JP2000182803A - 薄膜抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗器およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板の表面に抵抗薄膜を形成した薄膜抵
抗器において、構造を簡単にし、製造工程を簡単にし、
安定性を高くする。 【解決手段】 抵抗薄膜はＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも
所定量のＡｌを添加した抵抗材料で形成され、抵抗薄膜
の表面にこの抵抗材料に含まれるＡｌが自己酸化するこ
とによってアルミ酸化膜が形成されている。抵抗薄膜に
抵抗パターンを形成する場合には、この形成後の抵抗パ
ターンの表面およびパターンの側面にアルミ酸化膜を形
成しておくのがよい。用いる抵抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒの
at％が８３／１７〜６０／４０、Ａｌの添加量が３at％
以上とするのがよく、特性調整のために他の元素を含ま
せてもよい。
抗器において、構造を簡単にし、製造工程を簡単にし、
安定性を高くする。 【解決手段】 抵抗薄膜はＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも
所定量のＡｌを添加した抵抗材料で形成され、抵抗薄膜
の表面にこの抵抗材料に含まれるＡｌが自己酸化するこ
とによってアルミ酸化膜が形成されている。抵抗薄膜に
抵抗パターンを形成する場合には、この形成後の抵抗パ
ターンの表面およびパターンの側面にアルミ酸化膜を形
成しておくのがよい。用いる抵抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒの
at％が８３／１７〜６０／４０、Ａｌの添加量が３at％
以上とするのがよく、特性調整のために他の元素を含ま
せてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁基板に抵抗
薄膜を蒸着やスパッタリングによって形成した薄膜抵抗
器と、その製造方法に関するものである。
薄膜を蒸着やスパッタリングによって形成した薄膜抵抗
器と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラスやアルミナなどの絶縁基板に薄膜
抵抗材料を蒸着またはスパッタリングすることにより抵
抗薄膜を形成し、この抵抗薄膜にフォトエッチングやレ
ーザー加工などによって抵抗パターンを形成して作った
薄膜抵抗器が公知である。
抵抗材料を蒸着またはスパッタリングすることにより抵
抗薄膜を形成し、この抵抗薄膜にフォトエッチングやレ
ーザー加工などによって抵抗パターンを形成して作った
薄膜抵抗器が公知である。
【０００３】この種の抵抗器では経時的な抵抗値変化が
小さく、長期間特性が安定していることが必要である。
そこで従来は基板上に抵抗薄膜を形成し、必要に応じて
抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜を酸化防止膜で被
覆したり、全体をハーメチックシール（気密封止）する
ことが必要であった。
小さく、長期間特性が安定していることが必要である。
そこで従来は基板上に抵抗薄膜を形成し、必要に応じて
抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜を酸化防止膜で被
覆したり、全体をハーメチックシール（気密封止）する
ことが必要であった。
【０００４】
【従来の技術の問題点】しかし酸化防止膜の生成には特
別な工程が必要になり、製造工程が複雑になるという問
題があった。またハーメチックシールに金属製パッケー
ジを用いる場合は工程が著しく複雑になり高価となり、
安価な樹脂モールドを用いる場合は信頼性が低下すると
いう問題があった。
別な工程が必要になり、製造工程が複雑になるという問
題があった。またハーメチックシールに金属製パッケー
ジを用いる場合は工程が著しく複雑になり高価となり、
安価な樹脂モールドを用いる場合は信頼性が低下すると
いう問題があった。
【０００５】
【発明の目的】この発明はこのような事情に鑑みなされ
たものであり、簡単な構造で製造工程が簡単になり、ま
た高い安定性を持たせることができる薄膜抵抗器を提供
することを第１の目的とする。またこの抵抗器の製造方
法を提供することを第２の目的とする。
たものであり、簡単な構造で製造工程が簡単になり、ま
た高い安定性を持たせることができる薄膜抵抗器を提供
することを第１の目的とする。またこの抵抗器の製造方
法を提供することを第２の目的とする。
【０００６】
【発明の構成】この発明によれば第１の目的は、絶縁基
板の表面に抵抗薄膜を形成した薄膜抵抗器において、前
記抵抗薄膜はＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定量のＡｌ
を添加した抵抗材料で形成され、前記抵抗薄膜の表面に
はこの抵抗材料に含まれるＡｌが自己酸化することによ
ってアルミ酸化膜が形成されていることを特徴とする薄
膜抵抗器、により達成される。ここにＮｉ−Ｃｒ合金に
は必要に応じてその他の元素を添加したものであっても
よい。自己酸化は、抵抗材料に含まれたＡｌが自ら周囲
の酸素と化合して酸化膜を形成するプロセスをいう。
板の表面に抵抗薄膜を形成した薄膜抵抗器において、前
記抵抗薄膜はＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定量のＡｌ
を添加した抵抗材料で形成され、前記抵抗薄膜の表面に
はこの抵抗材料に含まれるＡｌが自己酸化することによ
ってアルミ酸化膜が形成されていることを特徴とする薄
膜抵抗器、により達成される。ここにＮｉ−Ｃｒ合金に
は必要に応じてその他の元素を添加したものであっても
よい。自己酸化は、抵抗材料に含まれたＡｌが自ら周囲
の酸素と化合して酸化膜を形成するプロセスをいう。
【０００７】抵抗薄膜に抵抗パターンを形成する場合に
は、この形成後の抵抗パターンの表面およびパターンの
側面にアルミ酸化膜を形成しておくのがよい。用いる抵
抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒのat％（atomic percent; 原子数
比をパーセント表示したものであり、モル％と同じ；以
下同様）が８３／１７〜６０／４０、Ａｌの添加量が３
at％以上とするのがよく、特性調整のために他の元素を
含ませてもよい。
は、この形成後の抵抗パターンの表面およびパターンの
側面にアルミ酸化膜を形成しておくのがよい。用いる抵
抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒのat％（atomic percent; 原子数
比をパーセント表示したものであり、モル％と同じ；以
下同様）が８３／１７〜６０／４０、Ａｌの添加量が３
at％以上とするのがよく、特性調整のために他の元素を
含ませてもよい。
【０００８】第２の目的は、絶縁基板の表面に抵抗薄膜
を形成した薄膜抵抗器の製造方法において、(a)絶縁基
板の表面にＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定量のＡｌを
添加した抵抗薄膜を蒸着またはスパッタリングによって
形成し、(b)熱処理によって前記抵抗薄膜の表面にＡｌ
を析出させ自己酸化させてアルミ酸化膜を形成させる、
ことを特徴とする薄膜抵抗器の製造方法、により達成さ
れる。
を形成した薄膜抵抗器の製造方法において、(a)絶縁基
板の表面にＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定量のＡｌを
添加した抵抗薄膜を蒸着またはスパッタリングによって
形成し、(b)熱処理によって前記抵抗薄膜の表面にＡｌ
を析出させ自己酸化させてアルミ酸化膜を形成させる、
ことを特徴とする薄膜抵抗器の製造方法、により達成さ
れる。
【０００９】抵抗薄膜に抵抗パターンを形成する場合に
は、抵抗パターンを形成した後で熱処理すれば、抵抗パ
ターンの表面だけでなくパターンの側面（すなわちエッ
チングやレーザービーム加工などによって加工したパタ
ーンの加工縁の厚さ方向の端面）にも同時にアルミ酸化
膜が生成でき、抵抗パターンの露出面をすべてアルミ酸
化膜で覆うことができる。熱処理は真空中（例えば１×
１０−４Ｐａ（パスカル）以下）で約３００〜７００°
Ｃに適宜時間（例えば３時間）保持した後、除冷するこ
とにより行う。また適宜の工程間または後に電極用金属
めっきを施す工程を追加してもよい。
は、抵抗パターンを形成した後で熱処理すれば、抵抗パ
ターンの表面だけでなくパターンの側面（すなわちエッ
チングやレーザービーム加工などによって加工したパタ
ーンの加工縁の厚さ方向の端面）にも同時にアルミ酸化
膜が生成でき、抵抗パターンの露出面をすべてアルミ酸
化膜で覆うことができる。熱処理は真空中（例えば１×
１０−４Ｐａ（パスカル）以下）で約３００〜７００°
Ｃに適宜時間（例えば３時間）保持した後、除冷するこ
とにより行う。また適宜の工程間または後に電極用金属
めっきを施す工程を追加してもよい。
【００１０】
【実施態様】図１はこの発明の一実施態様の製造工程を
示す図である。まず絶縁基板１０を用意する（図１の工
程（Ａ））。この基板１０としてはガラス、アルミナ、
チタン酸カルシウム、サファイヤなどを所定の寸法に切
断したものを用いる。基板１０は１つの抵抗器の大きさ
であってもよいが、多数の抵抗器を同時に形成できる寸
法とし、多数の抵抗器を共通の基板上に形成した後基板
を截断して個々の抵抗器に切り離せるようにした寸法で
あってもよい。
示す図である。まず絶縁基板１０を用意する（図１の工
程（Ａ））。この基板１０としてはガラス、アルミナ、
チタン酸カルシウム、サファイヤなどを所定の寸法に切
断したものを用いる。基板１０は１つの抵抗器の大きさ
であってもよいが、多数の抵抗器を同時に形成できる寸
法とし、多数の抵抗器を共通の基板上に形成した後基板
を截断して個々の抵抗器に切り離せるようにした寸法で
あってもよい。
【００１１】この基板１０の表面には蒸着やスパッタリ
ングなどによって抵抗薄膜１２が形成される（図１の工
程（Ｂ））。抵抗薄膜１２はＮｉ（ニッケル）・Ｃｒ
（クローム）合金にＡｌ（アルミニウム）を添加した組
成を持ち、例えばＮｉ／Ｃｒat％（原子数の比をパーセ
ント表示したもので、モル％と同じ意味）が８３／１７
〜６０／４０であり、Ａｌの量が３at％以上とした材料
を用いる。
ングなどによって抵抗薄膜１２が形成される（図１の工
程（Ｂ））。抵抗薄膜１２はＮｉ（ニッケル）・Ｃｒ
（クローム）合金にＡｌ（アルミニウム）を添加した組
成を持ち、例えばＮｉ／Ｃｒat％（原子数の比をパーセ
ント表示したもので、モル％と同じ意味）が８３／１７
〜６０／４０であり、Ａｌの量が３at％以上とした材料
を用いる。
【００１２】高周波（ＲＦ，Radio Frequency）スパッ
タリングによる抵抗薄膜１２の形成の場合は、例えば雰
囲気をＡｒ（アルゴン）ガス圧力０．５Ｐａとし、絶縁
基板１０をアルミナとし、ＲＦ電力３００Ｗとし、薄膜
厚を０．３μｍとすることができる。
タリングによる抵抗薄膜１２の形成の場合は、例えば雰
囲気をＡｒ（アルゴン）ガス圧力０．５Ｐａとし、絶縁
基板１０をアルミナとし、ＲＦ電力３００Ｗとし、薄膜
厚を０．３μｍとすることができる。
【００１３】この基板１０は熱処理が施され（図１の工
程（Ｃ））、薄膜抵抗器１６が得られる。この熱処理は
約１０−４Ｐａ（パスカル）の真空中（減圧下）で基板
１０を３００〜７００°Ｃで数時間（好ましくは約５０
０℃で約３時間）保持することによる。この熱処理によ
り抵抗薄膜１２中に含まれるＡｌが抵抗薄膜１２の表面
