JPH036917B2 - - Google Patents
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- JPH036917B2 JPH036917B2 JP59178859A JP17885984A JPH036917B2 JP H036917 B2 JPH036917 B2 JP H036917B2 JP 59178859 A JP59178859 A JP 59178859A JP 17885984 A JP17885984 A JP 17885984A JP H036917 B2 JPH036917 B2 JP H036917B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
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-
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- Electronic Switches (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、フアクシミリやプリンタ等の感熱記
録装置に使用するサーマルヘツド及びその製造方
法に関するものである。
録装置に使用するサーマルヘツド及びその製造方
法に関するものである。
最近、感熱記録方式は、静かで印字品質が良く
ランニングコストが安いなどの理由でフアクシミ
リやプリンタ等に大量に導入されている。感熱記
録方式の心臓部とも言うべきサーマルヘツドには
大きく分けて、印字用紙の横巾全体に横一列に発
熱ドツトを並べた発熱部を持つラインタイプのヘ
ツドと、印字する文字一文字分だけ発熱ドツトを
縦に並べた発熱部を持つたシリアルタイプのヘツ
ドとが有るが、この感熱方式の伸びに従つてより
高解像度を持ち、かつ低コストのサーマルヘツド
の開発が望まれてきている。現在、サーマルヘツ
ドの型式として厚膜型、薄膜型、半導体型の３種
類が有るが、前記の高解像度の要求が強くなるに
つれ薄膜型のサーマルヘツドが主流になつて来て
いる。また、低コストでは、前記３種類のサーマ
ルヘツドは構成膜の成膜にスパツタや真空蒸着を
利用しているため、低コスト化を実現するために
成膜を効率良く行うことが強く望まれている。
ランニングコストが安いなどの理由でフアクシミ
リやプリンタ等に大量に導入されている。感熱記
録方式の心臓部とも言うべきサーマルヘツドには
大きく分けて、印字用紙の横巾全体に横一列に発
熱ドツトを並べた発熱部を持つラインタイプのヘ
ツドと、印字する文字一文字分だけ発熱ドツトを
縦に並べた発熱部を持つたシリアルタイプのヘツ
ドとが有るが、この感熱方式の伸びに従つてより
高解像度を持ち、かつ低コストのサーマルヘツド
の開発が望まれてきている。現在、サーマルヘツ
ドの型式として厚膜型、薄膜型、半導体型の３種
類が有るが、前記の高解像度の要求が強くなるに
つれ薄膜型のサーマルヘツドが主流になつて来て
いる。また、低コストでは、前記３種類のサーマ
ルヘツドは構成膜の成膜にスパツタや真空蒸着を
利用しているため、低コスト化を実現するために
成膜を効率良く行うことが強く望まれている。
従来のサーマルヘツドとしての第７図に示すシ
リアルヘツド、第８，９図に示すラインヘツドは
共に、実際に印字を行う発熱部６と、発熱部６と
外部との結線を行うリード線部７とから成るパタ
ーンを有し、前記発熱部６は第１０図に示す様に
セラミツクスやガラス等の電気絶縁性の基板１上
に基板１とヘツドの構成膜との密着性を良くする
ためのアンダーコート膜１３、発熱抵抗体膜２、
導体膜３、発熱抵抗体２の耐酸化膜４及びヘツド
