JP4450071B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品に関する。

近年の電子機器の小型・高機能化による発展に伴い、従来個別に使用されて来たインダクタ、コンデンサといった受動部品についても小型、高機能化の要求が高まってきている。こうした要求に答えるべく、小型かつ低背でしかも高い寸法精度を有する電子部品をスパッタリング方式、蒸着、ＣＶＤ等の薄膜形成プロセスや、フォトリソグラフィ、ドライエッチング等の微細加工技術を用いて製造するための技術開発がなされてきている。

このような薄膜形成プロセスや微細加工技術を用いて製造される電子部品の一つに薄膜キャパシタを有するものがある（例えば下記特許文献１及び２参照）。下記特許文献１及び２に開示されている電子部品は、基板と、基板上に設けられるキャパシタ部と、キャパシタ部に電気的に接続される２つの外部接続端子とを備えている。キャパシタ部は、基板上に設けられる下部電極と、その上に設けられる誘電体薄膜と、その上に設けられる上部電極とを有している。そして、上部電極と外部接続端子とは引出し端子によって電気的に接続されている。
特開２００４−７１５８９号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の電子部品は、以下に示す課題を有している。

即ち、上記電子部品においては、引出し端子や外部接続端子が剥き出しの状態となっている。このため、時間の経過に伴って引出し端子や外部接続端子が酸化され、その結果、キャパシタ部の特性が劣化するおそれがある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、受動素子部の特性の劣化を効果的に抑制できる電子部品を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を進めた。その結果、キャパシタ等の受動素子部を絶縁体層で覆うことにより受動素子部を保護し、絶縁体層を貫通する貫通孔に引出し端子を充填させて受動素子部と電気的に接続させ、引出し端子を外部接続端子で覆って両者を電気的に接続させる構成をもった電子部品であれば受動素子部の酸化による特性劣化を抑制できるのではないかと本発明者らは考えた。ここで、本発明者らはさらに以下のような点をも考慮した。すなわち上記電子部品を回路基板に実装する場合、通常は外部接続端子と回路基板とがはんだで接続されるため、はんだが冷却するときの収縮に伴い、外部接続端子が絶縁体層の周縁面の外側に引っ張られ、それにより、絶縁体層の周縁部のうち外部接続端子が密着している部分が引っ張られ、引出し端子と貫通孔の内壁面との間に剥離が生じる可能性をも考慮した。そして、本発明者らはさらに鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至ったものである。

即ち、本発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板上に設けられる受動素子部と、前記受動素子部上に設けられ、貫通孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記貫通孔に嵌合され、前記受動素子部に電気的に接続される引出し端子と、前記引出し端子に電気的に接続される外部接続端子とを備えており、前記絶縁体層が、前記受動素子部側の第１面と、前記受動素子部と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面を連結し、前記絶縁体層の周縁面を構成する第３面とを有し、前記外部接続端子が、前記引出し端子、前記絶縁体層の前記第２面、前記第３面に密着し、前記セラミック基板の厚さ方向に沿って前記貫通孔を横切る断面において、前記貫通孔の内壁面と前記引出し端子との２つの境界線のうち前記第３面に近い側の境界線である周縁境界線が、その前記第１面側の端部を固定点として、前記第３面のうち前記外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している、電子部品である。なお、本発明において、周縁境界線は、必ずしも全体が第３面のうち外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している必要はなく、固定点の近傍部分のみが、第３面のうち外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜していてもよい。また、絶縁層の第１面とは、絶縁層のうち、受動素子部に接触している全領域を指すものとする。

この電子部品によれば、当該電子部品を回路基板に実装するに際して当該電子部品の外部接続端子と回路基板とがはんだで接続されると、はんだの冷却による収縮に伴い、外部接続端子が、絶縁体層の周縁面である第３面の外側に向けて引っ張られる。ここで、第２面には外部接続端子が密着している。従って、絶縁体層においては第１面に沿った引張応力よりも、第２面に沿った引張応力の方がより大きくなる。

このとき、仮に、セラミック基板の厚さ方向に沿って貫通孔を横切る断面において、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線のうち第３面に近い側の境界線である周縁境界線が、その第１面側の端部を固定点として、第３面のうち外部接続端子が密着している領域に近づく方向に傾斜しているとすると、絶縁体層のうち外部接続端子が密着している領域と貫通孔との間の部分は引っ張られ易くなる。