に析出する。この析出したＡｌは真空容器中に残存する
微量の酸素によって自己酸化し、アルミ酸化膜１４とな
る。
程（Ｃ））、薄膜抵抗器１６が得られる。この熱処理は
約１０−４Ｐａ（パスカル）の真空中（減圧下）で基板
１０を３００〜７００°Ｃで数時間（好ましくは約５０
０℃で約３時間）保持することによる。この熱処理によ
り抵抗薄膜１２中に含まれるＡｌが抵抗薄膜１２の表面
に析出する。この析出したＡｌは真空容器中に残存する
微量の酸素によって自己酸化し、アルミ酸化膜１４とな
る。
【００１４】このアルミ酸化膜１４は緻密で硬く、その
下の抵抗薄膜１２が酸化するのを防止する酸化防止膜と
して機能する。なおこのアルミ酸化膜１４は工程（Ｂ）
で形成した抵抗薄膜１２の露出面全体に形成されるか
ら、薄膜１２の周縁の厚さ方向の端面もこのアルミ酸化
膜１４で保護され得る。
下の抵抗薄膜１２が酸化するのを防止する酸化防止膜と
して機能する。なおこのアルミ酸化膜１４は工程（Ｂ）
で形成した抵抗薄膜１２の露出面全体に形成されるか
ら、薄膜１２の周縁の厚さ方向の端面もこのアルミ酸化
膜１４で保護され得る。
【００１５】図２はこのような実施態様を示す断面図で
ある。この実施態様では、図１（Ｂ）の抵抗薄膜形成工
程の後でフォトエッチング法やレーザービーム法などに
よって抵抗パターン１２Ａが形成される。そして図１
（Ｃ）の熱処理を施すことにより、この抵抗パターン１
２Ａの表面と厚さ方向の端面とを覆うようにアルミ酸化
膜１４Ａが形成される。
ある。この実施態様では、図１（Ｂ）の抵抗薄膜形成工
程の後でフォトエッチング法やレーザービーム法などに
よって抵抗パターン１２Ａが形成される。そして図１
（Ｃ）の熱処理を施すことにより、この抵抗パターン１
２Ａの表面と厚さ方向の端面とを覆うようにアルミ酸化
膜１４Ａが形成される。
【００１６】なお薄膜１２の表面にアルミ酸化膜１４が
形成されたことは、オージェ電子分光分析法やＸＰＳ
（光電子分光分析法）を用いることによって確認され
た。オージェ電子分光分析法は、真空中で薄膜１２の表
面に電子ビームをあてた時に発生するオージェ電子のエ
ネルギー分析を行うことによりオージェ遷移を調べ、表
面の元素分析を行うものである。このオージェ分析では
表面から数十オングストローム位の深さまでの情報しか
得られないから、表面をエッチングしながら分析するこ
とにより深さ方向の正確な元素分析を行うことができ
る。
形成されたことは、オージェ電子分光分析法やＸＰＳ
（光電子分光分析法）を用いることによって確認され
た。オージェ電子分光分析法は、真空中で薄膜１２の表
面に電子ビームをあてた時に発生するオージェ電子のエ
ネルギー分析を行うことによりオージェ遷移を調べ、表
面の元素分析を行うものである。このオージェ分析では
表面から数十オングストローム位の深さまでの情報しか
得られないから、表面をエッチングしながら分析するこ
とにより深さ方向の正確な元素分析を行うことができ
る。
【００１７】ＸＰＳは軟Ｘ線を試料表面に照射した時に
表面から飛び出す光電子のエネルギー状態を調べること
により、注目する元素の電荷分布の変化を知るものであ
り、この方法により純元素と酸化物とを判定することが
できる。
表面から飛び出す光電子のエネルギー状態を調べること
により、注目する元素の電荷分布の変化を知るものであ
り、この方法により純元素と酸化物とを判定することが
できる。
【００１８】図３はオージェ分析の結果を示すグラフで
ある。このグラフは、（Ｎｉ＋Ｃｒ）／Ａｌ＝９４／６
（at％）のスパッタリングターゲットを用い、ＲＦ電力
３００Ｗ、Ａｒ圧力０．５Ｐａ、基板アルミナの条件で
形成した薄膜１２に対して分析を行ったものである。こ
のグラフから、ＡｌとＯ（酸素）の濃度（at％）は表面
（エッチングタイム＝０sec）からエッチングタイム５
０sec位まで高くなっていることが解り、またＸＰＳの
分析結果を用いることにより表面にアルミの酸化膜が形
成されていることが明らかになった。
ある。このグラフは、（Ｎｉ＋Ｃｒ）／Ａｌ＝９４／６
（at％）のスパッタリングターゲットを用い、ＲＦ電力
３００Ｗ、Ａｒ圧力０．５Ｐａ、基板アルミナの条件で
形成した薄膜１２に対して分析を行ったものである。こ
のグラフから、ＡｌとＯ（酸素）の濃度（at％）は表面
（エッチングタイム＝０sec）からエッチングタイム５
０sec位まで高くなっていることが解り、またＸＰＳの
分析結果を用いることにより表面にアルミの酸化膜が形
成されていることが明らかになった。
【００１９】図４はこのようにして作った抵抗器１６の
高温放置試験結果を示すグラフである。この抵抗器１６
に形成された薄膜１２の組成は、（Ｎｉ＋Ｃｒ）／Ａｌ
＝８８／１２（at％）である。この図４のグラフでａは
この抵抗器１６を１７５°Ｃで放置試験した結果を３個
の抵抗器１６について行った結果示す。またｂは比較例
として従来市販されているものを１５５℃で放置試験し
た結果を示したものである。この図４から明らかなよう
に本発明に係る抵抗器１６によれば、抵抗値変化量ΔＲ
（ｐｐｍ）が従来品に比べて著しく少ないことが解る。
高温放置試験結果を示すグラフである。この抵抗器１６
に形成された薄膜１２の組成は、（Ｎｉ＋Ｃｒ）／Ａｌ
＝８８／１２（at％）である。この図４のグラフでａは
この抵抗器１６を１７５°Ｃで放置試験した結果を３個
の抵抗器１６について行った結果示す。またｂは比較例
として従来市販されているものを１５５℃で放置試験し
た結果を示したものである。この図４から明らかなよう
に本発明に係る抵抗器１６によれば、抵抗値変化量ΔＲ
（ｐｐｍ）が従来品に比べて著しく少ないことが解る。
【００２０】
【他の実施態様】図５は他の実施態様の製造工程を示す
図である。この実施態様は、図１に示した工程に対して
抵抗パターンの形成と電極用金属めっきとを付加したも
のである。
図である。この実施態様は、図１に示した工程に対して
抵抗パターンの形成と電極用金属めっきとを付加したも
のである。
【００２１】まず基板２０の表面にＮｉ−ＣｒにＡｌを
添加した組成の抵抗薄膜２２を形成する（工程
（Ａ））。次にこの薄膜２２にフォトエッチング法やレ
ーザービームを用いる方法などによって抵抗パターン２
４を形成する（工程（Ｂ））。そして熱処理を行うこと
により表面にアルミ酸化膜２６を生成させる（工程
（Ｃ））。この熱処理により抵抗パターン２４の表面
（上面）だけでなく、パターン２４の縁の厚さ方向の端
面にもアルミ酸化膜２６が生成されるから、抵抗パター
ン２４の中の抵抗薄膜は全てアルミ酸化膜２６で覆われ
ることになり、露出する部分が無くなる。このため抵抗
パターン２４の内部の抵抗薄膜２２は酸化されることが
ない。
添加した組成の抵抗薄膜２２を形成する（工程
（Ａ））。次にこの薄膜２２にフォトエッチング法やレ
ーザービームを用いる方法などによって抵抗パターン２
４を形成する（工程（Ｂ））。そして熱処理を行うこと
により表面にアルミ酸化膜２６を生成させる（工程
（Ｃ））。この熱処理により抵抗パターン２４の表面
（上面）だけでなく、パターン２４の縁の厚さ方向の端
面にもアルミ酸化膜２６が生成されるから、抵抗パター
ン２４の中の抵抗薄膜は全てアルミ酸化膜２６で覆われ
ることになり、露出する部分が無くなる。このため抵抗
パターン２４の内部の抵抗薄膜２２は酸化されることが
ない。
【００２２】次にこのアルミ酸化膜２６が形成された薄
膜２２の表面は、接続端子用の電極となる領域２８、２
８を除いてめっきレジスト３０で被覆される（工程
（Ｄ））。この工程（Ｄ）は、例えば表面に感光性めっ
きレジスト液を塗布し電極のパターンを露光して電極領
域２８のレジストを除去することにより行う。このめっ
きレジスト３０を形成してから、電極領域２８に電極用
の金属めっきを施した後（工程（Ｄ））、めっきレジス
ト３０を除去する（工程（Ｅ））。この結果めっきした
接続端子用の電極３２、３２を有する薄膜抵抗器３４が
得られる。この抵抗器３４は抵抗パターン２４の表面お