を保護する耐摩耗膜５が順に積層された構造とさ
れている。また、サーマルヘツドに使用する基板
として第１１図に示す様に発熱部６と印字用紙の
密着性及び熱応答性を良くするために、ガラスグ
レーズ１４を有した基板を用いる方法も有るが、
サーマルヘツドの成膜構成は前記２方法とも同一
で発熱抵抗体２上に導体３を成膜している。
リアルヘツド、第８，９図に示すラインヘツドは
共に、実際に印字を行う発熱部６と、発熱部６と
外部との結線を行うリード線部７とから成るパタ
ーンを有し、前記発熱部６は第１０図に示す様に
セラミツクスやガラス等の電気絶縁性の基板１上
に基板１とヘツドの構成膜との密着性を良くする
ためのアンダーコート膜１３、発熱抵抗体膜２、
導体膜３、発熱抵抗体２の耐酸化膜４及びヘツド
を保護する耐摩耗膜５が順に積層された構造とさ
れている。また、サーマルヘツドに使用する基板
として第１１図に示す様に発熱部６と印字用紙の
密着性及び熱応答性を良くするために、ガラスグ
レーズ１４を有した基板を用いる方法も有るが、
サーマルヘツドの成膜構成は前記２方法とも同一
で発熱抵抗体２上に導体３を成膜している。
前記膜型構成のヘツドの製造方法としてはセラ
ミツクやガラス等からなる１枚の絶縁基板１から
一度に複数個のヘツドを製造するという方法が採
られており、製造工程は絶縁性の基板１の表面全
面にアンダーコート１３を行い、次に印刷または
スパツタや真空蒸着により発熱抵抗体２を成膜
し、該発熱抵抗体上に導体膜３を成膜し、ホトソ
リ技術を使用して所定のヘツドパターンを形成す
るという行程で行われる。次に該ヘツドパターン
を被うように基板１全体にスパツタ等によつて発
熱部６の耐酸化膜４、耐摩耗膜５をコートして、
ヘツドが完成する。完成後、あらかじめ基板１に
入れておいたスナツプラインに沿い個々のヘツド
に分割するとか、ダイシング装置を用いて分割す
るという方法が採られている。
ミツクやガラス等からなる１枚の絶縁基板１から
一度に複数個のヘツドを製造するという方法が採
られており、製造工程は絶縁性の基板１の表面全
面にアンダーコート１３を行い、次に印刷または
スパツタや真空蒸着により発熱抵抗体２を成膜
し、該発熱抵抗体上に導体膜３を成膜し、ホトソ
リ技術を使用して所定のヘツドパターンを形成す
るという行程で行われる。次に該ヘツドパターン
を被うように基板１全体にスパツタ等によつて発
熱部６の耐酸化膜４、耐摩耗膜５をコートして、
ヘツドが完成する。完成後、あらかじめ基板１に
入れておいたスナツプラインに沿い個々のヘツド
に分割するとか、ダイシング装置を用いて分割す
るという方法が採られている。
しかしながら従来のサーマルヘツドは、上記の
様に同一基板上に発熱部６とリード線部７を有す
るサーマルヘツドを同工程にて製造する様な構造
としているため、発熱部６の発熱抵抗体２の保護
を目的としている耐酸化膜４や耐摩耗膜５を、発
熱部６ばかりでなく保護の必要性がなく、尚かつ
サーマルヘツドの面積の大部分を占めているリー
ド線部７にまで成膜してしまうという、成膜上の
無駄が多い構造となつている。加えて１枚の基板
から製造できるヘツド数は、前記の様に発熱部６
とリード線部７が同一基板上に構成されているた
め、発熱部６の大きさではなくリード線部７の大
きさによつて制限されてしまうという不合理性も
有している。加えて基板からのサーマルヘツドの
分割は、スナツプラインに沿つて外力を与えたり
ダイシング装置を用いたりする物理的な力を利用
しているため、分割の際サーマルヘツドの発熱部
６にまでクラツクや歪が入るという欠点をも有し
ている。
様に同一基板上に発熱部６とリード線部７を有す
るサーマルヘツドを同工程にて製造する様な構造
としているため、発熱部６の発熱抵抗体２の保護