これに対して本発明では、セラミック基板の厚さ方向に沿って貫通孔を横切る断面において、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線のうち第３面に近い側の境界線である周縁境界線が、その第１面側の端部を固定点として、第３面のうち外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している。このため、絶縁体層のうち外部接続端子が密着している領域と貫通孔との間の部分は引っ張られにくくなる。従って、引出し端子に対して貫通孔の内壁面の剥離を起こりにくくすることができる。その結果、絶縁体層によって覆われて保護されている受動素子部においては、酸化による特性劣化が効果的に抑制されることになる。

上記電子部品においては、例えば、上記周縁境界線が、第１面と引出し端子との境界線に対する接線の傾きが一定となるように傾斜している。この場合、剥離をより一層防止できるという利点が得られる。

また、上記電子部品においては、上記周縁境界線が、前記１面から前記第２面に向かうにつれて前記第１面と前記引出し端子との境界線に対する接線の傾きが大きくなるように傾斜していることが好ましい。この場合、引出し端子と貫通孔の内壁面との接触面積を、接線の傾きが一定の場合に比べて増加させることができる。このため、引出し端子と貫通孔の内壁面との間の剥離をより効果的に抑制できる。

上記電子部品においては、前記セラミック基板の厚さ方向に沿って前記貫通孔を横切る断面において、前記貫通孔の内壁面と前記引出し端子との２つの境界線のうち前記第３面から遠い側の境界線が、その前記第１面側の端部を固定点として、前記第３面のうち前記外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜していると好ましい。

この場合、引出し端子を第３面の外側に引っ張られにくくすることができる。従って、貫通孔の内壁面に対して引出し端子の剥離を起こりにくくすることができる。その結果、絶縁体層によって覆われて保護されている受動素子部においては、酸化による特性劣化がより効果的に抑制されることになる。

上記電子部品において、前記引出し端子が、前記貫通孔に嵌合している嵌合部を有し、前記嵌合部のうち前記セラミック基板に平行な断面が多角形状であり、その角部が面取りされていることが好ましい。

この場合、引出し端子の嵌合部の角部に加わる応力が分散され、貫通孔の内壁面との間で剥離が起こりにくくなる。

上記電子部品において、前記引出し端子のうち前記セラミック基板に平行な断面が多角形状であり、その断面の角がアール状に形成されていることが好ましい。

この場合も、引出し端子の角部において応力が分散され、貫通孔の内壁面との間で剥離が起こりにくくなる。

本発明によれば、受動素子部の特性劣化を効果的に抑制できる電子部品が提供される。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。

〔第１実施形態〕
まず本発明に係る電子部品の第１実施形態について図１〜図３を参照して説明する。図１は、本発明に係る電子部品の第１実施形態を示す断面図、図２は、図１の部分拡大図、図３は、図１の電子部品を回路基板に実装する状態を示す断面図である。

図１に示すように、本実施形態の電子部品１００は、本体部１００Ｂと、本体部１００Ｂの両端部のそれぞれに覆うように密着して設けられる外部接続端子１００Ａ，１００Ｃとを備えている。外部接続端子１００Ａ，１００Ｃは互いに分離して配置されている。本体部１００Ｂは、セラミック基板（以下、単に「基板」という）１と、基板１の主面１ａ側に設けられる受動素子部としてのキャパシタ部１１と、キャパシタ部１１上に設けられる絶縁体層１３とを備えている。

基板１は、基板本体部１ｂと、基板本体部１ｂ上に設けられて下部電極部２及び誘電体膜３と接触する平坦化膜１ｃとで構成されている。

キャパシタ部１１は、基板１上に設けられる下部電極部２及び導体部２Ａを備えている。下部電極部２と導体部２Ａとは互いに離れて配置され、電気的に接続されていない。下部電極部２および導体部２Ａは誘電体膜３で覆われている。誘電体膜３は、基板１の主面１ａのうち下部電極部２および導体部２Ａが設けられていない部分をも覆っている。そして、誘電体膜３は絶縁膜４によって覆われている。絶縁膜４は、電子部品１００のキャパシタ容量の大きさを制御すると共に上部電極部５端部と下部電極部２端部との間の絶縁の役目を担うものである。絶縁膜４には、導体部２Ａに対向する位置に第１開口部４ａが形成され、下部電極部２に対向する位置に第２開口部４ｂおよび第３開口部４ｃが形成されている。第２開口部４ｂおよび第３開口部４ｃは互いに離れた位置に形成されている。

誘電体膜３には、第１開口部４ａに連通する貫通孔３ａが形成され、第３開口部４ｃに連通する貫通孔３ｃも形成されている。そして、絶縁膜４上には上部電極部５が設けられている。上部電極部５の一端は、第２開口部４ｂに挿入されて誘電体膜３に接触しており、上部電極部５の他端は第１開口部４ａ及び貫通孔３ａに挿入されて導体部２Ａに接触している。また、絶縁膜４上には、下部電極部２に給電する給電用電極部６が設けられている。給電用電極部６は、第３開口部４ｃ及び貫通孔３ｃに挿入されて下部電極部２に接触している。

絶縁体層１３は、上部電極部５などの酸化によるキャパシタ部１１の特性劣化を抑制するためのものであり、絶縁体層１３は、キャパシタ部１１を保護するためにキャパシタ部１１を覆うように設けられている。

ここで、絶縁体層１３は、キャパシタ部１１側の第１面１３ｄと、キャパシタ部１１と反対側の第２面１３ｅと、第１面１３ｄ及び第２面１３ｅを連結し、絶縁体層１３の周縁面を構成する第３面１３ｆとを有している。

絶縁体層１３には引出し端子３０Ａ，３０Ｃをそれぞれ貫通させる貫通孔１３ａ、１３ｃが形成されている。貫通孔１３ａ，１３ｃは第１面１３ｄと第２面１３ｅとを結ぶように延びている。

引出し端子３０Ａは、キャパシタ部１１の上部電極部５と外部接続端子１００Ａとを電気的に接続させるものであり、貫通孔１３ａに嵌合される嵌合部３１と、嵌合部３１の端部であって貫通孔１３ａの外に設けられるヘッド部３２とを備えている。引出し端子３０Ｃは、キャパシタ部１１の給電用電極部６と外部接続端子１００Ｃとを電気的に接続させるものであり、貫通孔１３ｃに嵌合される嵌合部３１と、嵌合部３１の端部であって貫通孔１３ｃの外に設けられるヘッド部３２とを備えている。

そして、外部接続端子１００Ａは、引出し端子３０Ａのヘッド部３２、絶縁体層１３の第２面１３ｅ、第３面１３ｆに密着し、さらに絶縁膜４の周縁面、誘電体膜３の周縁面、基板１の周縁面、基板１の主面１ａと反対側の面にも密着している。外部接続端子１００Ｃは、引出し端子３０Ｃのヘッド部３２、絶縁体層１３の第２面１３ｅ、第３面１３ｆに密着し、さらに絶縁膜４の周縁面、誘電体膜３の周縁面、基板１の周縁面、基板１の主面１ａと反対側の面にも密着している。

ここで、絶縁体層１３における貫通孔１３ａ，１３ｃの形状について図２を用いて説明する。貫通孔１３ａ、１３ｃはいずれも同様の構成を有するため、貫通孔１３ａについてのみ説明する。

図２に示すように、基板１の厚さ方向に沿って貫通孔１３ａ、１３ｃを横切る電子部品１００の断面においては、貫通孔１３ａの内壁面１３ｇと引出し端子３０Ａとの境界線は２つある。これらをそれぞれ境界線Ｌ１，Ｌ２とし、第３面１３ｆに近い側の境界線を周縁境界線Ｌ１とし、第３面１３ｆから遠い側の境界線をＬ２とすると、周縁境界線Ｌ１は、その第１面１３ｄ側の端部Ｓ１を固定点として、第３面１３ｆのうち外部接続端子１００Ａが密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している。

ここで、周縁境界線Ｌ１は直線状となっている。別言すると、周縁境界線Ｌ１は、第１面１３ｄと引出し端子１００Ａとの境界線Ｌ３に対する接線の傾きが一定となるように傾斜している。

また境界線Ｌ２も、その第１面１３ｄ側の端部Ｓ２を固定点として、第３面１３ｆのうち外部接続端子１００Ａが密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している。ここで、境界線Ｌ２も直線状となっている。別言すると、境界線Ｌ２は、第１面１３ｄと引出し端子１００Ａとの境界線Ｌ３に対する接線の傾きが一定となるように傾斜している。

ここで、境界線Ｌ２は境界線Ｌ１とは本実施形態では平行であるが、非平行であってもよい。但し、境界線Ｌ２が境界線Ｌ１と平行である方が、非平行である場合に比べると、外部接続端子１００Ａからの引っ張り応力に対し抵抗力が強いという利点がある。

この電子部品１００によれば、図３に示すように、電子部品１００を回路基板１０１に実装するに際して電子部品１００の外部接続端子１００Ａ，１００Ｃと回路基板１０１とがはんだ１０２で接続されると、はんだ１０２の冷却による収縮に伴い、外部接続端子１００Ａが、絶縁体層１３の周縁面である第３面１３ｆの外側（図３の矢印Ａ方向）に向けて引っ張られる。ここで、第２面１３ｅには外部接続端子１００Ａが密着している。従って、絶縁体層１３においては第１面１３ｄに沿った引張応力よりも、第２面１３ｅに沿った引張応力の方がより大きくなる。

このとき、仮に、基板１の厚さ方向に沿って貫通孔１３ａ，１３ｃを横切る電子部品１００の断面において、周縁境界線Ｌ１が、その第１面１３ｄ側の端部を固定点Ｓ１として、第３面１３ｆのうち外部接続端子１００Ａが密着している領域に近づく方向に傾斜しているとした場合、絶縁体層１３のうち外部接続端子１００Ａが密着している領域と貫通孔１３ａとの間の部分は引っ張られ易くなる。

これに対して本実施形態では、基板１の厚さ方向に沿って貫通孔１３ａ，１３ｃを横切る電子部品１００の断面において、周縁境界線Ｌ１が、その第１面１３ｄ側の端部Ｓ１を固定点として、第３面１３ｆのうち外部接続端子１００Ａが密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している。このため、絶縁体層１３のうち外部接続端子１００Ａが密着している領域と貫通孔１３ａとの間の部分は引っ張られにくくなる。従って、引出し端子３０Ａに対して貫通孔１３ａの内壁面１３ｇの剥離を起こりにくくすることができる。その結果、絶縁体層１３によって覆われて保護されているキャパシタ部１１においては、酸化による特性劣化が効果的に抑制されることになる。

また電子部品１００においては、周縁境界線Ｌ１が、第１面１３ａと引出し端子３０Ａとの剥離をより一層防止できるという利点が得られる。

なお、引出し端子３０Ａの嵌合部３１の形状は、特に限定されるものではなく、基板１に平行な断面の形状が円形、楕円形又は、三角形、四角形等の多角形であってもよい。嵌合部３１の断面３１ａが多角形状である場合、図４に示すように、嵌合部３１の角部３１ｂは面取りされていることが好ましい。この場合、引出し端子３０Ａの嵌合部３１の角部に加わる応力が分散され、貫通孔１３ａの内壁面１３ｇとの間で剥離が起こりにくくなる。

また嵌合部３１の形状は、基板１に平行な断面３１ａが多角形状（例えば四角形状）である場合、図５に示すように、断面３１ａの角がアール状に形成されていると好ましい。この場合でも、角をアール状にすることにより、めっき導体が隙間なく充填されることにより信頼性の向上が図られ、更に角部への応力を分散することができる。

なお、引出し端子３０Ｃも引出し端子３０Ａと同様の構成を有していることが好ましい。

次に、電子部品１００の製造方法について図６〜図１９を参照して説明する。図６〜図１９は、電子部品１００を製造する一連の工程の一部を断面図によって示す工程図である。

まず、基材本体部１Ｂの上に例えばスパッタリング法を用いて、平坦化膜となるアルミナ膜が形成され、アルミナ膜が例えばＣＭＰによって平坦化処理されて平坦化膜１ｃが形成される（図６）。

次に、平坦化膜１ｃ上にめっき用のシード層（図示せず）が形成される。続いて、下部電極部２を形成すべき位置に開口部２５ｂを有し導体部２Ａを形成すべき位置に開口部２５ａを有するレジストパターン２５がシード層上に形成される（図７）。

