を示す特性図
【図３】負荷寿命試験結果を示す特性図
【図４】耐湿寿命試験結果を示す特性図
【図５】負荷寿命試験結果を示す特性図
【図６】従来の金属皮膜固定抵抗器の構造を示す断面図
【符号の説明】 １１ 基板 １２ 抵抗皮膜 １３ 保護膜 １４ 電極 １５ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】ニッケル、クロム、タンタル、チタン、ア
ルミニウムよりなる群から選ばれた金属、またはこの金
属間化合物からなる抵抗体材料を基体上に付着し抵抗皮
膜を形成する工程と、この抵抗皮膜上全面に蒸着または
スパッタリング法により、膜厚５００Å〜５０００Åの
アルミナまたは膜厚１０００Å〜７０００ÅのＳｉＯ2
よりなる保護膜を付着する工程と、この保護膜上の両端
部に電極を付着形成する工程と、前記保護膜上の電極間
に樹脂による絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特
徴とする金属皮膜固定抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014575A JPH05205913A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 金属皮膜固定抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014575A JPH05205913A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 金属皮膜固定抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205913A true JPH05205913A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11864965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4014575A Pending JPH05205913A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 金属皮膜固定抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205913A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6151771A (en) * | 1997-06-10 | 2000-11-28 | Cyntec Company | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure |
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP2017157767A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
| CN113825998A (zh) * | 2019-04-17 | 2021-12-21 | Koa株式会社 | 硫化检测传感器的制造方法 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4014575A patent/JPH05205913A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6151771A (en) * | 1997-06-10 | 2000-11-28 | Cyntec Company | Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure |
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP4622522B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
| JP2017157767A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
| CN113825998A (zh) * | 2019-04-17 | 2021-12-21 | Koa株式会社 | 硫化检测传感器的制造方法 |
| CN113825998B (zh) * | 2019-04-17 | 2024-04-30 | Koa株式会社 | 硫化检测传感器的制造方法 |
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