JP7180581B2 - インダクタ部品及びインダクタ部品の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、インダクタ部品及びインダクタ部品の製造方法に関する。

特許文献１に記載のインダクタ部品は、非磁性のプリント基板の第１面上に第１インダクタ配線が配置されており、第１インダクタ配線におけるプリント基板とは反対側には第１磁性層が配置されている。また、プリント基板における第１面とは反対側の第２面上に第２インダクタ配線が配置されており、第２インダクタ配線におけるプリント基板とは反対側には第２磁性層が配置されている。すなわち、特許文献１に記載のインダクタ部品は、第１インダクタ配線の層及び第２インダクタ配線の層が、両側から磁性層で挟まれた構造になっている。

特許第６０２４２４３号公報

特許文献１に記載のようなインダクタ部品において、薄型化等を目的として、プリント基板の第２面側の第２インダクタ配線を省略して、第１面側の第１インダクタ配線のみの１層とすることがある。このような構造の場合に、第１磁性層の厚み及び第２磁性層の厚みをどのように設計すれば、インダクタ部品の製造を効率化できるかという点については、特許文献１では何ら検討がなされていない。

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、単層のインダクタ配線と、前記インダクタ配線における第１面側に配置された第１磁性層と、前記インダクタ配線における前記第１面とは反対側の第２面側に積層されている第２磁性層と、前記第１磁性層を貫通して前記インダクタ配線に接続されている垂直配線と、を備え、前記第２磁性層の主面に直交する方向を法線方向としたとき、前記第１磁性層の前記法線方向の寸法である第１磁性層厚みは、前記第２磁性層の前記法線方向の寸法である第２磁性層厚みよりも小さく、前記インダクタ配線の前記法線方向の寸法であるインダクタ配線厚みは、前記垂直配線の前記法線方向の寸法である垂直配線厚みの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満である。

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、絶縁樹脂の第１面の一部を被覆する第１被覆部を形成する第１被覆工程と、前記絶縁樹脂の第１面のうちの前記第１被覆部に被覆されていない部分にインダクタ配線をめっき法で形成するインダクタ配線加工工程と、前記第１被覆部における前記絶縁樹脂とは反対側の面である第１面、及び前記インダクタ配線における前記絶縁樹脂とは反対側の面である第１面の一部を被覆する第２被覆部を形成する第２被覆工程と、前記絶縁樹脂の第１面のうちの前記第２被覆部に被覆されていない部分に垂直配線をめっき法で形成する垂直配線加工工程と、前記垂直配線加工工程の後、前記第１被覆部及び第２被覆部を取り除く被覆部除去工程と、被覆部除去工程の後、前記インダクタ配線の第１面側に第１磁性層を積層する第１磁性層加工工程と、前記インダクタ配線の第２面側に第２磁性層を積層する第２磁性層加工工程と、を備えているインダクタ部品の製造方法であって、前記第２磁性層の主面に直交する方向を法線方向としたとき、前記垂直配線加工工程では、前記垂直配線の前記法線方向の寸法である垂直配線厚みが、前記第１磁性層の前記法線方向の寸法である第１磁性層厚みの３分の２倍より大きく２倍未満となるように、前記垂直配線を形成する。

上記構成によれば、インダクタ配線厚みと垂直配線厚みとの差が小さいため、インダクタ配線及び垂直配線を、同種の製造装置で同様の加工条件で形成できる。そのため、インダクタ配線の形成と垂直配線の形成とで、製造装置や加工条件を大幅に変更する必要はなく、インダクタ部品の製造を効率化できる。

また、上記構成によれば、第２磁性層厚みよりも第１磁性層厚みの方が小さいため、インダクタ部品全体の厚みが大きくなることを抑制できる。その一方で、第１磁性層厚みが小さいが故に第１磁性層側から磁束の漏れが生じる可能性があるが、インダクタ配線が単層であることで磁束密度が小さいため、第１磁性層側から過度に磁束の漏れが生じることは抑制できる。

インダクタ部品の製造を効率化できる。

第１実施形態のインダクタ部品の分解斜視図。 第１実施形態のインダクタ部品の透過上面図。 第１実施形態のインダクタ部品の断面図。 第２実施形態のインダクタ部品の分解斜視図。 第２実施形態のインダクタ部品の透過上面図。 第２実施形態のインダクタ部品の断面図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。 インダクタ部品の製造方法の説明図。

＜インダクタ部品の実施形態＞
以下、インダクタ部品の各実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

＜第１実施形態＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態を説明する。
図１に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚み方向に４つの薄板状の層が積層されたような構造になっている。以下の説明では、４つの各層の積層方向を上下方向として説明する。

第１層Ｌ１は、インダクタ配線２０と、第１ダミー配線３１と、第２ダミー配線３２と、内磁路部４１と、外磁路部４２と、によって構成されている。第１層Ｌ１は、平面視で略正方形状になっている。

図２に示すように、第１層Ｌ１において、インダクタ配線２０は、配線本体２１と、第１パッド２２と、第２パッド２３と、によって構成されている。インダクタ配線２０は、上面視すると、正方形状の第１層Ｌ１の主面の中心を中心とした渦巻状に延びている。具体的には、インダクタ配線２０の配線本体２１は、上面視すると、径方向外側の外周端部２１Ａから径方向内側の内周端部２１Ｂに向かって、反時計回りに渦巻き状に巻回されている。なお、図２においては、後述する第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２を二点鎖線で示すとともに、絶縁樹脂６０を破線で示している。

インダクタ配線２０のターン数は、インダクタ配線の延びる方向においてインダクタ配線２０の一方の端からインダクタ配線２０の他方の端へと移動するときに、インダクタ配線２０の一方の端を基準として、３６０度移動された場合を１．０ターンとして定められている。すなわち、インダクタ配線２０のターン数は、インダクタ配線２０の巻回されている角度が、回数によって示されている。したがって、例えば、１８０度巻回されると、ターン数は０．５ターンとなる。本実施形態では、インダクタ配線２０が巻回されている角度は、５４０度である。そのため、インダクタ配線２０が巻回されているターン数は、本実施形態では１．５ターンとなっている。

インダクタ配線２０は、導電性材料からなっており、本実施形態において、インダクタ配線２０の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満となっている。

図１に示すように、配線本体２１の外周端部２１Ａには、第１パッド２２が接続されている。第１パッド２２は、平面視すると略円形状となっている。第１パッド２２の材質は、配線本体２１と同じ材質となっている。

第１パッド２２からは、第１層Ｌ１の外縁側に向かって第１ダミー配線３１が延びている。第１ダミー配線３１は、第１層Ｌ１の側面まで延びていて、インダクタ部品１０の外面に露出している。

配線本体２１の内周端部２１Ｂには、第２パッド２３が接続されている。第２パッド２３は、平面視すると略円形状となっている。第２パッド２３の材質は、配線本体２１と同じ材質となっている。

配線本体２１の外周端部２１Ａと内周端部２１Ｂとの間の部分において、外周端部２１Ａから０．５ターン巻回されている箇所からは、第２ダミー配線３２が延びている。第２ダミー配線３２は、第１層Ｌ１の側面まで延びていて、インダクタ部品１０の外面に露出している。

第１層Ｌ１において、インダクタ配線２０よりも内側の領域は、内磁路部４１になっている。内磁路部４１は、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉と、の混合体で構成されている。すなわち、内磁路部４１は、磁性材料からなっている。第１層Ｌ１において、インダクタ配線２０よりも外側の領域は、外磁路部４２になっている。外磁路部４２は、内磁路部４１と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。すなわち、外磁路部４２は、磁性材料からなっている。

図１に示すように、第１層Ｌ１の上面には、第１層Ｌ１と同じ平面視正方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、第１垂直配線５１と、第２垂直配線５２と、第１磁性層４３と、によって構成されている。

第１垂直配線５１は、第１パッド２２の上側の面に、他の層を介することなく直接的に接続されている。第１垂直配線５１の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第１垂直配線５１は、円柱状となっており、円柱の軸線方向が上下方向と一致している。上面視すると、円形の第１垂直配線５１の直径は、第１パッド２２の直径よりも僅かに小さくなっている。

第２垂直配線５２は、第２パッド２３の上側の面に、他の層を介することなく直接的に接続されている。第２垂直配線５２の材質は、インダクタ配線２０と同じ材質となっている。第２垂直配線５２は、円柱状となっており、円柱の軸線方向が上下方向と一致している。上面視すると、円形の第２垂直配線５２の直径は、第２パッド２３の直径よりも僅かに小さくなっている。なお、インダクタ配線２０と、第１ダミー配線３１と、第２ダミー配線３２と、第１垂直配線５１と、第２垂直配線５２とは、区別して図示しているが、一体化している。

第２層Ｌ２において、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２を除く部分は、第１磁性層４３となっている。そのため、第１磁性層４３は、インダクタ配線２０における上面側である第１面側に配置されている。第１磁性層４３は、上述した内磁路部４１及び外磁路部４２と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。よって、第１磁性層４３は磁性材料からなっている。

第１層Ｌ１の下には、第１層Ｌ１と同じ平面視正方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、絶縁樹脂６０と、絶縁樹脂磁性層４４と、によって構成されている。
絶縁樹脂６０は、インダクタ配線２０と、第１ダミー配線３１と、第２ダミー配線３２と、を下側から覆っている。すなわち、絶縁樹脂６０は、第１層Ｌ１の導電性の部分の下側の面を全て被覆している。絶縁樹脂６０は、上面視すると、インダクタ配線２０と、第１ダミー配線３１と、第２ダミー配線３２と、の外縁よりも僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、絶縁樹脂６０は、上面視すると、略円環状の形状となっている。絶縁樹脂６０の材質は、インダクタ配線２０よりも絶縁性が高い絶縁性の絶縁樹脂である。

第３層Ｌ３において、絶縁樹脂６０を除く部分は、絶縁樹脂磁性層４４となっている。絶縁樹脂磁性層４４は、上述した内磁路部４１や外磁路部４２と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。よって、絶縁樹脂磁性層４４は磁性材料となっている。

第３層Ｌ３の下面には、第１層Ｌ１と同じ平面視正方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、第２磁性層４５となっている。すなわち、第２磁性層４５は、インダクタ配線２０の上面である第１面とは反対側の下面である第２面に積層されている。第２磁性層４５は、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。すなわち、第２磁性層４５は、上述した内磁路部４１や外磁路部４２と同様に、磁性材料となっている。ここで、第２磁性層４５のうち、インダクタ配線２０が配置されている側の面を、第２磁性層４５の主面ＭＦとする。なお、本実施形態において、第４層Ｌ４すなわち第２磁性層４５の主面ＭＦに直交する法線方向は、上下方向となっており、４つの層の積層方向と同一である。

インダクタ部品１０において、内磁路部４１と、外磁路部４２と、第１磁性層４３と、絶縁樹脂磁性層４４と、第２磁性層４５とによって、磁性層４０が構成されている。内磁路部４１と、外磁路部４２と、第１磁性層４３と、絶縁樹脂磁性層４４と、第２磁性層４５とは、接続されており、インダクタ配線２０を取り囲んでいる。このように、磁性層４０は、インダクタ配線２０に対して閉磁路を構成している。なお、内磁路部４１と、外磁路部４２と、第１磁性層４３と、絶縁樹脂磁性層４４と、第２磁性層４５とは、区別して図示しているが、磁性層４０として一体化されている。

図３に示すように、第１層Ｌ１の上下方向の寸法である厚みは、７０μｍとなっている。そのため、インダクタ配線２０の上下方向の寸法であるインダクタ配線厚みＴＩは、７０μｍとなっている。また、第１ダミー配線３１及び第２ダミー配線３２の上下方向の寸法であるダミー配線厚みＴＤは、７０μｍとなっていて、インダクタ配線厚みＴＩと同じである。

ここで、インダクタ配線２０の配線本体２１が延びる方向に対して垂直な断面において、インダクタ配線厚みＴＩと直交する方向の寸法を、図２に示すように、インダクタ配線幅ＷＩとする。このとき、インダクタ部品１０において、インダクタ配線幅ＷＩは、インダクタ配線厚みＴＩである７０μｍよりも大きくなっている。本実施形態において、インダクタ配線幅ＷＩは、配線本体２１のうち、外周端部２１Ａと内周端部２１Ｂとの中央であるの中央位置と、中央位置から外周端部２１Ａ側に１００μｍずれた位置と、中央位置から内周端部２１Ｂ側に１００μｍずれた位置との３点における配線幅の算術平均値となっている。なお、本実施形態では、インダクタ配線２０の配線本体２１は、インダクタ配線幅ＷＩが略一定になっている。また、本実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩは、配線本体２１のうち、外周端部２１Ａと内周端部２１Ｂとの中央であるの中央位置と、中央位置から外周端部２１Ａ側に１００μｍずれた位置と、中央位置から内周端部２１Ｂ側に１００μｍずれた位置との３点における配線厚みの算術平均値となっている。なお、本実施形態では、インダクタ配線２０は、インダクタ配線厚みＴＩが略一定となっている。さらに、インダクタ配線幅ＷＩ及びインダクタ配線厚みＴＩの寸法測定において、配線厚みは断面における上下方向の寸法の最大値を測定し、配線幅は断面における上下方向に直交する方向の寸法の最大値を測定すればよい。

第１ダミー配線３１が延びる方向に対して垂直な断面において、ダミー配線厚みＴＤと直交する方向の寸法を、図２に示すように、ダミー配線幅ＷＤとする。このとき、インダクタ部品１０において、ダミー配線幅ＷＤは、インダクタ配線幅ＷＩよりも小さくなっている。なお、本実施形態においては、第２ダミー配線３２の幅は、第１ダミー配線３１の幅であるダミー配線幅ＷＤと同一となっている。ダミー配線幅ＷＤは、第１ダミー配線３１のうち、インダクタ部品１０の外面に露出している面の上下方向に直交する幅寸法の最大値として規定される。なお、本実施形態では、第１ダミー配線３１及び第２ダミー配線３２は、いずれもダミー配線幅ＷＤが略一定になっている。

図３に示すように、第２層Ｌ２の上下方向の寸法である厚みは、５０μｍとなっている。また、第２層Ｌ２を構成する第１垂直配線５１と、第２垂直配線５２と、第１磁性層４３との上下方向の寸法である厚みも、全て同一の５０μｍとなっている。そのため、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２の上下方向の寸法である垂直配線厚みＴＶは、５０μｍとなっている。さらに、第１磁性層４３の上下方向の寸法である第１磁性層厚みＴＭ１は、５０μｍとなっている。すなわち、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２は、第１磁性層４３を上下方向に貫通している。

第３層Ｌ３の上下方向の寸法である厚みは、２０μｍとなっている。また、第３層Ｌ３を構成する絶縁樹脂６０と、絶縁樹脂磁性層４４と、の上下方向の寸法である厚みも、同一の２０μｍとなっている。

