RU2583952C1 - Способ изготовления тонкопленочного резистора - Google Patents
Способ изготовления тонкопленочного резистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2583952C1 RU2583952C1 RU2015102403/07A RU2015102403A RU2583952C1 RU 2583952 C1 RU2583952 C1 RU 2583952C1 RU 2015102403/07 A RU2015102403/07 A RU 2015102403/07A RU 2015102403 A RU2015102403 A RU 2015102403A RU 2583952 C1 RU2583952 C1 RU 2583952C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistive layer
- film
- conductive structure
- thin
- formation
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях. В способе изготовления тонкопленочного резистора, включающем напыление резистивного слоя и формирование многослойной проводящей структуры, после напыления резистивного слоя и формирования многослойной проводящей структуры формируют пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя. Технический результат от использования изобретения заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления за счет формирования пассивирующей пленки на основе исходного компонента резистивного слоя. 1 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях.
По тонкопленочной технологии изготовления резисторов - резистивный и проводниковый слои наносятся методом напыления.
Известен способ изготовления тонкопленочного резистора (патент РФ №2208256, МПК H01C 17/22, опубл. 10.07.2003).
Способ изготовления тонкопленочного резистора включает напыление на диэлектрическую подложку резистивных слоев из разнородных тонкопленочных структур, формирование примыкающих к одной из сторон диэлектрической подложки контактных площадок, формирование методом фотолитографии резистивных элементов из разнородных тонкопленочных материалов, определение величины сопротивления тонкопленочных резистивных элементов, подгонку до требуемой величины сопротивления и ТКС интегрального резистора на основании расчетных соотношений между сопротивлениями разнородных тонкопленочных структур, их ТКС и ТКС интегрального резистора.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести недостаточные эксплуатационные характеристики резисторов, а именно надежность, стабильность при высоких удельных мощностях.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности и достигаемому результату, выбранным в качестве прототипа, является способ изготовления тонкопленочных резисторов (патент РФ 2213383, кл. H01C 17/00, опубл. 27.09.2003).
Резистор изготавливается по тонкопленочной технологии, включающей напыление резистивного слоя и формирование многослойной проводящей структуры с использованием двойной (селективной) фотолитографии. После первой фотолитографии и травления структуры получают проводники и контактные площадки. При второй фотолитографии фоторезистом покрывают все проводники и площадки, за исключением площадок перекрытия резисторов с проводниками, и формируемые резисторы. Затем травлением резистивного слоя формируют тонкопленочные резисторы.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести недостаточные эксплуатационные характеристики резисторов, а именно надежность, стабильность при высоких удельных мощностях.
Задача, решаемая изобретением, - усовершенствование способа изготовления тонкопленочных резисторов.
Технический результат от использования изобретения заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления за счет формирования пассивирующей пленки на основе исходного компонента резистивного слоя.
Указанный результат достигается тем, что в способе изготовления тонкопленочного резистора, включающем напыление резистивного слоя и формирование многослойной проводящей структуры, после напыления резистивного слоя и формирования многослойной проводящей структуры формируют пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя.
Сущность предлагаемого способа изготовления тонкопленочного резистора состоит в следующем.
На чертеже изображена конструкция тонкопленочного резистора, способ изготовления которого предлагается в изобретении.
В качестве основы тонкопленочного резистора используют изолирующую подложку (алюмонитридную пластину) 1. Вначале проводят подготовку изолирующих подложек, заключающуюся в очистке и отжиге. Далее формируют резистивный слой 2 на лицевой стороне подложки (на которой формируется резистивный слой) масочным методом. Далее проводят формирование многослойной проводящей структуры 4 и адгезионного слоя 3 на обратной стороне подложки посредством напыления на всю поверхность, после чего формируют пассивирующую пленку 5 на основе исходного компонента резистивного слоя посредством напыления. Затем производят разделение подложки на отдельные резистивные элементы.
В случае бесфланцевого исполнения производят припайку ленточных выводов 9, подгонку, формирование защитного слоя 6 посредством окрашивания с последующей сушкой, маркировку 7.
