JP2562040B2 - 対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 - Google Patents
対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法Info
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- JP2562040B2 JP2562040B2 JP63023859A JP2385988A JP2562040B2 JP 2562040 B2 JP2562040 B2 JP 2562040B2 JP 63023859 A JP63023859 A JP 63023859A JP 2385988 A JP2385988 A JP 2385988A JP 2562040 B2 JP2562040 B2 JP 2562040B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、２層構造であるとともに、双方の電極を
並列に配置した対称形ZnOバリスタおよびその製造方法
に関するものである。
並列に配置した対称形ZnOバリスタおよびその製造方法
に関するものである。
［従来の技術］ 従来、対称形ZnOバリスタとして第４図に示すような
構造を有するものが知られている。すなわち、ガラスま
たはセラミックの基板１の上にAu、Alなどを真空蒸着し
て一方の電極２とし、一方の電極２の上にスパッタリン
グによりZnO層３を形成し、ZnO層３の上にスパッタリン
グにより金属酸化物層４を形成してZnO層３と金属酸化
物層４の界面のZnO層３に電位障壁５を形成し、金属酸
化物層４の上にスパッタリングによりZnO層７を形成し
てZnO層７と金属酸化物層４の界面のZnO層７に電位障壁
８を形成し、ZnO層７の上にAu、Alなどを真空蒸着して
他方の電極６とした、３層構造のものである。電極６が
電極２に対して正になるように電圧を加えると、電位障
壁８は逆方向にバイアスされ、逆方向に電圧を加える
と、電位障壁５は逆方向にバイアスされて、正、逆方向
によって電流電圧特性が同じになる。第４図に示す対称
形ZnOバリスタは、単体であるが、対称形ZnOバリスタを
大量生産するときは、大きな基板に対称形ZnOバリスタ
の集合体を形成し、該集合体を縦横に切断して単体の対
称形ZnOバリスタを得ている。
構造を有するものが知られている。すなわち、ガラスま
たはセラミックの基板１の上にAu、Alなどを真空蒸着し
て一方の電極２とし、一方の電極２の上にスパッタリン
グによりZnO層３を形成し、ZnO層３の上にスパッタリン
グにより金属酸化物層４を形成してZnO層３と金属酸化
物層４の界面のZnO層３に電位障壁５を形成し、金属酸
化物層４の上にスパッタリングによりZnO層７を形成し
てZnO層７と金属酸化物層４の界面のZnO層７に電位障壁
８を形成し、ZnO層７の上にAu、Alなどを真空蒸着して
他方の電極６とした、３層構造のものである。電極６が
電極２に対して正になるように電圧を加えると、電位障
壁８は逆方向にバイアスされ、逆方向に電圧を加える
と、電位障壁５は逆方向にバイアスされて、正、逆方向
によって電流電圧特性が同じになる。第４図に示す対称
形ZnOバリスタは、単体であるが、対称形ZnOバリスタを
大量生産するときは、大きな基板に対称形ZnOバリスタ
の集合体を形成し、該集合体を縦横に切断して単体の対
称形ZnOバリスタを得ている。
［発明が解決しようとする課題］ この対称形ZnOバリスタにおいては、一方の電極２
は、外部リード線を接続するために、ZnO層３より大き
く形成されてその上面周辺部が露呈していなければなら
ない。このため、集合体の形成段階で、一方の電極２全
面にZnO層３を形成後、ZnO層３の一部をエッチングによ
り除去するか、または、一方の電極２にマスクをしてZn
O層３を部分的に形成するかして露呈部を形成してい
る。また、ZnO層７、３は、上下２層に配置され、その
間に金属酸化物層４が形成されていて、このため別工程
で形成されている。また、金属酸化物層４およびZnO層
７は、電極２の露呈部を確保するため、電極２にマスク
をして形成されている。さらに、電極６、２は、上下に
配置され、その間にZnO層７、金属酸化物層４、ZnO層３
が形成されていて、このため別工程で形成されている。
したがって、このような構造の対称形ZnOバリスタにお
いては、複雑な工程を経なければ製造できないという課
題がある。
は、外部リード線を接続するために、ZnO層３より大き
く形成されてその上面周辺部が露呈していなければなら
ない。このため、集合体の形成段階で、一方の電極２全
面にZnO層３を形成後、ZnO層３の一部をエッチングによ
