CN101996766A - 电子部件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子部件及其制造方法，其能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高电气特性以及可靠性等。作为电子部件的电容器(1)形成有，在基板(2)上形成的电路元件(5)、与电路元件(5b)连接的电极层(5a)、覆盖电极层(5a)的保护层(6、8)、经由贯通保护层(6、8)的通孔导体(Va、Vb)而与电极层(5a)相连接并且覆盖保护层(6、8)的侧壁面而形成的端子电极(9a、9b)，由此，垫片电极(9a、9b)被形成为覆盖从保护层(6、8)的最上面直至侧壁面，因而焊料与垫片电极(9a、9b)接触的面积增大，并能够提高焊接安装时的电容器(1)的固定强度。

Description

电子部件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子部件及其制造方法。
背景技术
近年来，伴随着电子器械的小型化，电子设备的模块化正在被推进，该电子设备上比以前更高密度地安装有，用于该电子器械的IC芯片(裸芯片(bare chip)：裸片(Die))等的半导体装置之类的有源部件以及电容器(capacitor)、电感器、热敏电阻、电阻等的无源部件等的电子部件。
作为像这样的电子部件中的端子电极的构造，已知有例如如专利文献1所记载的芯片电阻器那样设置外部电极的构造和所谓的LGA(Land Grid Array)构造，其中，该外部电极与电子部件的元件电极相连接并且通过多层的镀层处理以覆盖电子部件主体的端部上下面和侧面的方式而形成，LGA构造为基板上设置的平面状的电极并列设置为格子状而形成垫片(pad)电极的构造。
然而，在将专利文献1所记载的具有现有的端子电极构造的电子部件，利用焊料安装于配线板等的外部基板的情况(通过回流而进行焊接安装)下，存在从外部电极朝向该电子部件的周围外侧，在比电子部件的元件主体的占有范围更广的范围内，形成下部扩大的焊脚(solder fillet)的趋势，其中，该外部电极通过镀层处理而被广泛地形成在该电子部件的端部上下面和侧壁面上。这样的话，由于在外部基板上实际安装电子部件所必须的范围(实质的安装范围)比电子部件的元件形状过度地大，因而难以以更加狭小的间隔密集地配置多个电子部件，由此，所要求的电子部件的进一步的高密度安装化有极限。
此外，在具有这样的端子电极构造的电子部件例如为电容器(capacitor)的情况下，由于在电介质层上形成的上部电极以及在其上面形成的外部电极成为薄膜状且占有较大的面积，因而在包含电子部件的元件电路中，存在产生不需要的寄生电感和寄生电容并且串联电阻变高的趋势。即对于电容器而言，由于作为不需要的寄生成分的ESL(等效串联电感)和ESR(等效串联电阻)增大，因而搭载有该电子部件的电子设备的电气特性和功能可能会降低。
另一方面，上述的LGA构造与专利文献1的端子电极构造不同，由于在电子部件的基板的侧壁面不引出(不延伸设置)端子电极，因而在将具有这样的LGA构造的电子部件焊接安装于外部基板的情况下，虽然所使用的焊料量比较少便能完成，但是由于在电子部件的基板的侧壁面未形成有焊脚，因而电子部件的安装强度(与外部基板的机械的固定强度)与形成有焊脚的情况相比，存在显著降低的趋势。这样的话，根据安装时的环境，存在电子部件一边没有以期望的状态固定而竖起，一边相对于外部基板没有以期望的平行度保持而在宽度方向上倾斜的趋势，因而不仅电子部件的安装强度更加降低的可能性变高，而且由于电子部件的设置位置偏移，搭载有该电子部件的电子设备的电气特性和功能也会劣化。
专利文献1：日本特开2005-191406号公报
发明内容
因此，本发明有鉴于上述情况，以提供一种电子部件及其制造方法为目的，该电子部件及其制造方法能够使向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度提高，由此，能够充分地提高搭载有该电子部件的电子设备(制品)的电气特性和功能，即制品的可靠性，而且能够改善电子部件的安装的成品率而提高生产性。
为了解决上述问题，本发明的电子部件的特征在于，具有形成于基板上的电路元件、与该电路元件连接的电极层、覆盖该电极层的保护层(绝缘体层)、以及经由贯通该保护层的通孔导体而与电极层相连接并且被设置于保护层的上部的端子电极，端子电极的一端位于保护层的侧壁面上。
在这样构成的电子部件中，与基板上形成的电路元件(电子部件的元件电极)相连接的端子电极被形成为，到达保护层的侧壁面上并覆盖该侧壁面的至少一部分，因而在将电子部件焊接安装于外部基板时，焊脚可以从端子电极的侧壁面朝向外侧形成。因此，用于使电子部件与外部基板接合的焊料与电子部件的端子电极之间的接触面积增大，由此，能够提高焊接安装时的电子部件的固定强度。此外，由于能够像这样提高电子部件的固定强度，因而能够抑制电子部件的竖起和位置偏移的发生，换而言之，能够实现电子部件的相对于外部基板的良好的固定平衡。该固定平衡的提高在电子部件成为矩形的情况下，在端子电极形成于其长边方向的两侧端部时会特别地显著。
进而，由于端子电极的一端位于保护层的侧壁面上的至少一部分，因而与端子电极为通过现有的镀层处理而形成的侧面端子那样的构造的情况相比，能够减少与电子部件接合的焊脚所扩展的范围的面积，由此，能够以更加狭小的间隔密集地配置多个电子部件，从而能够有利于降低电子部件的实际的安装面积而实现高密度安装化。而且，与进行镀层处理而形成现有的侧面端子的情况相比，能够使制造工序简单化，而且由于未设置有这样的现有的侧面端子，因而在包含电子部件的元件电路中，能够防止产生不需要的寄生电感和寄生电容。更加地，相对于在对电子部件的端部实施镀层的现有的方法中需要对电子部件的每个单片(单品)进行处理，本发明的电子部件由于能够在例如一个基板上预先形成多个电子部件的元件要素，在形成端子电极之后，通过对基板进行划片等而分割成单品，因而具有能够飞跃性地提高电子部件的生产性的优点。
而且，如上所述，由于在电子部件的端子电极与外部基板接合时能够形成焊脚，因而即使在外部基板上，电子部件被载置于从本来的安装位置偏离的位置上的情况下，也能够得到焊接安装时由于熔融的焊料的表面张力而使电子部件自己回到规定的位置的自对准效应。
更具体地，优选，端子电极被形成为，从保护层的上部沿着该保护层的侧壁面延伸，并且端子电极的一端与该保护层的侧壁面的基板侧的端部上面抵接。这样设置的话，由于端子电极被形成为完全纵断保护层的侧壁面，因而能够使用于电子部件与外部基板接合的焊料与电子部件的端子电极之间的接触面积进一步增大，由此，能够进一步提高焊接安装时的电子部件的固定强度。
而且，端子电极的该一端可以设置为，到达基板(在基板的形成有下部电极的一侧的面上形成有电介质层的情况下，到达该电介质层的状态)，而且沿着基板的下部电极侧的面延伸至该基板面侧端部。这样设置的话，由于端子电极被设置为超过保护层的侧壁面并进一步到达基板侧的端部，因而使用于电子部件与外部基板接合的焊料与电子部件的端子电极之间的接触面积进一步增大(与端子电极接合的焊脚的外壁端朝向外侧扩大)，由此，能够进一步提高焊接安装时的电子部件的固定强度。
而且，如果基板侧的端部上面的一部分露出，即基板侧的端部上面没有被端子电极完全覆盖，那么在焊接安装时，该露出的基板侧的端部上面的一部分(如上所述，保护层的面或者基板的面)起到作为所谓的焊料停止部的作用，从而抑制焊料的不良的扩展，此外，在电子部件的构成要素在基板上形成多个的情况下，可以将该露出的基板侧的端部上面的一部分作为相对于划片时的定位偏差的留白加以确保。
此外，保护层具备第一保护层和第二保护层，第一保护层形成于基板上，第二保护层形成于第一保护层上并且形成于第一保护层的形成区域的内侧，即也可以构成为在第一保护层上台阶状地设置有第二保护层。此时，优选，第二保护层中的基板侧的面(与第一保护层的交界面)的面积比第二保护层中的端子电极侧的面(与第一保护层相反的一侧的面)小。
在上述构成中，由于第一保护层和第二保护层被形成为台阶状，因而以覆盖具有该第一保护层和第二保护层的保护层的侧壁面的方式形成端子电极。因此，与未台阶状地形成保护层的情况相比，保护层与端子电极接触的界面的面积增大，因而能够提高保护层和端子电极，特别是第二保护层和端子电极之间的附着力，并能够防止保护层和端子电极之间的剥离。
在此情况下，更具体地，第二保护层的侧壁面也可以具有倾斜，换而言之，第二保护层的侧壁相对于第一保护层可以形成倒锥形。这样构成的话，沿着第二保护层的倾斜面覆盖形成的端子电极，在第一保护层和第二保护层的界面部位，形成为以截面楔状向保护层侧侵入，因而利用第二保护层与端子电极之间的锚效应，能够进一步提高保护层和端子电极之间的附着性。
根据本发明的电子部件，尽管制造工序与LGA构造相同，但与LGA构造的垫片电极相当的端子电极被形成为覆盖从基板的最上面至侧壁面的至少一部分，因而在将电子部件焊接安装于外部基板时，从该端子电极的侧壁面形成焊脚，由此，能够提高焊接安装时的电子部件的固定强度。此外，由于这样能够实现提高电子部件的固定强度等的作用效果，因而能够充分地提高搭载有该电子部件的电子设备(制品)的电气特性和功能，即制品的可靠性，而且，能够改善电子部件的安装的成品率而提高生产性。
附图说明
图1为表示作为本发明的电子部件的优选的一个实施方式的电容器的构造的立体图。
图2为表示图1所示的电容器1的平面图。
图3为沿图2的III-III线的截面图。
图4为沿图2的IV-IV线的截面图。
图5为沿图2的V-V线的截面图。
图6(A)～(C)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图7(A)～(C)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图8(A)～(B)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图9(A)～(B)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图10(A)～(B)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图11(A)～(C)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图12(A)～(B)为表示制造电容器1的顺序的工序图。
图13为表示使用由现有的制造方法制造的电容器的情况下的有无倾斜的频率特性的表T1。
图14为表示本发明的电容器10的第二实施方式的截面图。
图15为表示本发明的电容器100的第三实施方式的立体图。
图16为图15所示的电容器100的平面图。
图17为表示对于第三实施方式的电容器100与现有的电容器的倾斜评价的表T2。
符号的说明
1、10、100…电容器(电子部件)、2…基板、3…下部电极、4…电介质层、5a…第一电极(电路元件)、5b…第一电极(电极层)、6…第一保护层(保护层)、7…第二电极、8…第二保护层(保护层)、9、9a～9f…垫片电极(端子电极)、Va、Vb…通孔导体、2l、9l…长边、2s、9s…短边、M1～M3、M6、M8…抗蚀剂掩模、M5、M7…金属掩模、T1、T2…表
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在此，在附图中，对同一要素标记同一符号，省略重复的说明。此外，上下左右等的位置关系，除非另有说明，均基于附图所示的位置关系。而且，附图的尺寸比例并不限定为图示的比率。此外，以下的实施方式为说明本发明的例示，并非为了将本发明仅限定于该实施方式。而且，本发明在不脱离其宗旨的范围内，可以有各种变形。
(第一实施方式)
图1为表示作为本发明的电子部件的优选的一个实施方式的电容器1的构造的立体图。图2为表示图1所示的电容器1的平面图。图3为沿图2的III-III线的截面图。图4为沿图2的IV-IV线的截面图。图5为沿图2的V-V线的截面图。
电容器1在成为平面矩形状的基板2上，依次层叠有下部电极3、电介质层4、第一电极5a(电路元件)、第一电极5b(电极层)、第一保护层6(保护层)、第二电极7(电极层)、第二保护层8(保护层)以及垫片电极9a、9b(端子电极)。作为基板2的材料，没有特别的限制，可以列举金属基板、氧化铝等的陶瓷基板、玻璃陶瓷基板、玻璃基板、蓝宝石、MgO、SrTiO等的单结晶基板、Si或SiGe等的半导体基板等，优选使用化学稳定且热稳定并且应力产生较少且容易保持表面的平滑性的基板。此外，必要时，基板2能够设置为合适的厚度。
下部电极3被设置在基板2的外周的内侧的区域上，由例如Ni、Ti、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的单体金属或者包含这些金属的合金等的复合金属形成。
电介质层4由以覆盖下部电极3的上面以及侧壁面、进而下部电极3的外侧的基板2上面的一部分的方式形成的薄膜构成。此外，电介质层4的端部可以被形成为到达基板2上面的端部，也可以不到达端部。此外，电介质层4的膜的材料没有特别的限定，例如，能够使用PbTiO3、Pb(Zr，Ti)O3(PZT)、PbNb2O3、Pb(Mg，Nb)O3(PMN)、BaTiO3，(Ba，Sr)TiO3(BST)、CaTiO3、ZrO2、HfO2、TiO2、Ta2O6、Bi4Ti4O12、SrBi2Ta2O9、Al2O3、Si3N4、SiO2等的高介电陶瓷材料。
第一电极5由以覆盖电介质层4的上面的方式形成的薄膜构成，其中央部被形成为覆盖下部电极3的上面，其端部被形成为隔着电介质层4而覆盖下部电极3的上面。因此，第一电极5的中央部与下部电极3电连接，因而成为在下部电极3和第一电极5的中央部之间有电流流动的构造。此外，第一电极5与下部电极3相同，例如由Ni、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的单体金属或者包含这些金属的合金等的复合金属形成。
此外，形成于第一电极5上的第一保护层6被形成为不仅覆盖第一电极5的角部，而且覆盖电介质层4的上面角部以及侧壁面，其材料没有特别的限制，例如，可以列举Al2O3、SiO2、SiN等的无机绝缘体、聚酰亚胺、环氧等的树脂等的有机绝缘体。
而且，第二电极7形成于第一保护层6上，并且被形成为覆盖第一电极5，与下部电极3以及第一电极5相同，由Ni、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的单体金属或者包含这些金属的合金等的复合金属形成。
然后，作为该第二电极7的上层而形成的第二保护层8被形成为覆盖第二电极7的角部，其材质与第一保护层6相同，没有特别的限制，例如，可以列举Al2O3、SiO2、SiN等的无机物、聚酰亚胺、环氧等的树脂等的绝缘体。
作为其上层而形成的垫片电极9，设置在电容器1的两端部，经由通孔导体Vb、通孔导体Va以及第一电极5而与下部电极3连接，通孔导体Vb填充在贯通第二保护层8而形成的开口内，通孔导体Va填充在贯通第一保护层6而形成的开口内。这些通孔导体Va、Vb以及垫片电极9的材料也没有特别的限制，可以列举Ni、Cu、Au、Pt、Ag、Sn、Cr、Co、W、Pd、Mo、Ta、Ru、Nb等的单体金属或者包含这些金属的合金等的复合金属。
以下，对制造具有这样的构成的电容器1的方法的一个例子进行说明。图6～图12为表示制造电容器1的顺序的工序图。
首先，准备基板2，其表面例如采用CMP法进行研磨而平坦化。此外，在一块基板2上，形成有多个电容器1的元件构造(例如，线/空间为几μm/几m的微细构造)，最终地，以元件单位被单片(单品)化，可以得到多个电容器1，在以下的图示中，例示一个电容器1的元件构造的一部分。
(下部电极形成)
在该基板2上，通过光刻和镀层，形成下部电极3。更具体地，例如，首先，在基板2面上，通过溅射或者无电解镀层形成膜厚0.01～1μm左右的下地导体层3a作为种子层(图6(A))。其次，在下地导体层3a上形成光刻胶膜，通过对其光刻，形成与下部电极3对应的选择镀层用的抗蚀剂掩模M1的图案(图6(B))。
其后，在将该抗蚀剂掩模M1作为镀层掩模而露出下地导体层的部分上，选择性地实施电气(电解)镀层，电沉积形成下部电极形成用的电气镀层导体层3b直至其为期望的厚度。接着，通过去除抗蚀剂掩模M1以及电气镀层导体层3b外部的下地导体层3a，得到下部电极用的导体层3(图6(C))。此外，在图6(C)中，使用与下部电极3相同的符号表示该导体层。
(电介质层形成)
接着，形成覆盖下部电极3的上面端部以及侧壁面、进而下部电极3的外侧的基板2上面的一部分的电介质层4。更具体地，在下部电极3以及露出的基板2的部位上的整个面上，通过溅射等的PVD法、CVD法、ALD法、溶液法等，形成厚度为0.01～1μm左右的电介质层4(图7(A))。然后，在电介质层4上且在下部电极3的除去中央部的部位上形成由光刻胶膜构成的抗蚀剂掩模M2(图7(B))，进而，将抗蚀剂掩模M2作为蚀刻掩模，通过蚀刻去除抗蚀剂掩模M2，由此，去除电介质层4的一部分而形成开口4a，并且得到具有开口4a的电介质层4(图7(C))。
(第一电极形成)
其次，在图8所示的状态下的电介质层4的上面以及下部电极3露出的部分上，通过镀层或者CVD法，形成第一电极用的导体层5。第一电极用的导体层5以不超过下部电极用的导体层3的安装区域的方式在内侧形成。更具体地，例如，首先，在电介质层4上，通过溅射或者无电解镀层形成膜厚0.01～1μm左右的下地导体层5a作为种子层。接着，在下地导体层5a上配置抗蚀剂掩模M3(图8(A))。接着，在形成在下部电极3上且未被抗蚀剂掩模M3覆盖的下地导体层5a露出的部分上，选择性地实施电气(电解)镀层，电沉积形成第一电极形成用的电气镀层导体层直至其为期望的厚度。接着，通过去除抗蚀剂掩模M3以及电气镀层导体层外部的下地导体层，得到第一电极用的导体层5(图8(B))。此外，在图8(B)中，使用与第一电极5相同的符号表示该导体层5。
(第一保护层形成)
接着，填充用于形成第一保护层6的例如未固化状态的光固化型树脂，以覆盖第一电极5的端部、形成于下部电极3上的电介质层4的上面、形成于下部电极3的侧壁面上的电介质层4以及形成于基板2上的电介质层4(图9(A))。其后，在不形成第一保护层6的部位上设置金属掩模M4的状态下，通过利用光刻进行图案化，从而形成第一保护层6，第一保护层6覆盖第一电极5的端部、形成于下部电极3上的电介质层4的上面、形成于下部电极3的侧壁面上的电介质层4以及形成于基板2上的电介质层4(图9(B))。
(第二电极形成)
接着，在图10所示的状态下的形成有第一保护层6的上面、以及第一电极5的上面，通过镀层或者CVD法等，形成第二电极用的导体层7。更具体地，首先，在第一保护层6上以及电介质层4上，通过溅射或者无电解镀层形成膜厚0.01～1μm左右的下地导体层7a作为种子层。接着，在下地导体层7a上配置抗蚀剂掩模M5(图10(A))。接着，在未被抗蚀剂掩模M5覆盖的下地导体层7a的上面，选择性地实施电气(电解)镀层，电沉积形成第二电极形成用的电气镀层导体层直至其为期望的厚度，接着，通过去除抗蚀剂掩模M5以及电气镀层导体层外部的下地导体层，得到第二电极用的导体层7以及连接第二电极7和第一电极5的通孔导体(图10(B))。此外，在图10(B)中，使用与第二电极7相同的符号表示该导体层7。
(第二保护层形成)
接着，形成覆盖第二电极7的第二保护层8。更具体地，在进行平面视时，为了在第一保护层6的安装区域的内侧形成第二保护层8的安装区域，例如将未固化状态的光固化型树脂填充于第二电极7的上面、第一保护层6的上面以及电介质层4的上面(图11(A))。其次，在不形成第二保护层8的部位上设置金属掩模M6的状态下，通过利用光刻进行图案化，从而在第二电极7的整个面、以及位于第二电极7的外侧的第一保护层6的上面，形成第二保护层用的树脂层8a(图11(B))。此时，通过调整光刻的露光量以及焦点等的条件，能够以第二保护层用的树脂层8a的单侧侧壁面8t从该树脂层8a的上面(垫片电极9侧)至底面(第一保护层6侧)，被形成为图中所示的倒锥形的方式，形成第二保护层(图11(C))。
(垫片电极形成)
接着，形成垫片电极9，以覆盖第二保护层8、形成于第二保护层8的外侧的第一保护层6的上面和侧壁面、以及形成于第一保护层的外侧的电介质层4的上面。更具体地，在第二保护层8、形成于第二保护层8的外侧形成的第一保护层6的上面和侧壁面、以及形成于第一保护层的外侧的电介质层4的上面，通过溅射或者无电解镀层形成膜厚0.01～1μm左右的下地导体层9作为种子层。接着，为了确保对电容器1进行划片时的留白，在位于基板2的侧端部且形成于第一保护层6的外侧的电介质层4上，配置抗蚀剂掩模M7(图12(A))。
接着，在第二保护层8、形成于第二保护层8的外侧的第一保护层6的上面和侧壁面、以及形成于第一保护层的外侧且未被抗蚀剂掩模M7覆盖的下地导体层9a的上面，选择性地实施电气(电解)镀层，电沉积形成第二电极形成用的电气镀层导体层直至其为期望的厚度。接着，通过去除抗蚀剂掩模M7以及电气镀层导体层外部的下地导体层，得到垫片电极用的导体层9以及连接垫片电极9和第二电极7的通孔导体Vb(图12(B))。此时，垫片电极用的导体层9不仅在基板2的最上面形成，并且被形成为覆盖第一保护层6以及第二保护层8的侧壁面且到达形成于基板2上的电介质层4上。此外，在图12(B)中，使用与垫片电极9相同的符号表示该导体层9。
其后，例如在必要时，将用于附加电容器1的识别号码的保护层以与垫片电极9为同层的方式形成于垫片电极9之间(图中没有表示)，之后，通过在电容器1之间的规定部位对基板2进行切断(划片)而单片化，得到图1所示的电容器1。
在这样的电容器1的制造工序中，由于第一保护层6以及第二保护层8被形成为台阶状，因而第一保护层6以及第二保护层8与作为导体层的垫片电极9接触的界面面积增大。由此，能够防止第一保护层6和垫片电极9之间或者第二保护层8和垫片电极9之间的剥离。而且，第二保护层8的侧端部(侧壁面8t)被形成为从垫片电极9侧朝向第一保护层6侧前端越来越窄的倾斜(倒锥形)。因此，第二保护层8以及对应于该侧壁形状的垫片电极9发挥锚效应，从而能够进一步防止第二保护层8和垫片电极9之间的剥离。
此外，垫片电极9以覆盖第一保护层6和第二保护层8的侧壁面的方式并且在第一保护层6和第二保护层8的外侧形成。因此，垫片电极9不仅形成于上面，而且也形成于侧壁面。由此，由于焊脚在垫片电极9的侧壁面也形成，因而焊料与垫片电极9接触的面积增大，从而能够提高焊接安装时的电容器1的固定强度。而且，基板2的端部的电介质层4露出，垫片电极9被形成至除去露出部位的电介质层上，因而垫片电极9被延伸设置至位于第一保护层6的外侧的电介质层4上。除此之外，由于以露出基板2的端部的方式形成垫片电极9，因而基板2的端部的露出部位起到焊料停止部的作用，并且确保相对于划片时的定位偏差的留白。
进而，本发明人如图13所示使用由现有的制造方法制造的电容器1并测定由倾斜产生的频率特性的变化后，确认了如果在电容器1的高度(厚度)方向上电容器1倾斜，那么ESL(等效串联电感)值增大且电容器1的性能降低。然而，根据本实施方式的电容器1，由于以抑制电容器1的长边方向的两侧端部的方式形成垫片电极9，因而能够得到电容器1的固定平衡，并可以抑制安装后的ESL(等效串联电感)值的增加。由此，不仅可以使高密度的安装成为可能，而且也可以充分地提高搭载有电容器1的电子设备(制品)的生产性和可靠性。
(第二实施方式)
图14为表示本发明的电容器10的第2实施方式的构造的截面图。如图所示，电容器10除了第二保护层8’被形成为其侧壁面8t’不具有倾斜，垫片电极9c、9d被形成为覆盖第二保护层8’的侧壁面8t’、位于第二保护层8’的外侧的第二电极7的上面和侧壁面、位于第二电极7外侧的第一保护层6的上面和侧壁面、以及位于第一保护层6的外侧的电介质层4的上面之外，具有与上述的第一实施方式的电容器1相同的构成。
这样，本实施方式的电容器10与上述的第一实施方式的电容器1不同，垫片电极9c、9d被形成为不覆盖第二保护层8’的上面，但是由于该垫片电极9c、9d从第二保护层8’的侧壁面8t’至电介质层4上被形成，因而能够有效地防止第一保护层6和垫片电极9c、9d之间或者第二保护层8’和垫片电极9c、9d之间的剥离。而且，在焊接安装时，由于焊脚形成于垫片电极9c、9d的侧壁面，因而能够增大焊料与垫片电极9c、9d接触的面积，并能够提高焊接安装时的电容器10的固定强度。而且，由于以露出基板2的端部的方式形成垫片电极9c、9d，因而由电介质层4和垫片电极9c、9d形成的角部起到焊料停止部的效果。
(第三实施方式)
图15为表示本发明的电容器100的第三实施方式的构造的立体图，图16为对图15所示的电容器100进行平面视的平面图。如图所示，电容器100除了进行平面视时垫片电极9e、9f分别被形成为I(或者H)形状之外，具有与上述的第一实施方式的电容器1相同的结构。
本实施方式的垫片电极9e、9f具有分别切割设置于第一实施方式中的电容器1的两端部的垫片电极9a、9b的一部分的形状。更具体地，在电容器100的宽度方向上从垫片电极9e、9f的边朝向中央并且以残留垫片电极9e、9f的角部的方式设置切割部。
由此，在垫片电极9e、9f的角部，在电容器100的长边方向上形成长边91，在电容器100的宽度方向上形成短边9s。通常，由于电容器100具有大致矩形形状，因而焊料的拉伸应力在基板2的短边2s侧产生的应力比在基板2的长边2l侧产生的应力大。因此，电容器100在电容器100的宽度方向上被施加应力，其结果，产生在宽度方向上容易倾斜的趋势。然而，切割垫片电极9a、9b，在电容器100的长边方向上形成垫片电极9e、9f的长边9l，在电容器100的宽度方向上形成短边9s，从而可以缩小在基板2的长边2l侧产生的焊料的拉伸应力与在基板2的短边2s侧产生的拉伸应力的差，其结果，能够实现焊接安装时的电容器100的固定平衡，由此，能够进一步防止电容器100的倾斜。
这里，在将由上述的制造方法制造的电容器100和由现有的制造方法制造的电容器安装于外部基板上的情况下，在测定了两电容器的倾斜后，如图17所示，判明了在采用本实施方式的电容器100进行安装的情况下不产生倾斜，并在下面进行说明。这里，作为由现有的制造方法制造的电容器，列举在基板上的最上面形成有格子状的垫片电极的LGA构造的电容器。
图17为表示使熔融焊料附着于分别形成于本实施方式的电容器100和LGA构造的电容器的垫片电极上并在外部电极上分别搭载10个的情况下的、两电容器的倾斜的评价的表T2。
在搭载由现有的制造方法制造的电容器的情况下，对于10个的搭载数量，倾斜的电容器为10个(即全部)，因而判明了安装率为0％。相对于此，在搭载本实施方式的电容器100的情况下，对于10个的搭载数量，倾斜的电容器100为0个，因而判明了安装率为100％。
这样，根据本实施方式的电容器100，实现了与上述的第一实施方式同样的作用效果。而且，切割第一实施方式的垫片电极9a、9b，使在电容器100的长边方向上形成的垫片电极9e、9f的边9l形成为比在电容器100的宽度方向上形成的垫片电极9e、9f的边9s长，从而能够取得在基板2的两边(长边2l以及短边2s)产生的焊料的拉伸应力的平衡。其结果，能够可靠地实现焊接安装时的电容器100的固定平衡，并能够进一步防止电容器100的倾斜。
此外，为了确保划片时的留白，本发明中的电容器的垫片电极以不形成至基板2的端部为前提而进行了说明，但是，为了提高保护层和垫片电极之间的附着力，也可以形成至基板2的端部。此外，电子部件不限于电容器，也可以为电感器、热敏电阻、电阻等的无源部件和IC芯片等的有源部件。
产业上的利用可能性
如以上说明的那样，根据本发明的电子部件及其制造方法，能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高制品的可靠性以及生产性，因此，能够广泛且有效地利用于内置有电子部件的器械、装置、系统、各种设备等，特别是要求小型化以及高性能化的制品以及这些制品的生产、制造等中。

Claims (7)

1.一种电子部件，其特征在于，
具有，
电路元件，形成于基板上；
电极层，与所述电路元件连接；
保护层，覆盖所述电极层；以及
端子电极，经由贯通所述保护层的通孔导体而与所述电极层相连接，并且被设置于所述保护层的上部，
所述端子电极的一端位于所述保护层的侧壁面上。
2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述端子电极被形成为，从所述保护层的上部沿着该保护层的侧壁面延伸，并且所述端子电极的一端与所述基板侧的端部上面抵接。
3.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述端子电极从所述保护层的上部沿着该保护层的侧壁面以及所述基板侧的端部上面延伸。
4.如权利要求2或者3所述的电子部件，其特征在于，
所述基板侧的端部上面的一部分露出。
5.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述保护层具备第一保护层和第二保护层，所述第一保护层形成于所述基板上，所述第二保护层形成于所述第一保护层上并且形成于所述第一保护层的形成区域的内侧。
6.如权利要求5所述的电子部件，其中，
所述第二保护层被设置为，该第二保护层中的所述基板侧的面的面积比该第二保护层中的所述端子电极侧的面的面积小。
7.一种电子部件的制造方法，其特征在于，
包括以下的工序，
在基板上形成电极层的工序；
形成覆盖所述电极层的保护层的工序；
形成贯通所述保护层的通孔导体的工序；以及
设置端子电极的工序，所述端子电极经由所述通孔导体而与所述电极层连接，并且所述端子电极从所述保护层上部到达侧壁面上。
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