JPS591276A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS591276A JPS591276A JP57110126A JP11012682A JPS591276A JP S591276 A JPS591276 A JP S591276A JP 57110126 A JP57110126 A JP 57110126A JP 11012682 A JP11012682 A JP 11012682A JP S591276 A JPS591276 A JP S591276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cermet
- thermal head
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感熱記録紙の印字などに用いられるサーマルヘ
ッドに関する。さらに詳しくは、サーマルヘッドに採用
される導体材料に関する０従来よりセラミック、ガラス
などの絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成される抵抗体
薄膜と、抵抗体薄膜にそれぞれ接続される一方の電極お
よび他方の電極から構成され、前記電極に電圧を印加す
ることにより抵抗体薄膜と電極導体とからなる発熱抵抗
体を発熱せしめ、数字、文字、記号などを感熱記録紙上
に熱印字させうるサーマルヘッドが使用されている。こ
のようなサーマルヘッドには、高精度印字、低消費電力
、高信頼性などの諸特怜が強く要求されており、そのた
め前記抵抗体薄膜と電極との接続部の接触抵抗が小さく
、かつ安定している必要がある。
ッドに関する。さらに詳しくは、サーマルヘッドに採用
される導体材料に関する０従来よりセラミック、ガラス
などの絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成される抵抗体
薄膜と、抵抗体薄膜にそれぞれ接続される一方の電極お
よび他方の電極から構成され、前記電極に電圧を印加す
ることにより抵抗体薄膜と電極導体とからなる発熱抵抗
体を発熱せしめ、数字、文字、記号などを感熱記録紙上
に熱印字させうるサーマルヘッドが使用されている。こ
のようなサーマルヘッドには、高精度印字、低消費電力
、高信頼性などの諸特怜が強く要求されており、そのた
め前記抵抗体薄膜と電極との接続部の接触抵抗が小さく
、かつ安定している必要がある。
従来より使用されているサーマルヘッドについて第１図
に基づいて説明する。第１図において（１）はグレーズ
ドアルミナ基板などの絶縁性基板である。この絶縁性基
板（１）上には抵抗体薄膜（２）が所望のパターンで形
成されている。抵抗体薄膜（２）としては、たとえばチ
ツ化タンタル、０ｒ−１３１０サーメット、Ｔａ−８１
サーメツト、Ｔａ ８１０ｇサーメット、０ｒ−８１０
２サーメツトなどが用いられている。抵抗体薄膜（２）
の形成方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法な
どが採用されている。前記抵抗体薄膜（２）に接続され
る電極導体（８）は、抵抗体薄膜（２）と同様の手法に
より形成される。電極導体（８）の材料としては、Ａｕ
、 Ａｊ、 Ｏｕなどが用いられている。抵抗体薄膜（
２）および電極導体（８）からなる発熱抵抗体（４）の
上方には、感熱記録紙（図示されていない）との摺動に
基づく摩耗を防ぐため耐摩耗層（６）が被覆されている
。また発熱抵抗体（４）の酸化を防ぐための酸化防止膜
（５）が、発熱抵抗体（４）と耐摩耗層（６）との間に
設けられているばあいもある。
に基づいて説明する。第１図において（１）はグレーズ
ドアルミナ基板などの絶縁性基板である。この絶縁性基
板（１）上には抵抗体薄膜（２）が所望のパターンで形
成されている。抵抗体薄膜（２）としては、たとえばチ
ツ化タンタル、０ｒ−１３１０サーメット、Ｔａ−８１
サーメツト、Ｔａ ８１０ｇサーメット、０ｒ−８１０
２サーメツトなどが用いられている。抵抗体薄膜（２）
の形成方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法な
どが採用されている。前記抵抗体薄膜（２）に接続され
る電極導体（８）は、抵抗体薄膜（２）と同様の手法に
より形成される。電極導体（８）の材料としては、Ａｕ
、 Ａｊ、 Ｏｕなどが用いられている。抵抗体薄膜（
２）および電極導体（８）からなる発熱抵抗体（４）の
上方には、感熱記録紙（図示されていない）との摺動に
基づく摩耗を防ぐため耐摩耗層（６）が被覆されている
。また発熱抵抗体（４）の酸化を防ぐための酸化防止膜
（５）が、発熱抵抗体（４）と耐摩耗層（６）との間に
設けられているばあいもある。
前記酸化防止膜（５）としては、５ｉ０２などが採用さ
