CN105355349B - 薄膜电阻器及其制备方法 - Google Patents

薄膜电阻器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜电阻器及其制备方法。该薄膜电阻器包括绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面。这种薄膜电阻器的防潮性能较佳。

Description

薄膜电阻器及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。
背景技术
传统薄膜电阻器的电阻层成膜后直接进行热处理老化及镭射激光修阻，而后采用密封剂封装保护。在以往较多的产品使用报道中，薄膜电阻器在潮湿的环境下极易出现开路、电阻值超差等失效现象。在薄膜电阻制程中，封装是极为重要的工序，绝大部分的失效原因都源于封装工艺不理想。在实际使用中，薄膜电阻器的性能老化及失效主要是由温度、湿度和电应力等综合影响引起的。当薄膜电阻层有潮气存在时，电压会引起金属电迁移，加速老化过程。
目前薄膜电阻器都是使用厚膜工艺成型保护层，保护层的材料一般为环氧树脂，保护层的耐湿性能一般，且薄膜电阻器电阻层通常只有50nm～1000nm，潮气在恶劣的潮湿的环境下浸入保护层内部，容易引起薄膜电阻失效。
发明内容
基于此，有必要提供一种能有效防潮的薄膜电阻器及其制备方法。
一种薄膜电阻器，包括：
绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；
电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；
薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；
保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面。
在其中一个实施例中，所述绝缘基板为陶瓷绝缘基板或玻璃绝缘基板。
在其中一个实施例中，所述薄膜介质层的厚度为300nm～5000nm。
在其中一个实施例中，所述电阻层形成有激光修刻槽，所述薄膜介质层覆盖所述激光修刻槽的表面。
在其中一个实施例中，所述保护层的材料选自酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、胺基甲酸酯及聚酰亚胺中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述表电极的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
在其中一个实施例中，所述的绝缘基板为改性绝缘基板，所述绝缘基板的表面沉积一层硅化物以改善绝缘基板表面的平坦度或在绝缘基板的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
在其中一个实施例中，所述电阻层及所述薄膜介质层采用蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或等离子增强型化学气相沉积制备。
在其中一个实施例中，所述电阻层有多层，多层所述电阻层依次层叠。
在其中一个实施例中，所述保护层有多层，多层所述保护层依次层叠。
这种薄膜电阻器，在电阻层的表面形成一层薄膜介质层，薄膜介质层的材料为金属硅化物、二氧化硅或氮化硅，膜层的致密度较好，具有良好的防潮、抗腐蚀及耐高温的性能，即使湿气、腐蚀性气体通过保护层浸入，也能通过薄膜介质层对电阻层起到保护作用，从而有效防潮。
附图说明
图1为一实施方式的薄膜电阻器的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式薄膜电阻器10，包括绝缘基板110、表电极120、背电极130、电阻层140、薄膜介质层150、保护层160、端电极170、中间电极180及外电极190。
绝缘基板110为陶瓷绝缘基板或者玻璃绝缘基板。优选的，绝缘基板110为纯度为96wt％～99.9wt％的三氧化二铝陶瓷基板，更优选的为纯度为99wt％～99.9wt％的三氧化二铝陶瓷基板。
需要说明的是，根据对绝缘基板110的性能要求，还可以对绝缘基板110进行改性，在绝缘基板110的表面沉积一层改性层以改善绝缘基板110表面的平坦度。改性层的材料为硅化物。当然，也可以在绝缘基板110的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
绝缘基板110具有表面112及与表面112相对的背面114。
表电极120共有两个。两个表电极120相互间隔，分别形成于绝缘基板110的表面112的两端。表电极120的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
背电极130共有两个。两个背电极130相互间隔，分别形成于绝缘基板110的背面114的两端。两个背电极130分别与两个表电极120对应设置。背电极130的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
电阻层140连接两个相互间隔的表电极120。电阻层140形成于绝缘基板110的表面112，且延伸至表电极112并覆盖表电极120的部分表面。电阻层140的材料选自氮化钽、镍铬合金、镍铬硅合金、铬硅合金、镍铬铝合金、镍铬铝硅合金、镍铬铝钽合金及镍铜合金中的至少一种。