り除去するか、または、一方の電極２にマスクをしてZn
O層３を部分的に形成するかして露呈部を形成してい
る。また、ZnO層７、３は、上下２層に配置され、その
間に金属酸化物層４が形成されていて、このため別工程
で形成されている。また、金属酸化物層４およびZnO層
７は、電極２の露呈部を確保するため、電極２にマスク
をして形成されている。さらに、電極６、２は、上下に
配置され、その間にZnO層７、金属酸化物層４、ZnO層３
が形成されていて、このため別工程で形成されている。
したがって、このような構造の対称形ZnOバリスタにお
いては、複雑な工程を経なければ製造できないという課
題がある。
この発明は、このような従来技術の課題を解決する目
的でなされたものである。
的でなされたものである。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための手段を、実施例に対応する
第１〜３図を用いて以下説明する。この発明は、第１図
に示すように、基板11上にZnO層13を形成し、ZnO層13上
にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層14を形
成し、金属酸化物層14上に双方の電極12、16を一定間隔
をもって形成したものである。また、第２図に示すよう
に、基板として導電性基板21を用い、導電性基板21を電
流通路としたものである。また、第３図に示すように、
基板（または導電性基板）111上全面にZnO層13を形成し
た後に、ZnO層13上全面にZnO層13と電位障壁15を形成す
る金属酸化物層14を形成し、金属酸化物層14上に電極1
2,16を一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成
し、集合体40を縦横に切断して対称形ZnOバリスタを製
造するものである。
第１〜３図を用いて以下説明する。この発明は、第１図
に示すように、基板11上にZnO層13を形成し、ZnO層13上
にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層14を形
成し、金属酸化物層14上に双方の電極12、16を一定間隔
をもって形成したものである。また、第２図に示すよう
に、基板として導電性基板21を用い、導電性基板21を電
流通路としたものである。また、第３図に示すように、
基板（または導電性基板）111上全面にZnO層13を形成し
た後に、ZnO層13上全面にZnO層13と電位障壁15を形成す
る金属酸化物層14を形成し、金属酸化物層14上に電極1
2,16を一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成
し、集合体40を縦横に切断して対称形ZnOバリスタを製
造するものである。
［作 用］ このように構成されたものにおいては、一方の電極12
は基板11上ではなく、金属酸化物層14上に形成され、か
つ、その上部は常に露呈している。また、電極12、16は
上下でなく、並列に配置されている。さらに、ZnO層は
一層でよい２層構造である。このため、ZnO層13をエッ
チングまたはマスクにより部分的に形成する必要はな
い。金属酸化物層14の形成にマスクを必要としない。ま
た、電極12、16は同一工程で形成される。したがって、
複雑な工程を経ることなく製造でき、その製造工程は簡
略化される。
は基板11上ではなく、金属酸化物層14上に形成され、か
つ、その上部は常に露呈している。また、電極12、16は
上下でなく、並列に配置されている。さらに、ZnO層は
一層でよい２層構造である。このため、ZnO層13をエッ
チングまたはマスクにより部分的に形成する必要はな
い。金属酸化物層14の形成にマスクを必要としない。ま
た、電極12、16は同一工程で形成される。したがって、
複雑な工程を経ることなく製造でき、その製造工程は簡
略化される。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す図である。第１図
において、11はガラスまたはセラミックの基板、13はZn
Oを主成分とするZnO層、14はBi2O3を主成分とする金属
酸化物層、15は電位障壁、12、16はAu、Alなどの電極で
ある。ZnO層13は基板11上全面に形成され、ZnO層13上全
面には金属酸化物層14が形成されている。また、双方の
電極12、16は金属酸化物層14上に一定間隔をもって形成
されている。ZnO層13および金属酸化物層14の厚さ並び
に電極12、16の一定間隔は、金属酸化物層14の長手方向
の抵抗がZnO層13の長手方向の抵抗に較べて十分分大き
くなるように定められ、例えば、ZnO層13の厚さは１μ
ｍ、金属酸化物層14の厚さは１μｍ、一定間隔1mmに設
定されている。電極12、16に加わる電圧の極性によっ
て、一方の電極12から金属酸化物層14、電位障壁15、Zn
O層13、電位障壁15、金属酸化物層14を経て他方の電極1
6に、または逆方向に電流Ｉが流れる。
において、11はガラスまたはセラミックの基板、13はZn
Oを主成分とするZnO層、14はBi2O3を主成分とする金属
酸化物層、15は電位障壁、12、16はAu、Alなどの電極で
ある。ZnO層13は基板11上全面に形成され、ZnO層13上全
面には金属酸化物層14が形成されている。また、双方の
電極12、16は金属酸化物層14上に一定間隔をもって形成
されている。ZnO層13および金属酸化物層14の厚さ並び
に電極12、16の一定間隔は、金属酸化物層14の長手方向
の抵抗がZnO層13の長手方向の抵抗に較べて十分分大き
くなるように定められ、例えば、ZnO層13の厚さは１μ
ｍ、金属酸化物層14の厚さは１μｍ、一定間隔1mmに設
定されている。電極12、16に加わる電圧の極性によっ
て、一方の電極12から金属酸化物層14、電位障壁15、Zn
O層13、電位障壁15、金属酸化物層14を経て他方の電極1
6に、または逆方向に電流Ｉが流れる。
第１図の場合は、ZnO層13を低抵抗に形成してZnO層13
の長手方向に電流Ｉを流す場合であるが、ZnO層13を高
抵抗に形成する場合は、第２図に示すように基板として
導電性基板21を用い、導電性基板21を電流Ｉの通路とし
てもよい。導電性基板21として、例えばステンレス板を
用いる。さらに、図示しないが、導電性基板21の代り
に、絶縁性基板または導電性基板の上に導電性膜を形成
し、該導電性膜を電流通路としてもよい。形成工程は増
すが、材料の選択度は増す。
の長手方向に電流Ｉを流す場合であるが、ZnO層13を高
抵抗に形成する場合は、第２図に示すように基板として
導電性基板21を用い、導電性基板21を電流Ｉの通路とし
てもよい。導電性基板21として、例えばステンレス板を
用いる。さらに、図示しないが、導電性基板21の代り
に、絶縁性基板または導電性基板の上に導電性膜を形成
し、該導電性膜を電流通路としてもよい。形成工程は増
すが、材料の選択度は増す。
いずれにしろ、一方の電極12は、他方の電極16と並列
に配置されており、その上部が常に露呈している。ま
た、ZnO層は一層でよい。ために、製造が容易である。
に配置されており、その上部が常に露呈している。ま
た、ZnO層は一層でよい。ために、製造が容易である。
第１図または第２図に示す対称形ZnOバリスタを製造
する方法を第３図に基いて説明すると、まず、基板（ま
たは導電性基板、または導電性膜が形成された絶縁性基
板もしくは導電性基板）111上全面にスパッタリングに
よりZnO層13を形成する｛（Ａ）参照｝。次に、ZnO層13
上全面にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層
１をスパッタリングによって形成する｛（Ｂ）参照｝。
次に、金属酸化物層14上に例えばマスク30をして
｛（Ｃ）参照｝、電極12、16を真空蒸着により一定間隔
をもって形成、配置して集合体40を形成する｛（Ｄ）参
照｝。次に、集合体40を縦横に切断して対称形ZnOバリ
スタを製造するものである｛（Ｅ）参照｝。なお、電極
12、16の形成にマスク30を用いているが、金属酸化物層
14上全面に電極を形成し、エッチングにより電極12、16
を形成してもよい。
する方法を第３図に基いて説明すると、まず、基板（ま
たは導電性基板、または導電性膜が形成された絶縁性基
板もしくは導電性基板）111上全面にスパッタリングに
よりZnO層13を形成する｛（Ａ）参照｝。次に、ZnO層13
上全面にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層
１をスパッタリングによって形成する｛（Ｂ）参照｝。
次に、金属酸化物層14上に例えばマスク30をして
｛（Ｃ）参照｝、電極12、16を真空蒸着により一定間隔
をもって形成、配置して集合体40を形成する｛（Ｄ）参
照｝。次に、集合体40を縦横に切断して対称形ZnOバリ
スタを製造するものである｛（Ｅ）参照｝。なお、電極
12、16の形成にマスク30を用いているが、金属酸化物層
14上全面に電極を形成し、エッチングにより電極12、16
を形成してもよい。
いずれにしろ、ZnO層13または金属酸化物14をエッチ
ングまたはマスクにより部分的に形成する必要はなく、
電極12、16は同一工程で形成される。ために、その製造
工程は簡略化される。
ングまたはマスクにより部分的に形成する必要はなく、
電極12、16は同一工程で形成される。ために、その製造
工程は簡略化される。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、この発明は基板または導電
性基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に該ZnO層と電位
障壁を形成する金属酸化物層を形成し、該金属酸化物層
上に双方の電極を一定間隔をもって形成した対称形ZnO
バリスタおよびその製造方法であるる。それゆえ、２層
構造であり、さらに双方の電極は、互いに並列に配置さ
れ、その上部が常に露呈している。したがって、この発
明によれば、製造が容易な対称形ZnOバリスタおよび製
造工程が簡略化されたその製造方法を提供することがで
きるという効果が得られる。
性基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に該ZnO層と電位
障壁を形成する金属酸化物層を形成し、該金属酸化物層
上に双方の電極を一定間隔をもって形成した対称形ZnO
バリスタおよびその製造方法であるる。それゆえ、２層
構造であり、さらに双方の電極は、互いに並列に配置さ
れ、その上部が常に露呈している。したがって、この発
明によれば、製造が容易な対称形ZnOバリスタおよび製
造工程が簡略化されたその製造方法を提供することがで
きるという効果が得られる。
第１図は請求項１に係る発明の一実施例を示す断面図、
第２図は請求項２に係る発明の一実施例を示す断面図、
第３図は請求項３または請求項４に係る発明の一実施例
を示す工程図、第４図は従来技術を示す断面図である。 11……基板、13……ZnO層、14……金属酸化物層、15…
…電位障壁、12、16……電極
第２図は請求項２に係る発明の一実施例を示す断面図、
第３図は請求項３または請求項４に係る発明の一実施例
を示す工程図、第４図は従来技術を示す断面図である。 11……基板、13……ZnO層、14……金属酸化物層、15…
…電位障壁、12、16……電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−86704（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−99706（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−126801（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に該Zn
O層と電位障壁を形成する金属酸化物層を形成し、該金
属酸化物層上に双方の電極を一定間隔をもって形成した
対称形ZnOバリスタ - 【請求項２】基板として導電性基板を用い、該導電性基
板を電流通路とした請求項１記載の対称形ZnOバリスタ - 【請求項３】基板上にZnO層を形成した後、該ZnO層上に
該ZnO層と電位障壁を形成する金属酸化物層を形成し、
該金属酸化物層上に双方の電極を一定間隔をもって形
成、配置して集合体を形成し、該集合体を縦横に切断し
て製造する対称形ZnOバリスタの製造方法 - 【請求項４】基板として導電性基板を用い、該導電性基
板を電流通路とした請求項３記載の対称形ZnOバリスタ
の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023859A JP2562040B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023859A JP2562040B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200603A JPH01200603A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2562040B2 true JP2562040B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12122164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023859A Expired - Fee Related JP2562040B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2562040B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023859A patent/JP2562040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01200603A (ja) | 1989-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |