JPH0689974A - 抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する方法 - Google Patents
抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する方法Info
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- JPH0689974A JPH0689974A JP23977292A JP23977292A JPH0689974A JP H0689974 A JPH0689974 A JP H0689974A JP 23977292 A JP23977292 A JP 23977292A JP 23977292 A JP23977292 A JP 23977292A JP H0689974 A JPH0689974 A JP H0689974A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】抵抗体の抵抗値とその温度係数を任意値に適宜
設定することができるようにする。 【構成】抵抗体１１は基板１２上に、例えばＮｉＣｒを
蒸着して薄膜の抵抗体層１３を形成する。この抵抗体層
１３の一部にＡｌ2 Ｏ3 等の高融点絶縁性化合物を蒸着
してＮｉＣｒ層中にＡｌ2 Ｏ3 を拡散して拡散層１３ｂ
を形成する。抵抗体層１３の一部ａ，ｂをレーザ光等に
より微細トリミングすることにより、抵抗体１１全体と
しての抵抗値とその温度係数とを共に設定する。
設定することができるようにする。 【構成】抵抗体１１は基板１２上に、例えばＮｉＣｒを
蒸着して薄膜の抵抗体層１３を形成する。この抵抗体層
１３の一部にＡｌ2 Ｏ3 等の高融点絶縁性化合物を蒸着
してＮｉＣｒ層中にＡｌ2 Ｏ3 を拡散して拡散層１３ｂ
を形成する。抵抗体層１３の一部ａ，ｂをレーザ光等に
より微細トリミングすることにより、抵抗体１１全体と
しての抵抗値とその温度係数とを共に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモノリシックやハイブリ
ッド等の集積回路用半導体装置に好適な抵抗体に係り、
特に、一層の抵抗体層の温度係数を適宜任意値に設定し
得る抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する
方法に関する。
ッド等の集積回路用半導体装置に好適な抵抗体に係り、
特に、一層の抵抗体層の温度係数を適宜任意値に設定し
得る抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、モノリシックやハイブリッドＩＣ
（集積回路）等の抵抗体の一例としては図６に示すもの
がある。この抵抗体１はシリコンやセラミックス等より
成る基板２上に、１層または２層以上の抵抗体層３を形
成し、その両端部上に、左右一対の電極４ａ，４ｂを積
層して電気的に接続している。
（集積回路）等の抵抗体の一例としては図６に示すもの
がある。この抵抗体１はシリコンやセラミックス等より
成る基板２上に、１層または２層以上の抵抗体層３を形
成し、その両端部上に、左右一対の電極４ａ，４ｂを積
層して電気的に接続している。
【０００３】この抵抗体１が１層の薄膜より成る場合
は、例えばＮｉＣｒ−Ｓｉ（数％）、またはＮｉＣｒ−
Ａｌ（数％）を真空蒸着またはスパッタ等によりあるい
はTaNxをスパッタリングにより基板２上に形成すること
により構成されており、その温度係数はＮｉ−Ｃｒ−Ｓ
ｉまたはＡｌあるいはＴａＮｘ等の組成比や蒸着あるい
はスパッタリング条件（基板２の種類、温度、真空度、
Ｎ2 濃度、蒸着速度）、アニール条件（雰囲気、温度、
時間）により決められる。また、この抵抗体１が２層の
薄膜の場合は絶縁物層を間に挟み、正負の異なる抵抗体
層、例えばNiCr系とＴａＮｘとを順次堆積させ、各々の
膜厚を制御し、さらに精密に全体の温度係数を制御する
ことにより決められる。
は、例えばＮｉＣｒ−Ｓｉ（数％）、またはＮｉＣｒ−
Ａｌ（数％）を真空蒸着またはスパッタ等によりあるい
はTaNxをスパッタリングにより基板２上に形成すること
により構成されており、その温度係数はＮｉ−Ｃｒ−Ｓ