В случае фланцевого исполнения производят припайку резистивного элемента к металлическому фланцу 8, припайку ленточных выводов 9, подгонку, формирование защитного слоя 6 посредством окрашивания с последующей сушкой, маркировочного слоя 7.
Пример конкретного выполнения способа.
Пример 1
В качестве основы тонкопленочного резистора использовалась изолирующая подложка (алюмонитридная пластина). Вначале проводили подготовку изолирующих подложек, заключающуюся в очистке и отжиге. Отжиг проводили в печи при температуре (600±20)°C в течение (60±10) мин. Далее формировали резистивный слой масочным методом на лицевой стороне подложки посредством напыления тантала на вакуумной установке Caroline D12B. Далее проводили формирование многослойной проводящей структуры и адгезионного слоя на обратной стороне подложки - слоя никеля с подслоем титана масочным методом на вакуумной установке НАНОМЕТ-200, после чего формировали пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя посредством напыления тантала с напуском азота на вакуумной установке Caroline D12B. Производили резку подложки на отдельные резистивные элементы. После чего припаивали ленточные выводы. Производили подгонку методом удаления части резистивного слоя сфокусированным лучом лазера, формировали защитный слой посредством окрашивания эмалью КО-982 с последующей сушкой в печи при температуре (120±10)°C в течение (60±5) мин. Далее производили маркировку с помощью маркировочной машинки.
Пример 2
В качестве основы тонкопленочного резистора использовали изолирующую подложку (алюмонитридную пластину). Вначале проводили подготовку изолирующих подложек, заключающуюся в очистке и отжиге. Отжиг проводили в печи при температуре (600±20)°C в течение (60±10) мин. Далее формировали резистивный слой масочным методом на лицевой стороне подложки (на которой формируется резистивный слой) посредством напыления тантала на вакуумной установке Caroline D12B. Далее проводили формирование многослойной проводящей структуры и адгезионного слоя на обратной стороне подложки - слоя никеля с подслоем титана масочным методом на вакуумной установке НАНОМЕТ-200, после чего формировали пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя посредством напыления тантала с напуском азота на вакуумной установке Caroline D12B. Производили резку подложки на отдельные резистивные элементы. Далее производили пайку на металлический фланец. После чего припаивали ленточные выводы. Производили подгонку методом удаления части резистивного слоя сфокусированным лучом лазера, формировали защитный слой посредством окрашивания эмалью КО-982 с последующей сушкой в печи при температуре (120±10)°C в течение (60±5) мин. Далее производили маркировку с помощью лазера.
Полученные резисторы при удельных мощностях порядка 7 Вт/мм2 имели следующие технические характеристики.
Сопротивление резисторов измеряли в соответствии с ГОСТ 21342.20-78 «Резисторы. Метод измерения сопротивления. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряли согласно ГОСТ 21342.15-78 «Резисторы. Метод определения температурной зависимости сопротивления». Наработку оценивали в соответствии с ГОСТ 25359-82 «Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний».
Последовательное нанесение на резистивный слой многослойной проводящей структуры, пассивирующей пленки на основе исходного компонента резистивного слоя позволяет значительно улучшить межслойную адгезию, исключить расслоение структуры при дальнейшей эксплуатации, уменьшить межслойные термомеханические напряжения и обеспечить надежную защиту резистивного слоя, что приведет к улучшению ТКС тонкопленочных резисторов.
Claims (1)
- Способ изготовления тонкопленочных резисторов, включающий напыление резистивного слоя и формирование многослойной проводящей структуры, отличающийся тем, что после напыления резистивного слоя и формирования многослойной проводящей структуры формируют пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015102403/07A RU2583952C1 (ru) | 2015-01-26 | 2015-01-26 | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015102403/07A RU2583952C1 (ru) | 2015-01-26 | 2015-01-26 | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2583952C1 true RU2583952C1 (ru) | 2016-05-10 |
Family
ID=55960276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015102403/07A RU2583952C1 (ru) | 2015-01-26 | 2015-01-26 | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2583952C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU184252U1 (ru) * | 2018-01-09 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" | Конструкция интегральных резисторов в микросхемах на эпитаксиальных структурах арсенида галлия |
| CN115512919A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-12-23 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种曲面薄膜电阻的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1115113A1 (ru) * | 1982-11-23 | 1984-09-23 | Предприятие П/Я Г-4322 | Способ изготовлени многослойных тонкопленочных резисторов |
| US4929923A (en) * | 1989-05-26 | 1990-05-29 | Harris Corporation | Thin film resistors and method of trimming |
| US4952904A (en) * | 1988-12-23 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Adhesion layer for platinum based sensors |
| US5110538A (en) * | 1989-03-22 | 1992-05-05 | Framatome | Preheating steam generator |
| RU2035800C1 (ru) * | 1992-04-13 | 1995-05-20 | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов |
| RU2208256C2 (ru) * | 2000-04-18 | 2003-07-10 | Пензенский технологический институт | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
| RU2213383C2 (ru) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
-
2015
- 2015-01-26 RU RU2015102403/07A patent/RU2583952C1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1115113A1 (ru) * | 1982-11-23 | 1984-09-23 | Предприятие П/Я Г-4322 | Способ изготовлени многослойных тонкопленочных резисторов |
| US4952904A (en) * | 1988-12-23 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Adhesion layer for platinum based sensors |
| US5110538A (en) * | 1989-03-22 | 1992-05-05 | Framatome | Preheating steam generator |
| US4929923A (en) * | 1989-05-26 | 1990-05-29 | Harris Corporation | Thin film resistors and method of trimming |
| RU2035800C1 (ru) * | 1992-04-13 | 1995-05-20 | Малое научно-производственное предприятие "ЭЛО" | Способ изготовления тонкопленочных транзисторов |
| RU2208256C2 (ru) * | 2000-04-18 | 2003-07-10 | Пензенский технологический институт | Способ изготовления тонкопленочного резистора |
| RU2213383C2 (ru) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Способ изготовления тонкопленочных резисторов |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU184252U1 (ru) * | 2018-01-09 | 2018-10-19 | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" | Конструкция интегральных резисторов в микросхемах на эпитаксиальных структурах арсенида галлия |
| CN115512919A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-12-23 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 一种曲面薄膜电阻的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9934891B1 (en) | Resistor and method of manufacture | |
| KR101064537B1 (ko) | 각판형 칩 저항기의 제조 방법 및 각판형 칩 저항기 | |
| JP6373723B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JP2011518336A (ja) | Ｍｅｍｓプローブカード及びその製造方法 | |
| RU2497217C1 (ru) | Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов | |
| CN103325507B (zh) | 一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法 | |
| KR20170092676A (ko) | 열 분사식 박막 저항기 및 제조 방법 | |
| RU2583952C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного резистора | |
| JP2010114167A (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| US11282621B2 (en) | Resistor and circuit substrate | |
| CN107706495A (zh) | 一种温度补偿衰减器的制备方法 | |
| JP2012502274A (ja) | Ｍｅｍｓプローブ用カード及びその製造方法 | |
| JPH11204304A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| RU2552630C1 (ru) | Способ изготовления чип-резисторов | |
| RU2551905C1 (ru) | Способ изготовления чип-резисторов | |
| JP2015060955A (ja) | 厚膜抵抗器の製造方法 | |
| CN112054273A (zh) | 一种片式衰减器的制备方法 | |
| US9113546B2 (en) | Method for manufacturing electric film body | |
| JP7088469B2 (ja) | 成膜方法 | |
| RU2584032C1 (ru) | Пленочный резистор | |
| RU153589U1 (ru) | Пленочный резистор | |
| RU2628111C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов | |
| CN107993782A (zh) | 一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻及其制备方法 | |
| JP2000269012A (ja) | 抵抗素子付きチップ型電子部品及びその製造方法 | |
| JP4112907B2 (ja) | 抵抗素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20170919 |
|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20180208 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20180417 Effective date: 20180417 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |