JPH0213739B2 - - Google Patents
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- JPH0213739B2 JPH0213739B2 JP56063217A JP6321781A JPH0213739B2 JP H0213739 B2 JPH0213739 B2 JP H0213739B2 JP 56063217 A JP56063217 A JP 56063217A JP 6321781 A JP6321781 A JP 6321781A JP H0213739 B2 JPH0213739 B2 JP H0213739B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電熱器の製造方法に関するもので、特
に赤外線センサ、ガスセンサ、湿度センサ等にお
けるセンサの検知素子として使用可能な電熱器の
製造方法に関するものである。
に赤外線センサ、ガスセンサ、湿度センサ等にお
けるセンサの検知素子として使用可能な電熱器の
製造方法に関するものである。
一般に、例えばある特定のガスの濃度や湿度等
の状態変化を検知する場合に、所定の電気的特性
を持たせた検知素子を形成し、状態変化に応じて
検知素子がその電気的特性を変化させることを利
用して状態変化を測定ないし観察することが行わ
れている。このような場合に、電気的特性として
は検知素子の抵抗値変化を利用する場合が多く、
また検知素子を所謂ホイートストン回路に構成す
るのが普通である。本発明に基いて製造される電
熱器はこのような場合の検知素子として使用する
のに特に有効である。
の状態変化を検知する場合に、所定の電気的特性
を持たせた検知素子を形成し、状態変化に応じて
検知素子がその電気的特性を変化させることを利
用して状態変化を測定ないし観察することが行わ
れている。このような場合に、電気的特性として
は検知素子の抵抗値変化を利用する場合が多く、
また検知素子を所謂ホイートストン回路に構成す
るのが普通である。本発明に基いて製造される電
熱器はこのような場合の検知素子として使用する
のに特に有効である。
可燃性ガスの検知装置はホイートストーン回路
の一辺に組込んだ検知素子に一定電圧を加え例え
ば300〜400℃に加熱することにより、可燃性ガス
が検知素子に接触したときに触媒作用にて検知素
子表面で燃焼が生じて検知素子の温度が上昇し、
その抵抗値が変化するのを検出してガス検知を行
うものである。ところで従来の電熱器は、基板上
に絶縁層を形成し、この絶縁層上に発熱体を形成
するか、又は絶縁層上に形成された発熱体を架橋
構造として基板上に担持することにより製造され
ていた。このためこの電圧器をガス検知装置に利
用し、発熱体を検知素子として使用した場合は、
上記のいずれにおいても発熱体が絶縁層上に形成
されているため、発熱体の片面しかガスと接触せ
ず、その機能が半減されていた。また発熱体が絶
縁層と接触しているので、絶縁層を介して熱伝導
があるため、発熱体を前記温度に保持するのに大
きな消費電力を要しており、更に絶縁層が熱衝撃
を受けて亀裂が生じやすいため、電熱器の寿命が
短いという問題点がある。
の一辺に組込んだ検知素子に一定電圧を加え例え
ば300〜400℃に加熱することにより、可燃性ガス
が検知素子に接触したときに触媒作用にて検知素
子表面で燃焼が生じて検知素子の温度が上昇し、
その抵抗値が変化するのを検出してガス検知を行
うものである。ところで従来の電熱器は、基板上
に絶縁層を形成し、この絶縁層上に発熱体を形成
するか、又は絶縁層上に形成された発熱体を架橋
構造として基板上に担持することにより製造され
ていた。このためこの電圧器をガス検知装置に利
用し、発熱体を検知素子として使用した場合は、
上記のいずれにおいても発熱体が絶縁層上に形成
されているため、発熱体の片面しかガスと接触せ
ず、その機能が半減されていた。また発熱体が絶
縁層と接触しているので、絶縁層を介して熱伝導
があるため、発熱体を前記温度に保持するのに大
きな消費電力を要しており、更に絶縁層が熱衝撃
を受けて亀裂が生じやすいため、電熱器の寿命が
短いという問題点がある。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであつ
て、ガス検知装置に使用された場合に消費電力が
小さく、また発熱体における機能に関与する面が
広く、更に熱衝撃に対して強く、小型且つ構成が
簡素である電熱器の製造を可能とし、その製造歩
留が高い電熱器の製造方法を提供することを目的
とする。本発明に係る電熱器の製造方法の特徴と
するところは、凹所を有する基板における前記凹
所が開口する側の反対面に、前記凹所の形成位置
に対応させて選定材料層を所定の形状にパターン
形成し、次いで前記基板をエツチング処理するこ
とにより、前記凹所形成位置に貫通孔を形成し、
前記選定材料層を架橋構造とする点にある。即
ち、本発明では、選定材料層でパターン形成して
発熱体を形成するに先立ち、基板の発熱体形成面
の反対側の面に開口した凹所を基板に形成してお
き、パターン形成後、エツチング処理して凹所形
成位置の基板を除去して貫通孔とし、発熱体をそ
の両面が露出した架橋構造とするものである。選
定材料層は電熱器の通電される発熱体を形成する
ものであり、種々の材料から選定可能であるが、
比較的大電流が通電される場合にもエレクトロマ
イグレーシヨンが起きにくく、また経時変化が小
さく、更にエツチング処理で浸食されにくいpt
(白金)又はpt合金等を使用するとよい。
て、ガス検知装置に使用された場合に消費電力が
小さく、また発熱体における機能に関与する面が
広く、更に熱衝撃に対して強く、小型且つ構成が
簡素である電熱器の製造を可能とし、その製造歩
留が高い電熱器の製造方法を提供することを目的
とする。本発明に係る電熱器の製造方法の特徴と
するところは、凹所を有する基板における前記凹
所が開口する側の反対面に、前記凹所の形成位置
に対応させて選定材料層を所定の形状にパターン
形成し、次いで前記基板をエツチング処理するこ
とにより、前記凹所形成位置に貫通孔を形成し、
前記選定材料層を架橋構造とする点にある。即
ち、本発明では、選定材料層でパターン形成して
発熱体を形成するに先立ち、基板の発熱体形成面
の反対側の面に開口した凹所を基板に形成してお
き、パターン形成後、エツチング処理して凹所形
成位置の基板を除去して貫通孔とし、発熱体をそ
の両面が露出した架橋構造とするものである。選
定材料層は電熱器の通電される発熱体を形成する
ものであり、種々の材料から選定可能であるが、
比較的大電流が通電される場合にもエレクトロマ
イグレーシヨンが起きにくく、また経時変化が小
さく、更にエツチング処理で浸食されにくいpt
(白金)又はpt合金等を使用するとよい。
本発明の更に別の特徴とするところには、基板
上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に選定材料層を
所定の形状にパターン形成し、前記基板における
前記選定材料層周辺の所定領域をエツチングして
前記所定領域に凹所を形成し、前記選定材料層を
架橋構造とする点にある。即ち、この場合には、
絶縁層及びその上の選定材料層で基板上に所定の
形状にパターン形成して発熱体を形成し、発熱体
形成側の基板面から例えば異方性エツチングして
発熱体下部の基板を除去し、凹所を形成して発熱
体をその両面が露出した架橋構造とするものであ
る。異方性エツチングにより凹所が形成された後
は、等方性エツチングにより又は等方性エツチン
グと異方性エツチングとを併行して、発熱体の下
面に付着している絶縁層を除去するとよい。また
選定材料層は絶縁層上に形成されるが、選定材料
層及び絶縁層の夫々の材料の膨張率の相違により
選定材料層と絶縁層との間に剥離が発生する虞れ
がある場合は、選定材料層は下地層を介して絶縁
層上に形成し付着強度の向上を図るとよい。
上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に選定材料層を
所定の形状にパターン形成し、前記基板における
前記選定材料層周辺の所定領域をエツチングして
前記所定領域に凹所を形成し、前記選定材料層を
架橋構造とする点にある。即ち、この場合には、
絶縁層及びその上の選定材料層で基板上に所定の
形状にパターン形成して発熱体を形成し、発熱体
形成側の基板面から例えば異方性エツチングして
発熱体下部の基板を除去し、凹所を形成して発熱
体をその両面が露出した架橋構造とするものであ
る。異方性エツチングにより凹所が形成された後
は、等方性エツチングにより又は等方性エツチン
グと異方性エツチングとを併行して、発熱体の下
面に付着している絶縁層を除去するとよい。また
選定材料層は絶縁層上に形成されるが、選定材料
層及び絶縁層の夫々の材料の膨張率の相違により
選定材料層と絶縁層との間に剥離が発生する虞れ
がある場合は、選定材料層は下地層を介して絶縁
層上に形成し付着強度の向上を図るとよい。
以下、添付の図面を参考に本発明の具体的実施
の態様につき説明する。第1図及び第2図は本発
明に係る第1の電熱器の製造方法の1実施例を示
す斜視図、第3a図、第4a図、第5a図は第2
の電熱器の製造方法の1実施例を示す平面図、第
3b図、第4b図、第5b図は夫々第3a図、第
4a図、第5a図のb−b線、b−b
線、b−b線による縦断面図である。
の態様につき説明する。第1図及び第2図は本発
明に係る第1の電熱器の製造方法の1実施例を示
す斜視図、第3a図、第4a図、第5a図は第2
の電熱器の製造方法の1実施例を示す平面図、第
