JP2562039B2 - 非対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 - Google Patents
非対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、双方の電極を並列に配置した非対称形Zn
Oバリスタおよびその製造方法に関するものである。
Oバリスタおよびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、非対称形ZnOバリスタとして第５図に示すよう
な構造を有するものが知られている。すなわち、ガラス
またはセラミックの基板１の上にAu、Alなどを真空蒸着
して一方の電極２とし、一方の電極２の上にスパッタリ
ングによりZnO層３を形成し、ZnO層３の上にスパッタリ
ングにより金属酸化物層４を形成してZnO層３と金属酸
化物層４の界面のZnO層３に電位障壁５を形成し、金属
酸化物層４の上にAu、Alなどを真空蒸着して他方の電極
６としたものである。電極６が電極２に対して正になる
ように電圧を加えると、電位障壁５は正方向にバイアス
され、逆方向に電圧を加えると、逆方向にバイアスされ
て、正、逆方向によって電流電圧特性が異る。第５図に
示す非対称形ZnOバリスタは、単体であるが、非対称形Z
nOバリスタを大量生産するときは、大きな基板に非対称
形ZnOバリスタの集合体を形成し、該集合体を縦横に切
断して単体の非対称形ZnOバリスタを得ている。
な構造を有するものが知られている。すなわち、ガラス
またはセラミックの基板１の上にAu、Alなどを真空蒸着
して一方の電極２とし、一方の電極２の上にスパッタリ
ングによりZnO層３を形成し、ZnO層３の上にスパッタリ
ングにより金属酸化物層４を形成してZnO層３と金属酸
化物層４の界面のZnO層３に電位障壁５を形成し、金属
酸化物層４の上にAu、Alなどを真空蒸着して他方の電極
６としたものである。電極６が電極２に対して正になる
ように電圧を加えると、電位障壁５は正方向にバイアス
され、逆方向に電圧を加えると、逆方向にバイアスされ
て、正、逆方向によって電流電圧特性が異る。第５図に
示す非対称形ZnOバリスタは、単体であるが、非対称形Z
nOバリスタを大量生産するときは、大きな基板に非対称
形ZnOバリスタの集合体を形成し、該集合体を縦横に切
断して単体の非対称形ZnOバリスタを得ている。
［発明が解決しようとする課題］ この非対称形ZnOバリスタにおいては、一方の電極２
は、外部リード線を接続するために、ZnO層３より大き
く形成されてその上面周辺部が露呈していなければなら
ない。このため、集合体の形成段階で、一方の電極２全
面にZnO層３を形成後、ZnO層３の一部をエッチングによ
り除去するか、または、一方の電極２にマスクをしてZn
O層３を部分的に形成するかして露呈部を形成してい
る。また、電極２、６は、上下に配置され、その間にZn
O層３、金属酸化物層４が形成されていて、このため別
工程で形成されている。したがって、このような構造の
非対称形ZnOバリスタにおいては、複雑な工程を経なけ
れば製造できないという課題がある。
は、外部リード線を接続するために、ZnO層３より大き
く形成されてその上面周辺部が露呈していなければなら
ない。このため、集合体の形成段階で、一方の電極２全
面にZnO層３を形成後、ZnO層３の一部をエッチングによ
り除去するか、または、一方の電極２にマスクをしてZn
O層３を部分的に形成するかして露呈部を形成してい
る。また、電極２、６は、上下に配置され、その間にZn
O層３、金属酸化物層４が形成されていて、このため別
工程で形成されている。したがって、このような構造の
非対称形ZnOバリスタにおいては、複雑な工程を経なけ
れば製造できないという課題がある。
この発明は、このような従来技術の課題を解決する目
的でなされたものである。
的でなされたものである。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための手段を、実施例に対応する
第１〜４図を用いて以下説明する。この発明は、第１図
に示すように、基板11上にZnO層13を形成し、ZnO層13上
にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層14と一
方の電極12とを一定間隔をもって形成し、金属酸化物層
14上に他方の電極16を形成したものである。また、第２
図に示すように、基板として導電性基板21を用い、導電
性基板21を電流通路としたものである。また、第３図に
示すように、基板（または導電性基板）111上全面にZnO
層13を形成した後、ZnO層13上にマスク31をしてZnO層13
と電位障壁15を形成する金属酸化物層14を一定間隔をも
って形成、配置し、ZnO層13と金属酸化物層14上に電極1
2、16を一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形
成し、集合体40を縦横に切断して非対称形ZnOバリスタ
を製造するものである。また、第４図に示すように、基
板（または導電性基板）111上にZnO層13を形成した後、
ZnO層13上にZnO層13と電位障壁151を形成する金属酸化
物層141を形成し、エッチングにより部分的に金属酸化