优选的，电阻层140通过激光修阻形成有激光修刻槽142。当然激光修刻槽142可以省略。
需要说明的是，电阻层140可以为单层的膜层结构也可以根据需要设置成多层膜层组合的结构，从而可以满足多种需要。
薄膜介质层150形成于电阻层140的表面且完全覆盖电阻层140的表面。薄膜介质层150的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金、铝硅合金及锆硅合金中的至少一种。
优选的，薄膜介质层150的厚度为300nm～5000nm。更优选的，薄膜介质层150的厚度为500nm～5000nm。
本实施方式中，薄膜介质层150覆盖激光修刻槽142的表面。当然，在其他实施方式中，激光修刻槽142在薄膜介质层150形成后通过激光修阻制备，此时激光修刻槽142贯穿薄膜介质层150。
优选的，考虑不同薄膜电阻器的应用特性，形成满足薄膜电阻器性能要求的单层膜层或多层组合膜层，从而制得薄膜介质层。
保护层160将电阻层140及薄膜介质层150封装在绝缘基板110的表面112。保护层160完全覆盖薄膜介质层150的表面且延伸到绝缘基板110及表电极120的表面以更好的保护电阻层140。保护层160覆盖绝缘基板110及表电极120的部分表面。
保护层160的材料选自酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、胺基甲酸酯及聚酰亚胺中的至少一种。当然保护层160的材料不限于为上述材料，也可以为其他业内常用的封装材料。
需要说明的是，保护层160根据需要可以为单层结构或多层不同材料的搭配结构。
端电极170共有两个，分别形成于绝缘基板110的两端。每一个端电极170与一个表电极120及一个背电极130连接。端电极170的材料为铬、镍铬合金或镍铜合金。
中间电极180共有两个。每个中间电极180覆盖一个端电极170的外表面。
本实施方式中，中间电极180的材料为镍。
外电极190共有两个。每个外电极190覆盖一个中间电极180的外表面。
本实施方式中，外电极190的材料为锡。
上述薄膜电阻器，在电阻层140的表面形成一层薄膜介质层150，薄膜介质层150的材料为金属硅化物、二氧化硅或氮化硅，膜层的致密度较好，具有良好的防潮、抗腐蚀及耐高温的性能，即使湿气、腐蚀性气体通过保护层160浸入，也能通过薄膜介质层150对电阻层140起到保护作用，从而有效防潮。
上述薄膜电阻器的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、在绝缘基板110的表面112制备两个相互间隔的表电极120。
绝缘基板110为陶瓷绝缘基板或者玻璃绝缘基板。优选的，绝缘基板110为纯度为96wt％～99.9wt％的三氧化二铝陶瓷基板，更优选的为纯度为99wt％～99.9wt％的三氧化二铝陶瓷基板。
需要说明的是，根据对绝缘基板110的性能要求，还可以对绝缘基板110进行改性，在绝缘基板110的表面沉积一层改性层以改善绝缘基板110表面的平坦度。改性层的材料为硅化物，采用薄膜沉积工艺如热蒸镀沉积、溅射沉积、化学气相沉积、等离子增强型化学气相沉积形成。当然，也可以在绝缘基板110的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
绝缘基板110具有表面112及与表面112相对的背面114。
表电极120共有两个。两个表电极120相互间隔，分别形成于绝缘基板110的表面112的两端。表电极120的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
具体在本实施方式中，表电极120通过丝网印刷的方法在表面112形成电极图案制备。
步骤S2、在绝缘基板110的背面114制备两个相互间隔的背电极130。
背电极130共有两个。两个背电极130相互间隔，分别形成于绝缘基板110的背面114的两端。背电极130的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
具体在本实施方式中，背电极130通过丝网印刷的方法在背面114形成电极图案制备。
步骤S3、在绝缘基板110及表电极120的表面制备电阻层140。
电阻层140连接两个相互间隔的表电极120。电阻层140形成于绝缘基板110的表面112，且延伸至表电极112并覆盖表电极120的部分表面。
电阻层140的材料选自氮化钽、镍铬合金、镍铬硅合金、铬硅合金、镍铬铝合金、镍铬铝硅合金、镍铬铝钽合金及镍铜合金中的至少一种。
需要说明的是，电阻层140可以为单层的膜层结构也可以根据需要设置成多层膜层组合的结构，从而可以满足多种需要。
电阻层140可以通过蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或等离子增强型化学气相沉积等方法制备。
步骤S4、对电阻层140进行激光修阻形成激光修刻槽142。
激光修刻槽142贯穿电阻层140。
步骤S5、在电阻层140的表面制备薄膜介质层150。
薄膜介质层150形成于电阻层140的表面且完全覆盖电阻层140的表面。薄膜介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种。
优选的，薄膜介质层150的厚度为300nm～5000nm。更优选的，薄膜介质层150的厚度为500nm～5000nm。
本实施方式中，薄膜介质层150覆盖激光修刻槽142的表面。当然，步骤S5也可以在步骤S4之前执行，此时，激光修刻槽142在薄膜介质层150形成后通过激光修阻制备，此时激光修刻槽142贯穿薄膜介质层150。
