JPH06181210A - Ｌｓｉ配線用アルミニウム薄膜 - Google Patents
Ｌｓｉ配線用アルミニウム薄膜Info
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- JPH06181210A JPH06181210A JP35322092A JP35322092A JPH06181210A JP H06181210 A JPH06181210 A JP H06181210A JP 35322092 A JP35322092 A JP 35322092A JP 35322092 A JP35322092 A JP 35322092A JP H06181210 A JPH06181210 A JP H06181210A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、長寿命化した配線用、特に
ＬＳＩ配線用Ａｌ薄膜を提供することにある。 【構成】 膜厚方向に粒界が不連続であることを特徴と
する配線用多結晶構造アルミニウム薄膜。
ＬＳＩ配線用Ａｌ薄膜を提供することにある。 【構成】 膜厚方向に粒界が不連続であることを特徴と
する配線用多結晶構造アルミニウム薄膜。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は半導体デバイスで配線材料として
広く利用されている配線用アルミニウム薄膜に関する。
広く利用されている配線用アルミニウム薄膜に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体集積回路のような半導体デバイスの
配線材料として利用されるアルミニウム（以下、Ａｌ）
薄膜は多結晶膜を構成するが、結晶粒は配線の寿命にと
っては大きい方が良いとされ、結晶粒径と寿命が比例す
るというデータがある（たとえば、Ｓ．Ｖａｉｄｙａ
ａｎｄ Ａ．Ｋ．Ｓｉｎｈａ：Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆｔｅ
ｘｔｕｒｅ ａｎｄ ｇｒａｉｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ ｉｎ Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ，Ｔｈｉｎ
Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，ｖｏｌ．７５，ｎｏ．３（１
９８１）２５３、特に第３図参照）。半導体デバイスで
配線材料として広く用いられているＡｌ薄膜は、デバイ
スの高集積化にともない、配線幅が細くなりまた膜厚も
薄くなってきている。この為、信頼性の高い長寿命のＡ
ｌ膜が要求されている。即ち、長時間電流を流しても断
線しないことが要求される。この為に、膜は欠陥がな
く、かつ結晶粒径ができるだけ大きくて粒界が配線中に
少なくなり、電子の散乱が少ない方が長寿命化するとい
うデータが出されている。特に、Ａｌを単結晶膜として
粒界のない膜を設ければ、粒界における電子の散乱がな
く、膜中の欠陥（格子欠陥やボイド）のない膜となる為
に長寿命化する。そして単結晶化させる為に、作製後加
熱するような提案が行なわれている。さらにまた、Ａｌ
膜を構成する材料としては、耐久性を上げる為に、Ａｌ
−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金が用いられることがあ
る。図１，２および３は、Ａｌ膜にボイド（空隙）が生
成するメカニズムを推測した図である。図１は多結晶構
造Ａｌ膜を上から見た図であり、該Ａｌ膜は、平均粒径
４．５μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金の粒子で構成されて
いる。図１および３に示すように、Ａｌ多結晶構造膜の
粒界はその膜厚方向（Ａｌ膜の表面から基板方向へ）に
伸びている。図２に示す粒界の状態は、基板上でもほぼ
同じである。図２におけるＡおよびＢで示すようなトリ
プルポイント（三重点）で原子の欠陥が生じボイドとな
る。該トリプルポイントで発生したボイドは、表面拡散
により表面をＡｌ原子が動くことによりボイドが次第に
大きくなり、Ａｌ膜が断線する（但し、前記ボイドの生
成原因は種々考えられるので、ボイドの生成原因は前記
メカニズムのものだけに限定されるものではない）。こ
のような場合に、表面エネルギー計算よりＡｌ膜の上に
絶縁層を設けたほうがボイドの発生が少なくなり、した
がってＡｌ膜の断線までの寿命が長くなるという報告が
ある〔Ｓｏａｄ−Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ，３４巻／７号、７４１−７４６頁（１９６１
年）〕。
配線材料として利用されるアルミニウム（以下、Ａｌ）
薄膜は多結晶膜を構成するが、結晶粒は配線の寿命にと
っては大きい方が良いとされ、結晶粒径と寿命が比例す
るというデータがある（たとえば、Ｓ．Ｖａｉｄｙａ
ａｎｄ Ａ．Ｋ．Ｓｉｎｈａ：Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆｔｅ
ｘｔｕｒｅ ａｎｄ ｇｒａｉｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ ｉｎ Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ，Ｔｈｉｎ
Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，ｖｏｌ．７５，ｎｏ．３（１
９８１）２５３、特に第３図参照）。半導体デバイスで
配線材料として広く用いられているＡｌ薄膜は、デバイ
スの高集積化にともない、配線幅が細くなりまた膜厚も
薄くなってきている。この為、信頼性の高い長寿命のＡ
ｌ膜が要求されている。即ち、長時間電流を流しても断
線しないことが要求される。この為に、膜は欠陥がな
く、かつ結晶粒径ができるだけ大きくて粒界が配線中に
少なくなり、電子の散乱が少ない方が長寿命化するとい
うデータが出されている。特に、Ａｌを単結晶膜として
粒界のない膜を設ければ、粒界における電子の散乱がな
く、膜中の欠陥（格子欠陥やボイド）のない膜となる為
に長寿命化する。そして単結晶化させる為に、作製後加
熱するような提案が行なわれている。さらにまた、Ａｌ
膜を構成する材料としては、耐久性を上げる為に、Ａｌ
−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金が用いられることがあ
る。図１，２および３は、Ａｌ膜にボイド（空隙）が生
成するメカニズムを推測した図である。図１は多結晶構
造Ａｌ膜を上から見た図であり、該Ａｌ膜は、平均粒径
４．５μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金の粒子で構成されて
いる。図１および３に示すように、Ａｌ多結晶構造膜の
粒界はその膜厚方向（Ａｌ膜の表面から基板方向へ）に
伸びている。図２に示す粒界の状態は、基板上でもほぼ
同じである。図２におけるＡおよびＢで示すようなトリ
プルポイント（三重点）で原子の欠陥が生じボイドとな
る。該トリプルポイントで発生したボイドは、表面拡散
により表面をＡｌ原子が動くことによりボイドが次第に
大きくなり、Ａｌ膜が断線する（但し、前記ボイドの生
成原因は種々考えられるので、ボイドの生成原因は前記
メカニズムのものだけに限定されるものではない）。こ
のような場合に、表面エネルギー計算よりＡｌ膜の上に
絶縁層を設けたほうがボイドの発生が少なくなり、した
がってＡｌ膜の断線までの寿命が長くなるという報告が
ある〔Ｓｏａｄ−Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ，３４巻／７号、７４１−７４６頁（１９６１
年）〕。
【０００３】
【目的】本発明は、長寿命化した配線用、特にＬＳＩ配
線用Ａｌ薄膜に関する。
線用Ａｌ薄膜に関する。
【０００４】
【構成】本発明は、半導体集積回路、特に大規模集積回
路（ＬＳＩ）のような半導体デバイスの配線材料として
利用されるＡｌ多結晶構造薄膜において、該薄膜がボイ
ドの発生およびその成長に伴って断線することを防止す
るために、膜厚方向に粒界を不連続とすることにより、
ボイドの生成および成長を抑制することにより、前記従
来技術の問題点を解決した。以下に本発明でボイドの生
成を抑制するために使用することのできる方法を示す。 （１）図４に示すようにＡｌ膜の第１層を厚みｔ1に形
成した後、１度成膜を停止する。次いで基板を再加熱
（２００℃位）してｔ2の厚みまで成膜を続けて第２層
を形成する。従来法のようにＡｌ膜の成膜を連続して行
うのでなく、前記のように不連続に成膜すると、前者の
場合には、図１に示すように粒界は基板−Ａｌ膜表面間
で連続であったものが、後者の場合では図４に示すよう
に、基板−Ａｌ膜表面間で粒界が不連続となる。さらに
図４に示すように、第１成膜と第２成膜との界面には数
１０Åの結晶性の劣る薄膜が形成されるが、このような
界面層の形成により、ボイド形成に必要なエネルギーを
増大させることができ、よりボイドが生成し難くなる。
従って、前記界面が複数形成されるように複数回に分け
て成膜すると、ボイドは少なくなり、配線寿命が上がる
のでより好ましい。ただ、膜形成の回数が多くなるに従
い、生産コストも上昇するので、通常、前記界面は１〜
３層を設ければ十分である。形成したＡｌ膜の断面をＴ
ＥＭで観察すると、前記したように界面には結晶性の劣
る薄膜を観察することができる。
路（ＬＳＩ）のような半導体デバイスの配線材料として
利用されるＡｌ多結晶構造薄膜において、該薄膜がボイ
ドの発生およびその成長に伴って断線することを防止す
るために、膜厚方向に粒界を不連続とすることにより、
ボイドの生成および成長を抑制することにより、前記従
来技術の問題点を解決した。以下に本発明でボイドの生
成を抑制するために使用することのできる方法を示す。 （１）図４に示すようにＡｌ膜の第１層を厚みｔ1に形
成した後、１度成膜を停止する。次いで基板を再加熱
（２００℃位）してｔ2の厚みまで成膜を続けて第２層
を形成する。従来法のようにＡｌ膜の成膜を連続して行
うのでなく、前記のように不連続に成膜すると、前者の
場合には、図１に示すように粒界は基板−Ａｌ膜表面間
で連続であったものが、後者の場合では図４に示すよう
に、基板−Ａｌ膜表面間で粒界が不連続となる。さらに
図４に示すように、第１成膜と第２成膜との界面には数
１０Åの結晶性の劣る薄膜が形成されるが、このような
界面層の形成により、ボイド形成に必要なエネルギーを
増大させることができ、よりボイドが生成し難くなる。
従って、前記界面が複数形成されるように複数回に分け
て成膜すると、ボイドは少なくなり、配線寿命が上がる
のでより好ましい。ただ、膜形成の回数が多くなるに従
い、生産コストも上昇するので、通常、前記界面は１〜
３層を設ければ十分である。形成したＡｌ膜の断面をＴ
ＥＭで観察すると、前記したように界面には結晶性の劣
る薄膜を観察することができる。
【０００５】（２）前記（１）のようにしてＡｌ膜の第
１層を厚みｔ1に形成した後、酸化剤例えばＯ2ガスによ
り該層の表面層のみをＡｌ2Ｏ3膜とし、界面層を形成す
る。この界面層の形成により膜厚方向に粒界を不連続と
することができる。ただし、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）は導電性に劣るので、厚さは５０Å以下と薄い方
がよい。前記酸化処理後に、さらにＡｌ膜をｔ2の厚み
に設ける。該膜は必要に応じてその表面を同様に酸化ア
ルミニウムとしてもよい。本方法においても、前記Ａｌ
2Ｏ3層は前記（１）の場合と同様に１〜３層を設ければ
十分である。
１層を厚みｔ1に形成した後、酸化剤例えばＯ2ガスによ
り該層の表面層のみをＡｌ2Ｏ3膜とし、界面層を形成す
る。この界面層の形成により膜厚方向に粒界を不連続と
することができる。ただし、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）は導電性に劣るので、厚さは５０Å以下と薄い方
がよい。前記酸化処理後に、さらにＡｌ膜をｔ2の厚み
に設ける。該膜は必要に応じてその表面を同様に酸化ア
ルミニウムとしてもよい。本方法においても、前記Ａｌ
2Ｏ3層は前記（１）の場合と同様に１〜３層を設ければ
十分である。
【０００６】（３）前記のようにしてＡｌ膜の第１層を
厚みｔ1に形成した後、Ａｌ以外の導電性金属、例えば
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ
等の薄膜を第１層の表面上に設ける。該導電性金属薄膜
上に同様にしてＡｌ膜の第２層をｔ2の厚みに設ける。
前記導電性金属層の厚みは、薄くてＡｌ膜の抵抗を上昇
させることなく、かつ均一な厚さに設けられる必要があ
る。このような厚みとしては、１００Å以上、好ましく
は５０Å以下である。
厚みｔ1に形成した後、Ａｌ以外の導電性金属、例えば
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ
等の薄膜を第１層の表面上に設ける。該導電性金属薄膜
上に同様にしてＡｌ膜の第２層をｔ2の厚みに設ける。
前記導電性金属層の厚みは、薄くてＡｌ膜の抵抗を上昇
させることなく、かつ均一な厚さに設けられる必要があ
る。このような厚みとしては、１００Å以上、好ましく
は５０Å以下である。
【０００７】（４）前記(１)，(２)および(３)に示され
る方法の中から、異なる方法を複数採用してＡｌ膜を形
成してもよい。例えばＡｌ膜の厚みｔ1の第１層の上に
第２層を形成するに際しては前記（１）の方法を使用
し、該第２層の表面層を前記（２）の方法により酸化処
理後、さらにＡｌ膜を厚みｔ2で設けるような場合であ
る。
る方法の中から、異なる方法を複数採用してＡｌ膜を形
成してもよい。例えばＡｌ膜の厚みｔ1の第１層の上に
第２層を形成するに際しては前記（１）の方法を使用
し、該第２層の表面層を前記（２）の方法により酸化処
理後、さらにＡｌ膜を厚みｔ2で設けるような場合であ
る。
【０００８】本発明のＡｌ薄膜を構成する材料は、Ａｌ
金属だけでなく、Ａｌ以外に１ａｔｏｍ％程度のＳｉや
Ｃｕ等を混入したＡｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等
でもよい。特にＣｕやＳｉを混入させると、これらは粒
界中に存在して寿命を長くする。さらにこのような組成
の異なるＡｌ層の複数を不連続で形成することにより
（例えばＡｌ−Ｓｉ層／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層／Ａｌ
層）、各層間に界面層が形成され粒界が不連続となり、
前記（１）〜（４）と同様にボイドの生成および成長を
抑制することができる。また、この方法も前記（１）〜
（４）の方法と組み合せて使用することができる。さら
に、本発明でボイドの生成を抑制するためには、前記の
方法のようにアルミニウム薄膜の成膜を不連続で行うの
ではなく、成膜条件を変更しながらアルミニウムの成膜
を連続して行う方法も採用することができる。本発明に
おいて、前記Ａｌ層および導電性金属層の製膜は、通常
の一般的な製膜方法を用いることができ、例えば真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法
等が挙げられる。
金属だけでなく、Ａｌ以外に１ａｔｏｍ％程度のＳｉや
Ｃｕ等を混入したＡｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金等
でもよい。特にＣｕやＳｉを混入させると、これらは粒
界中に存在して寿命を長くする。さらにこのような組成
の異なるＡｌ層の複数を不連続で形成することにより
（例えばＡｌ−Ｓｉ層／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層／Ａｌ
層）、各層間に界面層が形成され粒界が不連続となり、
前記（１）〜（４）と同様にボイドの生成および成長を
抑制することができる。また、この方法も前記（１）〜
（４）の方法と組み合せて使用することができる。さら
に、本発明でボイドの生成を抑制するためには、前記の
方法のようにアルミニウム薄膜の成膜を不連続で行うの
ではなく、成膜条件を変更しながらアルミニウムの成膜
を連続して行う方法も採用することができる。本発明に
おいて、前記Ａｌ層および導電性金属層の製膜は、通常
の一般的な製膜方法を用いることができ、例えば真空蒸
着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法
等が挙げられる。
【０００９】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例１ ＲＦスパッタ装置を用いてＳｉウェハ上に、Ａｌ−Ｓｉ
（１％）−Ｃｕ（０．５％）の合金を、厚み２０００Å
となるように成膜速度が５Å／ｍｉｎで作製した。作製
条件は下記の通りであった。 ベースプレッシャー ４×１０-7 Ｔｏｒｒ ターゲット Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ ターゲット基板間距離 ５０ｍｍ 基板温度 １８０℃ 導入ガス圧力 Ａｒ ５×１０-3 Ｔｏｒ
ｒ 高周波電力 １５０Ｗ このＡｌ膜のＸ線回折ピークはＡｌ（１１１）とＡｌ
（２２０）が観察された。ついでこの膜の上に、Ａｌ−
Ｓｉ（１％）膜を同様に２０００Å成膜した。この膜も
Ｘ線回折ピークは同様であった。ついで、この上にＡｌ
−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％）合金を同様に２００
０Å成膜した。この後ＴＥＭ法を用いてＡｌ膜の断面を
観察したところ約２０００Åの三層が各層間で重なって
おり、界面層が確認できた。粒界は連続していなかっ
た。Ａｌの平均粒径は加熱後で３μｍであった。つい
で、２μｍ巾の配線にエッチング加工し、ＭＴＦ（Ｔｉ
ｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）を測定したところ１７０
０時間であった。
る。 実施例１ ＲＦスパッタ装置を用いてＳｉウェハ上に、Ａｌ−Ｓｉ
（１％）−Ｃｕ（０．５％）の合金を、厚み２０００Å
となるように成膜速度が５Å／ｍｉｎで作製した。作製
条件は下記の通りであった。 ベースプレッシャー ４×１０-7 Ｔｏｒｒ ターゲット Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ ターゲット基板間距離 ５０ｍｍ 基板温度 １８０℃ 導入ガス圧力 Ａｒ ５×１０-3 Ｔｏｒ
ｒ 高周波電力 １５０Ｗ このＡｌ膜のＸ線回折ピークはＡｌ（１１１）とＡｌ
（２２０）が観察された。ついでこの膜の上に、Ａｌ−
Ｓｉ（１％）膜を同様に２０００Å成膜した。この膜も
Ｘ線回折ピークは同様であった。ついで、この上にＡｌ
−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５％）合金を同様に２００
０Å成膜した。この後ＴＥＭ法を用いてＡｌ膜の断面を
観察したところ約２０００Åの三層が各層間で重なって
おり、界面層が確認できた。粒界は連続していなかっ
た。Ａｌの平均粒径は加熱後で３μｍであった。つい
で、２μｍ巾の配線にエッチング加工し、ＭＴＦ（Ｔｉ
ｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）を測定したところ１７０
０時間であった。
【００１０】実施例２ 実施例１と同様にして、Ｓｉウェハ上に約４０００Å厚
のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を作製した。この後チャンバー内
にＡｒガスの代わりにＯ2ガス（９９．９９９％）を導
入し、Ａｌ膜の表面を酸化させた。この後Ｏ2ガスを停
止し、同様にＡｒガスを用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の成
膜を約４０００Åとなるように成膜した。これら２つの
Ａｌ膜のＸ線回折ピークはＡｌ（１１１）とＡｌ（２２
０）であった。又、全厚約８０００Åの膜にはＡｌ2Ｏ3
の微少ピークが観察された。又、断面ＴＥＭ観察の結
果、Ａｌ2Ｏ3層の厚みは約４０Åであった。加熱後のＡ
ｌ膜の平均粒径は約３μｍであった。実施例１と同様に
して測定したＭＴＦは２１００時間であった。
のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を作製した。この後チャンバー内
にＡｒガスの代わりにＯ2ガス（９９．９９９％）を導
入し、Ａｌ膜の表面を酸化させた。この後Ｏ2ガスを停
止し、同様にＡｒガスを用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の成
膜を約４０００Åとなるように成膜した。これら２つの
Ａｌ膜のＸ線回折ピークはＡｌ（１１１）とＡｌ（２２
０）であった。又、全厚約８０００Åの膜にはＡｌ2Ｏ3
の微少ピークが観察された。又、断面ＴＥＭ観察の結
果、Ａｌ2Ｏ3層の厚みは約４０Åであった。加熱後のＡ
ｌ膜の平均粒径は約３μｍであった。実施例１と同様に
して測定したＭＴＦは２１００時間であった。
【００１１】比較例１ 実施例１および実施例２と全く同様にしてＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ膜をＳｉウェハ上に連続して約６０００Å及び８０
００Å成膜した。Ｘ線回折ピークはいずれの膜もＡｌ
（１１１）とＡｌ（２２０）が観察され、又加熱後の平
均粒径も３μｍであった。ＭＴＦは６０００Åの膜で４
８０時間、８０００Åの膜で５５０時間と短かった。
Ｃｕ膜をＳｉウェハ上に連続して約６０００Å及び８０
００Å成膜した。Ｘ線回折ピークはいずれの膜もＡｌ
（１１１）とＡｌ（２２０）が観察され、又加熱後の平