れ、前記耐摩耗層（６）としてはＳ ｉ Ｏ２Ｓ８１０
−ｉ １：［＋、２０５などが採用され、それらはいず
れも真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＯ’ｖＤ
（Ｏｂｅｍｉｏａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄａｐｏ −８ｉ
ｔｌｏｎ）法などで成膜される。
れ、前記耐摩耗層（６）としてはＳ ｉ Ｏ２Ｓ８１０
−ｉ １：［＋、２０５などが採用され、それらはいず
れも真空蒸着法、スパッタリング法あるいはＯ’ｖＤ
（Ｏｂｅｍｉｏａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄａｐｏ −８ｉ
ｔｌｏｎ）法などで成膜される。
叙上のごとく構成されるサーマルヘッドにおいて、発熱
抵抗体（４）に電流を流し所望の部分の温度を上昇させ
るためには、抵抗体薄膜（２）と電極導体（８）との接
触抵抗を発熱抵抗体（４）全体の抵抗に比して充分に小
さくする必要がある。この接触抵抗は抵抗体薄膜（２）
と電極導体（８）のそれぞれの材料および材料の組み合
わせにより異なるものである。
抵抗体（４）に電流を流し所望の部分の温度を上昇させ
るためには、抵抗体薄膜（２）と電極導体（８）との接
触抵抗を発熱抵抗体（４）全体の抵抗に比して充分に小
さくする必要がある。この接触抵抗は抵抗体薄膜（２）
と電極導体（８）のそれぞれの材料および材料の組み合
わせにより異なるものである。
本発明の目的は抵抗体薄膜としてＴａ−８ｉ０２サーメ
ツトを、電極導体としてワイヤーボンディング可能な電
極材料をそれぞれ用い、しかも接触抵抗がきわめて低い
という特性を有するサーマルヘッドを提供するにある。
ツトを、電極導体としてワイヤーボンディング可能な電
極材料をそれぞれ用い、しかも接触抵抗がきわめて低い
という特性を有するサーマルヘッドを提供するにある。
ワイヤーボンディングが可能な電極材料としては、半導
体素子に用いられるりがある。しかしながらＴａ ８１
０２サーメツトの電極導体としてＡ７層を用いたものは
、Ｔａ ８１％サーメットとＡ７層との間に不安定な接
触抵抗を生じ、高品質のサーマルヘッドをうろことがで
きないという欠点を有する。
体素子に用いられるりがある。しかしながらＴａ ８１
０２サーメツトの電極導体としてＡ７層を用いたものは
、Ｔａ ８１％サーメットとＡ７層との間に不安定な接
触抵抗を生じ、高品質のサーマルヘッドをうろことがで
きないという欠点を有する。
そこで本発明者は叙上の欠点を排除し、Ｔａ ８１％サ
ーメットの抵抗体薄膜とワイヤボンディング可能なＡ７
を電極導体に用いた品質良好かつ安価なサーマルヘッド
を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、Ｔａ−８ｉｎ、サ
ーメットとＡ１層との間に０１層を配置することにより
、’Ｉ’ｌＬ ’５ｉＯａサーメットと電極導体間の接
触抵抗をほとんどなくしうるという新たな事実を見出し
、本発明を完成するにいたった。
ーメットの抵抗体薄膜とワイヤボンディング可能なＡ７
を電極導体に用いた品質良好かつ安価なサーマルヘッド
を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、Ｔａ−８ｉｎ、サ
ーメットとＡ１層との間に０１層を配置することにより
、’Ｉ’ｌＬ ’５ｉＯａサーメットと電極導体間の接
触抵抗をほとんどなくしうるという新たな事実を見出し
、本発明を完成するにいたった。
しかして本発明は絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成
されたＴａ−ＥｌｉＯ，サーメット、の抵抗体薄膜と、
該抵抗体薄膜上に０１層、Ａ７層がこの順に密着して被
覆形成されてなる電極導体とを有するサーマルヘッドに
関する。
されたＴａ−ＥｌｉＯ，サーメット、の抵抗体薄膜と、
該抵抗体薄膜上に０１層、Ａ７層がこの順に密着して被
覆形成されてなる電極導体とを有するサーマルヘッドに
関する。
つぎに本発明のサーマルヘッドを図面に基づいて説明す
る。第２図は本発明のサーマルヘッドの一実施態様を示
す概略断面図である〇 アルミナ基板などの絶縁性基板（１）上には、第１図に
示すサーマルヘッドと同様にＴａ ８１０ｇサーメット
の抵抗体薄膜（２）が形成されている。Ｔａ−８１０□
サーメツトは、たとえばＴａと８１０２の焼結ターゲッ
トあるいはＴａと８１０２をモザイク状またはストライ
ブ状などに配置した複合ターゲットなどのターゲラトラ
用イて、理スパッタリング法などにより絶縁性基板（１
）上に形成されうる。Ｔａ−８ｉｎ、サーメットは、タ
ーゲットのＴ＆と８１０２の組成比をかえたり、Ａ？′
ガス中でのスパッタリング条件（たとえばスパッタ圧力
