JP2611867B2 - 改良されたコイル導体層を備える薄膜磁気ヘッド - Google Patents
改良されたコイル導体層を備える薄膜磁気ヘッドInfo
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- Y10T29/49064—Providing winding by coating
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスク装置や磁気テープ装置又はフロ
ッピーディスク装置等に用いる薄膜磁気ヘッドに関す
る。より詳しくは，その導体層の改良に関する。
ッピーディスク装置等に用いる薄膜磁気ヘッドに関す
る。より詳しくは，その導体層の改良に関する。
［従来技術］ 従来より複数の積層構造からなる薄膜磁気ヘッドは，
そのコイルに,Cuを用いた導体層が利用されている。
そのコイルに,Cuを用いた導体層が利用されている。
また特開平１−64107号公報には，導体層と絶縁層の
間にTiよりなる層を100℃以上の基板温度でスパッタリ
ングによって形成する旨記載されている。
間にTiよりなる層を100℃以上の基板温度でスパッタリ
ングによって形成する旨記載されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら該Cu導体層は，フォトリソグラフィー，
及びイオンミリングによってコイル形状にパターニング
した際，イオンミリング中にコイル導体面に凹凸が発生
し，この凹凸は最終的にギャップ面の凹凸として表れヘ
ッドの電磁変換特性を劣化させるという問題があった。
従来これを防ぐためには，ギャップ面形成の時に反応性
のガスを用いた選択性の高いイオンエッチングを行うこ
とによってこの凹凸をなくする必要があった。
及びイオンミリングによってコイル形状にパターニング
した際，イオンミリング中にコイル導体面に凹凸が発生
し，この凹凸は最終的にギャップ面の凹凸として表れヘ
ッドの電磁変換特性を劣化させるという問題があった。
従来これを防ぐためには，ギャップ面形成の時に反応性
のガスを用いた選択性の高いイオンエッチングを行うこ
とによってこの凹凸をなくする必要があった。
しかしながら，上述の反応性イオンエッチングによる
方法はプロセスを複雑にするのみならず，そこで用いら
れるガスは一般にフロン系のガスであり，環境上の問題
もあった。
方法はプロセスを複雑にするのみならず，そこで用いら
れるガスは一般にフロン系のガスであり，環境上の問題
もあった。
一方，前記特開平１−64107号公報に記載の方法は，
スパッタリング法等によってTiよりなる層を導体層と絶
縁層の間に設けることにより，前記凹凸を低減すること
が可能である。
スパッタリング法等によってTiよりなる層を導体層と絶
縁層の間に設けることにより，前記凹凸を低減すること
が可能である。
しかしながらこの方法は,TiとCuが隣接しているた
め，導体層形成後に450℃以上にするとTiとCuが反応し
てしまい電気抵抗が著しく高くなってしまう。そのた
め，全体のプロセス温度を少なくとも450℃程度以上に
しなくてはならなかった。従って，高温の熱処理によっ
て優れた特性が得られるような磁性膜を少なくとも上部
磁性層に用いることはできなかった。
め，導体層形成後に450℃以上にするとTiとCuが反応し
てしまい電気抵抗が著しく高くなってしまう。そのた
め，全体のプロセス温度を少なくとも450℃程度以上に
しなくてはならなかった。従って，高温の熱処理によっ
て優れた特性が得られるような磁性膜を少なくとも上部
磁性層に用いることはできなかった。
本発明は上記のような問題を解決するために成された
ものであり，反応性ガスを用いることなく平坦なギャッ
プ面が形成可能で，更に高温処理にも耐え得る，良好な
電磁変換特性を有した薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
ものであり，反応性ガスを用いることなく平坦なギャッ
プ面が形成可能で，更に高温処理にも耐え得る，良好な
電磁変換特性を有した薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば，基板上に少なくとも磁性層，コイル
を形成する導体層及び絶縁層を製膜および所定形状に形
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて，該導体層が実質的
にCu−Ag合金からなる薄膜磁気ヘッドにより上記目的を
達成することができる。
を形成する導体層及び絶縁層を製膜および所定形状に形
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて，該導体層が実質的
にCu−Ag合金からなる薄膜磁気ヘッドにより上記目的を
達成することができる。
好ましくは，前記導体層の組成式が原子組成比にて Cu100-XAgX 0.1≦ｘ≦10 である。前記導体層のAgが、0.1原子％（at％）より小
さくなるにつれてギャップ面の凹凸も次第に大きくな
る。前記導体層にAgが好ましくは1at％程度（特に１〜6
at％）存在すると，本発明の効果を十分に奏することが
できる。またAgは10at％程度まで導体層に存在させても
同様の効果を奏することができると考えられる。
さくなるにつれてギャップ面の凹凸も次第に大きくな
る。前記導体層にAgが好ましくは1at％程度（特に１〜6
at％）存在すると，本発明の効果を十分に奏することが
できる。またAgは10at％程度まで導体層に存在させても
同様の効果を奏することができると考えられる。
［実施例］ サファイア基板上にSiO2を２μｍ製膜しその上に各種
組成のCu−Ag合金コイル導体層をそれぞれ２枚ずつ製膜
した。
組成のCu−Ag合金コイル導体層をそれぞれ２枚ずつ製膜
した。
この製膜はRFマグネトロンスパッタリング法を用いて
直径８インチのCuターゲット上に１平方センチメートル
のAgペレットを所定の枚数配し，陰極電力1000W,スパッ
タガス圧0.2Pa,基板温度150℃で行った。
直径８インチのCuターゲット上に１平方センチメートル
のAgペレットを所定の枚数配し，陰極電力1000W,スパッ
タガス圧0.2Pa,基板温度150℃で行った。
その後それぞれの内各１枚を，加速電圧700V,サファ
イア基板の法線に対し入射角度０度でイオンミリングに
よってエッチングを所定時間行いCu−Ag合金を除去しSi
O2表面を露出しその表面を触針式段差計を用いて凹凸を
測定した。また，それぞれの残りの１枚は種々の温度で
熱処理し各熱処理温度でのコイル導体層の抵抗率を測定
し，その後に組成を分析した。それらの結果を表１に示
す。
イア基板の法線に対し入射角度０度でイオンミリングに
よってエッチングを所定時間行いCu−Ag合金を除去しSi
O2表面を露出しその表面を触針式段差計を用いて凹凸を
測定した。また，それぞれの残りの１枚は種々の温度で
熱処理し各熱処理温度でのコイル導体層の抵抗率を測定
し，その後に組成を分析した。それらの結果を表１に示
す。
［比較例］ Agを含まないコイル導体層にする（純Cuを用い，従っ
て組成分析をしない）以外は実施例と同様に製膜したも
の（比較例１）と,Cu膜の両面側に0.05μｍのTi膜をCu
膜と同一製膜条件で製膜してコイル導体層にする以外は
比較例１と同様にしたもの（比較例２）について，実施
例と同様のエッチング後のSiO2表面の凹凸の測定及びコ
イル導体層の抵抗率の測定を行った。これらの結果を表
２に示す。
て組成分析をしない）以外は実施例と同様に製膜したも
の（比較例１）と,Cu膜の両面側に0.05μｍのTi膜をCu
膜と同一製膜条件で製膜してコイル導体層にする以外は
比較例１と同様にしたもの（比較例２）について，実施
例と同様のエッチング後のSiO2表面の凹凸の測定及びコ
イル導体層の抵抗率の測定を行った。これらの結果を表
２に示す。
比較例１は，抵抗率については高温まで安定に低い値
を示すが凹凸量が大きくなってしまう。比較例２は，凹
凸量は十分小さいが高温（450℃以上）の熱処理を施し
たとき抵抗率が急激に増大してしまう。これらに対し，
本発明の全ての実施例においては，十分小さい凹凸量と
高温熱処理後の低い抵抗率が得られている。
を示すが凹凸量が大きくなってしまう。比較例２は，凹
凸量は十分小さいが高温（450℃以上）の熱処理を施し
たとき抵抗率が急激に増大してしまう。これらに対し，
本発明の全ての実施例においては，十分小さい凹凸量と
高温熱処理後の低い抵抗率が得られている。
［発明の効果］ 本発明の薄膜磁気ヘッドのコイルを形成する導体層
は，実質的にCu−Ag合金から成るので，平坦なギャップ
面を形成できると共に，高温処理を経た場合でも良好な
電磁変換特性を有する。
は，実質的にCu−Ag合金から成るので，平坦なギャップ
面を形成できると共に，高温処理を経た場合でも良好な
電磁変換特性を有する。
第１図は，コイル導体層のAg存在率と，コイル導体層を
エッチングにより除去した後のSiO2膜表面の凹凸量との
関係を示す図である。 第２図は，コイル導体層のAg存在率と，コイル導体層の
抵抗率との関係を示す図である。 第３図は，コイル導体層の熱処理温度と，熱処理後のコ
イル導体層の抵抗率との関係を示す図である。
エッチングにより除去した後のSiO2膜表面の凹凸量との
関係を示す図である。 第２図は，コイル導体層のAg存在率と，コイル導体層の
抵抗率との関係を示す図である。 第３図は，コイル導体層の熱処理温度と，熱処理後のコ
イル導体層の抵抗率との関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に少なくとも磁性層，コイルを形成
する導体層及び絶縁層を製膜および所定形状に形成して
なる薄膜磁気ヘッドにおいて，該導体層が実質的にCu−
Ag合金からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記導体層の組成式が原子組成比にて Cu100-XAgX 0.1≦ｘ≦10 であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285925A JP2611867B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 改良されたコイル導体層を備える薄膜磁気ヘッド |
| US07/780,937 US5369539A (en) | 1990-10-25 | 1991-10-23 | Thin film magnetic head having improved coil conductor layer |
| US08/654,043 US5608964A (en) | 1990-10-25 | 1996-05-28 | Method for producing a thin film magnetic head having an improved coil conductor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285925A JP2611867B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 改良されたコイル導体層を備える薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162206A JPH04162206A (ja) | 1992-06-05 |