3b図、第4b図、第5b図は夫々第3a図、第
4a図、第5a図のb−b線、b−b
線、b−b線による縦断面図である。
先ず第1発明の実施例につき説明する。第1図
に示す如く、基板1における発熱体を形成すべき
面の反対側の面(第1図において下面)に開口を
有する凹所3aを形成する。即ち、図示例におい
ては基板1の下面をその厚み方向に円柱状に除去
し、基板1の下面に開口し、その上端が基板1の
上面から若干低位置にて閉じた、貫通しない凹所
3aを形成する。基板1は後述するエツチング処
理においてエツチングされやすく、絶縁性を有す
る素材、例えばステアタイト又はガラス製の板を
使用するのが好ましい。
に示す如く、基板1における発熱体を形成すべき
面の反対側の面(第1図において下面)に開口を
有する凹所3aを形成する。即ち、図示例におい
ては基板1の下面をその厚み方向に円柱状に除去
し、基板1の下面に開口し、その上端が基板1の
上面から若干低位置にて閉じた、貫通しない凹所
3aを形成する。基板1は後述するエツチング処
理においてエツチングされやすく、絶縁性を有す
る素材、例えばステアタイト又はガラス製の板を
使用するのが好ましい。
このような基板1の発熱体を形成すべき側の面
(第1図において上面)に、所定のパターン形状
の選定材料層2を形成する。この選定材料層2は
導電性物質からなり、Ni−Cr合金、Pt単体又は
pt合金等種々の金属が使用可能であるが、特に後
工程のエツチング処理にて浸食されにくいPt単
体又はPt合金を使用するのが好ましい。選定材
料層2のパターン形状は、図示例においては、発
熱体部2a及び電極パツド部2b,2bからなる
H字型であるが、発熱体部2aが基板1における
凹所3a形成位置の直上域に位置するように設定
する外、選定材料層2のパターン形状は任意であ
る。この選定材料層2の形成は公知の方法により
行えばよい。例えば、基板1上にスパツタソン
グ、蒸着又はイオンプレーテイング等の膜形成技
術により、Pt等の選定材料の膜を形成し、次い
で選定材料膜上にホトレジストを塗布した後、ホ
トリソグラフイーによりパターン露光し、不要部
分をエツチング除去して選定材料膜上にホトレジ
ストパターンを形成する。次いでこのホトレジス
トパターンをマスクとして選定材料膜をエツチン
グし、所定のパターン形状の選定材料層2を形成
する。エツチングは選定材料の種類に応じて、化
学的エツチング、イオンビームエツチング、スパ
ツタエツチング又はプラズマエツチング等適宜の
方法を選択して行えばよい。
(第1図において上面)に、所定のパターン形状
の選定材料層2を形成する。この選定材料層2は
導電性物質からなり、Ni−Cr合金、Pt単体又は
pt合金等種々の金属が使用可能であるが、特に後
工程のエツチング処理にて浸食されにくいPt単
体又はPt合金を使用するのが好ましい。選定材
料層2のパターン形状は、図示例においては、発
熱体部2a及び電極パツド部2b,2bからなる
H字型であるが、発熱体部2aが基板1における
凹所3a形成位置の直上域に位置するように設定
する外、選定材料層2のパターン形状は任意であ
る。この選定材料層2の形成は公知の方法により
行えばよい。例えば、基板1上にスパツタソン
グ、蒸着又はイオンプレーテイング等の膜形成技
術により、Pt等の選定材料の膜を形成し、次い
で選定材料膜上にホトレジストを塗布した後、ホ
トリソグラフイーによりパターン露光し、不要部
分をエツチング除去して選定材料膜上にホトレジ
ストパターンを形成する。次いでこのホトレジス
トパターンをマスクとして選定材料膜をエツチン
グし、所定のパターン形状の選定材料層2を形成
する。エツチングは選定材料の種類に応じて、化
学的エツチング、イオンビームエツチング、スパ
ツタエツチング又はプラズマエツチング等適宜の
方法を選択して行えばよい。
上述の如くして、第1図に示す如く、上面に発
熱体部2aを有する所定形状にパターン形成され
た選定材料層2と下面に開口する凹所3aとを設
けた基板1を、その下部から例えば3%乃至5%
弗酸水溶液からなるエツチング液中に浸漬する
と、基板1が浸食され、凹所3aの上端即ち発熱
体部2aの下方に存在していた部分が除去され
て、第2図に示す如く、基板1の発熱体部2a形
成位置に貫通孔3bが開設される。なお、選定材
料層2を形成する際に使用したホトレジスト膜
は、この基板1のエツチング処理において選定材
料層2の保護膜として使用した後剥離除去しても
よいが、選定材料がPt単体又はPt合金である場
合は選定材料層2がエツチング液により腐食され
ることはないので、エツチング処理に先立つてホ
トレジスト膜を剥離除去してもよい。
熱体部2aを有する所定形状にパターン形成され
た選定材料層2と下面に開口する凹所3aとを設
けた基板1を、その下部から例えば3%乃至5%
弗酸水溶液からなるエツチング液中に浸漬する
と、基板1が浸食され、凹所3aの上端即ち発熱
体部2aの下方に存在していた部分が除去され
て、第2図に示す如く、基板1の発熱体部2a形
成位置に貫通孔3bが開設される。なお、選定材
料層2を形成する際に使用したホトレジスト膜
は、この基板1のエツチング処理において選定材
料層2の保護膜として使用した後剥離除去しても
よいが、選定材料がPt単体又はPt合金である場
合は選定材料層2がエツチング液により腐食され
ることはないので、エツチング処理に先立つてホ
トレジスト膜を剥離除去してもよい。
以上の如く製造された電熱器では、発熱体部2
aが電極パツド部2b,2b間に支架された架橋
構造で貫通孔3b上の空中に支持された形とな
り、また発熱体部2aはその前面が露出してい
る。従つて、電極パツド部2b及び2bに外部導
線を接続し、発熱体部2aに通電した場合は、発
熱体部2aが例えば絶縁層等に接触されていない
ので、発熱体部2aから絶縁層等を介しての熱伝
達は起きず、消費電力を低値に保持し得、また絶
縁層に熱衝撃亀裂等が発生する不都合もないので
電熱器の寿命が延長される。更に発熱体部2aは
その全面が露出しているので、ガス燃焼に関与す
る面積が従来の片面型の電熱器に比して著しく増
加し、ガスの検知効率が高い。
aが電極パツド部2b,2b間に支架された架橋
構造で貫通孔3b上の空中に支持された形とな
り、また発熱体部2aはその前面が露出してい
る。従つて、電極パツド部2b及び2bに外部導
線を接続し、発熱体部2aに通電した場合は、発
熱体部2aが例えば絶縁層等に接触されていない
ので、発熱体部2aから絶縁層等を介しての熱伝
達は起きず、消費電力を低値に保持し得、また絶
縁層に熱衝撃亀裂等が発生する不都合もないので
電熱器の寿命が延長される。更に発熱体部2aは
その全面が露出しているので、ガス燃焼に関与す
る面積が従来の片面型の電熱器に比して著しく増
加し、ガスの検知効率が高い。
次に、第2発明の実施例につき、第3a,b
図、第4a,b図、第5a,b図を参照して説明
する。第2発明は、第1発明の如く基板に予め凹
所を形成することなく、基板の選定材料層形成面
側からエツチングして発熱体部を架橋構造とする
ものである。
図、第4a,b図、第5a,b図を参照して説明
する。第2発明は、第1発明の如く基板に予め凹
所を形成することなく、基板の選定材料層形成面
側からエツチングして発熱体部を架橋構造とする
ものである。
先ず第3a,b図に示す如く、基板4上に、絶
縁層7、該絶縁層7上の下地層6及び該下地層6
上の選定材料層5を所定の形状にパターン形成す
る。このパターン形成は第1発明同様、例えば発
熱体部5a及び電極パツド部5b,5bからなる
H字型のものである。この絶縁層7、下地層6及
び選定材料層5の形成は公知の方法により行えば
よく、例えば以下の如くして形成する。基板1と
してSi製のものを使用した場合は、基板1の上面
に、熱酸化法、CVD(気相成長法又は化学的蒸着
法)、PVD法(物理的蒸着法)等により、SiO2の
組成を有する絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に
W、Mo、Ti若しくはCr等を蒸着又はスパツタリ
ング等により膜形成して下地膜を形成する。次い
でNi−Cr合金、Pt単体若しくはPt合金等の選定
材料層を下地膜上に同様の膜形成技術(例えば蒸
着又はスパツタリング)により形成する。なお下
地膜は選定材料膜の付着強度を向上させるために
形成するものである。
縁層7、該絶縁層7上の下地層6及び該下地層6
上の選定材料層5を所定の形状にパターン形成す
る。このパターン形成は第1発明同様、例えば発
熱体部5a及び電極パツド部5b,5bからなる
H字型のものである。この絶縁層7、下地層6及
び選定材料層5の形成は公知の方法により行えば
よく、例えば以下の如くして形成する。基板1と
してSi製のものを使用した場合は、基板1の上面
に、熱酸化法、CVD(気相成長法又は化学的蒸着
法)、PVD法(物理的蒸着法)等により、SiO2の
組成を有する絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に
W、Mo、Ti若しくはCr等を蒸着又はスパツタリ
ング等により膜形成して下地膜を形成する。次い
でNi−Cr合金、Pt単体若しくはPt合金等の選定
材料層を下地膜上に同様の膜形成技術(例えば蒸
着又はスパツタリング)により形成する。なお下
地膜は選定材料膜の付着強度を向上させるために
形成するものである。
次いで選定材料膜上にホトレジストを塗布した
後、ホトリソグラフイーによりパターン露光し、
不要部分をエツチング除去して選定材料膜上にホ
トレジストパターンを形成する。そしてこのホト
レジストパターンをマスクとして選定材料膜、下
地膜及び絶縁膜をエツチングし、所定のパターン
形状に選定材料層5、下地層6及び絶縁層7を形
成する。その後ホトレジスト膜を剥離除去する。
後、ホトリソグラフイーによりパターン露光し、
不要部分をエツチング除去して選定材料膜上にホ
トレジストパターンを形成する。そしてこのホト
レジストパターンをマスクとして選定材料膜、下
地膜及び絶縁膜をエツチングし、所定のパターン
形状に選定材料層5、下地層6及び絶縁層7を形
成する。その後ホトレジスト膜を剥離除去する。
上述の如くして上面に選定材料層5等を形成し
た基板4の上方から、第4a,b図に示す如く、
基板4における選定材料層5の発熱体部5a形成
位置周辺を異方性エツチングして除去し、発熱体
部5a直下に凹所8aを形成する。この状態にお
いては選定材料層5の発熱体部5aの下面に下地
層6及び絶縁層7が付着しているが、異方性エツ
チングによる凹所8a形成後、第5a,b図に示
す如く、等方性エツチングを行い、又は等方エツ
チングと異方性エツチングとを併行して行うと、
凹所8aが更に拡大して凹所8bとなり、更に発
熱体部5aの下面に付着していた絶縁層7及び下
地層6は除去される。
た基板4の上方から、第4a,b図に示す如く、
基板4における選定材料層5の発熱体部5a形成
位置周辺を異方性エツチングして除去し、発熱体
部5a直下に凹所8aを形成する。この状態にお
いては選定材料層5の発熱体部5aの下面に下地
層6及び絶縁層7が付着しているが、異方性エツ
チングによる凹所8a形成後、第5a,b図に示
す如く、等方性エツチングを行い、又は等方エツ
チングと異方性エツチングとを併行して行うと、
凹所8aが更に拡大して凹所8bとなり、更に発
熱体部5aの下面に付着していた絶縁層7及び下
地層6は除去される。
このようにして製造された電熱器は、第1,2
図に示したものと同様、発熱体部5aが基板4は
勿論のこと、絶縁層7、下地層6とも接触するこ
となく、全面が露出した状態であり、電極パツド
部5b,5bが絶縁層7上に担持された架橋構造
で、凹所8b上に支持された形となつている。従
つて電極パツド部5b及び5bに外部導線を接続
し、発熱体部5aに通電して構成される電熱器
は、低消費電力且つ長寿命であり、発熱体部5a
の全面がガス検知に関与してその検知効率が極め
て高い。
図に示したものと同様、発熱体部5aが基板4は
勿論のこと、絶縁層7、下地層6とも接触するこ
となく、全面が露出した状態であり、電極パツド
部5b,5bが絶縁層7上に担持された架橋構造
で、凹所8b上に支持された形となつている。従
つて電極パツド部5b及び5bに外部導線を接続
し、発熱体部5aに通電して構成される電熱器
は、低消費電力且つ長寿命であり、発熱体部5a
の全面がガス検知に関与してその検知効率が極め
て高い。
また第1発明及び第2発明のいずれも、電熱器
の構成が簡素で製造歩留が高く、更に電熱器を小
型化することが可能である。
の構成が簡素で製造歩留が高く、更に電熱器を小
型化することが可能である。
以上詳説した如く、本発明方法によれば所望の
架橋構造を有し安定な性能を発揮可能な電熱器を
容易に製造することができる。なお、本発明は上
述の特定の実施例に限定されるべきものではな
く、本発明の技術的範囲内において種々の変形が
可能なことは勿論である。
架橋構造を有し安定な性能を発揮可能な電熱器を
容易に製造することができる。なお、本発明は上
述の特定の実施例に限定されるべきものではな
く、本発明の技術的範囲内において種々の変形が
可能なことは勿論である。
第1図、第2図は本第1発明の1実施例を示す
斜視図、第3a図、第4a図、第5a図は本第2
発明の1実施例を示す平面図、第3b図、第4b
図、第5b図は夫々第3a図、第4a図、第5a
図のb−b線、b−b線、b−b線
による縦断面図である。 (符号の説明)、1,4:基板、2,5:選定
材料層、2a,5a:発熱体部、3a,8a,8
b:凹所、3b:貫通孔、7:絶縁層。
斜視図、第3a図、第4a図、第5a図は本第2
発明の1実施例を示す平面図、第3b図、第4b
図、第5b図は夫々第3a図、第4a図、第5a
図のb−b線、b−b線、b−b線
による縦断面図である。 (符号の説明)、1,4:基板、2,5:選定
材料層、2a,5a:発熱体部、3a,8a,8
b:凹所、3b:貫通孔、7:絶縁層。
Claims (1)
- 1 基板上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に選定
材料層を形成し、次いで該選定材料層を所定の形
状にパターン形成し、次いで前記基板における前
記選定材料層周辺の所定領域をエツチングして前
記所定領域に凹所を形成し、前記選定材料層を架
