JP4083956B2 - 抵抗器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、絶縁基板の表面に蒸着やスパッタリングなどによって薄膜抵抗体を形成した薄膜抵抗器や金属箔抵抗体を用いた金属箔抵抗器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ガラスやアルミナなどの絶縁基板に薄膜抵抗材料を蒸着またはスパッタリングすることにより薄膜抵抗体を形成し、この薄膜抵抗体にフォトエッチングやレーザー加工などによってパターンを形成して作った薄膜抵抗器が公知である。また、金属箔を基板に接着し、フォトエッチングやレーザー加工などによってパターンを形成した金属箔抵抗器も公知である。
【0003】
この種の抵抗器では、できるだけ広い温度範囲に亘って抵抗値が安定していること、及び経時的な抵抗値変化が小さく長期間特性が安定していることが必要である。
【0004】
抵抗値の温度に対する安定性を示すものとして抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistance、以下TCRという)を用いる。ここにTCRは、例えば25℃を基準温度とし、この温度での抵抗値をR(25)、温度tでの抵抗値をR(t)とした時に、次の式で定義される。
TCR(ppm/℃)={R(t)−R(25)}/R(25)×[1/(t−25)]×106
【0005】
抵抗薄膜や金属箔を作る時には、一般にこの抵抗温度係数TCRをゼロにしたいものである。そのため蒸着条件やスパッタリング条件をいろいろ変えたり、厚さや基板の種類を変えて検討するのが普通である。薄膜抵抗器では現在最も安定な抵抗体の一つとしてTa(タンタル)を用いたものが知られている。またNi−Cr(ニッケル・クローム)系合金にAl(アルミニウム)やSi(シリコン)を添加してTCRをゼロに近づけることも従来行われている。
【0006】
正のTCRを持つ抵抗体と負のTCRを持つ抵抗体を積層あるいは直列に接続してTCRをゼロに近づける手法も公知である。例えば特公平8−21482には、CrSiN薄膜とNiCrAl薄膜を積層することによって、抵抗値温度変化の非直線性(TCRの温度依存性と記載されている)を低減する手法が示されている。
【0007】
また抵抗器の経時的な抵抗値変化を小さくするためには、基板上に形成した抵抗薄膜を酸化防止膜で被覆したり、抵抗器全体をハーメチックシール(気密封止)することが公知であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
TCRを広い温度範囲でさらに微小にしたい場合、例えば−55℃〜+125℃の温度範囲でTCRを±5ppm/℃以内にしたい場合は、抵抗値温度変化の非直線性成分を制御することが考えられる。すなわちこの場合には、抵抗値変化率{R(t)−R(25)}/R(25)を次の2次式で近似し、まず一次温度係数α(ppm/℃)と二次温度係数β(ppm/℃2)を求める。
[R(t)−R(25)]/R(25)=α(Δt)+β(Δt)2
但しΔt=t−25
【0009】
抵抗値温度変化の非直線性を表わす二次温度係数βは従来制御できないとされていたが、現在Ni−Cr合金系では一次温度係数αと二次温度係数βの双方を制御することが可能になっており、−55℃〜+125℃の温度範囲でTCRが±5ppm/℃以内を達成できることを本願の出願人は知った。出願人は特願平10−351496にこの手法とNi−Cr合金系抵抗体の組成を示した。
【0010】
しかし従来の抵抗体は微小なTCRと長期安定性を同時に達成することは困難であった。例えばNi−Cr系合金抵抗体においては、長期安定性を達成できる組成にすると広い温度範囲でTCRを微小にすることが困難になり、広い温度範囲で微小なTCRを達成できる組成にすると抵抗薄膜を酸化から保護できないことがあった。Ni−Cr系合金以外の抵抗体では長期安定性を達成できても、抵抗値温度変化の非直線性を制御できないため広い温度範囲でTCRを微小にすることは不可能であった。
【0011】
【発明の目的】
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、抵抗温度係数TCRを広い温度範囲でゼロに近づけることができ、かつ長期安定性にも優れた抵抗器を提供することを第1の目的とする。またこの抵抗器の製造方法を提供することを第2の目的とする。
【0012】
【発明の構成】
この発明によれば第1の目的は、絶縁基板表面に2つの抵抗体が積層された抵抗積層体を有する抵抗器において、前記抵抗積層体の各層のうち下層はNi−Cr−Mn合金薄膜であり、上層はNi−Cr−Al合金薄膜であり、各々の抵抗体の温度による抵抗値変化率を温度変化[Δt]の2次式[αΔt+β(Δt)2]で近似した場合に1つの層の一次温度係数α及び二次温度係数βの符号を他の層の一次温度係数αおよび二次温度係数βの符号と逆に設定する一方、真空中熱処理によって上層に含まれるAlの自己酸化により上層表面にアルミ酸化膜が形成されていることを特徴とする抵抗器、により達成される。
【0013】
抵抗体のうち1つの層は、αとβを共に正とし、他の層のα、βを共に負とすることができる。2つの層はNi−Cr系合金抵抗体としたので、この合金は添加物や処理方法などによってα、βを相当広い範囲で調整することができるので便利である。従って添加物や処理方法によってα、βを適切に設定した2種のNi−Cr系合金抵抗体を積層することにより所望のTCRを持った抵抗器を作ることができる。
【0016】
抵抗積層体の最上層となる長期安定性に優れる抵抗体は、Ni−Cr−Al合金としたから、この合金に含まれるAlの自己酸化によりアルミ酸化膜を形成させ、このアルミ酸化膜により長期安定性を得ることができる。
【0018】
【実施態様】
図1は本発明の一実施態様である抵抗器の構造を示す断面図、図2は温度による抵抗値変化率の変化の計算結果と測定結果を比較して示す図、図3は抵抗値変化率の長期安定性の測定結果を示す図である。図1において、符号10は絶縁基板、12はこの基板10に形成した下層、14はこの下層12の上に形成した上層である。絶縁基板10はここではアルミナとする。
【0019】
下層12は、高周波(RF,Radio Frequency)スパッタリングによって形成したもので、Ni−Cr合金にMnを加えた薄膜抵抗体(以下NiCrMn薄膜抵抗体)とする。上層14は、この下層12の上に高周波スパッタリングによって形成したものであり、Alを加えた薄膜抵抗体(以下NiCrAl薄膜抵抗体)である。
【0020】
この時の雰囲気は、Ar(アルゴン)ガス圧力0.5Paとし、絶縁基板をアルミナとし、RF電力300Wとし、両抵抗体の薄膜厚をそれぞれ0.3μmとした。またNi−Cr合金の組成比Ni/Cr(at%)は、77/23であり、Alの添加量12at%、Mnの添加量は10at%である。熱処理は、2層とした抵抗体の形成後に真空中で300℃以上、好ましくは約500℃に約3時間放置することによる。
【0021】
前記2種類の薄膜抵抗体の各々について、温度による抵抗値変化率を解析した。すなわち抵抗値変化率(R(t)−R(25))/R(25)を次の2次式で近似し、一次温度係数α(ppm/℃)と二次温度係数β(ppm/℃2)を求めた。
[R(t)−R(25)]/R(25)=α(Δt)+β(Δt)2
但しΔt=t−25
【0022】
その結果、NiCrAl薄膜抵抗体からなる上層14は、α=−59.5ppm/℃、β=−0.035ppm/℃2であり、NiCrMn薄膜抵抗体からなる下層12は、α=44.8ppm/℃、β=0.055ppm/℃2であった。
【0023】
前記のNiCrAl薄膜抵抗体は非常に高い長期安定性を持つことは、例えば特願平10−351497に示す通りであるが、この抵抗体では、一次温度係数の値は負に大きくなりやすく、二次温度係数βの値も同様に負に大きな値となりやすい。よってTCRを広い温度範囲でゼロに近づけることは困難である。一方、NiCrMn薄膜抵抗体は一次温度係数αが正の値を持ち、二次温度係数βも正の値を持つ。そこでこれらの両薄膜抵抗体を積層することによって、広い温度範囲でTCRをゼロに近づけることが可能になる。
【0024】
ここで、抵抗体を2層積層したときの温度による抵抗値変化率を計算した。上層14の抵抗体と下層12の抵抗体による並列抵抗とみなすと、2層を積層した抵抗体の温度による抵抗値変化率〔(R(Δt)−R(25))/R(25)〕は以下の式で表わされる。
【0025】
【数1】
〔[(1+αU(Δt)+βU(Δt)2)(1+αL(Δt)+βL(Δt)2){ρU(1−h)+ρLh}]/{ρU(1−h)(1+αU(Δt)+βU(Δt)2)+ρLh(1+αL(Δt)+βL(Δt)2)}〕−1
【0026】
但し、ρUは上層抵抗体の抵抗率、ρLは下層抵抗体の抵抗率、αU、βUは上層抵抗体の一次と二次の温度係数、αL、βLは下層抵抗体の温度係数、hは積層した抵抗体の厚さを1とした場合の上層抵抗体の厚さである。
【0027】
本実施態様においては、上層と下層が共にNi−Cr系合金であるため抵抗率はほぼ等しくなる。この場合は、ρU=ρLとすることにより、前出の式は以下のように単純化される。
【0028】
【数2】
[(1+αU(Δt)+βU(Δt)2)(1+αL(Δt)+βL(Δt)2)/{(1+αU(Δt)+βU(Δt)2)(1-h)+(1+αL(Δt)+βL(Δt)2)h}]−1
【0029】
上記の式にNiCrAl薄膜とNiCrMn薄膜のαとβを代入し、数種類の厚さhにおける温度による抵抗値変化率を計算した。図2に示す曲線A、B、Cは、それぞれh=0.3,0.4,0.5とした時の計算結果を示す。この図3によると、h=0.4とすると温度による抵抗値変化率を最小にできることが分かった。
【0030】
上記の結果を基にしてh=0.4となるようにNiCrAl薄膜とNiCrMn薄膜の積層抵抗体を作製した。すなわちアルミナ基板上に下層としてNiCrMn薄膜を0.24μm成膜し、その上に上層としてNiCrAl薄膜を0.16μm製膜した。その後熱処理を施した。
【0031】
この熱処理は前記したように、真空中で約500℃で約3時間放置することによる。この熱処理により、上層16に含まれるAlが表面に析出する。この析出したAlは真空容器中に残存する微量の酸素によって自己酸化し、アルミ酸化膜16を形成する。
【0032】
図2に□印で示す点は、この積層抵抗体の温度による抵抗値変化率の測定結果を示す。この図2より、温度による実際の抵抗値変化率は、上記で計算したh=0.4の時の計算値とほぼ一致し、−55℃〜+125℃の広い温度範囲においてTCRが±5ppm/℃以内と微小な値となっていることがわかる。
【0033】
また、図3はこの抵抗積層体による抵抗器の高温放置結果を示すグラフである。この図3のグラフでは、aは従来例の抵抗器6個について、bは本発明に係る抵抗器16個について、双方とも200℃に200時間無負荷放置した時の抵抗値変化率を示すものである。この測定結果によると、本発明にかかる抵抗器によれば、抵抗値変化量が従来品に比べて著しく少ないことがわかる。
【0034】
以上の実施例では抵抗薄膜を積層した後に熱処理を施している。しかし下層の抵抗体が複数回の熱処理によっても温度特性に影響の無い材料であるならば、各層を成膜するごとに熱処理を施してもよい。
【0035】
【他の実施態様】
図4は他の実施態様である抵抗器の構造を示す断面図である。前記図1の実施態様では、下層12の上に直接上層を積層したため、熱処理後あるいは成膜直後に各層間で元素の拡散が起きることが考えられる。このために計算通りのTCRが得られにくくなることが考えられる。
【0036】
図4の実施態様は、層間に数nm厚のごく薄い酸化物や窒化物等の絶縁物膜からなる中間層18を形成して各層間の拡散を抑えたものである。この中間層18は、拡散しやすい上層14を成膜する前に、真空槽に窒素や酸素または大気を導入することにより下層12となる薄膜表面に気体分子を吸着させて、ごく薄い窒化物あるいは酸化物を形成させ、これによって層間の拡散を抑えるものとすることができる。また上層14と下層12のどちらとも拡散を起こしにくい他の抵抗体を選定し、この抵抗体を中間層18として下層12と上層14の間に付加してもよい。
【0037】
【他の実施態様】
熱処理は全層を積層した後に行なってもよいし、あるいは1層を形成するごとに行なってもよい。
【0038】
なお前記の実施態様では温度による抵抗値変化率を、2次式[αΔt+β(Δt)2]で近似したが、さらに高次の式、例えば、[αΔt+β(Δt)2+γ(Δt)3]を用いて近似することもできる。この場合は、αとβだけでなくγも考慮して各層のTCRが相互に相殺して全体のTCRを所望の範囲内に設定するようにすればよい。