ｉまたはＡｌあるいはＴａＮｘ等の組成比や蒸着あるい
はスパッタリング条件（基板２の種類、温度、真空度、
Ｎ2 濃度、蒸着速度）、アニール条件（雰囲気、温度、
時間）により決められる。また、この抵抗体１が２層の
薄膜の場合は絶縁物層を間に挟み、正負の異なる抵抗体
層、例えばNiCr系とＴａＮｘとを順次堆積させ、各々の
膜厚を制御し、さらに精密に全体の温度係数を制御する
ことにより決められる。
【０００４】一方、抵抗体１が厚膜より成る場合は、そ
の温度係数が抵抗ペーストの組成比（ＲｕＯ2 とバイン
ダー）や焼成条件（雰囲気、温度、時間）で決められ
る。
の温度係数が抵抗ペーストの組成比（ＲｕＯ2 とバイン
ダー）や焼成条件（雰囲気、温度、時間）で決められ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】つまり、従来の抵抗体
１では、薄膜、厚膜のいずれであっても、成膜後はただ
１つの温度係数しか持たないので、同一基板２上の複数
の抵抗体１毎に個々に温度係数を持たせることができな
い。しかも、これらの温度係数を精密に再現性よく制御
することは、たとえ２層以上の抵抗体層を用いる場合も
決して容易ではない。
１では、薄膜、厚膜のいずれであっても、成膜後はただ
１つの温度係数しか持たないので、同一基板２上の複数
の抵抗体１毎に個々に温度係数を持たせることができな
い。しかも、これらの温度係数を精密に再現性よく制御
することは、たとえ２層以上の抵抗体層を用いる場合も
決して容易ではない。
【０００６】したがって、これらの複数の抵抗体１を組
み込むＩＣを使用する場合には、用途等に応じて各抵抗
体１の温度係数を精密な任意値に適宜設定することがで
きないという不都合がある。
み込むＩＣを使用する場合には、用途等に応じて各抵抗
体１の温度係数を精密な任意値に適宜設定することがで
きないという不都合がある。
【０００７】そこで本発明はこのような事情を考慮して
なされたもので、その目的は抵抗値の温度係数を任意値
に適宜設定することができる抵抗体と、その抵抗値およ
び温度係数とを同時に設定する方法を提供することにあ
る。
なされたもので、その目的は抵抗値の温度係数を任意値
に適宜設定することができる抵抗体と、その抵抗値およ
び温度係数とを同時に設定する方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般にＮｉＣ
ｒにより薄膜抵抗体を形成した場合には、その抵抗値が
正の温度係数を持つが、このＮｉＣｒの薄膜抵抗体の少
なくとも一部中に、酸化アルミ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を拡散さ
せると、その抵抗体全体の温度係数を負の方向へ移行さ
せることができるという新しい知見に着目してなされた
ものであり、次のように構成される。
ｒにより薄膜抵抗体を形成した場合には、その抵抗値が
正の温度係数を持つが、このＮｉＣｒの薄膜抵抗体の少
なくとも一部中に、酸化アルミ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を拡散さ
せると、その抵抗体全体の温度係数を負の方向へ移行さ
せることができるという新しい知見に着目してなされた
ものであり、次のように構成される。
【０００９】本願の請求項１に記載の発明（以下、第１
の発明という）は、抵抗体層の少なくとも一部中に、不
純物を部分拡散させてなることを特徴とする。
の発明という）は、抵抗体層の少なくとも一部中に、不
純物を部分拡散させてなることを特徴とする。
【００１０】また、本願の請求項２に記載の発明（以
下、第２の発明という）は、不純物は、抵抗体層中で拡
散したときに、この抵抗体層と正負が逆の温度係数を示
すものであることを特徴とする。
下、第２の発明という）は、不純物は、抵抗体層中で拡
散したときに、この抵抗体層と正負が逆の温度係数を示
すものであることを特徴とする。
【００１１】さらに、本願の請求項３に記載の発明（以
下、第３の発明という）は、抵抗体層がＮｉＣｒよりな
り、不純物がＡｌ2 Ｏ3 よりなることを特徴とする。
下、第３の発明という）は、抵抗体層がＮｉＣｒよりな
り、不純物がＡｌ2 Ｏ3 よりなることを特徴とする。