物層141および電位障壁151を除去して、金属酸化物層14
および電位障壁15を一定間隔をもって形成、配置し、Zn
O層13と金属酸化物層14上に電極12、16を一定間隔をも
って形成、配置して集合体40を形成し、集合体40を縦横
に切断して非対称形ZnOバリスタを製造するものであ
る。
第１〜４図を用いて以下説明する。この発明は、第１図
に示すように、基板11上にZnO層13を形成し、ZnO層13上
にZnO層13と電位障壁15を形成する金属酸化物層14と一
方の電極12とを一定間隔をもって形成し、金属酸化物層
14上に他方の電極16を形成したものである。また、第２
図に示すように、基板として導電性基板21を用い、導電
性基板21を電流通路としたものである。また、第３図に
示すように、基板（または導電性基板）111上全面にZnO
層13を形成した後、ZnO層13上にマスク31をしてZnO層13
と電位障壁15を形成する金属酸化物層14を一定間隔をも
って形成、配置し、ZnO層13と金属酸化物層14上に電極1
2、16を一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形
成し、集合体40を縦横に切断して非対称形ZnOバリスタ
を製造するものである。また、第４図に示すように、基
板（または導電性基板）111上にZnO層13を形成した後、
ZnO層13上にZnO層13と電位障壁151を形成する金属酸化
物層141を形成し、エッチングにより部分的に金属酸化
物層141および電位障壁151を除去して、金属酸化物層14
および電位障壁15を一定間隔をもって形成、配置し、Zn
O層13と金属酸化物層14上に電極12、16を一定間隔をも
って形成、配置して集合体40を形成し、集合体40を縦横
に切断して非対称形ZnOバリスタを製造するものであ
る。
［作 用］ このように構成されたものにおいては、一方の電極12
は基板11上ではなく、ZnO層13上に形成され、かつ、そ
の上部は常に露呈している。また、電極12、16は上下で
なく、並列に配置されている。このため、ZnO層13をエ
ッチングまたはマスクにより部分的に形成する必要はな
い。また、電極12、16は同一工程で形成される。したが
って、複雑な工程を経ることなく製造でき、その製造工
程は簡略化される。
は基板11上ではなく、ZnO層13上に形成され、かつ、そ
の上部は常に露呈している。また、電極12、16は上下で
なく、並列に配置されている。このため、ZnO層13をエ
ッチングまたはマスクにより部分的に形成する必要はな
い。また、電極12、16は同一工程で形成される。したが
って、複雑な工程を経ることなく製造でき、その製造工
程は簡略化される。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す図である。第１図
において、11はガラスまたはセラミックの基板、13はZn
Oを主成分とするZnO層、14はBi2O3を主成分とする金属
酸化物層、15は電位障壁、12、16はAu、Alなどの電極で
ある。ZnO層13は基板11上全面に形成され、ZnO層13上に
は金属酸化物層14と一方の電極12が一定間隔をもって形
成されている。また、他方の電極16は金属酸化物層14上
に形成されている。金属酸化物層14と一方の電極12との
間隔は、この間のZnO層13の抵抗値が電流通路に対して
直列に入るため、その抵抗が十分小さくなるようにZnO
層13のシート抵抗値を考慮して定められ、例えば1mmに
設定されている。電極12、16に加わる電圧の極性によっ
て、一方の電極12からZnO層13、電位障壁15、金属酸化
物層14を経て他方の電極16に、または逆方向に電流Ｉが
流れる。
において、11はガラスまたはセラミックの基板、13はZn
Oを主成分とするZnO層、14はBi2O3を主成分とする金属
酸化物層、15は電位障壁、12、16はAu、Alなどの電極で
ある。ZnO層13は基板11上全面に形成され、ZnO層13上に
は金属酸化物層14と一方の電極12が一定間隔をもって形
成されている。また、他方の電極16は金属酸化物層14上
に形成されている。金属酸化物層14と一方の電極12との
間隔は、この間のZnO層13の抵抗値が電流通路に対して
直列に入るため、その抵抗が十分小さくなるようにZnO
層13のシート抵抗値を考慮して定められ、例えば1mmに
設定されている。電極12、16に加わる電圧の極性によっ
て、一方の電極12からZnO層13、電位障壁15、金属酸化
物層14を経て他方の電極16に、または逆方向に電流Ｉが
流れる。
第１図の場合は、ZnO層13を低抵抗に形成してZnO層13
の長手方向に電流Ｉを流す場合であるが、ZnO層13を高
抵抗に形成する場合は、第２図に示すように基板として
導電性基板21を用い、導電性基板21を電流Ｉの通路とし
てもよい。導電性基板21として、例えばステンレス板を
用いる。さらに、図示しないが、導電性基板21の代り
に、絶縁性基板または導電性基板の上に導電性膜を形成
し、該導電性膜を電流通路としてもよい。形成工程は増
えるが、材料の選択度が増す。
の長手方向に電流Ｉを流す場合であるが、ZnO層13を高
抵抗に形成する場合は、第２図に示すように基板として
導電性基板21を用い、導電性基板21を電流Ｉの通路とし