【0039】
【発明の効果】
請求項1の発明は以上のように、2種の抵抗体を積層する場合に、各層のTCRを2次式で近似し、1つの層の一次温度係数αおよび二次温度係数βの符号を他の層のαおよびβの符号と逆に設定したから、各層のTCRを互いに相殺させることによって抵抗積層体として全体のTCRの非直線性を改善し、広い温度範囲に亘ってTCRをゼロに近付けることができる。
【0040】
また上層の抵抗体を、長期安定性に優れたNi−Cr−Al合金としたから、抵抗積層体の長期安定性を向上させることができる。すなわち上層の抵抗体として長期安定性の良い材料を用いると、この材料のTCRの非直線性が大きくなったり、TCRが大きくなることがあるが、下層のNi−Cr−Al合金の抵抗体と組合せることにより抵抗積層体全体としてのTCRを満足できるものにすることが可能になる。つまり、外界にさらされる上層の抵抗体は長期安定性に優れたものを選定でき、第2層目の抵抗体により温度による抵抗値変化率を補正できる。
【0041】
少なくとも1つの層のαおよびβを共に正とし、他の層のαおよびβを共に負とすれば、各層のTCRを相殺させるのに都合がよい(請求項2)。Ni−Cr系合金では、添加する元素の種類や熱処理によってαおよびβを相当広い範囲で制御することができるので、積層体の全体のα、βを制御するのに都合がよい。
【0042】
またNi−Cr系合金の抵抗薄膜は、ある種の元素を添加し熱処理を施すことによって抵抗薄膜表面に緻密な酸化膜を形成させ、抵抗薄膜の内部を酸化から保護するに都合がよい。上層をNi−Cr−Al合金として、Alを自己酸化させることによって上層表面にアルミ酸化膜を形成することができ長期安定性を高めることができる。
【0043】
なおNi−Cr系合金抵抗体は、一次温度係数αおよび二次温度係数βを制御する方法が明らかになっているので(特願平10−351496参照)、上層がいかなる温度特性を持っていてもその補正が可能であり、積層された抵抗体のTCRを広い温度範囲でゼロに近づけることが可能である。
【0044】
上層に用いるNiCrAl抵抗体は、一次温度係数αおよび二次温度係数βが共に負であるので、下層には一次温度係数αおよび二次温度係数βが共に正であるNiCrMn抵抗体を使用する(請求項2)。
【0045】
積層された2つの抵抗体の間に各層間の拡散を抑える絶縁物膜からなるごく薄い中間膜を形成しておけば各層の拡散を防ぐことができる(請求項3)。
【0046】
この中間層は下層となる抵抗体の酸化物または窒化物とすることができる(請求項4)。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施態様を示す断面図
【図2】温度による抵抗値変化率の計算結果と測定結果を比較して示す図
【図3】抵抗値変化率の経時変化の実測結果を示す図
【図4】他の実施態様を示す断面図
【符号の説明】
10 アルミナ基板(絶縁基板)
12 NiCrMn抵抗体(下層)
14 NiCrAl抵抗体(上層)
16 アルミ酸化膜
18 中間層
Claims (4)
- 絶縁基板表面に2つの抵抗体が積層された抵抗積層体を有する抵抗器において、前記抵抗積層体の各層のうち下層はNi−Cr−Mn合金薄膜であり、上層はNi−Cr−Al合金薄膜であり、各々の抵抗体の温度による抵抗値変化率を温度変化[Δt]の2次式[αΔt+β(Δt)2]で近似した場合に1つの層の一次温度係数α及び二次温度係数βの符号を他の層の一次温度係数αおよび二次温度係数βの符号と逆に設定する一方、真空中熱処理によって上層に含まれるAlの自己酸化により上層表面にアルミ酸化膜が形成されていることを特徴とする抵抗器。
- 積層された抵抗体のうち少なくとも1つの層は、一次温度係数αと二次温度係数βがともに正であり、他の層は一次温度係数αと二次温度係数βがともに負である請求項1の抵抗器。
- 積層された2つの抵抗体の間に各層間の拡散を抑える絶縁物膜からなるごく薄い中間層を形成した請求項1または2の抵抗器。
- 中間層は下層となる抵抗体の酸化物または窒化物である請求項3の抵抗器。
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