【００１２】さらにまた、本願の請求項４に記載の発明
（以下、第４の発明という）は、請求項１〜３のいずれ
かに記載の抵抗体を部分的にトリミングすることによ
り、この抵抗体の抵抗値とその温度係数とを共に設定す
ることを特徴とする。
（以下、第４の発明という）は、請求項１〜３のいずれ
かに記載の抵抗体を部分的にトリミングすることによ
り、この抵抗体の抵抗値とその温度係数とを共に設定す
ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】〈第１の発明〉抵抗体層の少なくとも一部中に
真空蒸着により高融点不純物を堆積し、引き続くアニー
ルにより、抵抗体深部に不純物を拡散させる。不純物の
堆積量と最終的な内部拡散量とは強い相関を持つため、
堆積量を制御することで内部へ拡散される量を決めるこ
とができるが、真空蒸着によればこの堆積量は比較的高
精度に設定できる。このように抵抗体層に不純物を部分
拡散することにより、抵抗体全体の温度係数を、抵抗体
本来の温度係数から不純物を適当に含む抵抗体の温度係
数まで連続した温度係数を持たせることができる。
真空蒸着により高融点不純物を堆積し、引き続くアニー
ルにより、抵抗体深部に不純物を拡散させる。不純物の
堆積量と最終的な内部拡散量とは強い相関を持つため、
堆積量を制御することで内部へ拡散される量を決めるこ
とができるが、真空蒸着によればこの堆積量は比較的高
精度に設定できる。このように抵抗体層に不純物を部分
拡散することにより、抵抗体全体の温度係数を、抵抗体
本来の温度係数から不純物を適当に含む抵抗体の温度係
数まで連続した温度係数を持たせることができる。
【００１４】したがって、例えば１枚の基板上に形成し
た複数の抵抗体の温度係数を、使用温度条件に種々対応
させた値に適宜設定することができる。
た複数の抵抗体の温度係数を、使用温度条件に種々対応
させた値に適宜設定することができる。
【００１５】〈第２の発明〉不純物を含んだ抵抗体の温
度係数を初期の抵抗体層の温度係数と正負逆の特性を示
すようにできるので、不純物の拡散量を適宜制御するこ
とにより、抵抗体全体としての温度係数をゼロまたは負
にすることができ、しかも、この値は拡散量により連続
的に変えることができる。
度係数を初期の抵抗体層の温度係数と正負逆の特性を示
すようにできるので、不純物の拡散量を適宜制御するこ
とにより、抵抗体全体としての温度係数をゼロまたは負
にすることができ、しかも、この値は拡散量により連続
的に変えることができる。
【００１６】〈第３の発明〉抵抗体層としてＮｉＣｒを
採用すれば、これは正の温度特性を有し、さらに不純物
としてＡｌ2 Ｏ3 を採用すれば、これには抵抗体層中に
拡散されると、抵抗体に負の温度係数を持たせられるの
で、前記第２の発明と同様に、抵抗体全体の温度係数を
ゼロまたは負に近付けることができる。
採用すれば、これは正の温度特性を有し、さらに不純物
としてＡｌ2 Ｏ3 を採用すれば、これには抵抗体層中に
拡散されると、抵抗体に負の温度係数を持たせられるの
で、前記第２の発明と同様に、抵抗体全体の温度係数を
ゼロまたは負に近付けることができる。
【００１７】したがって、この抵抗体を含む回路の温度
依存性を低減して温度に対する安定性を高めることがで
きる。
依存性を低減して温度に対する安定性を高めることがで
きる。
【００１８】〈第４の発明〉第１〜第３の発明のいずれ
かの抵抗体の一部を単にトリミングすることにより、そ
の抵抗値とその温度係数とを共に、任意値に適宜設定す
ることができるので、抵抗値と温度係数とを共に簡単か
つ迅速に設定することができる。
かの抵抗体の一部を単にトリミングすることにより、そ
の抵抗値とその温度係数とを共に、任意値に適宜設定す
ることができるので、抵抗値と温度係数とを共に簡単か
つ迅速に設定することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２０】図１は本願第１〜第４の発明を含む一実施
例の斜視図、図２はそのII−II線断面図であり、図にお
いて、抵抗体１１はシリコンやセラミックス等より成る
基板１２上に、薄膜の抵抗体層１３を形成し、この抵抗
体層１３の図中左右端部上に、アルミ製等の左右一対の
電極１４ａ，１４ｂを積層して電気的に接続させてい
る。