てもよい。導電性基板21として、例えばステンレス板を
用いる。さらに、図示しないが、導電性基板21の代り
に、絶縁性基板または導電性基板の上に導電性膜を形成
し、該導電性膜を電流通路としてもよい。形成工程は増
えるが、材料の選択度が増す。
いずれにしろ、一方の電極12は、他方の電極16と並列
に配置されており、その上部が常に露呈している。ため
に、製造が容易である。
に配置されており、その上部が常に露呈している。ため
に、製造が容易である。
第１図または第２図に示す非対称形ZnOバリスタを製
造する方法を第３図に基いて説明すると、まず、基板
（または導電性基板、または導電性膜が形成された絶縁
性基板もしくは導電性基板）111上全面にスパッタリン
グによりZnO層13を形成する｛（Ａ）参照｝。次に、ZnO
層13上にマスク31をして｛（Ｂ）参照｝、ZnO層13と電
位障壁15を形成する金属酸化物層14をスパッタリングに
より一定間隔をもって形成、配置置する｛（Ｃ）参
照｝。次に、ZnO層13と金属酸化物層14上に例えばマス
ク32をして｛（Ｄ）参照｝、電極12、16を真空蒸着によ
り一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成する
｛（Ｅ）参照｝。次に、集合体40を縦横に切断して非対
称形ZnOバリスタを製造するものである｛（Ｆ）参
照｝。
造する方法を第３図に基いて説明すると、まず、基板
（または導電性基板、または導電性膜が形成された絶縁
性基板もしくは導電性基板）111上全面にスパッタリン
グによりZnO層13を形成する｛（Ａ）参照｝。次に、ZnO
層13上にマスク31をして｛（Ｂ）参照｝、ZnO層13と電
位障壁15を形成する金属酸化物層14をスパッタリングに
より一定間隔をもって形成、配置置する｛（Ｃ）参
照｝。次に、ZnO層13と金属酸化物層14上に例えばマス
ク32をして｛（Ｄ）参照｝、電極12、16を真空蒸着によ
り一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成する
｛（Ｅ）参照｝。次に、集合体40を縦横に切断して非対
称形ZnOバリスタを製造するものである｛（Ｆ）参
照｝。
また、第４図に示すような方法でもよい。すなわち、
まず、基板（または導電性基板、または導電性膜が形成
された絶縁性基板もしくは導電性基板）111の上全面に
スパッタリングによりZnO層13を形成する｛（Ａ）参
照｝。次に、ZnO層13上全面にZnO層13と電位障壁151を
形成する金属酸化物層141を形成する。｛（Ｂ）参
照｝。次に、エッチングにより部分的に金属酸化物層14
1および電位障壁151を除去して、金属酸化物層14および
電位障壁15を一定間隔をもって形成、配置する｛（Ｃ）
参照｝。次に、ZnO層13と金属酸化物層14上に例えばマ
スク32をして｛｛Ｄ）参照｝、電極12、16を真空蒸着に
より一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成す
る｛（Ｅ）参照｝。次に、集合体40を縦横に切断して非
対称形ZnOバリスタを製造するものである。｛（Ｆ）参
照｝。
まず、基板（または導電性基板、または導電性膜が形成
された絶縁性基板もしくは導電性基板）111の上全面に
スパッタリングによりZnO層13を形成する｛（Ａ）参
照｝。次に、ZnO層13上全面にZnO層13と電位障壁151を
形成する金属酸化物層141を形成する。｛（Ｂ）参
照｝。次に、エッチングにより部分的に金属酸化物層14
1および電位障壁151を除去して、金属酸化物層14および
電位障壁15を一定間隔をもって形成、配置する｛（Ｃ）
参照｝。次に、ZnO層13と金属酸化物層14上に例えばマ
スク32をして｛｛Ｄ）参照｝、電極12、16を真空蒸着に
より一定間隔をもって形成、配置して集合体40を形成す
る｛（Ｅ）参照｝。次に、集合体40を縦横に切断して非
対称形ZnOバリスタを製造するものである。｛（Ｆ）参
照｝。
いずれにしろ、ZnO層13をエッチングまたはマスクに
より部分的に形成する必要はなく、電極12、16は同一工
程で形成される。ために、その製造工程は簡略化され
る。
より部分的に形成する必要はなく、電極12、16は同一工
程で形成される。ために、その製造工程は簡略化され
る。
なお、第３図、第４図では、電極12、16の形成にマス
ク32を用いているが、ZnO層13および金属酸化物層14上
全面に電極を形成し、エッチングにより電極12、16を形
成してもよい。この場合も、電極12、16は同一工程で形
成される。
ク32を用いているが、ZnO層13および金属酸化物層14上
全面に電極を形成し、エッチングにより電極12、16を形
成してもよい。この場合も、電極12、16は同一工程で形
成される。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、この発明は、基板または導
電性基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に一定間隔をも
って該ZnO層と電位障壁を形成する金属酸化物層と一方
の電極とを一定間隔をもって形成し、該金属酸化物層上
に他方の電極を形成した非対称形ZnOバリスタおよびそ
の製造方法である。それゆえ、双方の電極は、互いに並