均粒径も３μｍであった。ＭＴＦは６０００Åの膜で４
８０時間、８０００Åの膜で５５０時間と短かった。
【００１２】
【効果】本発明によれば、配線用のＡｌ薄膜中に薄膜で
ある界面層を１つ以上設けるので膜中のボイドの発生が
極力抑止でき、大巾に長寿命化した配線用多結晶構造ア
ルミニウム薄膜が提供される。
ある界面層を１つ以上設けるので膜中のボイドの発生が
極力抑止でき、大巾に長寿命化した配線用多結晶構造ア
ルミニウム薄膜が提供される。
【図１】粒界が基板方向に向って連続している多結晶構
造アルミニウム薄膜を模式的に示す図である。
造アルミニウム薄膜を模式的に示す図である。
【図２】多結晶構造アルミニウム薄膜のトリプルポイン
トを示す図である。
トを示す図である。
【図３】（ａ）は、電子の流れ方向にアルミニウム薄膜
の表面原子が表面拡散することを模式的に示す図であ
る。（ｂ）は、（ａ）の表面拡散の結果、生成した拡大
ボイドを模式的に示す図である。
の表面原子が表面拡散することを模式的に示す図であ
る。（ｂ）は、（ａ）の表面拡散の結果、生成した拡大
ボイドを模式的に示す図である。
【図４】粒界が膜厚方向に不連続な多結晶構造アルミニ
ウム薄膜の断面を模式的に示す図である。
ウム薄膜の断面を模式的に示す図である。
１ 基板 ２ 粒界 ３ アルミニウム膜 ４ 多結晶構造アルミニウム ５ 電子の流れ ６ Ａｌ原子 ７ ボイド ８ 第１成膜層 ９ 第２成膜層 10 界面層 t1 第１成膜層の厚さ t2 第２成膜層の厚さ Ａ トリプルポイント Ｂ トリプルポイント
Claims (4)
- 【請求項１】 膜厚方向に粒界が不連続であることを特
徴とする配線用多結晶構造アルミニウム薄膜。 - 【請求項２】 アルミニウム多結晶薄膜中に該薄膜を複
数層に分割する少なくとも１個の界面層を有することを
特徴とする請求項１記載の配線用多結晶構造アルミニウ
ム薄膜。 - 【請求項３】 界面層が酸化アルミニウム層あるいは導
電金属層であることを特徴とする請求項２記載の配線用
多結晶構造アルミニウム薄膜。 - 【請求項４】 界面層のアルミニウム層が、該層以外の
アルミニウム層に比較して低結晶性のものであることを
特徴とする請求項２記載の配線用多結晶構造アルミニウ
ム薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35322092A JPH06181210A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Ｌｓｉ配線用アルミニウム薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35322092A JPH06181210A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Ｌｓｉ配線用アルミニウム薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181210A true JPH06181210A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18429373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35322092A Pending JPH06181210A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Ｌｓｉ配線用アルミニウム薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4413694A1 (de) * | 1994-04-20 | 1995-10-26 | Claas Ohg | Ankuppelhilfsvorrichtung |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP35322092A patent/JPH06181210A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4413694A1 (de) * | 1994-04-20 | 1995-10-26 | Claas Ohg | Ankuppelhilfsvorrichtung |
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