优选的，薄膜介质层150通过磁控溅射制备。当然，在薄膜介质层150的制备过程中通入氮气或氧气，并利用空气热处理氧化法使金属氧化获得。
优选的，薄膜介质层通过化学气相沉积、等离子增强型化学气相沉积制得。
步骤S6、在薄膜介质层150、表电极120及绝缘基板110的表面制备保护层160。
保护层160将电阻层140及薄膜介质层150封装在绝缘基板110的表面112。保护层160完全覆盖薄膜介质层150的表面且延伸到绝缘基板110及表电极120的表面以更好的保护电阻层140。
保护层160的材料选自酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、胺基甲酸酯及聚酰亚胺中的至少一种。当然保护层160的材料不限于为上述材料，也可以为其他业内常用的封装材料。
需要说明的是，保护层160根据需要可以为单层结构或多层结构。
本实施方式中，保护层160通过丝网印刷制备。
需要说明的是，制备保护层160之后根据需要还可以对保护层160进行脱泡处理。
步骤S7、在绝缘基板110的两端分别形成端电极170。
端电极170共有两个，分别形成于绝缘基板110的两端。每一个端电极170与一个表电极120及一个背电极130连接。
端电极170的材料为铬、镍铬合金或镍铜合金。
步骤S8、在端电极170的外表面依次制备中间电极180及外电极190。
中间电极180共有两个。每个中间电极180覆盖一个端电极170的外表面。
本实施方式中，中间电极180的材料为镍。
外电极190共有两个。每个外电极190覆盖一个中间电极180的外表面。
本实施方式中，外电极190的材料为锡。
本实施方式中，中间电极180及外电极190通过电镀制备。
上述薄膜电阻器的制备方法，工艺较为简单，制备的薄膜电阻器能有效防潮，稳定性较好。
以下结合具体实施例进行说明。
实施例1
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板110的表面112采用丝网印刷形成两个表电极120，同时在绝缘基板110的背面114采用丝网印刷形成两个背电极130。
绝缘基板110为陶瓷绝缘基板，基板纯度(质量百分含量)为99～99.9％的Al2O3陶瓷基板。
表电极120材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为20％。
背电极130材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为0.5％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成电阻层140。
电阻层140的材料为镍铜合金，厚度为1000nm。
电阻层140通过蒸镀制备，电阻层140的图形化采用半导体工艺的光刻掩膜湿法蚀刻法(在电阻层上形成一层感光膜进行光刻图案化，利用湿法蚀刻法将电阻图形外的多余部分去除)。
(3)对电阻层140进行镭射激光修阻，形成激光修刻槽142。
(4)在电阻层140表面形成薄膜介质层150。
薄膜介质层150的材料为钽硅合金，硅的质量百分含量为85％。
薄膜介质层150通过反应溅射薄膜沉积工艺，在薄膜沉积过程中通入氧气，使膜层形成氧化物薄膜介质层(五氧化二钽和二氧化硅的混合物)。
薄膜介质层150的厚度为300nm。
(5)在薄膜介质层150及表电极120表面覆盖保护层160。
保护层160是通过丝网印刷形成的。保护层160的材料为酚醛环氧树脂。
(6)在表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与表电极120及背电极13连接。然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极180和外电极190。
端电极170的材料为镍铬合金。
中间电极180的材料为Ni。
外电极190的材料为Sn。
实施例2
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板110表面112采用丝网印刷形成两个表电极120，同时在绝缘基板110的背面114采用丝网印刷形成背电极130。
绝缘基板110为陶瓷绝缘基板，基板纯度(质量百分含量)为96～99.9％的Al2O3陶瓷基板。
表电极120材料是采用的是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为30％。
背电极130材料是采用的是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为0.75％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成电阻层140。
电阻层140的材料为铬硅合金，厚度为50nm。
电阻层140采用磁控溅射制备。
(3)在电阻层140表面形成一薄膜介质层150。
薄膜介质层150的材料为铝硅合金，硅的质量百分含量为90％。
本实施例中，薄膜介质层150采用溅射薄膜沉积工艺，溅射后的铝硅合金膜利用空气氧化法使铝形成金属氧化物，从而制得铝硅薄膜介质层(三氧化二铝和二氧化硅的混合物)。
薄膜介质层150的厚度为500nm。
(4)对电阻层140进行镭射激光修阻，形成激光修刻槽142。
(5)在电阻层140及表电极120表面覆盖保护层160。
保护层160是通过丝网印刷形成的。保护层160的材料为高纯度酚醛环氧树脂。
