CN112614697B - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使在电介质层的厚度薄的情况下也能够抑制绝缘电阻的下降的层叠陶瓷电容器。在从层叠方向俯视内部电极层时，内部电极层具有成为有效区域的内部电极主体部和将内部电极主体部引出到层叠体的第1端面或第2端面的内部电极引出部，层叠体的宽度方向上的内部电极引出部的长度为内部电极主体部的长度的1/2以下。内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性相对高的第1区域和上述导电成分的连续性相对低的第2区域。内部电极主体部的大致中央部包含上述第1区域，内部电极引出部的至少一部分包含上述第2区域。

Description

层叠陶瓷电容器
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电容器。
背景技术
作为层叠陶瓷电容器的一个例子，在日本特开2004-179531号公报公开了一种具有如下构造的层叠陶瓷电子部品，即，在陶瓷元件中隔着陶瓷层对置地配置多个内部电极，且相互对置的内部电极交替地被引出到陶瓷元件的相反侧的端面，并与形成在该端面的外部电极连接，其中，通过将内部电极的引出部设为宽度随着接近陶瓷元件的端面而逐渐变窄的锥形形状部，从而防止水分侵入到陶瓷元件的内部。
在日本特开2004-179531号公报记载的层叠陶瓷电容器例如通过如下方式制作，即，在将印刷了内部电极的陶瓷生片进行层叠、压接、烧成之后，形成外部电极。
为了提高层叠陶瓷电容器的静电电容，可考虑使将内部电极绝缘的电介质层的厚度变薄而使内部电极间的距离变短，但是若使电介质层的厚度变薄，则存在内部电极间的绝缘性下降且层叠陶瓷电容器的绝缘电阻下降这样的问题。
发明内容
本发明的主要的目的在于，提供一种即使在电介质层的厚度薄的情况下也能够抑制绝缘电阻的下降的层叠陶瓷电容器。
基于本发明的第1方面的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含交替地层叠的多个电介质层以及多个内部电极层，并具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与上述层叠方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面、和在与上述层叠方向以及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面；以及外部电极，设置在上述层叠体的表面，并与上述内部电极层连接，在上述层叠陶瓷电容器中，上述电介质层的平均厚度为0.5μm以下，在从上述层叠方向俯视上述内部电极层时，上述内部电极层具有成为有效区域的内部电极主体部和将上述内部电极主体部引出到上述层叠体的上述第1端面或上述第2端面的内部电极引出部，上述层叠体的宽度方向上的上述内部电极引出部的长度为上述内部电极主体部的长度的1/2以下，上述内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性相对高的第1区域和上述导电成分的连续性相对低的第2区域，上述内部电极主体部的大致中央部包含上述第1区域，上述内部电极引出部的至少一部分包含上述第2区域。
基于本发明的第2方面的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含交替地层叠的多个电介质层以及多个内部电极层，并具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与上述层叠方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面、和在与上述层叠方向以及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面；以及外部电极，设置在上述层叠体的表面，并与上述内部电极层连接，上述层叠陶瓷电容器的特征在于，上述电介质层的平均厚度为构成上述电介质层的电介质颗粒的平均粒径的3.4倍以下，在从上述层叠方向俯视上述内部电极层时，上述内部电极层具有成为有效区域的内部电极主体部和将上述内部电极主体部引出到上述层叠体的上述第1端面或上述第2端面的内部电极引出部，上述层叠体的宽度方向上的上述内部电极引出部的长度为上述内部电极主体部的长度的1/2以下，上述内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性为阈值以上的第1区域和上述导电成分的连续性不足阈值的第2区域，上述内部电极主体部的大致中央部包含上述第1区域，上述内部电极引出部的至少一部分包含上述第2区域，在上述内部电极主体部的上述第1侧面侧的端部，将上述层叠体在与上述长度方向以及上述层叠方向平行且与上述宽度方向垂直的方向上切断，在切断面中，将上述内部电极主体部在上述长度方向上进行5等分，并从上述第1端面起依次设定为区域La、区域Lb、区域Lc、区域Ld以及区域Le，该情况下的上述区域Lb中的上述内部电极层的导电成分的连续性比上述区域La以及上述区域Lc中的上述内部电极层的导电成分的连续性高，在从上述内部电极主体部的上述第1侧面侧的端部向上述第2侧面侧移动了20μm的位置、以及上述内部电极主体部的宽度方向上的中央的位置，将上述层叠体在与上述长度方向以及上述层叠方向平行且与上述宽度方向垂直的方向上切断，在切断面中，将上述内部电极主体部在上述长度方向上进行5等分，此时的上述第1端面侧的区域中的上述内部电极层的导电成分的连续性比上述内部电极主体部的大致中央的区域中的上述内部电极层的导电成分的连续性低。
根据与附图相关联而进行理解的关于本发明的以下的详细的说明，本发明的上述以及其它目的、特征、方面以及优点将变得清楚。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的I-I线剖视图。
图3是示意性地示出在LT剖面中测定线覆盖率(line coverage)的方法的图。
图4是在实际的层叠陶瓷电容器中对在图3中用虚线示出的区域进行了放大的SEM图像。
图5是图1所示的层叠陶瓷电容器的II-II线剖视图。
图6是图1所示的层叠陶瓷电容器的III-III线剖视图。
图7是图1所示的层叠陶瓷电容器的IV-IV线剖视图。
图8是对在实施例1涉及的层叠陶瓷电容器中使LT剖面露出的位置进行说明的WT剖面的SEM图像。
图9是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域La的SEM图像。
图10是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Lb的SEM图像。
图11是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Lc的SEM图像。
图12是实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的WT剖面的SEM图像。
图13是将图12的上部在上下方向上拉长的放大图。