よび端面が全てアルミ酸化膜２６（工程（Ｃ）参照）で
覆われているから、特性の安定性が良い。
膜２２の表面は、接続端子用の電極となる領域２８、２
８を除いてめっきレジスト３０で被覆される（工程
（Ｄ））。この工程（Ｄ）は、例えば表面に感光性めっ
きレジスト液を塗布し電極のパターンを露光して電極領
域２８のレジストを除去することにより行う。このめっ
きレジスト３０を形成してから、電極領域２８に電極用
の金属めっきを施した後（工程（Ｄ））、めっきレジス
ト３０を除去する（工程（Ｅ））。この結果めっきした
接続端子用の電極３２、３２を有する薄膜抵抗器３４が
得られる。この抵抗器３４は抵抗パターン２４の表面お
よび端面が全てアルミ酸化膜２６（工程（Ｃ）参照）で
覆われているから、特性の安定性が良い。
【００２３】
【他の実施態様】以上の実施態様は１つの基板１０、２
０に１つの薄膜抵抗器１６、３４を形成したものである
が、１枚の基板上に多数の抵抗パターンを同時に形成
し、熱処理し、必要に応じて電極に金属めっきを施した
後、個々の抵抗器に分割することもできる。また本発明
の薄膜抵抗器は、同一基板上に他のＩＣ（ＬＳＩ）やハ
イブリッドＩＣなどと共に形成されたものや、ＩＣ（Ｌ
ＳＩ）やハイブリッドＩＣの素子の中に一体的に形成さ
れたものも包含する。またこの薄膜抵抗器をさらに他の
手段で気密封止すれば特性の安定性は一層向上する。こ
の場合特性の安定性能を低下させることなく封止方法を
簡単にしたり安価なものにすることが可能である。
０に１つの薄膜抵抗器１６、３４を形成したものである
が、１枚の基板上に多数の抵抗パターンを同時に形成
し、熱処理し、必要に応じて電極に金属めっきを施した
後、個々の抵抗器に分割することもできる。また本発明
の薄膜抵抗器は、同一基板上に他のＩＣ（ＬＳＩ）やハ
イブリッドＩＣなどと共に形成されたものや、ＩＣ（Ｌ
ＳＩ）やハイブリッドＩＣの素子の中に一体的に形成さ
れたものも包含する。またこの薄膜抵抗器をさらに他の
手段で気密封止すれば特性の安定性は一層向上する。こ
の場合特性の安定性能を低下させることなく封止方法を
簡単にしたり安価なものにすることが可能である。
【００２４】この発明は抵抗薄膜の表面にＡｌの自己酸
化によってアルミ酸化膜を形成したものは全て包含し、
このアルミ酸化膜を熱処理によって形成する場合には熱
処理を行う工程が抵抗器の製造工程のどこに入っていて
も所期の目的は達成可能である。例えば薄膜形成し熱処
理した後にエッチングしてパターンを形成し、その後電
極用金属めっきを施してもよい。この場合にはエッチン
グによって薄膜の縁のアルミ酸化膜が除去され得るが、
大きな表面積を占める薄膜の表面はアルミ酸化膜で覆わ
れているから本発明の効果は十分に得られる。
化によってアルミ酸化膜を形成したものは全て包含し、
このアルミ酸化膜を熱処理によって形成する場合には熱
処理を行う工程が抵抗器の製造工程のどこに入っていて
も所期の目的は達成可能である。例えば薄膜形成し熱処
理した後にエッチングしてパターンを形成し、その後電
極用金属めっきを施してもよい。この場合にはエッチン
グによって薄膜の縁のアルミ酸化膜が除去され得るが、
大きな表面積を占める薄膜の表面はアルミ酸化膜で覆わ
れているから本発明の効果は十分に得られる。
【００２５】また薄膜形成してからパターンをエッチン
グし、さらに電極の金属めっきを施した後で熱処理を行
ってもよい。この場合には金属めっきを行う領域にはア
ルミ酸化膜が無いのでめっきが付き易くなり、めっき工
程でアルミ酸化膜を除去するなどの処理が不用になる。
さらにパターンをエッチングする前に電極の金属めっき
を行っておき、その後エッチングおよび熱処理する方法
であってもよい。
グし、さらに電極の金属めっきを施した後で熱処理を行
ってもよい。この場合には金属めっきを行う領域にはア
ルミ酸化膜が無いのでめっきが付き易くなり、めっき工
程でアルミ酸化膜を除去するなどの処理が不用になる。
さらにパターンをエッチングする前に電極の金属めっき
を行っておき、その後エッチングおよび熱処理する方法
であってもよい。
【００２６】
【発明の効果】請求項１の発明は以上のように、抵抗薄
膜をＮｉ−Ｃｒ合金に少なくともＡｌを添加した組成と
し、その表面にＡｌの自己酸化によりアルミ酸化膜を形
成したものであるから、アルミ酸化膜で抵抗薄膜の内部
を酸化から保護することができ、長期間に亘って特性を
安定化させ、耐久性を向上させることができる。
膜をＮｉ−Ｃｒ合金に少なくともＡｌを添加した組成と
し、その表面にＡｌの自己酸化によりアルミ酸化膜を形
成したものであるから、アルミ酸化膜で抵抗薄膜の内部
を酸化から保護することができ、長期間に亘って特性を
安定化させ、耐久性を向上させることができる。
【００２７】抵抗薄膜に抵抗パターンを形成する場合に
は、この抵抗パターンを形成した後にアルミ酸化膜を形
成すれば、抵抗パターンの表面だけでなく抵抗パターン
の縁の厚さ方向の端面（すなわち側面）にもアルミ酸化
膜が生成される。このため抵抗パターン内の抵抗薄膜は
直接露出しなくなるから耐久性、安定性は一層向上する
（請求項２）。ここに用いる抵抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒ＝
８３／１７〜６０／４０at％で少なくともＡｌを３at％
以上添加したものが適する（請求項３）。抵抗薄膜には
電極となる領域に金属めっきを施しておいてもよい（請
求項４）。
は、この抵抗パターンを形成した後にアルミ酸化膜を形
成すれば、抵抗パターンの表面だけでなく抵抗パターン
の縁の厚さ方向の端面（すなわち側面）にもアルミ酸化
膜が生成される。このため抵抗パターン内の抵抗薄膜は
直接露出しなくなるから耐久性、安定性は一層向上する
（請求項２）。ここに用いる抵抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒ＝
８３／１７〜６０／４０at％で少なくともＡｌを３at％
以上添加したものが適する（請求項３）。抵抗薄膜には
電極となる領域に金属めっきを施しておいてもよい（請
求項４）。
【００２８】請求項５の発明によれば、この薄膜抵抗器
の製造方法が得られる。請求項６の発明によれば、抵抗
パターンを形成する場合の製造方法が得られる。ここに
熱処理は真空中で約３００〜７００℃に適宜時間（例え
ば３時間）保持した後除冷することにより行うことがで
きる（請求項７）。また請求項８の発明によれば、電極
に金属めっきを施す場合の製造方法が得られる。
の製造方法が得られる。請求項６の発明によれば、抵抗
パターンを形成する場合の製造方法が得られる。ここに
熱処理は真空中で約３００〜７００℃に適宜時間（例え
ば３時間）保持した後除冷することにより行うことがで
きる（請求項７）。また請求項８の発明によれば、電極
に金属めっきを施す場合の製造方法が得られる。
【図１】一実施態様の製造工程を示す図
【図２】他の実施態様を示す図
【図３】抵抗薄膜表面のオージェ分析結果を示すグラフ
図
図
【図４】抵抗値変化率ΔＲの経時変化を示すグラフ図
【図５】他の実施態様の製造工程図
１０、２０ 基板 １２、１２Ａ、２２ 抵抗薄膜 １４、１４Ａ、２６ アルミ酸化膜 １６、３４ 薄膜抵抗器 ２４ 抵抗パターン ２８ 電極領域 ３０ めっきレジスト ３２ 電極
フロントページの続き (72)発明者 本多 直樹 秋田県秋田市新屋町字砂奴寄４−21 秋田 県高度技術研究所内 (72)発明者 山川 清志 秋田県秋田市新屋町字砂奴寄４−21 秋田 県高度技術研究所内 (72)発明者 佐藤 牧夫 秋田県由利郡大内町中田代字板井沢238番 地の１ アルファ・エレクトロニクス株式 会社秋田工場内 (72)発明者 大石 明 秋田県由利郡大内町中田代字板井沢238番 地の１ アルファ・エレクトロニクス株式 会社秋田工場内 (72)発明者 佐々木 洋 秋田県由利郡大内町中田代字板井沢238番 地の１ アルファ・エレクトロニクス株式 会社秋田工場内 Ｆターム(参考） 5E032 AB01 BA12 BB01 CA01 CC08 CC14 CC16 5E033 AA02
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面に抵抗薄膜を形成した薄
膜抵抗器において、 前記抵抗薄膜はＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定量のＡ
ｌを添加した抵抗材料で形成され、前記抵抗薄膜の表面
にはこの抵抗材料に含まれるＡｌが自己酸化することに
よってアルミ酸化膜が形成されていることを特徴とする
薄膜抵抗器。 - 【請求項２】 抵抗薄膜には抵抗パターンが形成され、
この抵抗パターンの表面および側面にアルミ酸化膜が形
成されている請求項１の薄膜抵抗器。 - 【請求項３】 抵抗薄膜は、Ｎｉ／Ｃｒat％が８３／１
７〜６０／４０であり、Ａｌの添加量が３at％以上であ
る請求項１または２の薄膜抵抗器。 - 【請求項４】 抵抗薄膜の一部領域には電極用の金属め
っきが施されている請求項１〜３のいずれかの薄膜抵抗
器。 - 【請求項５】 絶縁基板の表面に抵抗薄膜を形成した薄
膜抵抗器の製造方法において、 (a)絶縁基板の表面にＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定
量のＡｌを添加した抵抗薄膜を蒸着またはスパッタリン
グによって形成し、 (b)熱処理によって前記抵抗薄膜の表面にＡｌを析出さ
せ自己酸化させてアルミ酸化膜を形成させる、 ことを特徴とする薄膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁基板の表面に抵抗薄膜を形成した薄
膜抵抗器の製造方法において、 (a)絶縁基板の表面にＮｉ−Ｃｒ合金に少なくとも所定
量のＡｌを添加した抵抗薄膜を蒸着またはスパッタリン
グによって形成し、 (b)前記抵抗薄膜に抵抗パターンを形成し、 (c)熱処理によって前記抵抗パターンの表面にＡｌを析
出させ自己酸化させてアルミ酸化膜を形成させる、こと
を特徴とする薄膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項７】 熱処理は、真空中で約３００〜７００℃
に適宜時間保持した後除冷することにより行う請求項５
または６の薄膜抵抗器の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６において、工程(a),(b),(c)の
間あるいは(c)の次に、 (d)接続端子となる電極領域を除き表面をめっきレジス
トで覆い、 (e)電極領域に電極用の金属めっきを施し、 (f)めっきレジストを除去する、 の工程を追加した薄膜抵抗器の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| JP2006190871A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 |
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| JP2009194129A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2011243766A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高安定抵抗器およびその製造方法 |
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1998
- 1998-12-10 JP JP35149798A patent/JP4083900B2/ja not_active Expired - Lifetime
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