(6)在正面表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与表电极120及背电极13连接，然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极180和外电极190。
端电极170的材料为镍铜合金。
中间电极180的材料为Ni。
外电极190的材料为Sn。
实施例3
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板110表面112采用丝网印刷形成两个表电极120，同时在绝缘基板110的背面114采用丝网印刷形成两个背电极130。
绝缘基板110为陶瓷绝缘基板，基板纯度(质量百分含量)为96～99.9％的Al2O3陶瓷基板。
表电极120材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为1％。
背电极130材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为10％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成一电阻层140。
电阻层140的材料为镍铬铝钽合金，厚度为100nm。
电阻层140通过溅射薄膜沉积工艺制备。
(3)对电阻层140进行镭射激光修阻，形成激光修刻槽142。
(4)在电阻层140表面形成薄膜介质层150。
薄膜介质层150的材料为钛硅合金。
薄膜介质层150通过反应溅射薄膜沉积工艺，在薄膜沉积过程中通入氧气，使膜层形成氧化物薄膜介质层(二氧化钛和二氧化硅的混合物)。
薄膜介质层150的厚度为500nm。
(5)在电阻层140及表电极120表面覆盖保护层160。
保护层160是通过丝网印刷形成的。保护层160的材料为高纯度酚醛环氧树脂。
(6)在正面表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与表电极120及背电极13连接，然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极180和外电极190。
端电极170的材料为铬。
中间电极180的材料为Ni。
外电极190的材料为Sn。
实施例4
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板110表面112采用丝网印刷形成两个表电极120，同时在绝缘基板110的背面114采用丝网印刷形成两个背电极130。
绝缘基板110为改性绝缘基板，在绝缘基板的表面沉积一层改性层以改善绝缘基板表面的平坦度，改性层的材料为二氧化硅。
本例中，表电极120材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为1％。
背电极130材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为0.5％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成电阻层140。
电阻层140的材料为镍铬铝硅合金，厚度为100nm。
电阻层140通过溅射薄膜沉积工艺制备。
(3)在电阻层140表面形成薄膜介质层150。
薄膜介质层150的材料为二氧化硅。
薄膜介质层150采用是等离子增强型化学气相沉积工艺制备，通过等离子增强型化学气相沉积，使电阻层表面形成二氧化硅薄膜介质层。
薄膜介质层150的厚度为5000nm。
(4)对电阻层140进行镭射激光修阻。
(5)在电阻层140及表电极120表面覆盖保护层160。
保护层160是通过丝网印刷形成的。保护层160的材料为高纯度酚醛环氧树脂。
(6)在表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与表电极120及背电极13连接，然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极180和外电极190。
端电极170的材料为镍铬合金。
中间电极180的材料为Ni。
外电极190的材料为Sn。
实施例5
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板110表面112采用丝网印刷形成两个表电极120，同时在绝缘基板110的背面114采用丝网印刷形成两个背电极130。
绝缘基板110为改性绝缘基板，在绝缘基板110的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
本例中，表电极120材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为6％。
背电极130材料是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为0.5％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成电阻层140。
电阻层140的材料为氮化钽合金，厚度为200nm。
电阻层140通过溅射薄膜沉积工艺制备。
(3)在电阻层140表面形成薄膜介质层150。
薄膜介质层150的材料为氮化硅。
薄膜介质层150采用是化学气相沉积工艺制备，通过化学气相沉积，使电阻层表面形成氮化硅薄膜介质层。
薄膜介质层150的厚度为3000nm。