列に配置され、その上部が常に露呈している。したがっ
て、この発明によれば、製造が容易な対称形ZnOバリス
タおよび製造工程が簡略化されたその製造方法を提供す
ることができるという効果が得られる。
電性基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に一定間隔をも
って該ZnO層と電位障壁を形成する金属酸化物層と一方
の電極とを一定間隔をもって形成し、該金属酸化物層上
に他方の電極を形成した非対称形ZnOバリスタおよびそ
の製造方法である。それゆえ、双方の電極は、互いに並
列に配置され、その上部が常に露呈している。したがっ
て、この発明によれば、製造が容易な対称形ZnOバリス
タおよび製造工程が簡略化されたその製造方法を提供す
ることができるという効果が得られる。
第１図は請求項１に係る発明の一実施例を示す断面図、
第２図は請求項２に係る発明の一実施例を示す断面図、
第３図は請求項３または請求項５に係る発明の一実施例
を示す工程図、第４図は請求項４または請求項５に係る
発明の一実施例を示す工程図、第５図は従来技術を示す
断面図である。 11……基板、13……ZnO層、14……金属酸化物層、15…
…電位障壁、12、16……電極
第２図は請求項２に係る発明の一実施例を示す断面図、
第３図は請求項３または請求項５に係る発明の一実施例
を示す工程図、第４図は請求項４または請求項５に係る
発明の一実施例を示す工程図、第５図は従来技術を示す
断面図である。 11……基板、13……ZnO層、14……金属酸化物層、15…
…電位障壁、12、16……電極
Claims (5)
- 【請求項１】基板上にZnO層を形成し、該ZnO層上に該Zn
o層と電位障壁を形成する金属酸化物層と一方の電極と
を一定間隔をもって形成し、該金属酸化物層上に他方の
電極を形成した非対称形ZnOバリスタ - 【請求項２】基板として導電性基板を用い、該導電性基
板を電流通路とした請求項１記載の非対称形ZnOバリス
タ - 【請求項３】基板上にZnO層を形成した後、該ZnO層上に
マスクをして該ZnO層と電位障壁を形成する金属酸化物
層を一定間隔をもって形成、配置し、該ZnO層と該金属
酸化物層上に双方の電極を一定間隔をもって形成、配置
して集合体を形成し、該集合体を縦横に切断して製造す
る非対称形ZnOバリスタの製造方法 - 【請求項４】基板上にZnO層を形成した後、該ZnO層上に
該Zno層と電位障壁を形成する金属酸化物層を形成し、
エッチングにより部分的に該金属酸化物層および該電位
障壁を除去して、該金属酸化物層および該電位障壁を一
定間隔をもって形成、配置し、該ZnO層と該金属酸化物
層上に双方の電極を一定間隔をもって形成、配置して集
合体を形成し、該集合体を縦横に切断して製造する非対
称形ZnOバリスタの製造方法 - 【請求項５】基板として導電性基板を用い、該導電性基
板を電流通路とした請求項３または請求項４記載の非対
称形ZnOバリスタの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023858A JP2562039B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 非対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023858A JP2562039B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 非対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200602A JPH01200602A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2562039B2 true JP2562039B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12122136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023858A Expired - Fee Related JP2562039B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 非対称形ＺｎＯバリスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2562039B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100974888B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2010-08-11 | 한국전자통신연구원 | 비정상 트래픽 탐지 장치 및 방법 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023858A patent/JP2562039B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01200602A (ja) | 1989-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |