WO2007010768A1 - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2007010768A1
WO2007010768A1 PCT/JP2006/313646 JP2006313646W WO2007010768A1 WO 2007010768 A1 WO2007010768 A1 WO 2007010768A1 JP 2006313646 W JP2006313646 W JP 2006313646W WO 2007010768 A1 WO2007010768 A1 WO 2007010768A1
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capacitor
electrode
dielectric layer
dielectric
conductor
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PCT/JP2006/313646
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Hiroshi Kunimatsu
Yoshinori Oyabu
Tadahiro Minamikawa
Atsuyoshi Maeda
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 

Definitions

  • the present invention relates to a capacitor and a method for manufacturing the same.
  • a capacitor is one type of electronic component used in an electronic device, but the size of the capacitor has been reduced with the recent reduction in size of electronic devices. For example, in the case of multilayer ceramic capacitors, 0603 size (mounting area 0.6 mm X O. 3 mm), 1005 size (mounting area 1. Omm X O. 5 mm), etc. However, it is becoming mainstream in the strong field.
  • a multilayer ceramic capacitor is formed by stacking a plurality of internal electrode layers and a dielectric ceramic layer, and the dielectric ceramic is relatively brittle.
  • a thickness of 50 ⁇ m or less is a mechanical strength. It was difficult from the viewpoint of ensuring. This is because dielectric ceramics that occupy 1Z2 or more of the thickness of the multilayer ceramic capacitor are relatively brittle, and if the thickness of the element is 50 m or less, sufficient mechanical strength cannot be secured and handling becomes difficult.
  • Patent Document 1 As a capacitor having a structure that is considered suitable for low profile, there is a ceramic capacitor described in Patent Document 1, for example.
  • This ceramic capacitor is formed by forming capacitive electrodes on both surfaces of a ceramic substrate, and forming lead-out electrodes electrically connected to the other capacitive electrode on the same surface as one capacitive electrode. Since this ceramic capacitor has a large number of dielectric layers stacked like a multilayer capacitor, it can be considered that the height can be reduced to some extent compared to a multilayer capacitor.
  • Patent Document 2 As another prior art, there is a ceramic capacitor described in Patent Document 2.
  • a porous ceramic sintered layer is formed on both sides of a dense ceramic sintered layer having a thickness of 1 to: LO / zm, and the porous ceramic sintered layer is impregnated with metal to form a terminal electrode. It is. According to the present invention, the mechanical strength of the entire capacitor can be maintained even if the dense ceramic sintered layer is formed very thin.
  • Patent Document 3 As a prior art of a capacitor having a low profile and a certain flexibility, there is a capacitor described in Patent Document 3. In this capacitor, an dielectric is formed on a smooth metal foil, and a conductive layer is formed on the dielectric.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 7-111226
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 4-233711
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-39282 (particularly paragraphs 0063 to 0066, FIG. 11) Disclosure of the Invention
  • the ceramic capacitor described in Patent Document 1 has a structure in which the mechanical strength of the entire capacitor is ensured by the ceramic substrate. Since the dielectric ceramic is relatively brittle as described above, the ceramic substrate is thin. There is a limit to conversion. For this reason, there is a limit to reducing the height, and it is difficult to obtain a large capacity because it is difficult to reduce the distance between the capacity electrodes. Also, ceramic substrates are usually not bendable, so mounting on a flexible substrate is difficult.
  • the terminal electrode since the terminal electrode has a structure in which a porous ceramic is impregnated with a metal, it is a structure that is difficult to bend and is difficult to mount on a flexible substrate.
  • the porous ceramic since the porous ceramic is impregnated with a metal to form a terminal electrode, it is difficult to form a constant distance between the terminal electrodes facing each other through the dense ceramic sintered layer, and an electric field is generated in a portion near the distance. Concentration may increase leakage current or decrease withstand voltage.
  • the porous ceramic is impregnated with a metal to form a terminal electrode, there is a problem that it is difficult to pattern the terminal electrode.
  • the capacitor described in Patent Document 3 has a certain flexibility due to the malleability of the metal foil, and can have a low-profile structure. But dielectric on smooth metal foil Therefore, it is difficult to improve the adhesion between the metal foil and the dielectric. For this reason, when the capacitor is used by being embedded in the resin substrate, the metal foil and the dielectric may be peeled off due to the stress received from the resin substrate cover. Even if it is not used in a manner of embedding in a resin substrate, the metal foil and dielectric may be peeled off due to stress from a component such as a semiconductor mounted on a capacitor.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a capacitor that is low in profile and can be bent and that has excellent adhesion strength between layers.
  • a capacitor according to a preferred embodiment of the present invention includes an dielectric layer, a first capacitive electrode formed on a first main surface of the dielectric layer, and A second capacitor electrode formed on the second main surface of the dielectric layer, and a second capacitor electrode formed on the first main surface of the dielectric layer and electrically connected to the second capacitor electrode!
  • the dielectric layer has a thickness of 5 m or less, and the sum of the thicknesses of the first capacitor electrode and the second capacitor electrode is 5 m or more and the dielectric
  • the first and second capacitor electrodes and the extraction electrode have a malleable metal force, and the dielectric layer and the first and second capacitor electrodes are connected to each other. It is characterized by being sintered at the same time.
  • the sum of the thicknesses of the first and second capacitor electrodes is made larger than the thickness of the dielectric layer, and the mechanical strength of the entire capacitor is secured by the first and second capacitor electrodes.
  • the device can be made thin to reduce the height of the device and obtain a large capacity.
  • dielectric ceramics are brittle and are a material, but since they can withstand a certain amount of bending by thinning them, a bendable capacitor can be obtained, which can be mounted on a flexible substrate or mounted on a curved surface. Implementation is possible.
  • the first and second capacitor electrodes and the extraction electrode preferably have a malleable metal force, and preferably only a metal force, but impurities and additives may be added within a range that does not impair the metal malleability. May be included.
  • the lead electrode is disposed at a position where as much of the circumference of the lead electrode as possible is surrounded by the first capacitor electrode.
  • the external connection means (for example, bonding carrier, bump, via hole, etc.) connected to the external connection means is arranged so as to be surrounded by the external connection means connected to the first capacitor electrode, and the external connection means connected to the extraction electrode
  • the magnetic field generated by the connecting means and the magnetic field generated by the external connecting means connected to the first capacitor electrode cancel each other, and inductance can be reduced.
  • an extraction electrode is disposed in the center of the first capacitance electrode so that the entire circumference is surrounded by the first capacitance electrode, or the extraction electrode is arranged on the side of the dielectric layer. It is arranged so that it is close to the side and is surrounded by the first capacitor electrode in the direction excluding the direction facing the side, or the extraction electrode is arranged at the corner of the dielectric layer. If it is surrounded by the first capacitor electrode in the diagonal direction, external connection means connected to the first capacitor electrode can be arranged so as to surround the external connection means connected to the extraction electrode. Inductance can be reduced. Note that the “center portion of the capacitor electrode” does not mean a strict “center” or “center”, but means that it is not near the edge.
  • the capacitor of the present invention it is preferable to provide a plurality of the extraction electrodes.
  • the current path is doubled in the plane of the second capacitor electrode, so that the inductance of the capacitor can be further reduced.
  • a capacitor manufacturing method includes a dielectric green sheet including a dielectric powder and a binder and having a through hole, and a conductor green sheet including a metal powder and a binder. Preparing a laminate by stacking and pressing the conductor green sheet on both main surfaces of the dielectric green sheet so as to cover at least a part of the through-hole, and the lamination A dielectric layer formed by firing the dielectric green sheet, and one main surface of the dielectric layer.
  • the conductor green sheet is formed so that the sum of the thicknesses of the first and second conductor layers is not less than 5 ⁇ m and not less than twice the thickness of the dielectric layer. It is characterized by reluctantly.
  • the second conductor layer is a second capacitor electrode, and the first conductor layer is electrically connected to the second capacitor electrode through the through hole.
  • the thickness of the dielectric layer is made sufficiently thin and the sum of the thicknesses of the first and second conductor layers is made sufficiently larger than the thickness of the dielectric layer, so that the first and second By securing the mechanical strength of the entire capacitor with this conductor layer, the dielectric layer can be made thin to reduce the height of the element and obtain a large capacitance.
  • dielectric ceramics are brittle V materials, they can withstand a certain amount of bending by thinning them, so that a bendable capacitor can be obtained.
  • the thickness of the dielectric layer refers to the thickness of the thinnest portion
  • the thickness of the conductor layer refers to the thickness of the thinnest portion
  • the conductor green sheet and the dielectric green sheet are laminated and sintered simultaneously! /, So that the first and second conductor layers and the dielectric layer are combined. Capacitors with excellent adhesion can be obtained.
  • the first capacitor electrode and the lead electrode are formed by dividing the first conductor layer by etching or the like, the first capacitor electrode and the lead electrode are provided on the same surface. Capacitors can be easily manufactured. Alternatively, the first conductor layer may be used as a lead electrode and the first capacitor electrode may be formed separately.
  • the thicknesses of the first and second capacitive electrodes Since the capacitor is formed by integrally sintering the first and second capacitor electrodes and the dielectric layer, the capacitor is made thin and bendable, and the gap between the layers is increased. A capacitor having excellent adhesion strength can be obtained.
  • FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing a capacitor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the capacitor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view and a sectional view showing a capacitor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view and a sectional view showing a capacitor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view and a sectional view showing a capacitor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 (a) is a plan view showing the capacitor according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1 (b) is a cross-sectional view showing a cross section taken along line AA of FIG. 1 (a).
  • the capacitor of the present invention is formed on the dielectric layer 10, the first capacitor electrode 11 and the extraction electrode 13 formed on one main surface of the dielectric layer 10, and the other main surface of the dielectric layer 10.
  • the extraction electrode 13 is connected to the second capacitor electrode 12 through a through hole 14 formed in the dielectric layer 10.
  • the dielectric layer 10 has BaTiO force, and the first and second capacitor electrodes 11, 12 and the extraction electrode 1
  • the dielectric layer 10, the first and second capacitor electrodes 11, 12 and the extraction electrode 13 are sintered at the same time.
  • the thickness of the dielectric layer 10 is about 1.2 m, and the thicknesses of the first and second capacitor electrodes 11, 12 and the extraction electrode 13 are about 7.
  • the sum of the thicknesses of the capacitive electrode 11 and the second capacitive electrode 12 is approximately 15 ⁇ m. Since the thickness of the dielectric layer 10 is sufficiently thin, the entire capacitor is flexible and bendable.
  • a dielectric ceramic slurry was prepared by mixing and dispersing a binder composed mainly of lar and a solvent in which toluene and ethanol were mixed at a volume ratio of 1: 1.
  • the mixing ratio of the dielectric ceramic powder, binder and solvent was 10:10:80 by volume.
  • the volume of the dielectric ceramic powder was calculated by measuring the weight and dividing by the theoretical density (hereinafter, the volume of the powder was calculated by the same method).
  • a dielectric ceramic slurry was formed into a sheet by a doctor blade method to obtain a dielectric green sheet. The thickness of the dielectric green sheet was adjusted to 1.2 m after firing.
  • Ni powder having an average particle size of 0.5 ⁇ m, a binder mainly composed of polybutybutyral, and a solvent in which toluene and ethanol are mixed at a volume ratio of 1: 1 are mixed and dispersed.
  • a conductor slurry was produced.
  • the mixing ratio of Ni powder, binder and solvent was 10:10:80 by volume.
  • the conductor slurry was formed into a sheet by a doctor blade method to obtain a conductor drain sheet.
  • the thickness of the conductor green sheet was adjusted to 7.5 m after firing.
  • AI O (alumina) powder having an average particle diameter of 1. O / z m is prepared as an acidic inorganic material.
  • the Al O powder a binder mainly composed of polyvinyl butyral, toluene and ether.
  • a ceramic slurry for assisting firing was prepared by mixing and dispersing a solvent in which tanol was mixed at a volume ratio of 1: 1.
  • the mixing ratio of Al 2 O powder, binder and solvent is 10:10:
  • the ceramic slurry for firing assistance was formed into a sheet by the doctor blade method, and a green sheet for firing assistance having a thickness of 100 m was obtained.
  • a through-hole 14 having a diameter of 100 m was formed in the dielectric green sheet 20 by laser. Then, a dielectric green sheet 20, a conductor green sheet 21, and a firing auxiliary green sheet 22 were laminated in a positional relationship as shown in FIG. 2 (b). More specifically, a conductor drain sheet 21 is disposed at a position covering the through holes 14 on both main surfaces of the dielectric green sheet 20, and a firing auxiliary green sheet 22 is disposed on the outside thereof. After lamination, pressure bonding was performed for 30 seconds at 50 ° C and 200 MPa. The conductor green sheet 21 is crimped to one main surface of the dielectric green sheet 20 and the other main surface by crimping.
  • the conductor green sheet 21 thus crimped was connected inside the through hole 14. At this time, even if the conductor green sheets 21 are not sufficiently connected to each other inside the through hole 14, the viscosity of the conductor green sheet 21 decreases during the firing process described later, and the conductor green sheets 21 are connected inside the through hole 14. It is done.
  • the resulting laminate was heat treated at 280 ° C for 5 hours in a nitrogen atmosphere to perform a degreasing treatment. Furthermore, it was kept in a reducing atmosphere at 1150 ° C for 2 hours, and then cooled to a neutral atmosphere.
  • the firing atmosphere is based on the Ni-acid reduction equilibrium oxygen partial pressure of Ni, and the oxygen partial pressure is lower than this!
  • the soot state is called the reducing atmosphere, and the vicinity of the equilibrium oxygen partial pressure is called the neutral atmosphere! / Scold
  • the dielectric layer 10 and the first and second conductor layers 31 and 32 formed on both main surfaces of the dielectric layer 10 respectively.
  • a sintered body was formed.
  • a photoresist is applied onto the first conductor layer 31 and exposed to light and developed, and then a portion of the first conductor layer 31 is removed by performing a wet etching to remove the first conductor layer 31.
  • the layer 31 is connected to the second conductor layer 32 (second capacitor electrode 12) by the first capacitor electrode 11 and the second conductor through the through hole 14.
  • second capacitive electrode 12 The bow was divided into the punched electrode 13. Furthermore, the sintered body was cut to a dimension of 1. Omm X O. 5 mm along the cutting line B indicated by the alternate long and short dash line in the figure, and the capacitor shown in Figures l (a) and (b) was completed.
  • a capacitor is produced by variously changing the sum of the thicknesses of the dielectric layer and the first and second conductor layers by the same manufacturing method as described above, and a crack or the like occurs after bending to R5 mm. Observed not.
  • the results are shown in Table 1.
  • the thickness of the dielectric layer and the conductor layer was obtained by measuring the FIB (focused ion beam processing) cross section.
  • the thickness of the thinnest part of the dielectric layer sandwiched between the first conductor layer and the second conductor layer is defined as the “dielectric layer thickness”, and the first conductor layer and the second conductor layer are separated from each other.
  • the sum of the thicknesses of the thickest portions was defined as the “conductor layer thickness”.
  • the thickness of the conductor layer (the sum of the thicknesses of the first and second conductor layers) is smaller than twice the thickness of the dielectric layer.
  • the brittleness of the dielectric layer whose strength contribution was relatively large, affected the overall strength of the capacitor, and cracks were found in the conductor layer.
  • the conductor layer thickness was less than 5 ⁇ m, the mechanical strength of the conductor layer was insufficient, and cracks were confirmed in the conductor layer.
  • the dielectric layer thickness exceeded 5 m, so the dielectric layer could not withstand bending, and cracks were confirmed in the dielectric layer. This is because the dielectric ceramic constituting the dielectric layer is originally brittle and is a material, so it cannot withstand bending unless it is sufficiently thin.
  • each of the first and second capacitor electrodes and the extraction electrode is formed one by one.
  • the plan view of Fig. 3 (a) and the cross section of Fig. 3 (b) As shown in the figure (sectional view taken along the line CC in FIG. 3A), two lead electrodes 13 may be formed to form a three-terminal capacitor. In this way, the capacitor of the present invention can be used as a noise filter.
  • a plurality of first or / and second capacitor electrodes may also be formed.
  • FIG. 4 (a) is a plan view showing the capacitor of this embodiment
  • FIG. 4 (b) is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 4 (a).
  • the extraction electrode 13 is disposed at the center of the first capacitance electrode 11, and the entire circumference of the extraction electrode 13 is surrounded by the first capacitance electrode 11.
  • connection positions of bonding wires 15a and 15b as an example of external connection means are indicated by “X”.
  • currents in opposite directions flow through the bonding wire 15a and the bonding wire 15b, so that the magnetic field cancels out and the inductance is reduced.
  • FIG. 5 (a) is a plan view showing the capacitor of the fourth embodiment
  • FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along the line E—E of FIG. 5 (a).
  • This is a design example when a plurality of extraction electrodes 13a, 13b, and 13c are provided.
  • the connection position of the external connection means is indicated by “X”. In order to avoid complication of the figure, the external connection means is not shown in FIG. 5 (b).
  • the lead electrodes 13a, 13b, and 13c are arranged in such an arrangement that they are surrounded by the first capacitor electrode 11 at as large an angle as possible. It is not always necessary to be surrounded by the entire circumference.
  • the extraction electrode 13a By arranging the extraction electrode 13a at the corner of the dielectric layer 10, a range of about 180 ° on the diagonal side of the corner is surrounded by the first capacitor electrode 11 and connected to the extraction electrode 13a.
  • the external connection means to be connected is adjacent to the two external connection means connected to the first capacitor electrode 11. ing. Since the extraction electrode 13b is disposed in the middle of the side of the dielectric layer 10 in the vicinity of the side, the first capacitor electrode 11 has a range of about 270 ° other than the part facing the side.
  • the external connection means connected to the extraction electrode 13b is adjacent to the three external connection means connected to the first capacitor electrode 11.
  • the lead electrode 13c is arranged at the center of the first capacitor electrode 11, so that the entire circumference of the lead electrode 13 is surrounded by the first capacitor electrode 11 (in the range of 360 °), and the lead electrode 13c
  • the external connection means to be connected is adjacent to the four external connection means connected to the first capacitor electrode 11.
  • the above embodiment is a capacitor used for electronic devices that use high-frequency signals. Is particularly suitable.
  • the bonding wire is shown as a specific example of the external connection means.
  • the same effect is produced even with bumps, via holes, etc., so the external connection means is not particularly limited. ,.
  • the dielectric layer it is preferable to use a material such as a ferroelectric material that can obtain a high dielectric constant, and a perovskite structure such as SrTiO, (Ba, Sr) TiO, or Pb (Zr, Ti) 0 is used.
  • a material such as a ferroelectric material that can obtain a high dielectric constant
  • a perovskite structure such as SrTiO, (Ba, Sr) TiO, or Pb (Zr, Ti) 0 is used.
  • a genus acid salt or the like is preferred.
  • Cu, Ag, etc. may be used in addition to Ni, which uses Ni as the conductor layer.
  • a dielectric powder into the conductive ceramic sheet, it is possible to induce the conductor layer. It is also possible to further improve the adhesion of the electric layer. In that case, it is necessary to adjust the content ratio of the dielectric powder so that the conductor layer loses sufficient malleability! /.
  • firing was performed in a state where the firing auxiliary green sheet was pressure-bonded to the outside of the conductor green sheet.
  • the firing assisting green sheet may be fired without pressure bonding.
  • the binder and the solvent contained in the dielectric green sheet and the conductor green sheet are not limited to the above, and a known material force can be appropriately selected.
  • additives such as antifoaming agents and plasticizers may be added as appropriate.
  • the conductor green sheet is pressure-bonded and fired so as to cover a part of the through-hole formed in the dielectric green sheet, and the through-hole is filled with the conductor green sheet at the time of pressure bonding or firing, The force that the first conductor layer and the second conductor layer are electrically connected to each other.
  • the conductor paste is filled into the through hole and filled with the conductive paste, and then the conductor green sheet is crimped.
  • This method is particularly effective when the dielectric green sheet is relatively thick.

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Abstract

【課題】低背かつ屈曲可能であるとともに、層間の密着強度に優れたコンデンサを提供する。 【解決手段】誘電体層と、前記誘電体層の第１の主面に形成された第１の容量電極と、前記誘電体層の第２の主面に形成された第２の容量電極と、前記誘電体層の第１の主面に形成され前記第２の容量電極と電気的に接続されている引き出し電極とを備え、前記誘電体層の厚みは５μｍ以下であり、前記第１の容量電極と前記第２の容量電極の厚みの和は５μｍ以上かつ前記誘電体層の厚みの２倍以上であり、前記第１および第２の容量電極と前記引き出し導体とは展性を有する金属からなり、前記誘電体層と前記第１および第２の容量電極とを同時に焼結してなる。

Description

明 細 書
コンデンサおよびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、コンデンサおよびその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 電子機器に使用される電子部品の一種としてコンデンサがあるが、近年の電子機器 の小型化に伴ってコンデンサのサイズも小型化して 、る。例えば積層セラミックコンデ ンサでは、 0603サイズ（実装面積 0. 6mm X O. 3mm) , 1005サイズ（実装面積 1. Omm X O. 5mm)などの実装面積が小さい製品力 通信機などの小型化の要求が 強い巿場では主流を占めつつある。
[0003] そして最近では、実装面積の縮小にとどまらず、部品の低背化も強く要求されている 。その理由は、例えば携帯電話などでは極めて限られたスペースに実装基板を組み 込む必要があり、面積だけではなく厚み方向の寸法の制約も厳しいからである。
[0004] しかしながら、積層セラミックコンデンサは複数の内部電極層と誘電体セラミック層を 積み重ねて構成されており、誘電体セラミックは比較的脆いため、例えば厚みを 50 μ m以下とすることは機械的強度の確保の観点から困難であった。積層セラミックコ ンデンサの厚みの 1Z2以上を占める誘電体セラミックスは比較的脆いため、素子の 厚みを 50 m以下とすると十分な機械的強度を確保できずにハンドリングが困難に なるためである。
[0005] また、近年、実装基板として屈曲可能なフレキシブル基板の使用も拡大しており、か 力る基板への実装可能なコンデンサも求められている。
[0006] 低背化に好適と考えられる構造を有するコンデンサとして、例えば特許文献 1に記載 されたセラミックコンデンサがある。このセラミックコンデンサは、セラミック基板の両面 に容量電極を形成し、一方の容量電極と同一の面に、他方の容量電極と電気的に 接続した導出電極を形成してなる。このセラミックコンデンサは、積層コンデンサのよ うに多数の誘電体層を積層して ヽな 、ため、積層コンデンサと比較するとある程度の 低背化が可能であると考えられる。 [0007] 他の先行技術としては、特許文献 2に記載されたセラミックコンデンサがある。このセ ラミックコンデンサは、厚み 1〜： LO /z mの緻密セラミック焼結層の両側に多孔質セラミ ック焼結層を形成し、多孔質セラミック焼結層に金属を含浸させて端子電極とするも のである。この発明によれば、緻密セラミック焼結層を極めて薄く形成してもコンデン サ全体としての機械的強度を保つことができる。
[0008] また、低背で一定のフレキシブル性を有するコンデンサの先行技術としては、特許文 献 3に記載されたコンデンサがある。このコンデンサは、表面平滑な金属箔の上に誘 電体を形成し、該誘電体上に導電層を形成するものである。
特許文献 1：特開平 7 - 111226号公報
特許文献 2：特開平 4— 233711号公報
特許文献 3：特開 2005 - 39282号公報（特に段落 0063〜0066、図 11) 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 特許文献 1に記載されたセラミックコンデンサはセラミック基板によってコンデンサ全 体の機械的強度を確保して 、る構造であり、前述のように誘電体セラミックスは比較 的脆いため、セラミック基板の薄型化に限界がある。そのため、低背化に限界がある とともに、容量電極間の距離を小さくすることが困難なので大きな容量を得ることが困 難である。また、セラミック基板は通常、屈曲不可能であるのでフレキシブル基板上 への実装も難しい。
[0010] 特許文献 2に記載されたセラミックコンデンサにおいても、端子電極が多孔質セラミツ クに金属を含浸した構造であるため、屈曲困難な構造であり、フレキシブル基板への 実装が困難である。また、多孔質セラミックに金属を含浸して端子電極としているため 、緻密セラミック焼結層を介して対向する端子電極間の距離を一定に形成することが 困難であり、距離が近い部分に電界が集中してリーク電流が増大したり耐電圧性が 低下したりする。さらには、多孔質セラミックに金属を含浸して端子電極としているた め、端子電極のパターユングが難 、と 、う問題もある。
[0011] 特許文献 3に記載されたコンデンサでは、金属箔の展性により一定のフレキシブル性 を有し、また、低背な構造とすることが可能である。しかし、平滑な金属箔上に誘電体 を成膜するため、金属箔と誘電体の密着性を高めることが難しい。そのため、コンデ ンサを榭脂基板に埋め込んで使用するような場合には榭脂基板カゝら受ける応力によ つて金属箔と誘電体の剥離が生じるおそれがある。また、榭脂基板に埋め込むような 使用形態ではなくても、コンデンサ上に実装した半導体等の部品から応力を受けて 金属箔と誘電体の剥離が生じるおそれがある。
[0012] 本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、低背かつ屈曲可能であ るとともに、層間の密着強度に優れたコンデンサを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0013] 上記問題点を解決するために、本発明の好ま ヽ実施形態に係るコンデンサは、誘 電体層と、前記誘電体層の第 1の主面に形成された第 1の容量電極と、前記誘電体 層の第 2の主面に形成された第 2の容量電極と、前記誘電体層の第 1の主面に形成 され前記第 2の容量電極と電気的に接続されて!ヽる弓 Iき出し電極とを備え、前記誘 電体層の厚みは 5 m以下であり、前記第 1の容量電極と前記第 2の容量電極の厚 みの和は 5 m以上かつ前記誘電体層の厚みの 2倍以上であり、前記第 1および第 2の容量電極と前記引き出し電極とは展性を有する金属力 なり、前記誘電体層と前 記第 1および第 2の容量電極とを同時に焼結してなることを特徴とする。
[0014] 第 1および第 2の容量電極の厚みの和を誘電体層の厚みよりも大きくし、第 1および 第 2の容量電極によってコンデンサ全体の機械的強度を確保することにより、誘電体 層を薄層化して素子を低背化するとともに大きな容量を得ることができる。また、誘電 体セラミックスは脆 、材料であるが、薄くすることによってある程度の屈曲に耐えられ るようになるため、屈曲可能なコンデンサを得ることができ、フレキシブル基板への実 装や、曲面への実装が可能となる。
[0015] 第 1および第 2の容量電極と引き出し電極は展性を有する金属力 なることが望ましく 、金属のみ力 なることが好ましいが、金属の展性を阻害しない範囲で不純物や添 加物を含んでいてもよい。
[0016] また、本発明では第 1および第 2の容量電極を誘電体層と同時に焼結した場合には 、第 1および第 2の容量電極と誘電体層との密着力に優れたコンデンサを得ることが できる。 [0017] また、本発明の好ましい実施形態に係るコンデンサにおいては、引き出し電極の周 囲のできるだけ多くの部分が第 1の容量電極に囲まれるような位置に引き出し電極を 配置することにより、引き出し電極に接続される外部接続手段 (例えばボンディングヮ ィャ、バンプ、ビアホールなど）が第 1の容量電極に接続される外部接続手段に囲ま れるように配置されることになり、引き出し電極に接続される外部接続手段で発生す る磁界と第 1の容量電極に接続される外部接続手段で発生する磁界が互いに打ち 消しあって、インダクタンスを低減することができる。
[0018] より具体的には、例えば引き出し電極を前記第 1の容量電極の中央部に配置して第 1の容量電極に全周を囲まれるようにしたり、引き出し電極を誘電体層の辺の中途に 辺に近接するように配置して該辺に対向する方向を除く方向において第 1の容量電 極に囲まれるようにしたり、引き出し電極を誘電体層の角部に配置して該角部の対角 方向において第 1の容量電極に囲まれるようにすると、引き出し電極に接続される外 部接続手段を取り囲むように第 1の容量電極に接続される外部接続手段を配置する ことが可能となり、インダクタンスを低減することができる。なお、「容量電極の中央部」 とは厳密な「中央」あるいは「中心」を意味するものではなく、縁端近傍位置ではな ヽ という程度の意味である。
[0019] 近年、電子機器の動作周波数が高周波化する傾向にあり、周波数が高くなるほどコ ンデンサの等価直列インダクタンスの低減が重要である。
[0020] さらにまた、本発明のコンデンサにおいては、前記引き出し電極を複数個備えるよう にすることも好まし 、。 Iき出し電極を複数設けることによって第 2の容量電極の面内 で電流経路が複線化するので、さらにコンデンサのインダクタンスを低減することがで きる。
[0021] 本発明の好ましい実施形態に係るコンデンサの製造方法は、誘電体粉末とバインダ とを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属粉末とバインダとを含ん でなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、前記誘電体グリーンシートの両主面 に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前記導体グリーンシートを重ねて圧着 することにより積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有し、前記 誘電体グリーンシートが焼成されてなる誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に 形成され前記導体グリーンシートが焼成されてなる第 1の導体層と、前記誘電体層の 他方の主面に形成され前記導体グリーンシートが焼成されてなる第 2の導体層と、を 有し、前記第 1の導体層と前記第 2の導体層とが前記貫通孔を介して電気的に接続 して 、るコンデンサの製造方法であって、前記誘電体グリーンシートは前記誘電体層 の厚みが 5 m以下となるように形成され、前記導体グリーンシートは前記第 1および 第 2の導体層の厚みの和が 5 μ m以上かつ前記誘電体層の厚みの 2倍以上となるよ うに形成されて ヽることを特徴とする。
[0022] さらに、前記第 2の導体層の少なくとも一部は第 2の容量電極であり、前記第 1の導体 層を、前記貫通孔を介して前記第 2の容量電極と電気的に接続して ヽる引き出し電 極と、前記第 2の容量電極と電気的に絶縁されている第 1の容量電極と、に分割する 工程を含むようにしてもよい。
[0023] この製造方法により、誘電体層の厚みを十分に薄くするとともに第 1および第 2の導 体層の厚みの和を誘電体層の厚みよりも十分に大きくし、第 1および第 2の導体層に よってコンデンサ全体の機械的強度を確保することにより、誘電体層を薄層化して素 子を低背化するとともに大きな容量を得ることができる。また、誘電体セラミックスは脆 V、材料であるが、薄くすることによってある程度の屈曲に耐えられるようになるため、 屈曲可能なコンデンサを得ることができる。
なお、本発明でいう誘電体層の厚みとは最も薄い部分の厚みのことであり、導体層の 厚みとは最も厚 、部分の厚みのことである。
[0024] また、本発明の好ましい実施形態では、導体グリーンシートと誘電体グリーンシートと を積層して同時に焼結させて!/、るので、第 1および第 2導体層と誘電体層との密着力 に優れたコンデンサを得ることができる。
[0025] さらに、第 1の導体層をエッチング等によって分割して第 1の容量電極と引き出し電極 とを形成するようにすれば、同一面上に第 1の容量電極と引き出し電極とを備えたコ ンデンサを容易に製造することができる。あるいは、第 1の導体層は引き出し電極とし て用い、第 1の容量電極は別途形成するようにしてもょ ヽ。
発明の効果
[0026] 以上のように、本発明の好ましい実施形態によれば、第 1および第 2の容量電極の厚 みを誘電体層よりも厚くするとともに、第 1および第 2の容量電極と誘電体層とを一体 的に焼結してコンデンサを形成しているので、低背かつ屈曲可能であるとともに層間 の密着強度に優れたコンデンサを得ることができる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]本発明の第 1の実施例のコンデンサを示す平面図および断面図である。
[図 2]本発明の第 1の実施例のコンデンサの製造工程を示す断面図である。
[図 3]本発明の第 2の実施例のコンデンサを示す平面図および断面図である。
[図 4]本発明の第 3の実施例のコンデンサを示す平面図および断面図である。
[図 5]本発明の第 4の実施例のコンデンサを示す平面図および断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0028] 以下において添付図面を参照しつつ本発明を実施するための最良の形態について 説明する。
実施例 1
[0029] 図 1 (a)は本発明の第 1の実施例に係るコンデンサを示す平面図であり、図 1 (b)は 図 1 (a)の A— A線断面を示す断面図である。本発明のコンデンサは、誘電体層 10と 、誘電体層 10の一方の主面に形成された第 1の容量電極 11および引き出し電極 13 と、誘電体層 10の他方の主面に形成された第 2の容量電極 12と、を備えている。引 き出し電極 13は、誘電体層 10に形成されている貫通孔 14を介して第 2の容量電極 12と接続している。
[0030] 誘電体層 10は BaTiO力 なり、第 1および第 2の容量電極 11, 12と引き出し電極 1
3
3とは Mからなる。そして、誘電体層 10と第 1および第 2の容量電極 11, 12および引 き出し電極 13とは、同時に焼結されたものである。
[0031] また、誘電体層 10の厚みはおよそ 1. 2 mであり、第 1および第 2の容量電極 11, 1 2と引き出し電極 13の厚みはそれぞれおよそ 7. であって、第 1の容量電極 11 と第 2の容量電極 12との厚みの和はおよそ 15 μ mである。誘電体層 10の厚みが十 分に薄いので、コンデンサ全体として可撓性を有し、屈曲可能である。
[0032] 次に、本実施例のコンデンサの製造方法について詳細に説明する。
[0033] (1)グリーンシートを準備する工程 BaTiOを主成分とする平均粒径 0. 2 mの誘電体セラミック粉末と、ポリビュルブチ
3
ラールを主成分とするバインダと、トルエンとエタノールとを体積比 1： 1の割合で混合 した溶媒とを混合、分散し、誘電体セラミックスラリーを作製した。誘電体セラミック粉 末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で 10 : 10 : 80とした。ここで、誘電体セラミツ ク粉末の体積は、重量を測定して理論密度で除することによって算出した (以下、粉 末の体積は同じ方法で算出した)。次に、ドクターブレード法によって誘電体セラミツ クスラリーをシート状に成形し、誘電体グリーンシートを得た。誘電体グリーンシートの 厚みは、焼成後に 1. 2 mとなるように調整した。
[0034] また、平均粒径 0. 5 μ mの Ni粉末と、ポリビュルブチラールを主成分とするバインダ と、トルエンとエタノールとを体積比 1 : 1の割合で混合した溶媒とを混合、分散し、導 体スラリーを作製した。 Ni粉末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で 10 : 10 : 80と した。次に、ドクターブレード法によって導体スラリーをシート状に成形し、導体ダリー ンシートを得た。導体グリーンシートの厚みは、焼成後に 7. 5 mとなるように調整し た。
[0035] さらにまた、酸ィ匕物無機材料として平均粒径 1. O /z mの AI O (アルミナ)粉末を用意
2 3
し、この Al O粉末と、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエンとェ
2 3
タノールとを体積比 1 : 1の割合で混合した溶媒とを混合、分散し、焼成補助用セラミ ックスラリーを作製した。 Al O粉末とバインダと溶媒の混合比率は体積比で 10 : 10 :
2 3
80とした。次に、ドクターブレード法によって焼成補助用セラミックスラリーをシート状 に成形し、厚さ 100 mの焼成補助用グリーンシートを得た。
[0036] (2)積層工程
次に、図 2 (a)に示すようにレーザーによって誘電体グリーンシート 20に直径 100 mの貫通孔 14を形成した。そして、図 2 (b)に示すような位置関係で誘電体グリーン シート 20、導体グリーンシート 21、焼成補助用グリーンシート 22を積層した。より詳し くは、誘電体グリーンシート 20の両主面の貫通孔 14を覆う位置にそれぞれ導体ダリ ーンシート 21を配し、その外側に焼成補助用グリーンシート 22が配されている。積層 後に 50°C、 200MPaの条件で 30秒間の圧着を行った。圧着することにより、誘電体 グリーンシート 20の一方の主面に圧着された導体グリーンシート 21と他方の主面に 圧着された導体グリーンシート 21とが、貫通孔 14の内部で接続した。なお、このとき、 導体グリーンシート 21同士が貫通孔 14の内部で十分に接続していなくても、後述す る焼成工程中に導体グリーンシート 21の粘性が低下して貫通孔 14の内部で接続さ れる。
[0037] (3)焼成工程
得られた積層体を窒素雰囲気中 280°Cで 5時間の熱処理をして脱脂処理を行った。 さらに、還元雰囲気中 1150°Cで 2時間キープし、その後、中性雰囲気にして降温し た。なお、焼成雰囲気は Niの酸ィ匕還元平衡酸素分圧を基準としており、これより酸素 分圧が低!ヽ状態を還元雰囲気と称し、平衡酸素分圧近傍を中性雰囲気と称して!/ヽる
[0038] これ〖こより、図 2 (c)に示すように、誘電体層 10と誘電体層 10の両主面にそれぞれ形 成された第 1および第 2の導体層 31, 32とからなる焼結体が形成された。
[0039] 焼成中、焼成補助用グリーンシート 22は、第 1および第 2の導体層 31, 32から自然 剥離していた。その理由は以下のように考えられる。
導体グリーンシートに含まれる金属粉末と焼成補助用グリーンシートに含まれるアル ミナとでは、線膨張係数に比較的大きな差があることから、焼成工程中における焼成 炉の降温時に熱収縮量に差が生じ、導体グリーンシートと焼成補助用グリーンシート との界面に応力が生じる。さらに、焼成工程中に還元雰囲気から中性雰囲気側に酸 素分圧を変化させることによって、導体グリーンシートに含まれる金属粉末 (Ni粉末） の表面の酸化状態が変化して体積変化を生じる。この体積変化によって、導体ダリ ーンシートと焼成補助用グリーンシートとの界面の応力がさらに増加する。
このように、線膨張係数の差に起因する界面の応力と、金属粉末表面の酸化状態の 変化に起因する応力とが相俟って、焼成中の自然剥離が生じたものと考えられる。
[0040] (4)パターユングおよびカット工程
次に、第 1の導体層 31上にフォトレジストを塗布して露光'現像を行い、さら〖こウエット エッチングを行うことによって第 1の導体層 31の一部を除去して、第 1の導体層 31を 図 2 (d)に示すように第 2の導体層 32 (第 2の容量電極 12)と絶縁されている第 1の容 量電極 11と、貫通孔 14を介して第 2の導体層 32 (第 2の容量電極 12)と接続してい る弓 Iき出し電極 13とに分割した。さらに図に一点鎖線で示した切断線 Bに沿って焼 結体を 1. Omm X O. 5mmの寸法にカットし、図 l (a)， （b)に示したコンデンサが完 成した。
[0041] ここで、上記と同様の製造方法によって誘電体層と第 1および第 2の導体層の厚みの 和を種々変化させてコンデンサを作製し、 R5mmに屈曲させた後に亀裂等が発生し ていないかを観察した。その結果を表 1に示す。誘電体層と導体層の厚みは、 FIB ( 集束イオンビーム加工)断面を測定して求めた。第 1の導体層と第 2の導体層に挟ま れた部分の誘電体層のうち、最も薄い部分の厚みを「誘電体層厚み」とし、第 1の導 体層と第 2の導体層のそれぞれ最も厚い部分の厚みの和を「導体層厚み」とした。
[0042] [表 1]
Figure imgf000011_0001
[0043] 試料番号 3のコンデンサでは、導体層厚み (第 1および第 2の導体層の厚みの和）が 誘電体層厚みの 2倍よりも小さいため、コンデンサ全体の強度に占める誘電体層の 強度の貢献度が比較的大きぐ誘電体層の脆さがコンデンサ全体の強度に影響して 導体層にクラックが確認された。試料番号 4のコンデンサでは、導体層厚みが 5 μ m よりも小さいため、導体層の機械的強度が不足し、導体層に亀裂が確認された。試料 番号 5のコンデンサでは、誘電体層厚みが 5 mを超えているため、誘電体層が屈曲 に耐えることができず、誘電体層に亀裂が確認された。これは、誘電体層を構成する 誘電体セラミックスはもともと脆 、材料であるため、十分に薄くしな 、と屈曲に耐えら れないためである。
[0044] これに対して、本発明の範囲内である試料番号 1, 2のコンデンサは、 R5mmに屈曲 させた後にも、誘電体層、導体層に亀裂は発見されなかった。
実施例 2
[0045] 第 1の実施例では第 1および第 2の容量電極と引き出し電極とがそれぞれ一つずつ 形成されて 、るが、例えば図 3 (a)の平面図および図 3 (b)の断面図（図 3 (a)の C C線断面図）に示すように、引き出し電極 13を二つ形成して 3端子コンデンサとしても よい。このようにすれば、本発明のコンデンサをノイズフィルタとして使用することがで きる。また、第 1または/および第 2の容量電極も複数個形成されていてもよい。 実施例 3
[0046] 次に、本発明の第 3の実施例について説明する。図 4 (a)は本実施例のコンデンサを 示す平面図であり、図 4 (b)は図 4 (a)の D— D線断面図である。このコンデンサでは 、引き出し電極 13が第 1の容量電極 11の中央部に配置され、引き出し電極 13の全 周が第 1の容量電極 11に囲まれて 、る。
[0047] 図 4 (a)において外部接続手段の一例としてのボンディングワイヤ 15a, 15bの接続 位置は「X」で示されている。図 4 (b)に模式的に示すように、ボンディングワイヤ 15a とボンディングワイヤ 15bには互いに逆向きの電流が流れるため、磁界が打ち消しあ つてインダクタンスが低減される。
実施例 4
[0048] 図 5 (a)は第 4の実施例のコンデンサを示す平面図であり、図 5 (b)は図 5 (a)の E— E 線断面図である。これは、引き出し電極 13a, 13b, 13cを複数設けた場合の設計例 である。図 5 (a)において外部接続手段の接続位置を「X」で示している。また、図が 煩雑になることを避けるため、図 5 (b)では外部接続手段の図示を省略している。
[0049] 外部接続手段で発生する磁界を打ち消しあってインダクタンスを低減させるためには 、引き出し電極 13a, 13b, 13cの周囲ができるだけ大きな角度で第 1の容量電極 11 に囲まれるような配置に配置することが好ましぐ必ずしも全周が囲まれている必要は ない。
[0050] 引き出し電極 13aは誘電体層 10の角部に配置されることによって、該角部の対角側 のおよそ 180° の範囲が第 1の容量電極 11に囲まれ、引き出し電極 13aに接続され る外部接続手段は、第 1の容量電極 11に接続される二つの外部接続手段と隣接し ている。引き出し電極 13bは誘電体層 10の辺の中途部分に、辺に近接して配置され ていることによって、該辺に対向している部分以外のおよそ 270° の範囲が第 1の容 量電極 11に囲まれ、引き出し電極 13bに接続される外部接続手段は、第 1の容量電 極 11に接続される三つの外部接続手段と隣接している。引き出し電極 13cは第 1の 容量電極 11の中央部に配置されることにより、引き出し電極 13の全周が（すなわち 3 60° の範囲で)第 1の容量電極 11に囲まれ、引き出し電極 13cに接続される外部接 続手段は、第 1の容量電極 11に接続される四つの外部接続手段と隣接して 、る。
[0051] また、このコンデンサでは、引き出し電極 13a, 13b, 13cを複数設けることによって第 2の容量電極 12の面内で電流経路が複線ィ匕するので、さらにコンデンサの等価直列 インダクタンスを低減することができる。
[0052] なお、図 3〜図 5のコンデンサにおいて特に説明しなかった部分は実施例 1のコンデ ンサと同様であり、実施例 1と同様の作用効果を奏して 、る。
[0053] 近年、電子機器の動作周波数が高周波化する傾向にあり、周波数が高くなるほどコ ンデンサの等価直列インダクタンスの低減が重要となるため、上記実施例は高周波 信号を使用する電子機器に用いるコンデンサとして特に好適である。
[0054] 上記実施例において、外部接続手段の具体例としてボンディングワイヤを示したが、 バンプやビアホールなどであっても同様の作用効果が発生するので、外部接続手段 が特に限定されるものではな 、。
[0055] 上記実施例 1〜4は本発明の具体的実施態様の例示であり、本発明が上記実施例 に限定されるものではないことはいうまでもない。具体的には、例えば以下の点につ Vヽて適宜変更をカ卩えることが可能である。
[0056] (A)誘電体層
誘電体層としては、強誘電体などの高 、誘電率を得られる材料を用いることが好まし く、 SrTiO , (Ba, Sr)TiO , Pb (Zr, Ti) 0などのぺロブスカイト型構造を有する金
3 3 3
属酸ィ匕物などが好適である。
[0057] (B)導体層
上記実施例では導体層として Niを用いている力 Ni以外に Cu, Agなどを用いてもよ い。また、導電セラミックシートに、誘電体粉末を含有させることによって、導体層と誘 電体層の密着力をさらに向上させることもできる。その場合、導体層が十分な展性を 失わな!/、ように誘電体粉末の含有比率を調整する必要がある。
[0058] (C)焼成方法
上記の実施例では導体グリーンシートの外側に焼成補助用グリーンシートを圧着し た状態で焼成を行ったが、焼成補助用グリーンシートを圧着せずに焼成してもよ ヽ。
[0059] (D)バインダおよび溶剤
誘電体グリーンシートおよび導体グリーンシートに含有されるバインダおよび溶剤は 上記に限定されるものではなぐ公知の材料力も適宜選択することが可能である。ま た、消泡剤や可塑剤などの添加剤を適宜添加してもよ ヽ。
[0060] (E)貫通孔の充填
上記実施例では、誘電体グリーンシートに形成された貫通孔の一部を覆うように導体 グリーンシートを圧着、焼成することにより、圧着時または焼成時に該貫通孔が導体 グリーンシートによって充填されて、第 1の導体層と第 2の導体層とが電気的に接続 するようにされている力 貫通孔の内部にあら力じめ導電性ペーストを充填してから 導体グリーンシートを圧着するようにすれば、第 1の導体層と第 2の導体層をより確実 に接続することができる。特に、誘電体グリーンシートが比較的厚い場合にこの方法 が有効である。

Claims

請求の範囲
[1] 誘電体層と、前記誘電体層の第 1の主面に形成された第 1の容量電極と、前記誘電 体層の第 2の主面に形成された第 2の容量電極と、前記誘電体層の第 1の主面に形 成され前記第 2の容量電極と電気的に接続されて!、る弓 Iき出し電極とを備え、 前記誘電体層の厚みは 5 μ m以下であり、
前記第 1の容量電極と前記第 2の容量電極の厚みの和は 5 μ m以上かつ前記誘電 体層の厚みの 2倍以上であり、
前記第 1および第 2の容量電極と前記引き出し導体とは展性を有する金属からなり、 前記誘電体層と前記第 1および第 2の容量電極とを同時に焼結してなることを特徴と するコンデンサ。
[2] 前記引き出し電極は、前記第 1の容量電極の中央部に配置されて前記第 1の容量電 極に全周を囲まれていることを特徴とする請求項 1に記載のコンデンサ。
[3] 前記引き出し電極は、前記誘電体層の辺の中途に辺に近接して配置され、該辺に 対向する方向を除く方向にぉ 、て前記第 1の容量電極に囲まれて 、ることを特徴と する請求項 1に記載のコンデンサ。
[4] 前記引き出し電極は、前記誘電体層の角部に配置され、該角部の対角方向におい て前記第 1の容量電極に囲まれていることを特徴とする請求項 1に記載のコンデンサ
[5] 前記引き出し電極を複数個備えることを特徴とする請求項 1ないし請求項 4のうちい ずれか一項に記載のコンデンサ。
[6] 誘電体粉末とバインダとを含んでなり貫通孔を有する誘電体グリーンシートと、金属 粉末とバインダとを含んでなる導体グリーンシートと、を用意する工程と、
前記誘電体グリーンシートの両主面に、前記貫通孔の少なくとも一部を覆うように前 記導体グリーンシートを重ねて圧着することにより積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成する工程とを有し、
前記誘電体グリーンシートが焼成されてなる誘電体層と、前記誘電体層の一方の主 面に形成され前記導体グリーンシートが焼成されてなる第 1の導体層と、前記誘電体 層の他方の主面に形成され前記導体グリーンシートが焼成されてなる第 2の導体層 と、を有し、前記第 1の導体層と前記第 2の導体層とが前記貫通孔を介して電気的に 接続して 、るコンデンサの製造方法であって、
前記誘電体グリーンシートは前記誘電体層の厚みが 5 μ m以下となるように形成され 前記導体グリーンシートは前記第 1および第 2の導体層の厚みの和が 5 μ m以上か つ前記誘電体層の厚みの 2倍以上となるように形成されていることを特徴とするコン デンサの製造方法。
前記第 2の導体層の少なくとも一部は第 2の容量電極であり、
前記第 1の導体層を、前記貫通孔を介して前記第 2の容量電極と電気的に接続して いる引き出し電極と、前記第 2の容量電極と電気的に絶縁されて 、る第 1の容量電極 と、に分割する工程を含むことを特徴とする請求項 6に記載のコンデンサの製造方法
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017079255A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ
JP2021524671A (ja) * 2018-05-21 2021-09-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 回路ダイを含む極薄でフレキシブルなデバイス
WO2022004020A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4438842B2 (ja) * 2007-08-31 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 半導体発光素子のための駆動回路およびこれを用いた光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置
TWI382433B (zh) * 2007-10-16 2013-01-11 Ind Tech Res Inst 提升自振頻率之電容結構
US20090122463A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Avx Corporation Top to bottom electrode connection on single layer ceramic capacitors
JP5234521B2 (ja) * 2009-08-21 2013-07-10 Ｔｄｋ株式会社 電子部品及びその製造方法
JP5672678B2 (ja) * 2009-08-21 2015-02-18 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法
US9164586B2 (en) 2012-11-21 2015-10-20 Novasentis, Inc. Haptic system with localized response
US9837209B2 (en) * 2012-11-21 2017-12-05 Qualcomm Incorporated Capacitor structure for wideband resonance suppression in power delivery networks
US9507468B2 (en) * 2013-08-30 2016-11-29 Novasentis, Inc. Electromechanical polymer-based sensor
US10125758B2 (en) 2013-08-30 2018-11-13 Novasentis, Inc. Electromechanical polymer pumps
CN111328424B (zh) * 2017-11-15 2022-01-11 株式会社村田制作所 薄膜电容器以及金属化薄膜
US10373767B2 (en) * 2017-11-21 2019-08-06 Vactronix Scientific, Llc Structural supercapacitor composite and method of making same
CN107946074A (zh) * 2017-12-26 2018-04-20 广州天极电子科技有限公司 一种单层电容器及制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01236698A (ja) * 1987-11-25 1989-09-21 Hitachi Ltd コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板
JPH04233711A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Mitsubishi Materials Corp セラミックコンデンサ及びその製造方法
JPH07201651A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層コンデンサ
JP2001148325A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5470412A (en) * 1992-07-30 1995-11-28 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Process for producing a circuit substrate
US6709749B1 (en) * 1995-06-06 2004-03-23 Lamina Ceramics, Inc. Method for the reduction of lateral shrinkage in multilayer circuit boards on a substrate
US5936848A (en) * 1995-12-20 1999-08-10 Intel Corporation Electronics package that has a substrate with an array of hollow vias and solder balls that are eccentrically located on the vias
DE69837516T2 (de) * 1997-11-14 2007-12-27 Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo Vielschichtkondensator
JP3666321B2 (ja) * 1999-10-21 2005-06-29 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法
JP3337018B2 (ja) * 1999-11-19 2002-10-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路
US6395996B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-28 Silicon Integrated Systems Corporation Multi-layered substrate with a built-in capacitor design
JPWO2002089161A1 (ja) * 2001-04-27 2004-08-19 松下電器産業株式会社 コンデンサおよびその製造方法
US7016490B2 (en) * 2001-05-21 2006-03-21 Conexant Systems, Inc. Circuit board capacitor structure for forming a high voltage isolation barrier
US6898846B2 (en) * 2002-08-21 2005-05-31 Potomac Photonics, Inc. Method and components for manufacturing multi-layer modular electrical circuits
US20040108134A1 (en) * 2002-10-11 2004-06-10 Borland William J. Printed wiring boards having low inductance embedded capacitors and methods of making same
JP2004146748A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Alps Electric Co Ltd 薄膜キャパシタ素子
US6930875B2 (en) * 2003-06-12 2005-08-16 Tdk Corporation Multi-layered unit
US7029971B2 (en) * 2003-07-17 2006-04-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thin film dielectrics for capacitors and methods of making thereof
US7056800B2 (en) * 2003-12-15 2006-06-06 Motorola, Inc. Printed circuit embedded capacitors
WO2005062355A1 (en) * 2003-12-23 2005-07-07 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Capacitor
CN101176171B (zh) * 2005-05-10 2011-03-16 株式会社村田制作所 薄膜电容器的制造方法
US7339225B2 (en) * 2005-05-20 2008-03-04 Faraday Technology Corp. Capacitor structure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01236698A (ja) * 1987-11-25 1989-09-21 Hitachi Ltd コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板
JPH04233711A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Mitsubishi Materials Corp セラミックコンデンサ及びその製造方法
JPH07201651A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層コンデンサ
JP2001148325A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017079255A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ
JP2021524671A (ja) * 2018-05-21 2021-09-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 回路ダイを含む極薄でフレキシブルなデバイス
WO2022004020A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004019A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004016A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004013A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタを備える電子回路基板
WO2022004017A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタを備える電子回路基板
WO2022004015A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004014A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004021A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板
WO2022004018A1 (ja) * 2020-06-29 2022-01-06 Tdk株式会社 薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、薄膜キャパシタを備える電子回路基板
KR20220116560A (ko) * 2020-06-29 2022-08-23 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 이것을 구비하는 전자 회로 기판
KR20220116561A (ko) * 2020-06-29 2022-08-23 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 그 제조 방법 및 박막 캐패시터를 구비하는 전자 회로 기판
KR20220116559A (ko) * 2020-06-29 2022-08-23 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 그 제조 방법 및 박막 캐패시터를 구비하는 전자 회로 기판
KR20220121869A (ko) * 2020-06-29 2022-09-01 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 이것을 구비하는 전자 회로 기판
KR102642386B1 (ko) * 2020-06-29 2024-02-29 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 그 제조 방법 및 박막 캐패시터를 구비하는 전자 회로 기판
KR102654266B1 (ko) * 2020-06-29 2024-04-04 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 이것을 구비하는 전자 회로 기판
KR102682841B1 (ko) * 2020-06-29 2024-07-09 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 이것을 구비하는 전자 회로 기판
KR102694880B1 (ko) * 2020-06-29 2024-08-14 티디케이가부시기가이샤 박막 캐패시터 및 그 제조 방법 및 박막 캐패시터를 구비하는 전자 회로 기판

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