、スパッタ電力）などをかえることにより、比抵抗が１
００−・ａｍから１００ｍΩ・ｏｎのものをうろことが
できる。抵抗体薄膜（２）上には電極導体（７）として
０１層（８）およびＡ１層（９）がこの順で密着して形
成されている。この形成には真空蒸着法やスパッタリン
グ法などが適宜採用されうる。電極導体（７）の０１層
（８）およびＡ７層（９）に写真製版蝕刻法などを用い
て所望のパターンを形成し、ついで抵抗体薄膜（２）の
不要な部分を写真製版蝕刻法や後述するガスプラズマに
よるエツチング法などにより除去することにより、所望
のパターンを有する発熱抵抗体（財）を容易に形成する
ことができる。
る。第２図は本発明のサーマルヘッドの一実施態様を示
す概略断面図である〇 アルミナ基板などの絶縁性基板（１）上には、第１図に
示すサーマルヘッドと同様にＴａ ８１０ｇサーメット
の抵抗体薄膜（２）が形成されている。Ｔａ−８１０□
サーメツトは、たとえばＴａと８１０２の焼結ターゲッ
トあるいはＴａと８１０２をモザイク状またはストライ
ブ状などに配置した複合ターゲットなどのターゲラトラ
用イて、理スパッタリング法などにより絶縁性基板（１
）上に形成されうる。Ｔａ−８ｉｎ、サーメットは、タ
ーゲットのＴ＆と８１０２の組成比をかえたり、Ａ？′
ガス中でのスパッタリング条件（たとえばスパッタ圧力
、スパッタ電力）などをかえることにより、比抵抗が１
００−・ａｍから１００ｍΩ・ｏｎのものをうろことが
できる。抵抗体薄膜（２）上には電極導体（７）として
０１層（８）およびＡ１層（９）がこの順で密着して形
成されている。この形成には真空蒸着法やスパッタリン
グ法などが適宜採用されうる。電極導体（７）の０１層
（８）およびＡ７層（９）に写真製版蝕刻法などを用い
て所望のパターンを形成し、ついで抵抗体薄膜（２）の
不要な部分を写真製版蝕刻法や後述するガスプラズマに
よるエツチング法などにより除去することにより、所望
のパターンを有する発熱抵抗体（財）を容易に形成する
ことができる。
Ｔａ ８１０２サーメツトをフッ素原子を含むガス（た
とえばＯＦ４．００ｎ３、ＯＯｊｇＦｇ ナト’） ヲ
用イテカＸ プラズマ法によりエツチングするばあいは
、電極導体（７）のＡ１層（４）はＴａ ＥＪ１０ａサ
ーメットに対するマスクとして機能する。
とえばＯＦ４．００ｎ３、ＯＯｊｇＦｇ ナト’） ヲ
用イテカＸ プラズマ法によりエツチングするばあいは
、電極導体（７）のＡ１層（４）はＴａ ＥＪ１０ａサ
ーメットに対するマスクとして機能する。
電極導体（７）の０１層およびＡ１層（９）の厚さはそ
れぞれ２００〜５０００Ａおよび２０００Ａ〜１０７ａ
ｎ程度のものが好適に採用されうるが、サーマルヘッド
の製造法や用途に応じて適宜選択すべきである。
れぞれ２００〜５０００Ａおよび２０００Ａ〜１０７ａ
ｎ程度のものが好適に採用されうるが、サーマルヘッド
の製造法や用途に応じて適宜選択すべきである。
電極導体（７）のμ層（８）は、工０チップを絶縁性基
板（１）に配置する際、工０チップのポンディングパッ
ドと発熱抵抗体（１０）の電極導体（γ）をワイヤーボ
ンディング法により接続するときに有効に利用できるが
、さらに電極導体（７）のＭ層（９）上に他の金属材料
（たとえばＯｒやＭｏなど）の層を設けることにより、
Ａ７層（９）と後述する発熱抵抗体αΦの保護膜との密
着性を増すよう、にしてもよい。
板（１）に配置する際、工０チップのポンディングパッ
ドと発熱抵抗体（１０）の電極導体（γ）をワイヤーボ
ンディング法により接続するときに有効に利用できるが
、さらに電極導体（７）のＭ層（９）上に他の金属材料
（たとえばＯｒやＭｏなど）の層を設けることにより、
Ａ７層（９）と後述する発熱抵抗体αΦの保護膜との密
着性を増すよう、にしてもよい。
また、通常発熱抵抗体（ト）の周辺には、発熱抵抗体（
１０）を保護するために、従来と同様に８１０２や１９
１３Ｎ。
１０）を保護するために、従来と同様に８１０２や１９
１３Ｎ。
などからなる酸化防止膜（５）および８１０、Ｔａ、Ｏ
，，８１０□、ムｊ！、０３、Ｔｉ０１Ｔ顧、ＢＮなど
からなる耐摩耗層（６）などの保護膜が形成される。
，，８１０□、ムｊ！、０３、Ｔｉ０１Ｔ顧、ＢＮなど
からなる耐摩耗層（６）などの保護膜が形成される。
つぎに実施例をあげて本発明のサーマルヘッドを説明す
る。
る。
すなわち、第２図に示されるようにグレーストアルミナ
製の基板（１）上にＴａ−８１０，サーメットからなる
抵抗体薄膜（２）をスパッタリング法により形成した。
製の基板（１）上にＴａ−８１０，サーメットからなる
抵抗体薄膜（２）をスパッタリング法により形成した。
Ｔａ ８１％サーメットの膜厚はｇｏｏｏ ｌ、で、面
積抵抗は５００Φ仁であった。このようにしてえた抵抗
体薄膜上に、膜厚７００Ｘの０１層を、さらに膜厚１１
１ｍのＭ層（９）を順次成膜した。０１層（８）および
１層（９）は真空蒸着法により形成した。そののち通常
のフォトレジストを用いた写真製版蝕刻法で０１層（８
）およびＡ７層（９）をエツチングすることにより幅６
４ ｐｍ 、長さ４０ｍｍの細長い線を形成した。つづ
いてＯｙ４を含むガスを用いたガスプラズマ中に前記基
板（１）を挿入することによりＴａ ８１０ｇサーメッ
トをエツチングした。この、ときのＯＦ４ガスプラズマ
の条件は、ガス真空度を０．６トールとし、ガスを電離
させるため１３．５６Ｍ＆の高周波を５００ｗで印加し
た。このときＭ層（９）はＣ４ガスプラズマによってエ
ツチングされないため、Ｔａ−８１０，サーメットのマ
スクとして使用した。その後通常の７オトレジストを用
いた写真製版蝕刻法により発熱抵抗体に）となる部分の
０１層（８）、Ａ１層（９）をエツチングした。さらに
この上に発熱抵抗体に）の酸化防止膜（５）として、発
熱抵抗体θψおよびその周辺に膜厚１．５−となるよう
に８１０２をスパッタリング法により被覆し、さらにつ
づいて耐摩耗層（６）として膜厚７ｐｍとなるようにＴ
ａ、Ｏ，をスパッタリング法により被覆した。
積抵抗は５００Φ仁であった。このようにしてえた抵抗
体薄膜上に、膜厚７００Ｘの０１層を、さらに膜厚１１
１ｍのＭ層（９）を順次成膜した。０１層（８）および
１層（９）は真空蒸着法により形成した。そののち通常
のフォトレジストを用いた写真製版蝕刻法で０１層（８
）およびＡ７層（９）をエツチングすることにより幅６
４ ｐｍ 、長さ４０ｍｍの細長い線を形成した。つづ
いてＯｙ４を含むガスを用いたガスプラズマ中に前記基
板（１）を挿入することによりＴａ ８１０ｇサーメッ
トをエツチングした。この、ときのＯＦ４ガスプラズマ
の条件は、ガス真空度を０．６トールとし、ガスを電離
させるため１３．５６Ｍ＆の高周波を５００ｗで印加し
た。このときＭ層（９）はＣ４ガスプラズマによってエ
ツチングされないため、Ｔａ−８１０，サーメットのマ
スクとして使用した。その後通常の７オトレジストを用
いた写真製版蝕刻法により発熱抵抗体に）となる部分の
０１層（８）、Ａ１層（９）をエツチングした。さらに
この上に発熱抵抗体に）の酸化防止膜（５）として、発
熱抵抗体θψおよびその周辺に膜厚１．５−となるよう
に８１０２をスパッタリング法により被覆し、さらにつ
づいて耐摩耗層（６）として膜厚７ｐｍとなるようにＴ
ａ、Ｏ，をスパッタリング法により被覆した。
このようにしてえたサーマルヘッドの発熱抵抗体（ＩＱ
Ｉの抵抗値は、Ｔａ −８１％サーメット自体がｉする
抵抗値と±６％の範囲内で同一であり、’ｌ”＆−８１
０２サーメットの膜厚分布および測定誤差を考慮すれば
Ｔａ−８１０２サーメツトと電極導体（γ）との接触抵
抗は実質的に０であると考えられる。
Ｉの抵抗値は、Ｔａ −８１％サーメット自体がｉする
抵抗値と±６％の範囲内で同一であり、’ｌ”＆−８１
０２サーメットの膜厚分布および測定誤差を考慮すれば
Ｔａ−８１０２サーメツトと電極導体（γ）との接触抵
抗は実質的に０であると考えられる。
つぎに比較のため、第１図に示されるようにＴａ−８１
％サーメット上に１層のみからなる電極導体（８）を形
成したほかは前記と同様にしてサーマルヘッドを製造し
た。このばあい、発熱抵抗体（４）の抵抗はＴａ−Ｓｉ
ｏ２サーメット自体の抵抗値に対し、５０〜１００％増
加した値であり、しがもバラツキが大きく、経時変化も
大で、抵抗値は不安定であった。
％サーメット上に１層のみからなる電極導体（８）を形
成したほかは前記と同様にしてサーマルヘッドを製造し
た。このばあい、発熱抵抗体（４）の抵抗はＴａ−Ｓｉ
ｏ２サーメット自体の抵抗値に対し、５０〜１００％増
加した値であり、しがもバラツキが大きく、経時変化も
大で、抵抗値は不安定であった。
叙上のごとく本発明のサーマルヘッドは、電極導体とし
て０１層およびＡ７層を積層して使用しているためにＴ
ａ ｓｌｏ、サーメットと電極導体との接触抵抗が実質
的になく、シかもＡ１層を用いているためワイヤーボン
ディング法を採用することができる。
て０１層およびＡ７層を積層して使用しているためにＴ
ａ ｓｌｏ、サーメットと電極導体との接触抵抗が実質
的になく、シかもＡ１層を用いているためワイヤーボン
ディング法を採用することができる。
さらにＴａ−８ｉｎ、２のガスプラズマエツチングの際
、８層をマスクとしても用いることができるため、従来
のサーマルヘッドに比してきわめてすぐれた品質のサー
マルヘッドを提供しうるのみならず、製品の合理化をも
はかることができる。また電極導体を形成したのち、熱
処理などが必要でないため、さらに接触抵抗を低くする
ことができるものであるＯ
、８層をマスクとしても用いることができるため、従来
のサーマルヘッドに比してきわめてすぐれた品質のサー
マルヘッドを提供しうるのみならず、製品の合理化をも
はかることができる。また電極導体を形成したのち、熱
処理などが必要でないため、さらに接触抵抗を低くする
ことができるものであるＯ
第１図は従来のサーマルヘッドの基本構造を示す断面図
、第２図は本発明のサーマルヘッドの一実施態様を示す
断面図である。 （図面の主要符号） （１）８絶縁性基板 （２）＋抵抗体薄膜 （ａ） ｚ ｏｒ層 （９）＝Ａ１層
、第２図は本発明のサーマルヘッドの一実施態様を示す
断面図である。 （図面の主要符号） （１）８絶縁性基板 （２）＋抵抗体薄膜 （ａ） ｚ ｏｒ層 （９）＝Ａ１層
Claims (1)
- （１）絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成されたＴａ
−８１０，サーメットの抵抗体薄膜と、該抵抗体薄膜上
に０１層、Ｍ層がこの順に密着して形成されてなる電極
導体とを有するサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110126A JPS591276A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110126A JPS591276A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS591276A true JPS591276A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14527682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57110126A Pending JPS591276A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591276A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171171A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツド |
| JPS62167056A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Kyocera Corp | サ−マルヘツド |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126049A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film type thermal head and production thereof |
| JPS5637071A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-10 | Das Pumps Pty | Portable atomizer |
| JPS5637177A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-10 | Hitachi Ltd | Resistor for heat-sensitive recording head and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57110126A patent/JPS591276A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54126049A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film type thermal head and production thereof |
| JPS5637071A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-10 | Das Pumps Pty | Portable atomizer |
| JPS5637177A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-10 | Hitachi Ltd | Resistor for heat-sensitive recording head and manufacture thereof |
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| JPS62167056A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Kyocera Corp | サ−マルヘツド |
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