图14是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wa的SEM图像。
图15是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wb的SEM图像。
图16是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wc的SEM图像。
具体实施方式
以下，对本发明的层叠陶瓷电容器进行说明。
然而，本发明并不限定于以下的结构，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当地变更而进行应用。另外，将以下记载的每个优选的结构组合了两个以上的结构也是本发明。
[层叠陶瓷电容器]
本发明的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含交替地层叠的多个电介质层以及多个内部电极层，并具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与上述层叠方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面、和在与上述层叠方向以及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面；以及外部电极，设置在上述层叠体的表面，并与上述内部电极层连接。
在本说明书中，将层叠陶瓷电容器以及层叠体的层叠方向、长度方向、宽度方向设为在图1中分别用T、L、W规定的方向。在此，层叠方向(T方向)、长度方向(L方向)以及宽度方向(W方向)相互正交。层叠方向(T方向)是叠放多个电介质层和多个内部电极层的方向。
图1是示意性地示出本发明的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。
如图1所示，层叠陶瓷电容器1包含层叠体10和设置在层叠体10的表面的第1外部电极51以及第2外部电极52。
层叠体10具有：第1主面11以及第2主面12，在层叠方向(T方向)上相对；第1侧面13以及第2侧面14，在与层叠方向(T方向)正交的宽度方向(W方向)上相对；和第1端面15以及第2端面16，在与层叠方向(T方向)以及宽度方向(W方向)正交的长度方向(L方向)上相对。
在本说明书中，将与第1端面15以及第2端面16正交且与层叠方向(T方向)平行的层叠陶瓷电容器1或层叠体10的剖面称为LT剖面。此外，将与第1侧面13以及第2侧面14正交且与层叠方向(T方向)平行的层叠陶瓷电容器1或层叠体10的剖面称为WT剖面。此外，将与第1端面15、第2端面16、第1侧面13以及第2侧面14正交且与层叠方向(T方向)正交的层叠陶瓷电容器1或层叠体10的剖面称为LW剖面。
层叠体10优选在角部以及棱线部带有圆角。角部是层叠体的三个面相交的部分，棱线部是层叠体的两个面相交的部分。
在图1所示的层叠陶瓷电容器1中，层叠体10的长度方向(L方向)上的尺寸比宽度方向(W方向)上的尺寸长。但是，层叠体10的长度方向上的尺寸也可以比宽度方向上的尺寸短，还可以与宽度方向上的尺寸相同。
第1外部电极51配置在层叠体10的第1端面15。第1外部电极51优选配置为从层叠体10的第1端面15延伸并覆盖第1主面11、第2主面12、第1侧面13以及第2侧面14的一部分。
第2外部电极52配置在层叠体10的第2端面16。第2外部电极52优选配置为从层叠体10的第2端面16延伸并覆盖第1主面11、第2主面12、第1侧面13以及第2侧面14的一部分。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的I-I线剖视图。
层叠体10包含交替地层叠的多个电介质层20和多个内部电极层21。
如图2所示，在层叠体10的第1端面15以及第2端面16的附近，内部电极层21朝向层叠方向上的中央侧变形。
该变形源自使用在表面赋予了成为内部电极层的电极图案的陶瓷生片来制作层叠体这样的层叠陶瓷电容器的制造工艺。
推测在引出内部电极的部分中在电介质层产生以下的行为。若将印刷了成为内部电极层的电极图案的陶瓷生片层叠多片，则形成有电极图案的部分变厚，未形成电极图案的部分变薄。关于引出内部电极层的部分，因为内部电极层被交替地引出到对置的端面，因此其厚度变得比形成成为有效部的内部电极层的区域薄。
推测若对这样的层叠体进行加压成型，则在陶瓷生片的厚度薄的区域即引出内部电极层的部分会施加来自层叠方向以外的方向的力，电介质层产生位移而产生内部电极间的绝缘电阻的下降。特别是，可认为若电介质层的厚度变薄，则绝缘电阻的下降的程度变得不能忽略。
被内部电极层21夹着的电介质层20的平均厚度为0.5μm以下。
被内部电极层21夹着的电介质层20的平均厚度优选为0.1μm以上且0.5μm以下。
电介质层20由电介质材料形成。作为电介质材料，例如能够使用包含钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡钙或锆酸钙等主成分的电介质陶瓷。
在作为主成分而包含上述的电介质材料的情况下，根据所希望的层叠陶瓷电容器1的特性，例如也可以使用添加了Mg化合物、Mn化合物、Si化合物、Al化合物、V化合物、Ni化合物等含量比主成分少的副成分的材料。
构成成为电介质层20的陶瓷生片的烧成前的电介质材料的平均粒子直径优选为150nm以下。对于电介质层的薄层化而言，陶瓷生片的平均厚度优选为烧成前的电介质材料的平均粒子直径的4.7倍以下。
此外，构成烧成后的电介质层20的电介质颗粒的粒径由于粒生长而成为大致100nm至400nm的范围内。电介质颗粒的平均粒径优选在150nm至300nm的范围内。对于层叠陶瓷电容器的低高度化而言，优选烧成后的电介质层20的平均厚度为0.5μm以下，优选电介质层20的平均厚度为电介质颗粒的平均粒径的3.4倍以下。为了充分地得到电介质层20对内部电极层21的电绝缘，优选电介质层20的平均厚度为电介质颗粒的平均粒径的1.3倍以上。
另外，关于多个内部电极层以及多个电介质层各自的平均厚度，用SEM对通过研磨而露出的与层叠体的长度方向正交的剖面进行观察，测定如下的合计5条线上的厚度，并设为该5个测定值的平均值，该5条线是通过层叠体的剖面的中心的沿着层叠方向的中心线、以及从该中心线在两侧以等间隔引出的各两条线。
此外，电介质颗粒的平均粒径能够通过对用SEM扫描的剖视图像进行分析而测定。例如，通过使用依照JISG0511的标准的测定平均粒径的软件，从而可测定电介质颗粒的平均粒径。
内部电极层21能够包含适当的导电成分。内部电极层21例如含有Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、包含这些金属中的一种的例如Ag-Pd合金等合金。内部电极层21也可以进一步包含与电介质层20包含的电介质材料相同的组成类的电介质粒子。
内部电极层21的合计的层叠片数优选为5片以上且2000片以下，更优选为40片以上且400片以下。
内部电极层21的平均厚度优选为0.3μm以上且30μm以下。
优选地，在露出于第1端面15的内部电极层21的表面连续地形成有致密部51a，致密部51a是构成第1外部电极51的导电成分的比率相对高且空隙率相对低的部分。
此外，优选地，在露出于第2端面16的内部电极层21的表面连续地形成有致密部52a，致密部52a是构成第2外部电极52的导电成分的比率相对高且空隙率相对低的部分。
若在露出于第1端面15的内部电极层21的表面以及露出于第2端面16的内部电极层21的表面分别形成有致密部51a以及致密部52a，则能够使内部电极层21与第1外部电极51或第2外部电极52的接触性提高。
优选地，第1外部电极51的致密部51a以及第2外部电极52的致密部52a中的导电成分的比率比第1外部电极51以及第2外部电极52的致密部以外的部分中的导电成分的比率高。此外，优选地，第1外部电极51的致密部51a以及第2外部电极52的致密部52a中的空隙率比第1外部电极51以及第2外部电极52的致密部以外的部分中的空隙率低。
第1外部电极51以及第2外部电极52的导电成分的比率能够通过SEM-EDX进行测定。
具体地，根据通过SEM-EDX对在LT方向上切断了层叠陶瓷电容器时的第1外部电极51以及第2外部电极52的切断面进行测定而得到的元素映射图像，将导电成分所占面积在100nm×100nm的面积中所占的比例作为导电成分的比率，将外部电极在长度方向上分割成3个区域，从各区域各对3个部位进行测定，将测得的导电成分的比率的平均值作为外部电极的导电成分的比率。
另一方面，致密部中的导电成分的比率设为如下的导电成分的比率的平均值，该导电成分的比率是在露出于层叠体10的第1端面15或第2端面16的内部电极层21的表面的100nm×100nm的区域中对5个部位进行测定而得到的。
第1外部电极51以及第2外部电极52的空隙率能够通过SEM进行测定。
具体地，在通过SEM对在LT方向上切断了层叠陶瓷电容器时的第1外部电极51以及第2外部电极52的切断面进行观测而得到的放大图像中，将空隙的面积在100nm×100nm的面积中所占的比例作为空隙率。
另一方面，致密部中的空隙率设为如下的空隙率的平均值，该空隙率是在露出于层叠体10的第1端面15或第2端面16的内部电极层21的表面的100nm×100nm的区域中对5个部位进行测定而得到的。
在本发明的层叠陶瓷电容器中，内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性相对高的第1区域和导电成分的连续性相对低的第2区域。
构成内部电极层的导电成分的连续性的高低通过用以下的方法测定的线覆盖率进行比较。
首先，对层叠体的LT剖面进行研磨而使内部电极层露出，使得内部电极层露出。此时，通过研磨除去内部电极下垂。接下来，将层叠体中的、内部电极层的成为有效部的区域在层叠体的长度方向上进行5等分，并划分最靠近层叠体的一个端面的区域(区域La)、中央的区域(区域Lc)以及被它们夹着的区域(区域Lb)这3个区域。此后，对于各区域的全部的内部电极层，对将内部电极层假定为厚度均匀的片材的情况下的内部电极层的面积和构成实际的内部电极层的导电成分所占的面积进行比较，将构成实际的内部电极层的导电成分所占面积相对于将内部电极层假定为厚度均匀的片材的情况下的内部电极层的面积的比例作为线覆盖率。将求出的全部的内部电极层的线覆盖率的平均值作为各区域的线覆盖率的平均值。
SEM的放大倍率只要为1000倍以上且5000倍以下即可，但是优选为2000倍。另外，假设在所有的区域中，加速电压、倍率等测定条件是固定的。
另外，在测定线覆盖率时露出的层叠体的剖面也可以是WT剖面。在该情况下，将内部电极层的成为有效部的区域在层叠体的宽度方向上进行5等分，将最靠近层叠体的一个侧面的区域设为区域Wa，将中央的区域设为Wc，将被它们夹着的区域设为Wb，并求出各区域中的线覆盖率的平均值。
参照图3以及图4对线覆盖率的测定方法进行说明。
图3是示意性地示出在LT剖面中测定线覆盖率的方法的图，是在图2所示的层叠陶瓷电容器的剖视图中追加了辅助线的图。
在图3所示的层叠陶瓷电容器1中成为有效部的区域是露出在第1端面15的内部电极层21和露出在第2端面16的内部电极层21对置的区域(在图3中，用双箭头L1示出的区域)。在将成为有效部的区域L1在层叠体10的长度方向上进行5等分的各区域(La、Lb、Lc、Ld、Le)之中，划分最靠近第1端面15的区域La、中央的区域Lc、被它们夹着的区域Lb。
将在实际的层叠陶瓷电容器中对图3所示的区域La进行了观察的SEM图像示于图4。图4是在实际的层叠陶瓷电容器中对在图3中用虚线示出的区域进行了放大的SEM图像。
如图4所示，在区域La中，交替地层叠有内部电极层21和电介质层20。
电介质层20包含电介质颗粒120。
内部电极层21具有存在导电成分121的区域和不存在导电成分121的区域122。
在图4所示的SEM图像中，实际构成内部电极层21的导电成分121所占的区域的长度(即，除不存在导电成分121的区域以外的长度)相对于长度与区域La相同的假想线Lp的长度的比例成为线覆盖率。
对各区域的全部的内部电极层进行该线覆盖率的测定，并求出了平均值。
关于利用了上述方法的线覆盖率的测定，在层叠体的变更了宽度方向上的切断位置的多个LT剖面中进行测定，由此能够求出构成内部电极层的内部电极主体部中的线覆盖率的分布。
通过上述方法求出的线覆盖率的平均值为给定的阈值以上的区域为第1区域，通过上述方法求出的线覆盖率的平均值不足给定的阈值的区域为第2区域。
线覆盖率的给定的阈值设为在宽度方向上的中央处切断了层叠体的LT剖面中的区域Lc的线覆盖率的值的90％。
通过变更层叠体的宽度方向上的切断位置并进行多次上述的线覆盖率的测定，从而能够确认内部电极层中的第1区域以及第2区域在LW面中的分布。
在宽度方向上的中央切断了层叠体的LT剖面中的区域Lc相当于内部电极主体部的大致中央部。另一方面，切断层叠体而使得内部电极层的靠近侧面侧的端部的部分露出的LT剖面中的区域La、区域Lb以及区域Lc均相当于内部电极主体部的周缘部(不是大致中央部的部分)。
因此，例如，通过确认在宽度方向上的中央切断了层叠体的LT剖面中的区域Lc的线覆盖率的值比切断层叠体而使得层叠体的内部电极层的靠近侧面侧的端部的部分露出的LT剖面中的区域La、区域Lb以及区域Lc中的线覆盖率的值高，从而能够确认内部电极主体部的大致中央部包含第1区域。
图5是图1所示的层叠陶瓷电容器的II-II线剖视图。
在从层叠体10的层叠方向(T方向)观察内部电极层21的情况下，内部电极层21具有成为有效区域的大致矩形形状的内部电极主体部23和将内部电极主体部23引出到第1端面15或第2端面16的内部电极引出部22。
在图5中，内部电极层21被引出到层叠体10的第1端面15。
另外，并不是内部电极主体部和内部电极引出部分别与第1区域和第2区域对应。因此，可以是内部电极主体部包含第1区域以及第2区域，也可以是内部电极引出部包含第1区域以及第2区域。
内部电极主体部23的大致中央部包含第1区域。
若内部电极主体部23的大致中央部包含第1区域，则能够使隔着电介质层20对置的内部电极主体部之间产生充分的静电电容。
所谓内部电极主体部的中央，是将内部电极主体部看作矩形形状的情况下的对角线的交点P，内部电极主体部的大致中央部是包含内部电极主体部的中央的区域。
内部电极引出部22的至少一部分包含第2区域。
若内部电极引出部22的至少一部分包含第2区域，则即使在电介质层的平均厚度为0.5μm以下的情况下，也能够抑制由于内部电极层21彼此接触而造成的绝缘不良。
另一方面，若内部电极引出部22的至少一部分包含第2区域，则内部电极层21与第1外部电极51或第2外部电极52的接触性下降。此时，若在第1外部电极51以及第2外部电极52的与内部电极层21接触的部分连续地形成有致密部51a以及致密部52a，则能够使内部电极层21与第1外部电极51、以及内部电极层21与第2外部电极52的接触性提高。
进而，因为内部电极层被交替地引出到第1端面15和第2端面16，所以内部电极引出部22在层叠时容易产生台阶，存在内部电极层21和电介质层20的密接性由于台阶而下降的情况。相对于此，若内部电极引出部22的至少一部分包含第2区域，则能够使内部电极引出部22和电介质层20的密接性提高。
在第1区域中，构成内部电极层的导电成分的连续性相对高，即，线覆盖率高，因此导电性相对高。
在第2区域中，构成内部电极层的导电成分的连续性相对低，即，线覆盖率低，因此导电性相对低。
第1区域的线覆盖率的值C1优选为80％以上且98％以下。
第2区域的线覆盖率的值C2优选为55％以上且不足80％。
第2区域的线覆盖率的值C2相对于第1区域的线覆盖率的值C1的比例[C2/C1]优选为0.89以下。
在从层叠方向俯视内部电极层21以及电介质层20时，内部电极层21覆盖电介质层20的面积的比例优选为55％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。
也可以是，在第2区域中，在从层叠方向俯视内部电极层21时，有不存在构成内部电极层21的导电成分的部位。
在该情况下，通过对置的电介质层20彼此直接接合，从而电介质层20彼此的粘接力提高，能够抑制层间剥离。
在层叠陶瓷电容器1中，层叠体10的宽度方向(W方向)上的内部电极引出部22的长度W2成为内部电极主体部23的长度W1的1/2以下。若宽度方向上的内部电极引出部22的长度W2为内部电极主体部23的长度W1的1/2以下，则露出在层叠体10的端面的内部电极层21的面积变小，能够抑制起因于水分向层叠体10的侵入等的层叠陶瓷电容器1的劣化。
层叠体的宽度方向上的内部电极引出部的长度W2优选为内部电极主体部23的长度W1的长度的1/3以上且1/2以下。
如图5所示，从层叠体10的第1侧面13或第2侧面14至内部电极主体部23设置了给定的距离W3(以下，也称为“W缝隙”。)。
此外，从层叠体10的第1端面15或第2端面16至内部电极主体部23设置了给定的距离L1(以下，也称为“L缝隙”。)。
在本发明的层叠陶瓷电容器中，W缝隙优选为15μm以下，更优选为6μm以上且15μm以下。
在本发明的层叠陶瓷电容器中，L缝隙优选为25μm以下，更优选为12μm以上且25μm以下。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电容器中，第2区域中的内部电极层的厚度小于第1区域中的内部电极层的厚度。
俯视内部电极层时的、内部电极主体部的外周是内部电极层彼此由于加压成型而容易接触的部位。因此，若第2区域中的内部电极层的厚度比第1区域中的内部电极层的厚度小，则在内部电极层的外周部不易引起内部电极层彼此的接触，能够抑制绝缘击穿。
第2区域中的内部电极层的厚度可以在各内部电极层中相同，也可以不同。
关于内部电极层的厚度最厚的部位以及厚度最薄的部位，优选在第1端面具有内部电极引出部的内部电极层和第2端面具有内部电极引出部的内部电极层中分别不同。
若在第1端面具有内部电极引出部的内部电极层和第2端面具有内部电极引出部的内部电极层中，内部电极层的厚度最厚的部位以及最薄的部位分别不同，则不易产生层叠体的厚度过厚的部位以及过薄的部位，是优选的。
优选在构成内部电极层21的内部电极主体部23与内部电极引出部22的连接部的角落部设置有R。
若在内部电极主体部23与内部电极引出部22的连接部的角落部设置有R，则能够避免应力集中，能够抑制在层叠体的角部产生破裂。
在图5所示的内部电极层21中，在内部电极主体部23与内部电极引出部22的连接部的角落部R1以及R2设置有R。
本发明的层叠陶瓷电容器的外形尺寸优选为长度尺寸(L尺寸)：275μm以下、宽度尺寸(W尺寸)：143μm以下、高度尺寸(T尺寸)：143μm以下。另外，层叠陶瓷电容器的外形尺寸不仅包含层叠体，而且包含第1外部电极以及第2外部电极。在后述的实施例中，将层叠陶瓷电容器的外形尺寸设为长度尺寸(L尺寸)：225μm以上且275μm以下、宽度尺寸(W尺寸)：117μm以上且143μm以下、高度尺寸(T尺寸)：117μm以上且143μm以下的范围。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电容器中，在俯视内部电极层时，成为有效区域的内部电极主体部的俯视形状为长度方向上的两端部的宽度宽、大致中央部的宽度细的绕线板形状。
通过制作层叠体时的加压使配置在生片上的电极膏变形，由此能够将内部电极主体部的俯视形状设为上述绕线板形状。若内部电极主体部的俯视形状为上述绕线板形状，则内部电极主体部的面积增加，因此能够使作为层叠陶瓷电容器的静电电容提高。
也可以说，上述绕线板形状是大致矩形形状的四角朝向外侧延伸(溢出)的形状。因此，在内部电极主体部的俯视形状中，在假定了能够容纳在内部电极主体部内的最大的矩形形状的情况下，关于内部电极主体部中的向该矩形形状的外侧超出的部分(以下，也称为“溢出部”)，优选包含第2区域。进而，更优选溢出部中的内部电极主体部的厚度比大致矩形形状的内侧的内部电极主体部的厚度薄。
上述溢出部成为配置在陶瓷生片上的内部电极层的厚度薄的部位。因此，若内部电极主体部的俯视形状为上述绕线板形状，则在层叠陶瓷生片时，上述溢出部发挥决定内部电极主体部的位置的锚固的作用，能够抑制层叠时的位置偏移。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电容器中，在与长度方向垂直的方向上的层叠体的剖面中，内部电极主体部的形状为具有弯曲部的形状。作为具有弯曲部的形状，例如可列举V字形状、M字形状等，更优选为M字形状。
若内部电极主体部的上述形状为具有弯曲部的形状，则通过锚固效果，内部电极层和电介质层的密接性提高。
图6是图1所示的层叠陶瓷电容器的III-III线剖视图。
优选如图6所示，在与层叠体10的长度方向垂直的方向上的层叠体10的剖面中，配置在靠近第1主面11以及第2主面12的位置的内部电极主体部23的形状为在大致中央部具有弯曲部(凹陷)的M字形状。
弯曲部朝向层叠体10的层叠方向上的中央变凸。
配置在层叠方向上的中央的内部电极主体部23不具有弯曲部。
此外，若内部电极主体部的剖面形状为上述那样的具有弯曲部的形状，则与具有不具有弯曲部的剖面形状的层叠陶瓷电容器相比较，安装层叠陶瓷电容器时的姿势稳定性好。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电容器中，在与长度方向垂直的方向上的层叠体的剖面中，内部电极引出部的形状为具有弯曲部的形状。
作为具有弯曲部的形状，例如可列举V字形状。
若内部电极引出部的上述形状为具有弯曲部的形状，则通过锚固效果，内部电极层和电介质层的密接性提高。
图7是图1所示的层叠陶瓷电容器的IV-IV线剖视图。
优选如图7所示，在层叠体10的WT剖面中，构成配置在靠近第1主面11以及第的2主面12的位置的内部电极层21的内部电极引出部22的形状为在大致中央部具有弯曲部(凹陷)的V字形状。
弯曲部朝向层叠体10的层叠方向上的中央变凸。
配置在层叠方向上的大致中央的内部电极引出部22不具有弯曲部。若WT剖面中的内部电极引出部的剖面形状为具有弯曲部的形状，则通过锚固效果，内部电极层和电介质层的密接性提高。
第1外部电极51的致密部51a连续地覆盖露出在第1端面15的内部电极引出部22的表面。虽然在图7未图示，但是关于第2外部电极52的致密部52a，也是在露出于第2端面16的内部电极引出部22的表面连续地形成。
此外，虽然在图7未图示，但是露出在第2端面16的内部电极层引出部22的表面的形状优选为具有弯曲部的V字形状。
[层叠陶瓷电容器的制造方法]
本发明的层叠陶瓷电容器例如能够通过以下的方法来制造。
首先，准备用于形成电介质层20的陶瓷生片。
另外准备用于形成内部电极层21的内部电极用导电性膏、和用于形成第1外部电极51以及第2外部电极52的外部电极用导电性膏。
另外，陶瓷生片、内部电极用导电性膏以及外部电极用导电性膏包含有机粘合剂以及溶剂，能够使用公知的有机粘合剂、有机溶剂。
在陶瓷生片上，例如以给定的图案赋予内部电极用导电性膏，形成内部电极图案。此时，优选将内部电极图案设为具有成为内部电极主体部的大致矩形形状的区域和成为用于连接内部电极主体部和外部电极的内部电极引出部的大致矩形形状的区域的形状。
进而，优选将成为内部电极引出部的大致矩形形状的区域的宽度方向上的长度设为成为内部电极主体部的大致矩形形状的区域的宽度方向上的长度的1/2以下。
优选地，内部电极用导电性膏并不是均匀地赋予到陶瓷生片上，而是赋予内部电极用导电性膏，使得在成为内部电极主体部的大致中央部的区域导电成分变得相对浓，在成为内部电极主体部的外周部的区域导电成分变得相对淡。
导电成分相对浓的部位在烧结时导电成分彼此容易连续地烧结，因此成为线覆盖率高的第1区域。导电成分相对淡的部位在烧结时导电成分彼此不易连续地烧结，因此成为线覆盖率低的第2区域。
例如，可列举如下方法，即，对陶瓷生片上的成为内部电极主体部的大致中央部的区域集中地赋予内部电极用导电性膏，利用内部电极用导电性膏的流动性以及层叠后的加压使内部电极用导电性膏扩散至外周部。
通过采用这样的方法，从而能够在内部电极层中形成导电成分的连续性高的区域和导电成分的连续性低的区域，得到具有第1区域以及第2区域的内部电极层。
作为得到上述结构的内部电极层的方法，例如可考虑如下的方法，即，使膏填充口的位置从能够对内部电极主体部均匀地填充内部电极用导电性膏的那样的位置靠近大致中央部。通过使膏填充口靠近大致中央部，从而内部电极用导电性膏变得不易均匀地供给到离大致中央部远的外周部。优选地，通过在该状态下对内部电极用导电性膏进行烧成，从而在靠近填充口的内部电极主体部的大致中央部形成导电成分的连续性高的内部电极层(第1区域)，并在内部电极主体部的外周部形成导电成分的连续性低的内部电极层(第2区域)。
接着，在内部电极图案的周围的陶瓷生片上赋予陶瓷膏，使得不与内部电极图案的周缘部重叠，形成用于降低由内部电极图案的厚度造成的台阶的陶瓷膏层。
另外，形成内部电极图案的工序和形成陶瓷膏层的工序的顺序没有特别限定，也可以在形成了陶瓷膏层之后形成内部电极图案。
接下来，将未形成内部电极图案以及陶瓷膏层的外层用陶瓷生片层叠给定片数，在其上依次层叠形成了内部电极图案以及陶瓷膏层的陶瓷生片，在其上层叠给定片数的外层用陶瓷生片，制作母层叠体。根据需要，母层叠体也可以通过等静压压制等方法在层叠方向上进行压接。
此后，将母层叠体沿着切断线被切断，切出未烧成的层叠体。此时，也可以通过滚筒研磨等使层叠体的角部、棱线部带有圆角。
对未烧成的层叠体进行烧成。其结果是，可制作在内部配设了内部电极层21的层叠体10。烧成温度能够根据使用的电介质材料、导电成分而适当地进行设定，例如为900℃以上且1300℃以下的程度。陶瓷生片、内部电极用导电性膏以及陶瓷膏同时进行烧成。
在得到的层叠体10的第1端面15涂敷、烧附外部电极用导电性膏，形成第1外部电极51的基底电极层，在第2端面涂敷、烧附外部电极用导电性膏，形成第2外部电极52的基底电极层。烧附温度优选为700℃以上且900℃以下。
用于形成第1外部电极51以及第2外部电极52的基底电极层的外部电极用导电性膏包含导电性材料。
通过在层叠体10的第1端面15以及第2端面16涂敷并烧附包含导电性材料的外部电极用导电性膏，从而在第1端面15以及第2端面的整体形成基底电极层。此时，微小的导电性材料优先在内部电极层21的表面烧结，从而能够形成致密部51a以及致密部52a。
作为用于形成致密部的外部电极用导电性膏，优选使用包含平均粒子直径为0.7μm以下的铜粒子的外部电极用导电性膏。
作为外部电极用导电性膏包含的导电性材料，能够适当地使用与内部电极用导电性膏包含的导电成分相同的导电性材料。
在第1外部电极51的基底电极层的表面形成镀敷层，在第2外部电极52的基底电极层的表面形成镀敷层。
像上述的那样，制造图1所示的层叠陶瓷电容器1。
本发明的层叠陶瓷电容器的另一个方式的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含交替地层叠的多个电介质层以及多个内部电极层，并具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与上述层叠方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面、和在与上述层叠方向以及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面；以及外部电极，设置在上述层叠体的表面，并与上述内部电极层连接，上述层叠陶瓷电容器的特征在于，上述电介质层的平均厚度为构成上述电介质层的电介质颗粒的平均粒径的3.4倍以下，在从上述层叠方向俯视上述内部电极层时，上述内部电极层具有成为有效区域的内部电极主体部和将上述内部电极主体部引出到上述层叠体的上述第1端面或上述第2端面的内部电极引出部，上述层叠体的宽度方向上的、上述内部电极引出部的长度为上述内部电极主体部的长度的1/2以下，上述内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性为给定的阈值以上的第1区域和上述导电成分的连续性不足给定的阈值的第2区域，上述内部电极主体部的大致中央部包含上述第1区域，上述内部电极引出部的至少一部分包含上述第2区域，在上述内部电极主体部的上述第1侧面侧的端部，将上述层叠体在与上述长度方向以及上述层叠方向平行且与上述宽度方向垂直的方向上切断，在切断面中，将上述内部电极主体部在上述长度方向上进行5等分，并从上述第1端面起依次设定为区域La、区域Lb、区域Lc、区域Ld以及区域Le，该情况下的上述区域Lb中的上述内部电极层的导电成分的连续性比上述区域La以及上述区域Lc中的上述内部电极层的导电成分的连续性高，在从上述内部电极主体部的上述第1侧面侧的端部向上述第2侧面侧移动了20μm的位置、以及上述内部电极主体部的宽度方向上的中央的位置，将上述层叠体在与上述长度方向以及上述层叠方向平行且与上述宽度方向垂直的方向上切断，在切断面中，将上述内部电极主体部在上述长度方向上进行5等分，此时的上述第1端面侧的区域中的上述内部电极层的导电成分的连续性比上述内部电极主体部的大致中央的区域中的上述内部电极层的导电成分的连续性低。
[实施例]
以下，示出本发明的层叠陶瓷电容器的实施例。另外，本发明并不仅限定于这些实施例。
[实施例1]
<层叠陶瓷电容器的制造方法>
首先，准备了以钛酸钡为主成分的陶瓷生片、内部电极用导电性膏、以及以钛酸钡为主成分的陶瓷膏。
使用包含平均粒子直径为150nm的陶瓷粒子的电介质膏，通过刮刀法等片料成型了厚度为0.7μm的陶瓷生片。在该陶瓷生片上涂敷作为内部电极用导电膏的Ni导电性膏而形成内部电极图案，使得成为图5所示的形状，在内部电极图案的周围的陶瓷生片上进一步赋予陶瓷膏，使得不与内部电极图案的周缘部重叠，得到了形成了内部电极图案的陶瓷生片。
使得内部电极用导电膏从设置在给定的位置的膏供给口供给到陶瓷生片上。其中，使用了如下的膏供给口，即，将配置为将内部电极用导电膏大致均匀地设置到给定区域的膏供给口的位置进行变更，使得成为内部电极主体部的区域的外周部中的内部电极用导电膏的供给量变少。
将形成了内部电极图案的陶瓷生片层叠119片，使得引出位置交替地配置在对置的端面，进而在上下层叠给定片数的未形成内部电极图案以及陶瓷膏层的外层用陶瓷生片，并使用橡胶进行压接，由此制作了母层叠体。
通过将得到的母层叠体在给定的位置进行切断，从而分割成未烧成的层叠体。此后，对未烧成的层叠体进行烧成，并在得到的烧成体形成外部电极，由此制作了层叠陶瓷电容器。构成层叠陶瓷电容器的电介质层的平均厚度为0.5μm，内部电极层的层数为119层。此外，构成电介质层的电介质颗粒的平均粒径为150～250nm。
关于外部电极的形成，在涂敷、烧附含玻璃Cu膏之后，实施了Ni镀敷以及Sn镀敷。
包含外部电极在内的层叠陶瓷电容器的外形尺寸为长度：250μm、宽度：130μm、高度：130μm。
[比较例1]
除了变更陶瓷生片的厚度并使用丝网印刷在陶瓷生片上均匀地赋予了内部电极用导电膏以外，以与实施例1相同的顺序制作了层叠陶瓷电容器。
构成层叠陶瓷电容器的电介质层的平均厚度为0.7μm，内部电极层的层数为41层。
外形尺寸设为与实施例1涉及的层叠陶瓷电容器相同。
[LT剖面中的线覆盖率的测定]
将实施例1以及比较例1涉及的层叠陶瓷电容器在图5中的A剖面、A’剖面、B剖面处切断，并通过SEM对切断面进行观察，求出了线覆盖率。
图8是对在实施例1涉及的层叠陶瓷电容器中使LT剖面露出的位置进行说明的WT剖面的SEM图像。将实施例1以及比较例1涉及的层叠陶瓷电容器在图5以及图8所示的位置进行切断而使LT剖面露出。A剖面是内部电极层的宽度方向上的端部的位置，A’剖面是从A剖面向内侧移动了20μm的位置，B剖面是层叠体的宽度方向上的中间的位置。
接下来，从得到的LT剖面求出成为有效部的内部电极层彼此对置的区域，并将该区域在层叠体的长度方向上进行5等分，测定了区域La、区域Lb以及区域Lc中的线覆盖率。
图9是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域La的SEM图像，图10是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Lb的SEM图像，图11是示出实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Lc的SEM图像。其中，图9、图10以及图11均为在图5以及图8所示的B剖面处切断的剖面。
在区域La、区域Lb以及区域Lc中，分别测定内部电极层的线覆盖率并求出了平均值。将结果示于表1。
[表1]
Figure GDA0003784286610000201
根据表1的结果，在宽度方向上的中央切断了层叠体的B剖面的区域Lc中的线覆盖率的值在实施例1中为89.8％，在比较例1中为95.5％，因此，在实施例1中将成为区分第1区域和第2区域的阈值的线覆盖率的值规定为80.8％，在比较例1中将成为区分第1区域和第2区域的阈值的线覆盖率的值规定为86.0％。在表1中，用“O”示出第1区域，用“V”示出第2区域。
确认了B剖面的区域Lc中的线覆盖率的测定值在全部测定值之中成为最大值，变得比A剖面的区域La、区域Lb以及区域Lc中的线覆盖率的值高。据此，可以说在实施例1涉及的层叠陶瓷电容器中，内部电极主体部的大致中央部包含第1区域。
此外，实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的A剖面、A’剖面以及B剖面中的区域La的线覆盖率变得比同剖面的区域Lb以及区域Lc低。据此，能够推测，将内部电极主体部引出到层叠体的第1端面或第2端面的内部电极引出部的线覆盖率也与区域La同样低，内部电极引出部的至少一部分包含第2区域。
[绝缘可靠性的确认]
关于实施例1涉及的层叠陶瓷电容器和比较例1涉及的层叠陶瓷电容器，均确认了作为示出绝缘可靠性的值，绝缘电阻的测定值的平均值满足1[GΩ]。
据此，在实施例1涉及的层叠陶瓷电容器中，能够在确保与电介质层的厚度厚的以往的层叠陶瓷电容器相同程度的绝缘可靠性的同时使电介质层的厚度变薄。
因此，可认为本发明的层叠陶瓷电容器即使在电介质层的厚度薄的情况下也能够确保与以往相同程度的绝缘电阻。
[WT剖面中的内部电极主体部的剖面形状的确认]
通过SEM对将实施例1涉及的层叠陶瓷电容器在层叠体的长度方向上的大致中央部中在与长度方向垂直的方向上进行切断的WT剖面进行观察，并确认了内部电极层(内部电极主体部)的剖面形状。将结果示于图12以及图13。
图12是实施例1涉及的层叠陶瓷电容器的WT剖面的SEM图像，图13是将图12的上部在上下方向上拉长的放大图。
如图12以及图13所示，能够确认，在实施例1涉及的层叠陶瓷电容器中，在与长度方向垂直的方向上的层叠体的剖面中，内部电极主体部的形状为具有弯曲部的M字形状。
[WT剖面中的线覆盖率的测定]
将实施例1以及比较例1涉及的层叠陶瓷电容器在层叠体的长度方向上的中间地点在与长度方向正交的方向上切断，并通过SEM对切断面进行观察，求出了线覆盖率。将结果示于表2。
图14是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wa的SEM图像，图15是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wb的SEM图像，图16是示出比较例1涉及的层叠陶瓷电容器的区域Wc的SEM图像。其中，图14、图15以及图16均为在层叠体的长度方向上的中间地点切断的WT剖面。
[表2]
Figure GDA0003784286610000211
根据表2的结果，在长度方向上的中央切断了层叠体的剖面的区域Wc中的线覆盖率的值在实施例1中成为91.8％，在比较例1中成为95.5％。根据表1的结果，成为区分第1区域和第2区域的阈值的线覆盖率的值在实施例1中为80.8％，在比较例1中为86.0％。在表2中，用“O”示出第1区域，用“V”示出第2区域。
此外，根据表2的结果，在实施例1中，线覆盖率的值从区域Wa经过区域Wb向区域Wc逐渐增加。相对于此，在比较例1中，虽然线覆盖率的值也从区域Wa经过区域Wb向区域Wc逐渐增加，但是线覆盖率的值的变化率比实施例1小，从区域Wa到区域Wc中的线覆盖率的变化率在比较例1中成为1.70倍，相对于此，在实施例1中成为1.90倍。在靠近内部电极层的端部的区域Wa中，实施例1的线覆盖率的测定值为48.2％，小于比较例1的56.1％。此外，关于位于内部电极层的中央的区域Wc的线覆盖率的值相对于靠近内部电极层的端部的区域Wa的变化率，实施例1为1.90，大于比较例1的1.70。即，实施例1与比较例1相比，具有与中央部相比线覆盖率相对更低的端部。由此可推测，实施例1与比较例1相比，能够减小层叠陶瓷电容器中的内部电极层的端部附近的、导电成分的有无的影响。
[参考例1]
作为现有技术，以与实施例1涉及的层叠陶瓷电容器同样的尺寸，使用与实施例1涉及的层叠陶瓷电容器相同的电介质膏以及内部电极用导电膏，变更制造条件而使得电介质层的厚度成为0，5μm，从而制作了参考例1涉及的层叠陶瓷电容器。另外，在参考例1中，使用现有技术将内部电极用导电膏均匀地赋予到陶瓷生片上。
对参考例1涉及的层叠陶瓷电容器的线覆盖率进行了测定，但是未在各区域观察到大的偏差。因此，可认为构成参考例1涉及的层叠陶瓷电容器的内部电极层不具有第1区域以及第2区域。
[绝缘电阻值的测定]
将实施例1以及参考例1涉及的层叠陶瓷电容器的绝缘电阻值各测定100个，求出绝缘电阻的最大值、最小值、平均值以及标准偏差，并将用常用对数log10对绝缘电阻的值进行了变换的值示于表3。
另外，如果用常用对数log10对绝缘电阻[Ω]的测定值的平均值进行了变换的值变成9以上，即，如果绝缘电阻的值为1GΩ以上，则判断为得到了充分的绝缘电阻。
[表3]
Figure GDA0003784286610000231
根据表3的结果，实施例1涉及的层叠陶瓷电容器即使在电介质层的厚度薄至0.5μm以下的情况下绝缘电阻值的平均也为1[GΩ]以上。据此，确认了实施例1涉及的层叠陶瓷电容器具备充分的绝缘电阻。此外，确认了在实施例1中，每个样品的绝缘电阻值的偏差少，即使是绝缘电阻值最低的样品，也具备充分的绝缘电阻。
另一方面，在参考例1涉及的层叠陶瓷电容器中，在电介质层的厚度薄至0.5μm以下的情况下，绝缘电阻的测定值的平均值变得不足1GΩ，绝缘电阻并不充分。进而，确认了每个样品的绝缘电阻值的偏差大。根据以上的结果可认为，即使是高度尺寸(T尺寸)为143μm以下、内部电极引出部的宽度尺寸为内部电极主体部的宽度尺寸的1/2以下、电介质层的平均厚度为0.5μm以下的层叠陶瓷电容器，通过应用本发明的结构，从而也能够抑制绝缘电阻的下降。
虽然对本发明的实施方式进行了说明，但是应认为，此次公开的实施方式在所有的方面均未例示，并不是限制性的。本发明的范围由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的意思以及范围内的所有的变更。

Claims (7)

1.一种层叠陶瓷电容器，具备：
层叠体，包含交替地层叠的多个电介质层以及多个内部电极层，并具有在层叠方向上相对的第1主面以及第2主面、在与所述层叠方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面、和在与所述层叠方向以及所述长度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面；以及
外部电极，设置在所述层叠体的表面，并与所述内部电极层连接，
在所述层叠陶瓷电容器中，
所述电介质层的平均厚度为构成所述电介质层的电介质颗粒的平均粒径的3.4倍以下，
在从所述层叠方向俯视所述内部电极层时，所述内部电极层具有成为有效区域的内部电极主体部和将所述内部电极主体部引出到所述层叠体的所述第1端面或所述第2端面的内部电极引出部，所述层叠体的宽度方向上的所述内部电极引出部的长度为所述内部电极主体部的长度的1/2以下，
所述内部电极层具有构成内部电极层的导电成分的连续性为阈值以上的第1区域和所述导电成分的连续性不足阈值的第2区域，
所述内部电极主体部的大致中央部包含所述第1区域，
所述内部电极引出部的至少一部分包含所述第2区域，
在所述内部电极主体部的所述第1侧面侧的端部，将所述内部电极主体部在所述长度方向上进行5等分，并从所述第1端面起依次设定为区域La、区域Lb、区域Lc、区域Ld以及区域Le，该情况下的所述区域Lb中的所述内部电极层的导电成分的连续性比所述区域La以及所述区域Lc中的所述内部电极层的导电成分的连续性高，
在从所述内部电极主体部的所述第1侧面侧的端部向所述第2侧面侧移动了20μm的位置即所述第1侧面侧的端部与所述内部电极主体部的宽度方向上的中央之间的位置、以及所述内部电极主体部的宽度方向上的中央的位置，将所述层叠体在与所述长度方向以及所述层叠方向平行且与所述宽度方向垂直的方向上切断，在切断面中，将所述内部电极主体部在所述长度方向上进行5等分，此时的所述第1端面侧的区域中的所述内部电极层的导电成分的连续性比所述内部电极主体部的大致中央的区域中的所述内部电极层的导电成分的连续性低。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，
从所述第1端面或所述第2端面到所述内部电极主体部的距离为25μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
从所述第1侧面或所述第2侧面到所述内部电极主体部的距离为15μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述第2区域中的所述内部电极层的厚度比所述第1区域中的所述内部电极层的厚度小。
5.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
在与所述长度方向垂直的方向上的所述层叠体的剖面中，所述内部电极主体部的形状为M字形状。
6.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述外部电极具有构成外部电极的导电成分所占面积的比例相对高且空隙所占面积的比例相对低的致密部，
在所述外部电极中的与所述内部电极层接触的部分连续地形成有所述致密部。
7.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述导电成分的连续性为构成实际的所述内部电极层的所述导电成分所占面积相对于将所述内部电极层假定为厚度均匀的片材的情况下的所述内部电极层的面积的比例。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021040100A (ja) * 2019-09-05 2021-03-11 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2021086972A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP7359019B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-11 Tdk株式会社 電子部品
JP2023009744A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
WO2024014235A1 (ja) * 2022-07-12 2024-01-18 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252104A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
CN102810398A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电子元件和多层陶瓷电容器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897071A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Kyocera Corp 積層型磁器コンデンサ
US6380619B2 (en) * 1998-03-31 2002-04-30 Tdk Corporation Chip-type electronic component having external electrodes that are spaced at predetermined distances from side surfaces of a ceramic substrate
JP2003022930A (ja) 2001-07-09 2003-01-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP3918095B2 (ja) 2002-11-28 2007-05-23 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US7329976B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-12 Kyocera Corporation Laminated electronic component
JP2007208112A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Kyocera Chemical Corp 積層セラミックコンデンサの製造方法および積層セラミックコンデンサ
JP2009164446A (ja) 2008-01-09 2009-07-23 Panasonic Corp 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101070068B1 (ko) 2009-12-24 2011-10-04 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
JP5532027B2 (ja) * 2010-09-28 2014-06-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
KR20130007301A (ko) 2011-06-30 2013-01-18 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그의 제조방법
KR101872520B1 (ko) * 2011-07-28 2018-06-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR101853131B1 (ko) * 2011-09-19 2018-05-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품
KR101197921B1 (ko) * 2011-10-18 2012-11-05 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품
JP5711696B2 (ja) * 2012-06-21 2015-05-07 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP2015111651A (ja) 2013-10-29 2015-06-18 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR20160000694A (ko) 2014-06-25 2016-01-05 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법
US9236185B1 (en) * 2014-11-03 2016-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
JP2016152379A (ja) 2015-02-19 2016-08-22 株式会社村田製作所 積層コンデンサおよびその製造方法
JP6747057B2 (ja) * 2016-05-24 2020-08-26 Tdk株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6823975B2 (ja) * 2016-09-06 2021-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP6986361B2 (ja) * 2017-04-05 2021-12-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252104A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
CN102810398A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 三星电机株式会社 多层陶瓷电子元件和多层陶瓷电容器

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Publication number Publication date
JP7196810B2 (ja) 2022-12-27
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US11404214B2 (en) 2022-08-02
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