第４層Ｌ４の上下方向の寸法である厚みは、１００μｍとなっている。そのため、第４層Ｌ４を構成する第２磁性層４５の上下方向の寸法である第２磁性層厚みＴＭ２は、１００μｍとなっている。その結果、第１層Ｌ１～第４層Ｌ４を合わせたインダクタ部品１０の上下方向の寸法であるインダクタ部品厚みＴＡは、０．２４０ｍｍとなっている。

ここで、上述した厚みを比較すると、第１磁性層厚みＴＭ１は、第２磁性層厚みＴＭ２よりも小さくなっている。また、インダクタ配線厚みＴＩは、垂直配線厚みＴＶの１．４倍であり、垂直配線厚みＴＶの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満となっている。

次に、上記第１実施形態の効果を説明する。
（１）上記第１実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩは、垂直配線厚みＴＶの１．４倍である。このように、インダクタ配線厚みＴＩが、垂直配線厚みＴＶの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満という範囲内に収まっていれば、インダクタ配線厚みＴＩと垂直配線厚みＴＶとの差が過度に大きくないといえる。そのため、インダクタ配線２０の形成と、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２の形成で、製造装置や加工条件を大幅に変更する必要はなく、インダクタ配線２０と、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２とを、同種の製造装置や同様の加工条件で形成できる。その結果、インダクタ部品１０の製造を効率化できる。

（２）上記第１実施形態において、インダクタ配線２０が絶縁樹脂６０の下面側には配置されていないうえ、第１磁性層厚みＴＭ１は、第２磁性層厚みＴＭ２よりも小さくなっている。これらに起因して、インダクタ部品厚みＴＡは０．３００ｍｍ以下の０．２４０ｍｍという相応に薄い値になっている。その一方で、第１磁性層厚みＴＭ１が小さいが故に磁性層４０からの磁束の漏れが生じる可能性があるが、インダクタ配線２０が単層であることで、磁束密度が小さいため、過度に磁束の漏れが生じることは抑制できる。

特に、インダクタ配線厚みＴＩが、垂直配線厚みＴＶの１．５倍未満、すなわち第１磁性層厚みＴＭ１は、インダクタ配線厚みＴＩの３分の２倍より大きい。これにより、過度な磁束漏れの発生を抑制できる。

（３）上記第１実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩは、インダクタ配線幅ＷＩよりも小さい。そのため、インダクタ配線２０の断面積が同一という条件下においてインダクタ配線厚みＴＩを比較的に小さくできる。そのため、インダクタ部品１０全体の厚みの小型化に寄与できる。

（４）上記第１実施形態によれば、インダクタ配線２０の上面が、他の層を介することなく第１垂直配線５１、第２垂直配線５２、及び第１磁性層４３と接している。換言すれば、インダクタ配線２０の上面には、絶縁層等の他の層が積層されていない。そのため、インダクタ配線２０と、第１垂直配線５１及び第２垂直配線５２との間の電気的な導通を確保するために、インダクタ配線２０の上面に積層された層にビアを形成する必要がなく、製造方法の簡略化に寄与する。

（５）上記第１実施形態によれば、インダクタ配線２０の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満となっている。そのため、銅により比較的に安価かつ低抵抗を実現できる。また、硫黄を添加することで銅の粒界に不純物が存在し、不純物である硫黄によって応力緩和がなされる。

＜第２実施形態＞
以下、インダクタ部品の第２実施形態を説明する。なお、以下で説明する第２実施形態は、主として、第１実施形態のインダクタ部品１０と比較してインダクタ配線の形状が異なっている。

図４に示すように、インダクタ部品１１０は、全体として、厚み方向に４つの薄板状の層が積層されたような構造になっている。以下の説明では、４つの各層の積層方向を上下方向として説明する。なお、図４においては、後述する絶縁層１７０及び外部端子１８０の図示を省略する。

第１層Ｌ１１は、２つのインダクタ配線１２０と、２つの第１ダミー配線１３１と、２つの第２ダミー配線１３２と、内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、によって構成されている。第１層Ｌ１１は、上面視すると、長方形状となっている。

図５に示すように、第１層Ｌ１１において、インダクタ配線１２０は、配線本体１２１と、第１パッド１２２と、第２パッド１２３と、によって構成されている。配線本体１２１は、上面視すると、第１層Ｌ１１の長方形の長手方向に延びている。そして、配線本体１２１の延設方向の中央部１２１Ｃが直線状に延びているとともに、配線本体１２１の延設方向一方側の第１端部１２１Ａ及び他方側の第２端部１２１Ｂが湾曲している。配線本体１２１の第１端部１２１Ａ及び第２端部１２１Ｂは、いずれも第１層Ｌ１１の短手方向中央側を向くように略９０度湾曲している。なお、図５において、後述する第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を二点鎖線で示すとともに、絶縁樹脂１６０を破線で示している。

インダクタ配線１２０が巻回されている角度は、片側の端部で９０度、両端部を合わせて１８０度である。そのため、インダクタ配線１２０が巻回されているターン数は、本実施形態では０．５ターンとなっている。

インダクタ配線１２０は、導電性材料からなっており、本実施形態において、インダクタ配線１２０の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満となっている。

図４に示すように、インダクタ配線１２０の第１端部１２１Ａには、第１パッド１２２が接続されている。第１パッド１２２は、上面視すると、略正方形状となっている。第１パッド１２２の材質は、配線本体１２１と同じ材質となっている。

第１パッド１２２からは、第１層Ｌ１１の外縁側に向かって第１ダミー配線１３１が延びている。第１ダミー配線１３１は、第１層Ｌ１１の側面まで延びていて、インダクタ部品１１０の外面に露出している。

インダクタ配線１２０の第２端部１２１Ｂには、第２パッド１２３が接続されている。第２パッド１２３は、上面視すると、略正方形状となっている。第２パッド１２３の材質は、配線本体１２１と同じ材質となっている。

第２パッド１２３からは、第１層Ｌ１１の外縁側に向かって第２ダミー配線１３２が延びている。第２ダミー配線１３２は、第１層Ｌ１１の側面まで延びていて、インダクタ部品１１０の外面に露出している。

ここで、第１層Ｌ１１の上面である長方形の中心Ｃは、第１層Ｌ１１の短手方向中央を通る第１層Ｌ１１の長手方向と平行な直線と、第１層Ｌ１１の短手方向中央を通る第１層Ｌ１１の短手方向と平行な直線との交点である。そして、第１層Ｌ１１は、この交点である中心Ｃを通る法線方向の軸線を回転中心に対して、１８０度回転対称な構造となっている。そのため、第１層Ｌ１１の短手方向第２端側には、第１層Ｌ１１の短手方向第１端側の構造と同じ構造となっている。なお、図面には同一の符号を付して、説明は省略する。

第１層Ｌ１１において、インダクタ配線１２０よりも内側の領域は、内磁路部１４１になっている。内磁路部１４１は、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉との混合体で構成されている。すなわち、内磁路部４１は、磁性材料からなっている。第１層Ｌ１１において、インダクタ配線１２０よりも外側の領域は、外磁路部１４２になっている。外磁路部１４２は、内磁路部１４１と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉との混合体で構成されている。よって、外磁路部１４２は、磁性材料からなっている。

図４に示すように、第１層Ｌ１１の上面には、第１層Ｌ１１と同じ平面視長方形状の第２層Ｌ１２が積層されている。第２層Ｌ１２は、２つの第１垂直配線１５１と、２つの第２垂直配線１５２と、第１磁性層１４３と、によって構成されている。