橋構造とすることを特徴とする電熱器の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6321781A JPS57178149A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of electric heater |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6321781A JPS57178149A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of electric heater |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57178149A JPS57178149A (en) | 1982-11-02 |
JPH0213739B2 true JPH0213739B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=13222810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6321781A Granted JPS57178149A (en) | 1981-04-28 | 1981-04-28 | Manufacture of electric heater |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57178149A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4542650A (en) * | 1983-08-26 | 1985-09-24 | Innovus | Thermal mass flow meter |
CA1236931A (en) * | 1984-07-25 | 1988-05-17 | Philip J. Bohrer | Semiconductor device structure and processing by means of preferential etch undercutting |
JPH0795002B2 (ja) * | 1987-04-22 | 1995-10-11 | シャープ株式会社 | センサ素子 |
AU631734B2 (en) * | 1990-04-18 | 1992-12-03 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared ray sensor and method of manufacturing the same |
JPH06160174A (ja) * | 1991-09-27 | 1994-06-07 | Terumo Corp | 赤外線センサ |
DE102004032718B4 (de) * | 2004-07-07 | 2014-07-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Einrichtung zum Detektieren einer Strahlung |
JP5014938B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2012-08-29 | シチズンホールディングス株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP5142323B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-02-13 | 国立大学法人 新潟大学 | 水素ガスセンサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5389799A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | Combustible gas detector |
-
1981
- 1981-04-28 JP JP6321781A patent/JPS57178149A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5389799A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | Combustible gas detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57178149A (en) | 1982-11-02 |
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