(4)对电阻层140进行镭射激光修阻。
(5)在电阻层140及表电极120表面覆盖保护层160。
保护层160是通过丝网印刷形成的。保护层160的材料为高纯度酚醛环氧树脂。(6)在表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与表电极120及背电极13连接，然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极180和外电极190。
端电极170的材料为镍铬合金。
中间电极180的材料为Ni。
外电极190的材料为Sn。
对比例1
按如下步骤制造薄膜电阻器：
(1)绝缘基板上表面采用丝网印刷形成一表电极120，同时在基板背面采用丝网印刷形成背电极130。
绝缘基板为96％基板纯度(质量百分含量)的三氧化二铝陶瓷基板。
本对比例中，表电极120材料选用采用的是银与银钯合金，钯含量(占导电电极膏的质量百分含量)为0.5％。
(2)在表电极120与绝缘基板110表面形成一薄膜电阻层140。
本例中，薄膜电阻层140采用溅射薄膜沉积工艺制备。
电阻层140的材料为镍铬铝硅合金，厚度为100nm。
(3)对薄膜电阻层140进行镭射激光修阻。
(4)在薄膜电阻层140及表电极120表面覆盖一保护层160。
所述的保护层160是通过丝网印刷形成的。
所述的保护层160其材料选自于酚醛环氧树脂。
(5)在表电极120与背电极130之间的侧面上，首先采用溅射薄膜沉积工艺形成一层端电极170，使之与两导电电极连接，其材料为镍铬合金。然后采用电镀法依次在端电极170上形成中间电极镍金属层180和外电极锡金属层190。
将实施例1～5及对本比例制备的薄膜电阻器放置于温度85±2℃，湿度85±3％RH恒温恒湿试验箱，施加10％额定电压通电1.5h，断电0.5h，持续1000后评估薄膜电阻器的阻值变化率，结果见表1。表1中，R0为试验前常温测试验电阻值，R1为试验后常温测试验电阻值。
表1
方案 R0 R1 变化率
实施例1 10.0015Ω 10.0048Ω 0.03％
实施例2 200.028KΩ 200.078KΩ 0.02％
实施例3 10.0115KΩ 10.0157KΩ 0.04％
实施例4 10.0035KΩ 10.0049KΩ 0.01％
实施例5 10.0067KΩ 10.0058KΩ -0.01％
对比例1 10.0055KΩ 10.2348KΩ 2.29％
从表1中可看到，采用本发明的方法所制得的电阻器试验前后电阻值的变化很小，小于0.1％，而对比例制得的电阻器试验前后电阻值的变化为2.29％，显示，本发明方法制得的电阻器的耐湿性能优越。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种薄膜电阻器，其特征在于，包括：
绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；
电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；
薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；
保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面；
所述电阻层及所述薄膜介质层采用蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或等离子增强型化学气相沉积制备。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述绝缘基板为陶瓷绝缘基板或玻璃绝缘基板。
3.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述薄膜介质层的厚度为300nm～5000nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述电阻层形成有激光修刻槽，所述薄膜介质层覆盖所述激光修刻槽的表面。
5.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述保护层的材料选自酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、胺基甲酸酯及聚酰亚胺中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述表电极的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
7.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述的绝缘基板为改性绝缘基板，所述绝缘基板的表面沉积一层硅化物以改善绝缘基板表面的平坦度或在绝缘基板的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
8.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述电阻层有多层，多层所述电阻层依次层叠。
9.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述保护层有多层，多层所述保护层依次层叠。
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