第１垂直配線１５１は、第１パッド１２２の上面に、他の層を介することなく接続している。第１垂直配線１５１の材質は、インダクタ配線１２０と同じ材質となっている。第１垂直配線１５１は、角柱状となっており、角柱の軸線方向が上下方向と一致している。上面視すると、正方形状の第１垂直配線１５１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド１２２の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。

第２垂直配線１５２は、第２パッド１２３の上面に、他の層を介することなく直接的に接続されている。第２垂直配線１５２の材質は、インダクタ配線１２０と同じ材質となっている。第２垂直配線１５２は、角柱状となっており、角柱の軸線方向が上下方向と一致している。上面視すると、正方形状の第２垂直配線１５２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド１２３の各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。なお、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２と、第１垂直配線１５１と、第２垂直配線１５２とは、区別して図示しているが、一体化している。

第２層Ｌ１２において、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を除く部分は、第１磁性層１４３となっている。そのため、第１磁性層１４３は、インダクタ配線１２０における上面側である第１面側に配置されている。第１磁性層１４３は、上述した内磁路部１４１及び外磁路部１４２と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。すなわち、第１磁性層１４３は、磁性材料からなっている。

図６に示すように、第２層Ｌ１２の上面には、絶縁層１７０及び外部端子１８０が配置されている。具体的には、２つの第１垂直配線１５１及び２つの第２垂直配線１５２の上面には、外部端子１８０が接続されている。外部端子１８０は導電性の材料となっており、本実施形態では、銅、ニッケル、金の３層構造となっている。

第２層Ｌ１２の上面のうち、外部端子１８０によって覆われない範囲は、絶縁層１７０によって覆われている。絶縁層１７０は、第１磁性層１４３よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層１７０はソルダーレジストとなっている。

図４に示すように、第１層Ｌ１の下側の面には、第１層Ｌ１１と同じ平面視長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、２つの絶縁樹脂１６０と、絶縁樹脂磁性層１４４と、によって構成されている。

絶縁樹脂１６０は、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２とを下側から覆っている。すなわち、絶縁樹脂１６０は、第１層Ｌ１１の導電性の部分の下側の面を全て被覆している。絶縁樹脂１６０は、上面視すると、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２との外縁よりも僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、絶縁樹脂１６０は、全体として第３層Ｌ３の長手方向に延びる帯状となっており、第３層Ｌ３の短手方向に２つの絶縁樹脂１６０が並んでいる。絶縁樹脂１６０は、絶縁性の樹脂であり、インダクタ配線１２０よりも絶縁性が高くなっている。

第３層Ｌ１３において、絶縁樹脂１６０を除く部分は、絶縁樹脂磁性層１４４となっている。絶縁樹脂磁性層１４４は、上述した内磁路部１４１や外磁路部１４２と同様に、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。よって、絶縁樹脂磁性層１４４は磁性材料となっている。

第３層Ｌ１３の下面には、第１層Ｌ１１と同じ平面視長方形状の第４層Ｌ１４が積層されている。第４層Ｌ１４は、第２磁性層１４５となっている。そのため、第２磁性層１４５は、インダクタ配線１２０の上面である第１面とは反対側の下面である第２面に積層されている。第２磁性層１４５は、樹脂と、フェライトや金属磁性体などの磁性粉の混合体で構成されている。すなわち、第２磁性層１４５は、上述した内磁路部１４１や外磁路部１４２と同様に、磁性材料となっている。ここで、第２磁性層１４５のうち、インダクタ配線１２０が配置されている側の面を、第２磁性層１４５の主面ＭＦ２とする。なお、本実施形態において、第４層Ｌ１４すなわち第２磁性層１４５の主面ＭＦ２に直交する法線方向は、上下方向となっており、４つの層の積層方向と同一である。

インダクタ部品１１０において、内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、第１磁性層１４３と、絶縁樹脂磁性層１４４と、第２磁性層１４５とによって、磁性層１４０が構成されている。内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、第１磁性層１４３と、絶縁樹脂磁性層１４４と、第２磁性層１４５とは、接続されており、インダクタ配線１２０を取り囲んでいる。このように、磁性層１４０は、インダクタ配線１２０に対して閉磁路を構成している。なお、内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、第１磁性層１４３と、絶縁樹脂磁性層１４４と、第２磁性層１４５とは、区別して図示しているが、磁性層１４０として一体化されている。

図５に示すように、２つのインダクタ配線１２０の最小距離ＤＩは、一方のインダクタ配線１２０の第１パッド１２２と、他方のインダクタ配線１２０の第２パッド１２３との距離となっている。最小距離ＤＩは、内磁路部１４１に含まれる磁性粉の平均粒子径の２０倍以上となっている。磁性粉の平均粒子径は、インダクタ部品１１０の状態において、磁性層４０の中心を通る断面のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査電子顕微鏡）画像を用いて測定する。具体的には、１５個以上の磁性粉が確認できる倍率のＳＥＭ画像において、各磁性粉の面積を測定し、円相当径を｛４／π×（面積）｝＾（１／２）から算出した上で、その算術平均値を磁性粉の平均粒子径とする。なお、原料段階においては、磁性粉の平均粒子径は、金属磁性体の原料状態において、レーザ回折・散乱法により測定する。このレーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径を磁性粉の平均粒子径とする。

２つのインダクタ配線１２０に接続しているダミー配線間の最小距離ＤＤは、一方のインダクタ配線１２０の第１ダミー配線１３１と、他方のインダクタ配線１２０の第２ダミー配線１３２との距離となっている。２つのインダクタ配線１２０に接続しているダミー配線間の最小距離ＤＤは、２つのインダクタ配線１２０の最小距離ＤＩよりも大きくなっている。

図６に示すように、第１層Ｌ１１の上下方向の寸法である厚みは、４５μｍとなっている。そのため、インダクタ配線１２０の上下方向の寸法であるインダクタ配線厚みＴＩ２は、４５μｍとなっている。そのため、インダクタ配線厚みＴ１２は、４０μｍ以上且つ、５５μｍ以下となっている。また、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２の上下方向の寸法であるダミー配線厚みは、４５μｍとなっていて、インダクタ配線厚みＴＩ２と同じである。

ここで、インダクタ配線１２０の配線本体１２１が延びる方向に対して垂直な断面において、インダクタ配線厚みＴＩ２と直交する方向の寸法を、図５に示すように、インダクタ配線幅ＷＩ２とする。このとき、インダクタ部品１１０において、インダクタ配線幅ＷＩ２は、インダクタ配線厚みＴＩ２である４５μｍよりも大きくなっている。本実施形態において、インダクタ配線幅ＷＩ２は、配線本体１２１のうち、第１端部１２１Ａと第２端部１２１Ｂとの中央であるの中央位置と、中央位置から第１端部１２１Ａ側に１００μｍずれた位置と、中央位置から第２端部１２１Ｂ側に１００μｍずれた位置との３点における配線幅の算術平均値となっている。なお、本実施形態では、インダクタ配線１２０の配線本体１２１は、インダクタ配線幅ＷＩ２が略一定になっている。また、本実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩ２は、配線本体１２１のうち、第１端部１２１Ａと第２端部１２１Ｂとの中央であるの中央位置と、中央位置から第１端部１２１Ａ側に１００μｍずれた位置と、中央位置から第２端部１２１Ｂ側に１００μｍずれた位置との３点における配線厚みの算術平均値となっている。なお、本実施形態では、インダクタ配線１２０は、インダクタ配線厚みＴＩ２が略一定となっている。さらに、インダクタ配線幅ＷＩ２及びインダクタ配線厚みＴＩ２の寸法測定において、配線厚みは断面における上下方向の寸法の最大値を測定し、配線幅は断面における上下方向に直交する方向の寸法の最大値を測定すればよい。

第１ダミー配線１３１が延びる方向に対して垂直な断面において、ダミー配線厚みと直交する方向の寸法を、図５に示すように、ダミー配線幅ＷＤ２とする。このとき、インダクタ部品１１０において、ダミー配線幅ＷＤ２は、インダクタ配線幅ＷＩ２よりも小さくなっている。なお、本実施形態においては、第２ダミー配線１３２の幅は、第１ダミー配線１３１の幅であるダミー配線幅ＷＤ２と同一となっている。ダミー配線幅ＷＤ２は、第１ダミー配線１３１のうち、インダクタ部品１１０の外面に露出している面の上下方向に直交する幅寸法の最大値として規定される。なお、本実施形態では、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２は、いずれもダミー配線幅ＷＤが略一定になっている。

図６に示すように、第２層Ｌ１２の上下方向の寸法である厚みは、５０μｍとなっている。また、第２層Ｌ１２を構成する第１垂直配線１５１と、第２垂直配線１５２と、第１磁性層１４３との上下方向の寸法である厚みも、全て同一の５０μｍとなっている。そのため、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上下方向の寸法である垂直配線厚みＴＶ２は、５０μｍとなっている。さらに、第１磁性層１４３の上下方向の寸法である第１磁性層厚みＴＭ１１は、５０μｍとなっている。すなわち、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２は、第１磁性層１４３を上下方向に貫通している。

第２層Ｌ１２の上面を覆う絶縁層１７０の上下方向の寸法である厚みは、１０μｍとなっている。また、第２層Ｌ１２の上面を覆う外部端子１８０の上下方向の寸法である厚みは、約１１μｍとなっている。そのため、外部端子１８０の厚みは、絶縁層１７０の厚みより僅かに大きくなっている。

第３層Ｌ１３の上下方向の寸法である厚みは、１０μｍとなっている。また、第３層Ｌ３を構成する絶縁樹脂１６０と、絶縁樹脂磁性層１４４と、の上下方向の寸法である厚みも、同一の１０μｍとなっている。

第４層Ｌ１４の上下方向の寸法である厚みは、９０μｍとなっている。そのため、第４層Ｌ１４を構成する第２磁性層１４５の上下方向の寸法である第２磁性層厚みＴＭ１２は、９０μｍとなっている。その結果、第１層Ｌ１１～第４層Ｌ１４を合わせたインダクタ部品１１０の上下方向の寸法であるインダクタ部品厚みＴＡ２は、０．２０６ｍｍとなっている。

ここで、上述した厚みを比較すると、第１磁性層厚みＴＭ１１は、第２磁性層厚みＴＭ１２よりも小さくなっている。また、インダクタ配線厚みＴＩ２は、垂直配線厚みＴＶ２の０．９倍であり、垂直配線厚みＴＶの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満となっている。

次に、上記第２実施形態の作用及び効果を説明する。上記第１実施形態の（１）～（５）の効果に加えて、以下の効果を奏する。
（６）上記第２実施形態によれば、インダクタ配線１２０のターン数は、１．０ターン未満である。そのため、インダクタ配線１２０の直流抵抗を小さくできるため、比較的に大きな電流を流すことができる。また、インダクタ配線１２０のターン数が小さいことから、インダクタ部品１１０全体の体積に対して、インダクタ配線１２０の体積の割合を小さくできる。そのため、相対的に磁性層１４０の体積の割合が大きくなることで、インダクタ部品１１０全体の体積に対するインダクタンスの取得率の低下を妨げにくい。

（７）上記第２実施形態によれば、インダクタ配線厚みＴＩ２は、４０μｍ以上且つ、５５μｍ以下である。このように、インダクタ配線厚みＴＩ２が５５μｍ以下であるため、インダクタ部品１１０の薄型化に寄与できる。また、インダクタ配線厚みＴＩ２が４０μｍ以上であるため、直流抵抗が過度に大きくならない。

（８）上記第２実施形態によれば、第１磁性層１４３の上面は絶縁層１７０に覆われるとともに、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上面には外部端子１８０が接続している。そのため、外部端子１８０同士の短絡を絶縁層１７０によって抑制できる。

（９）上記第２実施形態によれば、インダクタ配線１２０が、第１層Ｌ１１の同一層内に２つ配置されている。ここで、仮に、２つのインダクタ配線１２０が異なる層に配置されているとすると、２つのインダクタ配線１２０は、上下方向に並んで配置される。この場合と比べると、上記第２実施形態では、２つのインダクタ配線１２０が第１層Ｌ１１の同一層内に配置されているため、インダクタ部品１１０の上下方向の寸法が大型化することを抑制する。

（１０）上記第２実施形態によれば、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩは、磁性層１４０の磁性粉の粒子径の平均値の２０倍以上となっている。仮に、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩが過度に小さいと、インダクタ配線１２０間に金属磁性体の粒子を介してインダクタ配線１２０同士が短絡する虞がある。上記第２実施形態によれば、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩは、磁性粉の粒子径の大きさに対して、充分に離隔しているといえる。そのため、２つのインダクタ配線１２０間の短絡を防ぎやすい。

（１１）配線本体１２１は、全体として第１層Ｌ１１の長手方向に延びる直線状となっており、第１層Ｌ１１の短手方向に並べられるうえで、配線本体１２１の距離が近くなりやすい。上記第２実施形態によれば、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩは、一方のインダクタ配線１２０に接続している第１パッド１２２と、他方のインダクタ配線１２０に接続している第２パッド１２３と、の距離となっている。そのため、インダクタ配線１２０の配線本体１２１同士の距離は、最小距離ＤＩより大きくなっている。パッド同士の距離よりも配線本体１２１同士の距離を大きくすることによって、配線本体１２１間の距離を相応に大きくできる。よって、配線本体１２１同士の短絡を抑制しやすい。

＜インダクタ部品の製造方法の実施形態＞
以下、インダクタ部品の製造方法の実施形態を説明する。以下では、第２実施形態で説明したインダクタ部品１１０の製造方法を説明する。

図７に示すように、先ず、ベース部材準備工程を行う。具体的には、板状のベース部材２１０を準備する。ベース部材２１０の材質は、セラミックスである。ベース部材２１０は、上面視すると、四角形状となっており、各辺の寸法は、インダクタ部品１１０が複数個収容される大きさとなっている。以下の説明では、ベース部材２１０の面方向に直交する方向を上下方向として説明する。

次に、図８に示すように、ベース部材２１０の上面全体にダミー絶縁層２２０を塗布する。次に、上面視したときにインダクタ配線１２０が配置される範囲より僅かに広い範囲に、フォトリソグラフィによって、絶縁樹脂１６０として機能する絶縁樹脂をパターニングする。

次に、シード層２３０を形成するシード層形成工程を行う。具体的には、ベース部材２１０の上面側から、スパッタリングによって、絶縁樹脂１６０及びダミー絶縁層２２０の上面である第１面に銅のシード層２３０を形成する。なお、図面において、シード層２３０は、太線で図示する。