例の斜視図、図２はそのII−II線断面図であり、図にお
いて、抵抗体１１はシリコンやセラミックス等より成る
基板１２上に、薄膜の抵抗体層１３を形成し、この抵抗
体層１３の図中左右端部上に、アルミ製等の左右一対の
電極１４ａ，１４ｂを積層して電気的に接続させてい
る。
【００２１】抵抗体層１３はＮｉＣｒ層１３ａの一部中
にＡｌ2 Ｏ3 を拡散させて拡散層１３ｂを形成してい
る。
にＡｌ2 Ｏ3 を拡散させて拡散層１３ｂを形成してい
る。
【００２２】つまり、まず、ＮｉＣｒを基板１２上に蒸
着することにより、例えば膜厚が１００〜２００オング
ストロームで抵抗値がＲ1 、その温度係数がＫ1 のＮｉ
Ｃｒ層１３ａを形成する。
着することにより、例えば膜厚が１００〜２００オング
ストロームで抵抗値がＲ1 、その温度係数がＫ1 のＮｉ
Ｃｒ層１３ａを形成する。
【００２３】次に、このＮｉＣｒ層１３ａの一部（図２
では右半部）中に、不純物である高融点絶縁性化合物の
Ａｌ2 Ｏ3 （またはＭｇＯ等）１３ｃを電子ビーム蒸着
等により堆積かつ表面部分拡散（プレデポジション）さ
せて表面拡散層１３ｂを形成する。
では右半部）中に、不純物である高融点絶縁性化合物の
Ａｌ2 Ｏ3 （またはＭｇＯ等）１３ｃを電子ビーム蒸着
等により堆積かつ表面部分拡散（プレデポジション）さ
せて表面拡散層１３ｂを形成する。
【００２４】この後、この抵抗体層１３をアニールして
Ａｌ2 Ｏ3 を拡散層１３ｂ内にさらに深く拡散（ドライ
ブイン）させる。
Ａｌ2 Ｏ3 を拡散層１３ｂ内にさらに深く拡散（ドライ
ブイン）させる。
【００２５】これにより、拡散層１３ｂのうちＡｌ2 Ｏ
3 が拡散された領域は負の温度係数Ｋ2 を持つようにな
るので、抵抗体層１３は拡散層１３ｂの範囲を変えるこ
とによりＫ1 〜Ｋ2 まで連続した温度係数を持つように
できる。
3 が拡散された領域は負の温度係数Ｋ2 を持つようにな
るので、抵抗体層１３は拡散層１３ｂの範囲を変えるこ
とによりＫ1 〜Ｋ2 まで連続した温度係数を持つように
できる。
【００２６】そこで、次にＮｉＣｒ層１３ａと拡散層１
３ｂの任意の箇所にレーザ光をそれぞれ照射して、その
一部ａ，ｂを焼き切ることにより微細トリミングを行な
い、抵抗体１１全体の抵抗値Ｒ0 と温度係数Ｋ0 をそれ
ぞれ任意値に設定する。
３ｂの任意の箇所にレーザ光をそれぞれ照射して、その
一部ａ，ｂを焼き切ることにより微細トリミングを行な
い、抵抗体１１全体の抵抗値Ｒ0 と温度係数Ｋ0 をそれ
ぞれ任意値に設定する。
【００２７】つまり、抵抗体１１の全体の温度係数をＫ
0 に、また、全体の抵抗値をＲ0 にそれぞれ設定する場
合には、ＮｉＣｒ層１３ａの抵抗値Ｒ1 （ｔ）と、拡散
層１３ｂの抵抗値Ｒ2 （ｔ）が次の（１）式を成立させ
るようにトリミングを行なう。
0 に、また、全体の抵抗値をＲ0 にそれぞれ設定する場
合には、ＮｉＣｒ層１３ａの抵抗値Ｒ1 （ｔ）と、拡散
層１３ｂの抵抗値Ｒ2 （ｔ）が次の（１）式を成立させ
るようにトリミングを行なう。
【００２８】
【数１】
【００２９】したがって本実施例の抵抗体１１によれ
ば、抵抗体層１３ａ内に拡散されるＡｌ2 Ｏ3 の拡散量
を適宜制御することにより、抵抗体１１全体の温度係数
を適宜制御することができる。
ば、抵抗体層１３ａ内に拡散されるＡｌ2 Ｏ3 の拡散量
を適宜制御することにより、抵抗体１１全体の温度係数
を適宜制御することができる。
【００３０】また、不純物であるＡｌ2 Ｏ3 が拡散され
た領域の抵抗体の温度特性を負にすることができるの
で、抵抗体１１全体の温度係数Ｋ0 をゼロまたは負に適
宜近付けることができ、抵抗体全体の温度依存性を低減
して温度に対する安定性を高めることができる。
た領域の抵抗体の温度特性を負にすることができるの
で、抵抗体１１全体の温度係数Ｋ0 をゼロまたは負に適
宜近付けることができ、抵抗体全体の温度依存性を低減
して温度に対する安定性を高めることができる。
【００３１】また、抵抗体１１の微細トリミングによ
り、その全体を抵抗値Ｒ0 と温度係数Ｋ0 とを共に設定
することができるので、その設定方法が簡単になる。
り、その全体を抵抗値Ｒ0 と温度係数Ｋ0 とを共に設定
することができるので、その設定方法が簡単になる。
【００３２】そして、この抵抗体１１のようにその抵抗
体層１３の一部を微細トリミングする際には、そのトリ
ミング中に、ＮｉＣｒ層１３ａと拡散層１３ｂの各抵抗
値Ｒ1 （ｔ）、Ｒ2 （Ｔ）をそれぞれ常時モニタする必
要がある。
体層１３の一部を微細トリミングする際には、そのトリ
ミング中に、ＮｉＣｒ層１３ａと拡散層１３ｂの各抵抗
値Ｒ1 （ｔ）、Ｒ2 （Ｔ）をそれぞれ常時モニタする必
要がある。
【００３３】そこで、図３に示すように両層１３ａ，１
３ｂ間に抵抗値モニタ用の中間電極１５を設けてもよ
い。
３ｂ間に抵抗値モニタ用の中間電極１５を設けてもよ
い。
【００３４】図４は本発明のさらに他の実施例の斜視図
であり、この並列抵抗体３１は基板３２上に、不純物を
拡散させた第１の抵抗体３３と不純物を拡散させていな
い第２の抵抗体３４とを蒸着等により積層して並設し、
これらの各対の電極３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂ同
士を横方向にワイヤボンディングまたは蒸着等により電
気的に接続することにより、いわば両抵抗体３３，３４
を電気的に並列に接続して目標とする抵抗値Ｒ0 が得ら
れようにさせた点に特徴がある。
であり、この並列抵抗体３１は基板３２上に、不純物を
拡散させた第１の抵抗体３３と不純物を拡散させていな
い第２の抵抗体３４とを蒸着等により積層して並設し、
これらの各対の電極３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂ同
士を横方向にワイヤボンディングまたは蒸着等により電
気的に接続することにより、いわば両抵抗体３３，３４
を電気的に並列に接続して目標とする抵抗値Ｒ0 が得ら
れようにさせた点に特徴がある。
【００３５】不純物を拡散させた第１の抵抗体３３は前
記実施例と同様の方法により、基板３２上に、ＮｉＣｒ
層３３ａを蒸着等により形成し、さらに、このＮｉＣｒ
層３３ａのほぼ全上面上に、Ａｌ2 Ｏ3 を蒸着してＡｌ
2 Ｏ3 層３３ｂを積層すると共に、その一部をNiCr層３
３ａのほぼ全体中に拡散させており、その両端部上には
一対の電極３５ａ，３５ｂを積層して電気的に接続して
いる。
記実施例と同様の方法により、基板３２上に、ＮｉＣｒ
層３３ａを蒸着等により形成し、さらに、このＮｉＣｒ
層３３ａのほぼ全上面上に、Ａｌ2 Ｏ3 を蒸着してＡｌ
2 Ｏ3 層３３ｂを積層すると共に、その一部をNiCr層３
３ａのほぼ全体中に拡散させており、その両端部上には
一対の電極３５ａ，３５ｂを積層して電気的に接続して
いる。
【００３６】一方、第２の抵抗体３４は基板３２上に、
ＮｉＣｒを蒸着してＮｉＣｒ層のみの抵抗体層を形成
し、その両端部上にアルミニウム製等の一対の電極３６
ａ，３６ｂをそれぞれ積層して電気的に接続している。
ＮｉＣｒを蒸着してＮｉＣｒ層のみの抵抗体層を形成
し、その両端部上にアルミニウム製等の一対の電極３６
ａ，３６ｂをそれぞれ積層して電気的に接続している。
【００３７】したがって、並列抵抗体３１の全体の温度
係数Ｋ0 は、ＮｉＣｒの温度係数Ｋ1 からＡｌ2 Ｏ3 拡
散層３３ａの温度係数Ｋ2 までの連続した任意の温度係
数とすることができる。
係数Ｋ0 は、ＮｉＣｒの温度係数Ｋ1 からＡｌ2 Ｏ3 拡
散層３３ａの温度係数Ｋ2 までの連続した任意の温度係
数とすることができる。
【００３８】そこで、この連続した温度係数の中から任
意の温度係数Ｋ0 を選択する場合は、ＮｉＣｒ層３４の
抵抗値Ｒ1 （ｔ）と拡散層３３ａの抵抗値Ｒ2 （ｔ）が
次の（２）式を成立させるように各層の一部ｅ，ｆを微
細トリミングする。
意の温度係数Ｋ0 を選択する場合は、ＮｉＣｒ層３４の
抵抗値Ｒ1 （ｔ）と拡散層３３ａの抵抗値Ｒ2 （ｔ）が
次の（２）式を成立させるように各層の一部ｅ，ｆを微
細トリミングする。
【００３９】
【数２】
【００４０】したがって、この並列抵抗体３１において
も、図１で示す実施例とほぼ同様の効果を奏する。
も、図１で示す実施例とほぼ同様の効果を奏する。
【００４１】図５は本発明のさらに他の実施例の要部縦
断面図であり、この抵抗体４１は、基板４２上に例えば
ＮｉＣｒを蒸着して形成した下部抵抗体層４３の一端部
（図中左端部）以外の残部上に、膜厚を異にした第１，
第２の薄膜のＡｌ2 Ｏ3 層４４，４５を積層し、これら
４４，４５の下方の抵抗体層４３中にＡｌ2 Ｏ3 を拡散
させて拡散層４３ａを形成している。また、抵抗体層４
３の左右両端部上にはアルミニウム等より成る左右一対
の電極４６ａ，４６ｂをそれぞれ積層して電気的に接続
しており、第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の外面を
保護膜４７により被覆してその外面を保護している。
断面図であり、この抵抗体４１は、基板４２上に例えば
ＮｉＣｒを蒸着して形成した下部抵抗体層４３の一端部
（図中左端部）以外の残部上に、膜厚を異にした第１，
第２の薄膜のＡｌ2 Ｏ3 層４４，４５を積層し、これら
４４，４５の下方の抵抗体層４３中にＡｌ2 Ｏ3 を拡散
させて拡散層４３ａを形成している。また、抵抗体層４
３の左右両端部上にはアルミニウム等より成る左右一対
の電極４６ａ，４６ｂをそれぞれ積層して電気的に接続
しており、第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の外面を
保護膜４７により被覆してその外面を保護している。
【００４２】この抵抗体４１は、その個々の部分の温度
係数Ｋ0 が第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の膜厚に
よっても大きく依存するという新しい知見に基づいてな
されたものである。
係数Ｋ0 が第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の膜厚に
よっても大きく依存するという新しい知見に基づいてな
されたものである。
【００４３】したがって、抵抗体層４３と第１，第２Ａ
ｌ2 Ｏ3 層４４，４５の一部に微細トリミングを施すと
共に、第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の膜厚を適宜
選定することにより全体の温度係数を正負いずれの方向
の任意値に設定することができる。
ｌ2 Ｏ3 層４４，４５の一部に微細トリミングを施すと
共に、第１，第２Ａｌ2 Ｏ3 層４４，４５の膜厚を適宜
選定することにより全体の温度係数を正負いずれの方向
の任意値に設定することができる。
【００４４】なお、前記各実施例では抵抗体層４３の素
材としてＮｉＣｒを使用した場合について説明したが、
本発明はその素材には限定されるものではなく、抵抗体
を形成し得る素材であればよく、また、Ａｌ2 Ｏ3 もＭ
ｇＯ等の高融点絶縁化合物に置換してもよい。
材としてＮｉＣｒを使用した場合について説明したが、
本発明はその素材には限定されるものではなく、抵抗体
を形成し得る素材であればよく、また、Ａｌ2 Ｏ3 もＭ
ｇＯ等の高融点絶縁化合物に置換してもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本願第１の発明は、
抵抗体層の少なくとも一部中に拡散される不純物の拡散
量を適宜変えることにより、抵抗体全体の温度係数を適
宜制御することができる。
抵抗体層の少なくとも一部中に拡散される不純物の拡散
量を適宜変えることにより、抵抗体全体の温度係数を適
宜制御することができる。
【００４６】また、本願第２の発明は、不純物が抵抗体
層の少なくとも一部中に拡散したときには、その抵抗体
層と正負が逆の温度係数を示すようにできるため、抵抗
体全体の温度係数をゼロまたは負に近付けることができ
る。したがって、この抵抗体の温度依存性を低減し、周
囲温度等に対する安定性を高めることができる。
層の少なくとも一部中に拡散したときには、その抵抗体
層と正負が逆の温度係数を示すようにできるため、抵抗
体全体の温度係数をゼロまたは負に近付けることができ
る。したがって、この抵抗体の温度依存性を低減し、周
囲温度等に対する安定性を高めることができる。
【００４７】さらに、抵抗体層のＮｉＣｒが正の温度特
性を有し、不純物としてＡｌ2 Ｏ3を拡散させた場合は
負の温度特性を示し得るので、抵抗体全体としての温度
依存性を低減して、周囲温度等に対する安定性を高める
ことができる。
性を有し、不純物としてＡｌ2 Ｏ3を拡散させた場合は
負の温度特性を示し得るので、抵抗体全体としての温度
依存性を低減して、周囲温度等に対する安定性を高める