| JP2611867B2 true JP2611867B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=17697785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2285925A Expired - Lifetime JP2611867B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 改良されたコイル導体層を備える薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5369539A (ja) |
| JP (1) | JP2611867B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5636092A (en) * | 1992-07-31 | 1997-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having chromium nitride protective film for use in magnetic recording and/or reproducing apparatus and method of manufacturing the same |
| US6204997B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-03-20 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head with a plurality of engaged thin-film coils and method of manufacturing the same |
| US6204999B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-03-20 | Read-Rite Corporation | Method and system for providing a write head having a conforming pole structure |
| US11393776B2 (en) * | 2018-05-17 | 2022-07-19 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622613A (en) * | 1983-10-07 | 1986-11-11 | Matsushita Electric Industrials Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| KR930008776B1 (ko) * | 1984-10-31 | 1993-09-15 | 상요 덴기 가부시기가이샤 | 자기헤드 및 그 제조 방법 |
| JPS6271010A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| US4908275A (en) * | 1987-03-04 | 1990-03-13 | Nippon Mining Co., Ltd. | Film carrier and method of manufacturing same |
| JP2709387B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1998-02-04 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5059278A (en) * | 1990-09-28 | 1991-10-22 | Seagate Technology | Selective chemical removal of coil seed-layer in thin film head magnetic transducer |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2285925A patent/JP2611867B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-23 US US07/780,937 patent/US5369539A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-28 US US08/654,043 patent/US5608964A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5608964A (en) | 1997-03-11 |
| US5369539A (en) | 1994-11-29 |
| JPH04162206A (ja) | 1992-06-05 |
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