次に、図９に示すように、シード層２３０の上面のうち、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２とを形成しない部分を被覆する第１被覆部２４０を形成する第１被覆工程を行う。具体的には、先ず、シード層２３０の上面全体に感光性のドライフィルムレジストを塗布する。次に、ダミー絶縁層２２０の上面の範囲全てと、絶縁樹脂１６０の上面のうち絶縁樹脂１６０が覆う範囲の外縁部の上面とについて、露光することで硬化させる。その後、塗布したドライフィルムレジストのうち硬化していない部分を、薬液により剥離除去する。これにより、塗布したドライフィルムレジストのうち、硬化している部分が、第１被覆部２４０として形成される。一方で、塗布したドライフィルムレジストのうち、薬液に除去されて第１被覆部２４０に被覆されていない部分には、シード層２３０が露出している。第１被覆部２４０の上下方向の寸法である第１被覆部厚みＴＣ１は、図６に示すインダクタ部品１１０のインダクタ配線厚みＴＩ２よりも僅かに大きくなっている。なお、他の工程におけるフォトリソグラフィも、同様の工程であるので詳細な説明は省略する。

次に、図１０に示すように、絶縁樹脂１６０の上面のうちの、第１被覆部２４０に被覆されていない部分にインダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２と、を電解めっきで形成するインダクタ配線加工工程を行う。具体的には、電解銅めっきを行い、絶縁樹脂１６０の上面において、シード層２３０が露出している部分から、銅を成長させる。これにより、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２とが、形成される。インダクタ配線１２０の上下方向の寸法であるインダクタ配線厚みＴＩ２は、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２の上下方向の寸法であるダミー配線厚みと同一である。また、インダクタ配線厚みＴＩ２は、第１被覆部厚みＴＣ１よりも小さい。また、後述する破断線ＤＬを挟んで隣り合うインダクタ部品１１０同士は、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２によって接続されている。なお、図１０では、インダクタ配線１２０が図示されていて、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２は図示されていない。

次に、図１１に示すように、第２被覆部２５０を形成する第２被覆工程を行う。第２被覆部２５０を形成する範囲は、第１被覆部２４０の上面全体と、第１ダミー配線１３１の上面全体と、第２ダミー配線１３２の上面全体と、インダクタ配線１２０の上面のうち第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を形成しない範囲である。この範囲に、第１被覆部２４０を形成した方法と同一のフォトリソグラフィによって、第２被覆部２５０を形成する。また、第２被覆部２５０の上下方向の寸法である第２被覆部厚みＴＣ２は、第１被覆部厚みＴＣ１と同一となっている。

次に、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を形成する垂直配線加工工程を行う。具体的には、インダクタ配線１２０の上面のうち、第２被覆部２５０に被覆されていない部分に、電解銅めっきによって第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を形成する。また、垂直配線加工工程においては、成長する銅の上端が第２被覆部２５０の上面より僅かに低い位置となるように設定している。具体的には、後述する切削前の第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上下方向の寸法である切削前垂直配線厚みＴＶ３が、インダクタ配線厚みＴＩ２の３分の２倍より大きく２倍未満となるように第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２を形成する。本実施形態においては、切削前垂直配線厚みＴＶ３は、インダクタ配線厚みＴＩ２と同一になるように設定している。

次に、図１２に示すように、第１被覆部２４０及び第２被覆部２５０を取り除く被覆部除去工程を行う。具体的には、第１被覆部２４０及び第２被覆部２５０の一部を物理的に掴み、第１被覆部２４０及び第２被覆部２５０と、ベース部材２１０とを引き離すように剥離する。

次に、シード層２３０をエッチングするシード層エッチング工程を行う。シード層２３０についてエッチングを行うことで、露出しているシード層２３０を除去する。すなわち、インダクタ配線１２０と、第１ダミー配線１３１と、第２ダミー配線１３２と、はＳＡＰ（Semi Additive Process：セミアディティブ工法）で形成される。

次に、図１３に示すように、第１磁性層１４３を積層する第１磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材２１０の上面側に、磁性層１４０の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。このとき、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上面も覆うように磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工することで、磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材２１０の上面側に磁性層１４０を形成する。これにより、インダクタ配線１２０の上面に積層される第１磁性層１４３も形成される。

次に、図１４に示すように、磁性層１４０の上側部分を、第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上面が露出するまで削る。その結果として、切削前の第１垂直配線１５１及び第２垂直配線１５２の上下方向の寸法である切削前垂直配線厚みＴＶ３は、上端部が削られることで、垂直配線加工工程において成長させた銅の上下方向の寸法よりも小さい垂直配線厚みＴＶ２となる。なお、内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、第１磁性層１４３とは、一体的に形成されるが、図面においては、第１層Ｌ１１と、第２層Ｌ１２とを区別して図示している。そのため、内磁路部１４１と、外磁路部１４２と、第１磁性層１４３とも区別して図示している。

次に、図１５に示すように、絶縁層加工工程を行う。具体的には、第１磁性層１４３の上面と、第１垂直配線１５１の上面と、第２垂直配線１５２の上面のうち、外部端子１８０を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層１７０として機能するソルダーレジストをパターニングする。

次に、図１６に示すように、ベース部材切削工程を行う。具体的には、ベース部材２１０及びダミー絶縁層２２０を全て切削によって除去する。なお、ダミー絶縁層２２０を全て切削する結果、絶縁樹脂１６０の下側部分についても、一部切削により除去されるが、インダクタ配線１２０は除去されない。

次に、図１７に示すように、第２磁性層１４５を積層する第２磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材２１０の下側面に、磁性層１４０の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工することで、磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材２１０の下側面に第２磁性層１４５を形成する。ここで、第２磁性層１４５のうち、インダクタ配線１２０が配置されている側の面を、第２磁性層１４５の主面ＭＦ２とする。なお、本実施形態において、第４層Ｌ１４すなわち第２磁性層１４５の主面ＭＦ２に直交する法線方向は、上下方向となっており、ベース部材２１０の面方向に直交する方向と同一である。

次に、第２磁性層１４５の下端部分を削る。例えば、外部端子１８０の上面から第２磁性層１４５の下面までの寸法が、所望の値となるように、第２磁性層１４５の下端部分を削る。

次に、図１８に示すように、外部端子加工工程を行う。具体的には、第１磁性層１４３の上面と、第１垂直配線１５１の上面と、第２垂直配線１５２の上面のうち、絶縁層１７０に覆われていない部分に、外部端子１８０を形成する。外部端子１８０は、銅、ニッケル、金のそれぞれについて、無電解めっきによって形成される。これにより３層構造の外部端子１８０が形成される。

次に、図１９に示すように、個片化加工工程を行う。具体的には、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０を得ることができる。また、このとき、破断線ＤＬ上に含まれる第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２も切断され、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２がインダクタ部品１１０の側面に露出する。

次に、上記製造方法の作用及び効果を説明する。
（１２）上記製造方法によれば、インダクタ配線１２０と、第１垂直配線１５１と、第２垂直配線１５２と、をＳＡＰによって形成している。そのため、インダクタ配線１２０と、第１垂直配線１５１と、第２垂直配線１５２と、の組成が、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満となる。よって、インダクタ配線１２０と、第１垂直配線１５１と、第２垂直配線を同一工程で形成できることから比較的安価に形成することができる。また、同一工程であるため銅の残留応力などを各配線で同等とでき、各配線間の接続信頼性を高めることができる。

（１３）上記製造方法によれば、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２は、複数のインダクタ部品１１０を接続している。そのため、複数のインダクタ部品１１０を一度に製造するうえで、個片化加工工程以前においては、第１ダミー配線１３１及び第２ダミー配線１３２を通して基板状態で同電位となっている。その結果、例えば基板状態において、複数のインダクタ部品１１０のうち、１つのインダクタ部品１１０についてアースすることで、加工途中における静電気による電流が流れやすくなる。また、例えば垂直配線加工工程において、複数のインダクタ部品１１０のうち、１つのインダクタ部品１１０について電流を流すのみで、銅を成長させることができる。