ことができる。
【００４８】さらにまた、第１〜第３発明のいずれかに
係る抵抗体の一部をトリミングすることにより、その抵
抗値とその温度係数とを共に任意に設定することができ
るので、その設定を簡単かつ確実に行なうことができ
る。
係る抵抗体の一部をトリミングすることにより、その抵
抗値とその温度係数とを共に任意に設定することができ
るので、その設定を簡単かつ確実に行なうことができ
る。
【図１】本願第１〜第４の発明を含む抵抗体の一実施例
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図２】図１のII−II線断面図。
【図３】本発明の他の実施例の斜視図。
【図４】本発明のさらに他の実施例の斜視図。
【図５】本発明のさらに他の実施例の縦断面図。
【図６】従来の抵抗体の斜視図。
１１，２１，３１，４１ 抵抗体 １２，２４，３２，４２ 基板 １３ 抵抗体層 １３ａ，２３ａ，３３ａ，４３ａ 拡散層 １４ａ，１４ｂ，２５ａ，２５ｂ，３５ａ，３５ｂ，３
６ａ，３６ｂ，４６ａ，４６ｂ 電極 １５ 中間電極 ４４ 第１Ａｌ2 Ｏ3 層 ４５ 第２Ａｌ2 Ｏ3 層
６ａ，３６ｂ，４６ａ，４６ｂ 電極 １５ 中間電極 ４４ 第１Ａｌ2 Ｏ3 層 ４５ 第２Ａｌ2 Ｏ3 層
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗体層の少なくとも一部中に、不純物
を部分拡散させてなることを特徴とする抵抗体。 - 【請求項２】 不純物は、抵抗体層中で拡散したとき
に、この抵抗体層と正負が逆の温度係数を示すものであ
ることを特徴とする請求項１記載の抵抗体。 - 【請求項３】 抵抗体層がＮｉＣｒよりなり、不純物が
Ａｌ2 Ｏ3 よりなることを特徴とする請求項１記載の抵
抗体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の抵抗体
を部分的にトリミングすることにより、この抵抗体の抵
抗値とその温度係数とを共に設定することを特徴とする
抵抗体の抵抗値および温度係数の設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23977292A JPH0689974A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23977292A JPH0689974A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689974A true JPH0689974A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17049678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23977292A Pending JPH0689974A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 抵抗体と、その抵抗値および温度係数とを設定する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689974A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286021A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置 |
| JP2007096174A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23977292A patent/JPH0689974A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286021A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置 |
| JP2007096174A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
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