KR950020855A - 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR950020855A
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이천규
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박경팔
삼성전관 주식회사
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Abstract

본 발명은 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 소정의 패턴으로 형성된 제1게이트 전극(21)의 상면에 적층된 제1절연층(22)과, 상기 제1절연층(22)의 상면에 피착되어 분화구 형상의 전계방출부(27)를 구비한 전계방출막(26)과 전기적으로 접속되는 캐소드 전극(25), 상기 캐소드 전극(25)의 상부에 순차적으로 적층된 제2절연층(23) 및 제2게이트 전극(24)으로 이루어진 소자를 제조하므로써 저전압 구동이 가능하면서도 공정상 1~2㎛정도의 미세 패턴을 필요로 하지 않으므로 수율이 높고 제조원가를 절감할 수 있는 잇점이 있는 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 전계방출 캐소드의 단면도이고,

Claims (9)

  1. 소정의 패턴으로 형성된 제1게이트 전극(21)의 상면에 적층된 제1절연층(22)과, 상기 제1절연층(22)의 상면에 피착되어 분화구 형상의 전계방출부(27)를 구비한 전계방출막(26)과 전기적으로 접속되는 캐소드 전극(25), 상기 캐소드 전극(25)의 상부에 순차적으로 적층된 제2절연층(23)및 제2게이트 전극(24)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전계방출막(26)이 Mo, W, 및 Hf로 구성된 군으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출캐소드 어레이.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전계방출막의 두께가 약 1300~1700Å인 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1절연층이 열산화공정에 의해 제조된 열산화막인 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2절연층 물질이 SiO2인 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 전극이 Mo, W, Nb 및 Hf로 구성된 군으로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 전극이 글래스 기판에 형성된 Ta막인 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  8. 제7항에 있어서, 상기 캐소드 어레이의 제조시 사용되는 산화마스크가 증착된 SiO2막이고, 제1절연층이 Ta2O5또는 스퍼터링된 SiO2이며, 제2절연층 및 제2게이트 전극이 스퍼터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이.
  9. a) 도핑된 실리콘 웨이퍼를 열산화시켜 열산화막을 제조하여 산화마스크를 형성하는 단계; b) 상기 산화 마스크를 제외한 부분에 건식에칭을 수행하여 실리콘을 에칭시키고 다시 열산화를 시켜 제1절연막을 형성시키는 단계; c) 스퍼터링법을 사용하여 상기 산화마스크 및 제1절연막 위를 증착시켜 전계방출막을 형성시키는 단계; d) 전자빔 증착기를 사용하여 상기 전계방출막에 캐소드 전극을 증착시킨 후, 제2절연막과 제2게이트 전극을 형성시키는 단계; 및 e) Si에칭제 또는 SiO2에칭제로 습식에칭을 수행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출 캐소드 어레이의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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