（１４）上記の製造方法によれば、インダクタ配線１２０の下面全体は、絶縁樹脂である絶縁樹脂１６０によって被覆されている。そのため、加工工程において、インダクタ配線１２０の下側にめっき成長することを抑制できる。この点、第１実施形態及び第２実施形態においても同様である。

上記各実施形態は以下のように変更して実施することができる。各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。例えば、インダクタ配線において、第１パッド及び第２パッドを省略してもよい。また、第１実施形態において、インダクタ配線２０が１．０ターン未満の曲線や０ターンの直線状となっていてもよい。さらに、第２実施形態において、インダクタ配線１２０が１．０ターン以上の曲線状となっていてもよい。また、各実施形態において、インダクタ配線２０がミアンダ形状であってもよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線厚みはインダクタ配線幅以上の大きさとなっていてもよい。
・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線の組成は、上記各実施形態の例に限られない。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線厚みは、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩが４０μｍ未満であってもよいし、第２実施形態において、インダクタ配線厚みＴＩ２が５５μｍより大きくてもよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線厚みと垂直配線厚みとの関係は、インダクタ配線厚みが垂直配線厚みの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満であればよく、インダクタ配線厚みと垂直配線厚みとが等しくてもよい。この場合、上で例示した製造方法において、切削前垂直配線厚みＴＶ３をインダクタ配線厚みＴＩ２よりも切削する分だけ大きくなるように、垂直配線加工工程の製造条件を変更すればよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線と第１垂直配線とが、他の層を介して接続していてもよい。例えば、インダクタ配線と第１垂直配線との間に、導電性のいわゆるビアが介されていてもよい。この点、インダクタ配線と第２垂直配線とについても同様である。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線の外面のうち、第１垂直配線及び第２垂直配線と接続する部分以外が、絶縁樹脂に覆われていてもよい。この場合、例えば、製造工程において、インダクタ配線の外面全体を一度絶縁樹脂で覆った後に、第１垂直配線及び第２垂直配線を接続する部分にビアホールを加工して、当該穴に導電性のいわゆるビアを形成する。このビアの上面に第１垂直配線及び第２垂直配線を形成することで、インダクタ部品を製造できる。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ部品は、第３層の構成を省略してもよい。この場合、インダクタ配線の下面は、絶縁樹脂によって覆われずに、第２磁性層と直接的に接する。また、この場合の製造方法では、ダミー絶縁層２２０を切削する際に、絶縁樹脂１６０もすべて切削されればよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、内磁路部４１と、外磁路部４２と、第１磁性層４３と、絶縁樹脂磁性層４４と、第２磁性層４５とは、一体化されておらず、別体となっており、境界が存在してもよい。また、図面においては境界が存在するが、実物には境界がなくてもよい。

・上記インダクタ部品の第２実施形態において、外部端子１８０の構造は、上記第２実施形態の例に限られない。例えば、銅のみの層から構成されていてもよい。
・上記インダクタ部品の第２実施形態において、絶縁層１７０及び外部端子１８０を省略してもよい。また、上記第１実施形態において、第２実施形態における絶縁層１７０及び外部端子１８０に相当する構成を備えていてもよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、第１ダミー配線及び第２ダミー配線を省略してもよい。
・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ配線と、第１ダミー配線と、第２ダミー配線と、第１垂直配線と、第２垂直配線とは、一体化されておらず、別体となっており、境界が存在してもよい。また、図面においては境界が存在するが、実物には境界がなくてもよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、第１層と同一層内に配置されているインダクタ配線の数は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第１実施形態において、第１層Ｌ１内に配置されているインダクタ配線２０は、２つ以上であってもよい。また、第２実施形態において、第１層Ｌ１１内に配置されているインダクタ配線１２０は、１つや３つ以上であってもよい。

・上記インダクタ部品の第２実施形態において、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩは、第１パッド１２２と第２パッド１２３との間の距離でなくてもよい。例えば、配線本体１２１間の距離が、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離となっていてもよい。

・上記インダクタ部品の第２実施形態において、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩと、磁性層１４０の平均粒子径との関係は、上記第２実施形態の例に限られない。具体的には、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩは、磁性層１４０の平均粒子径の２０倍未満であってもよい。

・上記インダクタ部品の第２実施形態において、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離ＤＩと、２つのインダクタ配線１２０に接続しているダミー配線間の最小距離ＤＤとの関係は、上記第２実施形態の例に限られない。具体的には、２つのインダクタ配線１２０に接続しているダミー配線間の最小距離ＤＤは、２つのインダクタ配線１２０間の最小距離以下であってもよい。

・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ部品厚みは、上記各実施形態の例に限られない。インダクタ部品厚みは、０．３００ｍｍ以上であってもよい。
・上記インダクタ部品の各実施形態において、インダクタ部品を上面視した形状は、上記各実施形態の例に限られない。たとえば、第１実施形態において、インダクタ部品１０を上面視すると、長方形状であってもよいし、円形であってもよい。このとき、第１層Ｌ１～第４層Ｌ４の形状も同様に、上面視長方形状や円形状となる。

・上記製造方法の実施形態において、ベース部材２１０の形状、大きさ、材質等は、上で例示した製造方法に限られない。特に、ベース部材２１０の厚みは、製造後のインダクタ部品厚みＴＡ２に影響を与えないため、加工するうえで適宜取り扱いやすい厚みとすればよい。

・上記製造方法の実施形態において、シード層２３０を形成する方法は、スパッタリングに限られない。例えば、金属フィルム、蒸着法、塗布法等によって形成されてもよい。
・上記製造方法の実施形態において、第１被覆部２４０及び第２被覆部２５０の材質は、特に限定されない。例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂及びポリイミド系樹脂などの有機絶縁樹脂を形成してもよい。

・上記製造方法の実施形態において、第１被覆工程及び第２被覆工程の方法は、ドライフィルムレジストを用いる方法に限られない。例えば、薄型のフィルムによって、第１被覆部２４０及び第２被覆部２５０を形成してもよい。

・上記製造方法の実施形態において、インダクタ配線加工工程の方法は、セミアディティブ工法に限られない。たとえば、フルアディティブ工法やサブトラクティブ工法であってもよいし、スクリーン印刷や、ディスペンス、インクジェットなどの塗布工法でもよい。

・上記製造方法の実施形態において、第１磁性層加工工程で磁性層１４０の上端部を削る量は、適宜調整されればよい。例えば、第１磁性層厚みＴＭ１１や第２磁性層厚みＴＭ１２を大きく設定したい場合には、磁性層１４０の上端部を削る量を小さくすればよい。

・上記製造方法の実施形態において、第２磁性層加工工程で磁性層１４０の下端部を削る量は、適宜調整されればよい。例えば、第２磁性層厚みＴＭ１２を大きく設定したい場合には、磁性層１４０の下端部を削る量を小さくすればよい。

・上記製造方法の実施形態において、製造するインダクタ部品は、インダクタ部品１１０に限られない。例えば、インダクタ部品１０の製造にも適用できる。この場合、外部端子加工工程及び絶縁層加工工程は省略される。

１０…インダクタ部品、２０…インダクタ配線、２１…配線本体、２１Ａ…内周端部、２１Ｂ…外周端部、２２…第１パッド、２３…第２パッド、３１…第１ダミー配線、３２…第２ダミー配線、４０…磁性層、４１…内磁路部、４２…外磁路部、４３…第１磁性層、４４…絶縁樹脂磁性層、４５…第２磁性層、５１…第１垂直配線、５２…第２垂直配線、６０…絶縁樹脂、Ｌ１…第１層、Ｌ２…第２層、Ｌ３…第３層、Ｌ４…第４層、ＴＡ…インダクタ部品厚み、ＴＤ…ダミー配線厚み、ＴＩ…インダクタ配線厚み、ＴＭ１…第１磁性層厚み、ＴＭ２…第２磁性層厚み、ＴＶ…垂直配線厚み、ＷＤ…ダミー配線幅、ＷＩ…インダクタ配線幅、１１０…インダクタ部品、１２０…インダクタ配線、１２１…配線本体、１２１Ａ…第１端部、１２１Ｂ…第２端部、１２２…第１パッド、１２３…第２パッド、１３１…第１ダミー配線、１３２…第２ダミー配線、１４０…磁性層、１４１…内磁路部、１４２…外磁路部、１４３…第１磁性層、１４４…絶縁樹脂磁性層、１４５…第２磁性層、１５１…第１垂直配線、１５２…第２垂直配線、１６０…絶縁樹脂、１７０…絶縁層、１８０…外部端子、２１０…ベース部材、２２０…ダミー絶縁層、２３０…シード層、２４０…第１被覆部、２５０…第２被覆部、Ｌ１１…第１層、Ｌ１２…第２層、Ｌ１３…第３層、Ｌ１４…第４層、ＭＦ…主面、ＭＦ２…主面、ＴＡ２…インダクタ部品厚み、ＴＩ２…インダクタ配線厚み、ＴＭ１１…第１磁性層厚み、ＴＭ１２…第２磁性層厚み、ＴＶ２…垂直配線厚み、ＴＶ３…切削前垂直配線厚み、ＷＤ２…ダミー配線幅、ＷＩ２…インダクタ配線幅。

Claims (17)

1. 単層のインダクタ配線と、
   前記インダクタ配線における第１面側に配置された第１磁性層と、
   前記インダクタ配線における前記第１面とは反対側の第２面側に積層されている第２磁性層と、
   前記第１磁性層を貫通して前記インダクタ配線に接続されている垂直配線と、を備え、
   前記第２磁性層の主面に直交する方向を法線方向としたとき、
   前記第１磁性層の前記法線方向の寸法である第１磁性層厚みは、前記第２磁性層の前記法線方向の寸法である第２磁性層厚みよりも小さく、
   前記インダクタ配線の前記法線方向の寸法であるインダクタ配線厚みは、前記垂直配線の前記法線方向の寸法である垂直配線厚みの０．５倍より大きく、且つ１．５倍未満である
   インダクタ部品。
2. 前記インダクタ配線は、前記垂直配線と接続されているパッドと、前記パッドに接続されている配線本体と、を有しており、
   前記インダクタ配線厚みは、前記配線本体の延びる方向に垂直な断面において、前記インダクタ配線厚みと直交する方向の前記配線本体の寸法であるインダクタ配線幅よりも小さい
   請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記インダクタ配線の組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満である
   請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 前記インダクタ配線のターン数は、１．０ターン未満である
   請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
5. 前記インダクタ配線厚みは、４０μｍ以上且つ、５５μｍ以下である
   請求項１～請求項４のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
6. 前記インダクタ配線は、前記垂直配線と接続されているパッドと、前記パッドに接続されている配線本体と、を有しており、
   前記インダクタ配線と同一層にダミー配線が設けられており、
   前記ダミー配線の第１端は、前記インダクタ配線と接続しており、
   前記ダミー配線の第２端は、前記インダクタ部品の外面に露出しており、
   前記ダミー配線の前記法線方向の寸法であるダミー配線厚みは、前記インダクタ配線厚みと等しく、
   前記ダミー配線の延びる方向に垂直な断面において前記ダミー配線厚みと直交する方向の前記ダミー配線の寸法であるダミー配線幅は、前記配線本体が延びる方向に垂直な断面において、前記インダクタ配線厚みと直交する方向の前記配線本体の寸法であるインダクタ配線幅よりも小さい
   請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
7. 前記インダクタ配線の外面の少なくとも一部は、前記インダクタ配線よりも絶縁性の高い絶縁樹脂で被覆されている
   請求項１～請求項６のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
8. 前記絶縁樹脂は、少なくとも前記インダクタ配線の前記法線方向における前記第２磁性層側の面を被覆している
   請求項７に記載のインダクタ部品。
9. 前記インダクタ配線の第１面は、他の層を介することなく前記垂直配線及び前記第１磁性層と接している
   請求項１～請求項８のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
10. 前記垂直配線における前記インダクタ配線とは反対側に接続された外部端子と、
    前記第１磁性層における前記第２磁性層とは反対側の面を覆う前記第１磁性層よりも絶縁性の高い絶縁層と、を備えている
    請求項１～請求項９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
11. 前記インダクタ配線厚みは、前記垂直配線厚みと等しい
    請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
12. 前記インダクタ配線は、同一層内に複数配置されている
    請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
13. 前記インダクタ配線を含む層内において、前記インダクタ配線間の最小距離は、前記第１磁性層の平均粒子径の２０倍以上である
    請求項１２に記載のインダクタ部品。
14. 前記インダクタ配線と同一層にあるダミー配線を備えており、
    前記ダミー配線の第１端は、前記インダクタ配線と接続しており、
    前記ダミー配線の第２端は、前記インダクタ部品の外面に露出しており、
    前記ダミー配線同士の最小距離は、前記インダクタ配線同士の最小距離よりも大きい
    請求項１２又は請求項１３に記載のインダクタ部品。
15. 前記インダクタ部品の前記法線方向の寸法であるインダクタ部品厚みは、０．３００ｍｍ以下である
    請求項１～請求項１４のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
16. 絶縁樹脂の第１面の一部を被覆する第１被覆部を形成する第１被覆工程と、
    前記絶縁樹脂の第１面のうちの前記第１被覆部に被覆されていない部分にインダクタ配線をめっき法で形成するインダクタ配線加工工程と、
    前記第１被覆部における前記絶縁樹脂とは反対側の面である第１面、及び前記インダクタ配線における前記絶縁樹脂とは反対側の面である第１面の一部を被覆する第２被覆部を形成する第２被覆工程と、
    前記絶縁樹脂の第１面のうちの前記第２被覆部に被覆されていない部分に垂直配線をめっき法で形成する垂直配線加工工程と、
    前記垂直配線加工工程の後、前記第１被覆部及び第２被覆部を取り除く被覆部除去工程と、
    前記被覆部除去工程の後、前記インダクタ配線の第１面側に第１磁性層を積層する第１磁性層加工工程と、
    前記インダクタ配線の第２面側に第２磁性層を積層する第２磁性層加工工程と、を備えているインダクタ部品の製造方法であって、
    前記第２磁性層の主面に直交する方向を法線方向としたとき、
    前記垂直配線加工工程では、前記垂直配線の前記法線方向の寸法である垂直配線厚みが、前記インダクタ配線の前記法線方向の寸法であるインダクタ配線厚みの３分の２倍より大きく２倍未満となるように、前記垂直配線を形成し、
    前記第２磁性層加工工程では、前記第２磁性層の前記法線方向の寸法である第２磁性層厚みを、前記第１磁性層の前記法線方向の寸法である第１磁性層厚みよりも大きくなるように、前記第２磁性層を加工する
    インダクタ部品の製造方法。
17. 前記第１被覆工程の前に、シード層を形成するシード層形成工程と、
    前記被覆部除去工程の後に、前記シード層をエッチングするシード層エッチング工程と、を備えている
    請求項１６に記載のインダクタ部品の製造方法。

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