続いて、電解めっき法により、開口部２５ａ内で露出しているシード層上にめっき層が形成される。その後、レジストパターン２５が除去され、続いて、露出しているシード層が除去される。こうして下部電極部２及び導体部２Ａが形成される（図８）。

次に、下部電極部２、導体部２Ａ及び、露出している平坦化膜１ｃの表面である主面１ａを覆うように誘電体膜３が形成される（図９）。誘電体膜３は、誘電体材料を、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶＤ、ＡＬＤ等の成膜プロセスを用いて成膜することによって形成される。

次に、誘電体膜３の表面上に、第１開口部４ａ、第２開口部４ｂ及び第３開口部４ｃを有する絶縁膜４が形成される（図１０）。絶縁膜４は、例えば、誘電体膜３上に感光性樹脂層をスピンコート法によって形成し、パターン露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を加熱硬化する工程とを経て形成される。感光性樹脂層の加熱により、耐熱性に優れた絶縁膜４が得られる。感光性樹脂層を用いることにより、高精細且つ高精度にパターン化された絶縁膜４を低コストで製造することが可能である。パターン露光は、現像により、感光性樹脂層に第１開口部４ａ、第２開口部４ｂ、第３開口部４ｃが形成されるように行われる。

次に、絶縁膜４上に、導体部２Ａ及び下部電極部２に対応する位置にそれぞれ開口部２６ａ，２６ｂを有するレジストパターン２６が形成される（図１１）。

続いて、ドライエッチング処理、イオンミリングにより、誘電体膜３には、導体部２Ａに対応する位置に貫通穴３ａが形成され、下部電極部２に対応する位置には貫通孔３ｃが形成される（図１２）。その後、レジストパターンが除去される（図１３）。

次に、絶縁膜４の表面、絶縁膜４の第１開口部４ａの内壁面、第２開口部４ｂの内壁面、第３開口部４ｃの内壁面、誘電体膜３に形成される貫通穴３ａ、３ｃの内壁面、露出している誘電体膜３の表面、露出している下部電極部２及び導体部２Ａの表面を覆うようにシード層（図示せず）が成膜される。そして、上部電極部５及び給電用電極部６を形成すべき位置にそれぞれ開口部２７ａ，２７ｂを有するレジストパターン２７がシード層上に形成される（図１４）。

次に、電解めっき法により、露出しているシード層上にめっき層が形成され、続いてレジストパターン２７が除去され、その後、露出しているシード層が除去される。こうして上部電極部５が得られると同時に、下部電極部２に接触する給電用電極部６が得られる（図１５）。こうしてキャパシタ部１１が基板１の主面１ａ上に得られる。

次に、キャパシタ部１１の上に、貫通孔１３ａ，１３ｃを有する絶縁体層１３を形成する（図１６）。絶縁体層１３は、例えば感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂をスピンコート法などによって塗布し、この感光性樹脂に対して露光及び現像を順次行った後、感光性樹脂を加熱硬化させることによって形成することができる。

このとき、貫通孔１３ａ，１３ｃは例えば次のように形成することができる。すなわち、まず上部電極部５の上に形成される感光性樹脂層２０に対して露光及び現像を順次行うことにより貫通孔１３Ａを形成する（図１７の（ａ））。ここで、露光時に使用するレーザ光は回折により広がるため、感光性樹脂層２０の断面において、貫通孔１３Ａは通常、台形状となる。具体的には、貫通孔１３Ａは、レーザ光の入射側よりも出射側の方が幅広の形状となる。

次に、感光性樹脂層２０上にレジストパターン２９を形成する（図１７の（ｂ））。このとき、レジストパターン２９は、貫通孔１３Ａの内壁面のうち感光性樹脂層２０の周縁面１３Ｆに近い側の内壁面２１ａが被覆され、周縁面１３Ｆから遠い側の内壁面２１ｂを含む部分２２が突出するように形成する。

続いて、貫通孔１３Ａの内壁面のうち突出した部分２２をミリングなどにより除去する（図１７の（ｃ））。こうして貫通孔１３ａが形成される。

そして、最後に、レジストパターン２９を除去する（図１７の（ｄ））。こうして貫通孔１３ａを有する絶縁体層１３が形成される。貫通孔１３ｃも同様にして形成することができる。

次に、誘電体膜３のうち露出している表面、及び絶縁体層１３の表面及び貫通孔１３ａ，１３ｃ中にシード層を形成する。続いて、貫通孔１３ａ，１３ｃに対応する位置に開口部２８ａ，２８ｃを有するレジストパターン２８を形成する（図１８）。このとき、開口部２８ａ，２８ｃは、貫通孔１３ａ，１３ｃよりも開口面積が大きくなるように形成されている。

次に、電解めっき法などにより、露出しているシード層上にめっき層を形成させ、引出し端子３０Ａ，３０Ｃを形成する（図１９）。めっき層は、開口部２８ａ，２８ｃ内まで侵入するように形成する。その後、レジストパターン２８を除去する。

次に、基材本体部１Ｂを薄肉化して基板本体部１ｂとする。このとき、複数の本体部１００Ｂが一体的につながっている場合には、ダイシングにより各本体部１００Ｂを分割して個片化する。こうして本体部１００Ｂが得られる。

最後に、本体部１００Ｂの両端部に下地電極を形成した後、例えばバレルめっきにより本体部１００Ｂの両端部に外部接続端子１００Ａ，１００Ｃを形成する。このとき、下地電極は、互いに分離するように形成する。具体的には、一方の下地電極は、上部電極部５に接触させ、他方の下地電極は給電用電極部６に接触させるようにする。これにより、上部電極部５に接触した外部接続端子１００Ａ、給電用電極部６に接触した外部接続端子１００Ｃが得られる（図１）。以上のようにして電子部品１００の製造が完了する。

〔第２実施形態〕
次に、本発明に係る電子部品の第２実施形態について図２０を参照して説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一符号を付し、重複する説明を省略する。図２０は、本発明に係る電子部品の第２実施形態を示す断面図である。

図２０に示すように、本実施形態の電子部品２００は、本体部１００Ａに代えて本体部２００Ａが用いられている点で電子部品１００と相違する。ここで、本体部２００Ｂは、基板１の主面１ａ上に、キャパシタ部１１に電気的に接続されるインダクタ部２０１をさらに有する点で、電子部品１００における本体部１００Ｂと相違する。これにより、電子部品２００は、ＬＣフィルタ（ＬＣ回路部品）として機能することが可能となる。このとき、電子部品２００においても、回路基板に実装するに際して、はんだの冷却による収縮が生じても、引出し端子３０Ａ，３０Ｃと絶縁体層１３との間で剥離が生じにくくなる。そのため、引出し端子３０Ａ，３０Ｃや、キャパシタ部１１、インダクタ部２０１の酸化による特性劣化（具体的には周波数特性の劣化）を効果的に抑制することができる。

インダクタ部２０１について詳細に説明する。図２０に示すように、インダクタ部２０１は、基板１の主面１ａ上に設けられるスパイラル状のコイル部２０２と、コイル部２０２を覆う誘電体膜３と、誘電体膜３上に設けられる絶縁膜４と、絶縁膜４上に設けられ、コイル部２０２と電気的に接続される引出し導体部２０３とを有している。引出し導体部２０３は、絶縁膜４に形成される開口部、及び誘電体膜３に形成される貫通孔を経てコイル部２０２に接触している。一方、引出し導体部２０３は、引出し端子３０Ａとも接触している。

本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、貫通孔１３ａの内壁面と引出し端子３０Ａとの境界線Ｌ１、Ｌ２が直線状となっているが、境界線Ｌ１，Ｌ２は直線状に限定されるものではない。たとえば図２１に示すように、境界線Ｌ１が、第１面１３ｄから第２面１３ｅに向かうにつれて第１面１３ｄと引出し端子３０Ａとの境界線に対する接線の傾きが大きくなるように傾斜していてもよい。この場合、引出し端子３０Ａと貫通孔１３ａの内壁面１３ｇとの接触面積を、接線の傾きが一定の場合に比べて増加させることができる。このため、引出し端子３０Ａと貫通孔１３ａの内壁面１３ｇとの間の剥離をより効果的に抑制できる。また同様の理由から、貫通孔１３ｃの内壁面と引出し端子３０Ｃとの境界線Ｌ１、Ｌ２も直線状に代えて、図２１に示す形状であってもよい。

また、上記第１実施形態では、受動素子部がキャパシタ部１１とされているが、受動素子部はインダクタ部であってもよい。

以下、本発明の内容を、実施例及び比較例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、アルミナからなる基材本体部の上にスパッタリング法を用いて、平坦化膜となるアルミナ膜を形成し、アルミナ膜をＣＭＰによって平坦化処理して平坦化膜を形成した。

次に、平坦化膜上に、Ｔｉ、Ｃｕをスパッタにより成膜してシード層を形成した。続いて、下部電極部及び導体部を形成すべき位置にそれぞれ開口部を有するレジストパターンをシード層上に形成した。レジストパターンは、フォトレジストを用いて作製した。

続いて、電解めっき法により、開口部内で露出しているシード層上に、Ｃｕからなるめっき層を形成した。その後、レジストパターンを除去し、続いて、露出しているシード層をイオンミリングにより除去した。こうして下部電極部及び導体部を形成した。

次に、下部電極部、導体部及び、露出している平坦化膜の表面を覆うように、厚さ８０ｎｍの誘電体膜であるアルミナをスパッタで形成した。

次に、誘電体膜の表面上に、３つの開口部を有する絶縁膜を形成した。具体的には、感光性ポリイミド樹脂（フォトニースＵＲ−５１００ＦＸ（東レ））をスピンコート法により塗布し、フォトリソグラフィにより、３つの開口部を有するレジストパターンを形成した。このとき、３つの開口部のうち１つの開口部は導体部に対応する位置に形成し、残りの２つの開口部は、下部電極部に対応する位置に形成した。続いて、そのレジストパターンを３８０℃で加熱硬化し、絶縁膜を形成した。

次に、絶縁膜上に、導体部及び下部電極部に対応する位置にそれぞれ開口部を有するレジストパターンを形成した。

続いて、給電用電極部を形成するための開口部を有するレジストパターンを形成し、ドライエッチングにより、誘電体膜において、下部電極部が露出するように貫通穴を形成した。その後、レジストパターンを剥離した。

次に、Ｔｉ、Ｃｕをこの順に成膜してシード層を形成した後、上部電極部及び給電用電極部を形成するための開口部を有するレジストパターンを形成した。その後、電解めっき法によりシード層上にＣｕからなるめっき層を形成した。

そして、レジストパターンを除去し、続いてイオンミリングにより、露出している不要部分のシード層を除去した。こうして上部電極部及び給電用電極部を形成した。そして、上部電極部及び給電用電極部上に感光性ポリイミド樹脂をスピンコーティングによって形成した。

その後、感光性ポリイミド樹脂に対して露光及び現像を順次行うことにより２つの貫通孔を形成した。２つの貫通孔はそれぞれ上部電極部及び給電用電極部に対応する位置に形成し、貫通孔の開口形状は長円状（サイズ：短径３０μｍ×長径４０μm）とした。

次に、感光性ポリイミド樹脂上にレジストパターンを形成した。このとき、レジストパターンは、貫通孔の内壁面のうち感光性ポリイミド樹脂の周縁面に近い側の内壁面を被覆し、周縁面から遠い側の内壁面を含む部分を突出させるように形成した。

続いて、貫通孔の内壁面のうち露出された部分をミリングにより除去した。こうして２つの貫通孔を形成し、最後に、レジストパターンを除去した。

次に、Ｔｉ、Ｃｕをこの順に成膜してシード層を形成した後、引出し端子を形成するための開口部を有するレジストパターンを形成した。その後、電解めっき法によりシード層上にＣｕからなるめっき層を形成した。
そして、レジストパターンを除去し、続いてイオンミリングにより、露出している不要部分のシード層を除去した。こうして引出し端子を形成した。

そして、アルミナ基板を薄肉化し、続いてダイシングにより個片化して本体部を得た。

そして、本体部の両端にそれぞれＣｒ、Ｃｕからなる下地電極を形成し、バレルめっきにより、下地電極に、Ｎｉ，Ｓｎからなるめっき層を形成した。こうして本体部の両端にそれぞれ外部接続端子を形成し、電子部品を得た。

こうして得られた電子部品について、ＳＥＭにより絶縁体層における貫通孔の形状を確認したところ、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線はいずれも、給電用電極部側の端部を固定点として、絶縁体層の周縁面のうち外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜していた。つまり、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線はいずれも、給電用電極部側の端部を固定点として、電子部品１００の側面から遠ざかる方向に傾斜していた。

（比較例１）
上部電極部及び給電用電極部上の感光性ポリイミド樹脂の露光、現像条件を調整することにより、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線のうち、絶縁体層の周縁面に近い側の境界線が、給電用電極部側の端部を固定点として、絶縁体層の周縁面のうち外部接続端子が密着している領域に近づく方向に傾斜するようにした。つまり、貫通孔の内壁面と引出し端子との２つの境界線はいずれも、給電用電極部側の端部を固定点として、電子部品１００の側面に近づく方向に傾斜していた。それ以外は実施例１と同様にして電子部品を得た。

〔剥離評価〕
実施例１及び比較例１に係る電子部品を、はんだを用いて回路基板に実装した。その後、その電子部品について、ＳＥＭにより断面観察を行った。その結果、実施例１の電子部品では、貫通孔の内壁面と引出し端子との間には剥離が生じていなかった。これに対して、比較例１の電子部品では、貫通孔の内壁面のうち絶縁体層の周縁面側の内壁面と引き出し端子との間に剥離が見られた。

以上より、本発明の電子部品によれば、受動素子部の特性劣化を効果的に抑制できることが確認された。

本発明に係る電子部品の一実施形態を示す断面図である。 図１の部分拡大図である。 図１の電子部品を回路基板に実装する状態を示す断面図である。 図１の引出し端子のうちセラミック基板に平行な断面形状の一例を示す図である。 図１の引出し端子のうちセラミック基板に平行な断面形状の他の例を示す図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の貫通孔を形成する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 図１の電子部品を製造する一連の工程の一部を切断面端面図によって示す工程図である。 本発明に係る電子部品の他の実施形態を示す断面図である。 図１の貫通孔の形状の変形例を示す部分拡大断面図である。

符号の説明

１…セラミック基板、１１…キャパシタ部（受動素子部）、１３…絶縁体層、１３ｄ…第１面、１３ｅ…第２面、１３ｆ…第３面、１３ａ，１３ｃ…貫通孔、３１…嵌合部、３１ａ…断面、３１ｂ…角部、１００，２００…電子部品、２０１…インダクタ部（受動素子部）、Ｌ１…周縁境界線、Ｌ２…境界線、Ｓ１，Ｓ２…固定点。

Claims (6)

1. セラミック基板と、
   前記セラミック基板上に設けられる受動素子部と、
   前記受動素子部上に設けられ、貫通孔を有する絶縁体層と、
   前記絶縁体層の前記貫通孔に嵌合され、前記受動素子部に電気的に接続される引出し端子と、
   前記引出し端子に電気的に接続される外部接続端子とを備えており、
   前記絶縁体層が、前記受動素子部に接触している第１面と、前記受動素子部と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面を連結し、前記絶縁体層の周縁面を構成する第３面とを有し、
   前記外部接続端子が、前記引出し端子、前記絶縁体層の前記第２面、前記第３面に密着し、
   前記セラミック基板の厚さ方向に沿って前記貫通孔を横切る断面において、前記貫通孔の内壁面と前記引出し端子との２つの境界線のうち前記第３面に近い側の境界線である周縁境界線が、その前記第１面側の端部を固定点として、前記第３面のうち前記外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している、電子部品。
2. 前記周縁境界線が、前記第１面と前記引出し端子との境界線に対する接線の傾きが一定となるように傾斜している、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記周縁境界線が、前記第１面から前記第２面に向かうにつれて前記第１面と前記引出し端子との境界線に対する接線の傾きが大きくなるように傾斜している、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記セラミック基板の厚さ方向に沿って前記貫通孔を横切る断面において、前記貫通孔の内壁面と前記引出し端子との２つの境界線のうち前記第３面から遠い側の境界線が、その前記第１面側の端部を固定点として、前記第３面のうち前記外部接続端子が密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
5. 前記引出し端子が、前記貫通孔に嵌合している嵌合部を有し、前記嵌合部のうち前記セラミック基板に平行な断面が多角形状であり、その角部が面取りされている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
6. 前記引出し端子のうち前記セラミック基板に平行な断面が多角形状であり、その断面の角がアール状に形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。