を目的としている耐酸化膜４や耐摩耗膜５を、発
熱部６ばかりでなく保護の必要性がなく、尚かつ
サーマルヘツドの面積の大部分を占めているリー
ド線部７にまで成膜してしまうという、成膜上の
無駄が多い構造となつている。加えて１枚の基板
から製造できるヘツド数は、前記の様に発熱部６
とリード線部７が同一基板上に構成されているた
め、発熱部６の大きさではなくリード線部７の大
きさによつて制限されてしまうという不合理性も
有している。加えて基板からのサーマルヘツドの
分割は、スナツプラインに沿つて外力を与えたり
ダイシング装置を用いたりする物理的な力を利用
しているため、分割の際サーマルヘツドの発熱部
６にまでクラツクや歪が入るという欠点をも有し
ている。
従つて本発明は、別工程で作つた発熱部とリー
ド線部とを組付けて耐酸化、耐摩耗膜等の成膜の
効率を良くし、かつ製造工程の際の発熱部の損傷
を排除して製造コストを低くしたサーマルヘツド
およびその製造方法を提供することを目的として
いる。
ド線部とを組付けて耐酸化、耐摩耗膜等の成膜の
効率を良くし、かつ製造工程の際の発熱部の損傷
を排除して製造コストを低くしたサーマルヘツド
およびその製造方法を提供することを目的として
いる。
本発明はサーマルヘツドの基板材料としてエツ
チングに対し異方性や選択性を有する材料を用
い、かつ、ヘツドの成膜に於て導体膜上に発熱抵
抗体膜を成膜させるという構造を採用することに
より、発熱部とリード線部を別々に製造すること
を可能ならしめ、成膜の効率を良くし、基板製造
時の分割に際してもクラツクや歪の発生を抑える
ことが出来る様にしたものである。
チングに対し異方性や選択性を有する材料を用
い、かつ、ヘツドの成膜に於て導体膜上に発熱抵
抗体膜を成膜させるという構造を採用することに
より、発熱部とリード線部を別々に製造すること
を可能ならしめ、成膜の効率を良くし、基板製造
時の分割に際してもクラツクや歪の発生を抑える
ことが出来る様にしたものである。
すなわち、本発明に係るサーマルヘツドは、エ
ツチングに対して異方性あるいは選択性を有する
電気絶縁材料から成る凸条の基板上に少なくとも
発熱抵抗体膜、導体膜および保護膜を設けて成る
発熱部を、電気絶縁基板にリード線を形成した前
記発熱部とは別体のリード線部に、発熱部の導体
リード線部の対応するリード線とを電気的に接続
して一体化した構成とされている。
ツチングに対して異方性あるいは選択性を有する
電気絶縁材料から成る凸条の基板上に少なくとも
発熱抵抗体膜、導体膜および保護膜を設けて成る
発熱部を、電気絶縁基板にリード線を形成した前
記発熱部とは別体のリード線部に、発熱部の導体
リード線部の対応するリード線とを電気的に接続
して一体化した構成とされている。
ここにエツチング処理に対する異方性とは、特
定のエツチング液に対して材料結晶の結晶面によ
つてエツチング速度が異なるという性質である。
例えばシリコン単結晶の場合、KOH等のエツチ
ング液に対して結晶の100面と111面とでエツチン
グ速度が異なるという性質を有している。第１２
図に示すような100面を表面として持つシリコン
基板９に任意のパターンを有する保護膜１０を付
け上記エツチング液でエツチングを行うと、100
面のエツチング速度が111面より速いため、第１
３図の様に側面が111面であるＶ形や台形の溝を
作ることが出来るという性質を有しており、この
様なエツチングを異方性エツチングと称してい
る。
定のエツチング液に対して材料結晶の結晶面によ
つてエツチング速度が異なるという性質である。
例えばシリコン単結晶の場合、KOH等のエツチ
ング液に対して結晶の100面と111面とでエツチン
グ速度が異なるという性質を有している。第１２
図に示すような100面を表面として持つシリコン
基板９に任意のパターンを有する保護膜１０を付
け上記エツチング液でエツチングを行うと、100
面のエツチング速度が111面より速いため、第１
３図の様に側面が111面であるＶ形や台形の溝を
作ることが出来るという性質を有しており、この
様なエツチングを異方性エツチングと称してい
る。
また、エツチング処理に対する選択性とは、例
えば感光性ガラスの様に任意のマスクを用いて紫
外線を照射し、その後の熱処理等により紫外線照
射に依つてガラス部に出来た潜像部を結晶化させ
ることで、結晶化部とガラス部とのフツ酸等のエ
ツチング液に対するエツチング速度の違いから任
意のパターンで加工できるという性質である。従
つて、基板材料として上記性質を持つシリコン単
結晶や感光性ガラスを使用することが出来る。そ
して、エツチングによつて基板の整形や分割を精
度良く行いえる。
えば感光性ガラスの様に任意のマスクを用いて紫
外線を照射し、その後の熱処理等により紫外線照
射に依つてガラス部に出来た潜像部を結晶化させ
ることで、結晶化部とガラス部とのフツ酸等のエ
ツチング液に対するエツチング速度の違いから任
意のパターンで加工できるという性質である。従
つて、基板材料として上記性質を持つシリコン単
結晶や感光性ガラスを使用することが出来る。そ
して、エツチングによつて基板の整形や分割を精
度良く行いえる。
発熱部を基板とともに構成する発熱抵抗体膜、
導体膜および保護膜は、公知の材質から作られて
いる。保護膜は発熱抵抗体膜の酸化を防ぐための
耐酸化膜と、発熱部自体を保護する耐摩耗膜とか
ら構成されているが、所望によりその他の膜を有
する膜構成となつていても良い。さらに発熱部は
基板と発熱抵抗体との密着性を良くするためのア
ンダーコート膜を有しても良い。
導体膜および保護膜は、公知の材質から作られて
いる。保護膜は発熱抵抗体膜の酸化を防ぐための
耐酸化膜と、発熱部自体を保護する耐摩耗膜とか
ら構成されているが、所望によりその他の膜を有
する膜構成となつていても良い。さらに発熱部は
基板と発熱抵抗体との密着性を良くするためのア
ンダーコート膜を有しても良い。
また、基板上の導体膜、発熱抵抗体膜の成膜順
は基板上、外に向けて導体膜、発熱抵抗体膜の順
にした方が、リード線部のリード線との結線上好
ましい。
は基板上、外に向けて導体膜、発熱抵抗体膜の順
にした方が、リード線部のリード線との結線上好
ましい。
なお膜厚は、少なくとも通常サーマルヘツドに
使用されている膜厚を施す。
使用されている膜厚を施す。
リード線部の基板はサーマルヘツドに通常使用
されている基板素材を用いればよい。もちろん上
記性性を持つ基板素材を用いてもよい。
されている基板素材を用いればよい。もちろん上
記性性を持つ基板素材を用いてもよい。
また、本発明のサーマルヘツドの製造方法は、
エツチングに対して異方性あるいは選択性を有す
る基板素材をエツチングして複数条の凸条を作
り、各凸条の表面に少なくとも発熱抵抗体膜、導
体膜および保護膜が位置するように基板素材上に
被膜を施し、しかる後基板素材の被膜側の反対側
の面をエツチングして上記複数条の凸条を独立と
成し、ついで各凸条毎に上記複膜部分を分割して
得た発熱部を、別工程で電気絶縁基板にリード線
を形成して製造したリード線部に、発熱部の導体
とリード線部の対応するリード線を結線して固着
させる方法である。
エツチングに対して異方性あるいは選択性を有す
る基板素材をエツチングして複数条の凸条を作
り、各凸条の表面に少なくとも発熱抵抗体膜、導
体膜および保護膜が位置するように基板素材上に
被膜を施し、しかる後基板素材の被膜側の反対側
の面をエツチングして上記複数条の凸条を独立と
成し、ついで各凸条毎に上記複膜部分を分割して
得た発熱部を、別工程で電気絶縁基板にリード線
を形成して製造したリード線部に、発熱部の導体
とリード線部の対応するリード線を結線して固着
させる方法である。
本発明方法に於て、基板素材および種々の被膜
は、上述の材質のものを用いる。基板素材から複
数条の凸条を作る際、基板素材上に異方性エツチ
ングに対する保護膜として例えばSiO2膜を付け、
ホトリソによつて所定のパターンを形成してお
き、異方性エツチングを施すのは好ましい。導体
膜、発熱抵抗体膜はスパツタや真空蒸着及びホト
リソによつて所定膜厚を施す。保護膜はこれら膜
上に施す。なお成膜面を補強するため、例えばホ
トレジストの様な後工程で容易に剥離可能な膜を
付けても良い。複数条の凸条を独立するには、基
板素材の被膜側と反対側の面を導体面が露出する
までエツチングやラツプすることにより行う。各
凸条毎に被膜部分を分割するには、機械的切断や
レーザー等による切断で行う。
は、上述の材質のものを用いる。基板素材から複
数条の凸条を作る際、基板素材上に異方性エツチ
ングに対する保護膜として例えばSiO2膜を付け、
ホトリソによつて所定のパターンを形成してお
き、異方性エツチングを施すのは好ましい。導体
膜、発熱抵抗体膜はスパツタや真空蒸着及びホト
リソによつて所定膜厚を施す。保護膜はこれら膜
上に施す。なお成膜面を補強するため、例えばホ
トレジストの様な後工程で容易に剥離可能な膜を
付けても良い。複数条の凸条を独立するには、基
板素材の被膜側と反対側の面を導体面が露出する
までエツチングやラツプすることにより行う。各
凸条毎に被膜部分を分割するには、機械的切断や
レーザー等による切断で行う。
リード線部は、上記発熱部とは別工程で通常使
用されている絶縁性基板に通常の方法によりリー
ド線を形成したもので、ハンダ付け等によつてこ
れに発熱部の導体とリード線を結線して発熱部が
固着される。
用されている絶縁性基板に通常の方法によりリー
ド線を形成したもので、ハンダ付け等によつてこ
れに発熱部の導体とリード線を結線して発熱部が
固着される。
本発明によるサーマルヘツドの構造では、第１
図に示す様に異方性エツチング等によつて加工さ
れた断面略台形状の凸条基板９上に、発熱抵抗体
２の密着性を良くするためのアンダーコート膜１
３、基板９の外部を被うと共に基板９の両側面方
向に延びた導体膜３、該導体膜３上に発熱抵抗体
膜２、発熱抵抗体膜２の酸化を防ぐための酸化膜
４及びヘツドを保護する耐摩耗膜５を積層するこ
とによりヘツドの発熱部６が形成されている。
図に示す様に異方性エツチング等によつて加工さ
れた断面略台形状の凸条基板９上に、発熱抵抗体
２の密着性を良くするためのアンダーコート膜１
３、基板９の外部を被うと共に基板９の両側面方
向に延びた導体膜３、該導体膜３上に発熱抵抗体
膜２、発熱抵抗体膜２の酸化を防ぐための酸化膜
４及びヘツドを保護する耐摩耗膜５を積層するこ
とによりヘツドの発熱部６が形成されている。
特に、導体膜３が発熱抵抗体２の下部に成膜さ
れていることにより基板９の両側面方向に延びた
導体膜３は、発熱部６下部に露出されていること
になり、前記発熱部６と別途工程で通常使用され
ている電気絶縁性基板９にリード線３を通常行な
われている方法により形成したリード線部７を後
に結合してヘツドを作ることを可能にしている。
れていることにより基板９の両側面方向に延びた
導体膜３は、発熱部６下部に露出されていること
になり、前記発熱部６と別途工程で通常使用され
ている電気絶縁性基板９にリード線３を通常行な
われている方法により形成したリード線部７を後
に結合してヘツドを作ることを可能にしている。
第２図は、本発明に依い製造したサーマルヘツ
ドの一例の斜視図である。図では簡略化の為ヘツ
ドの耐酸化膜、耐摩耗膜は略してある。この図の
様に略台形をした基板９上に導体膜３、発熱抵抗
体膜２等から成る発熱素子６と別途製作したリー
ド線部７のリード線３をハンダ等によつて継ぐこ
とにより簡単にサーマルヘツドを作ることが出来
る。
ドの一例の斜視図である。図では簡略化の為ヘツ
ドの耐酸化膜、耐摩耗膜は略してある。この図の
様に略台形をした基板９上に導体膜３、発熱抵抗
体膜２等から成る発熱素子６と別途製作したリー
ド線部７のリード線３をハンダ等によつて継ぐこ
とにより簡単にサーマルヘツドを作ることが出来
る。
次に前記発熱部６の製造工程を基板素材として
例えば、シリコン単結晶を使用した場合について
図面に従つて説明する。
例えば、シリコン単結晶を使用した場合について
図面に従つて説明する。
第３図の様に表面に100面を有するシリコン単
結晶基板素材９上に異方性エツチングに対する保
護膜としてSiO2膜を付け、ホトソリによつて所
定のパターンを形成し、異方性エツチングに依つ
て第４図の様な形に複数個の凸条を作つて基板素
材９を整形する。次にスパツタや真空蒸着及びホ
トソリによつて導体膜３、発熱抵抗体膜２を有し
た発熱部６を作り、その上に耐酸化膜４、耐摩耗
膜５を付け、第５図の様な構造の発熱素子を形成
する。次に成膜面を補強するため、例えばホトレ
ジストの様な後工程で容易に剥離可能な膜１１を
付け、基板素材９の背面をエツチングやラツプ等
で第６図の様に導体面が露出するまで落す。最後
に補強膜１１を取り去り各凸条毎に第６図中の線
１２に沿つて発熱素子を分割する。分割の際、分
割部には基板材料は残つておらず従つて容易に精
度良くかつ歪なく分割することが出来る。
結晶基板素材９上に異方性エツチングに対する保
護膜としてSiO2膜を付け、ホトソリによつて所
定のパターンを形成し、異方性エツチングに依つ
て第４図の様な形に複数個の凸条を作つて基板素
材９を整形する。次にスパツタや真空蒸着及びホ
トソリによつて導体膜３、発熱抵抗体膜２を有し
た発熱部６を作り、その上に耐酸化膜４、耐摩耗
膜５を付け、第５図の様な構造の発熱素子を形成
する。次に成膜面を補強するため、例えばホトレ
ジストの様な後工程で容易に剥離可能な膜１１を
付け、基板素材９の背面をエツチングやラツプ等
で第６図の様に導体面が露出するまで落す。最後
に補強膜１１を取り去り各凸条毎に第６図中の線
１２に沿つて発熱素子を分割する。分割の際、分
割部には基板材料は残つておらず従つて容易に精
度良くかつ歪なく分割することが出来る。
本発明の方法は、叙上の通り、サーマルヘツド
の成膜基板材料としてエツチングに対し異方性や
選択性を有する材料を使用することにより、サー
マルヘツドを発熱部のみから成る発熱素子とリー
ド線部を別々に製造し、その後発熱素子をリード
線部に継げてサーマルヘツドを製作することを可
能にし、スパツタや真空蒸着によるヘツドに対す
る成膜効率を大巾に上げ、かつ基板からの発熱素
子の分離も、分割部に基板材料が無いため容易に
精度良くクラツクや歪の発生を抑えて分割出来る
という従来技術では全く製造することの出来なか
つた構造のサーマルヘツドを可能ならしめ、大巾
な製造コストの低減が達成することが出来るとい
う著大な効果を有する。
の成膜基板材料としてエツチングに対し異方性や
選択性を有する材料を使用することにより、サー
マルヘツドを発熱部のみから成る発熱素子とリー
ド線部を別々に製造し、その後発熱素子をリード
線部に継げてサーマルヘツドを製作することを可
能にし、スパツタや真空蒸着によるヘツドに対す
る成膜効率を大巾に上げ、かつ基板からの発熱素
子の分離も、分割部に基板材料が無いため容易に
精度良くクラツクや歪の発生を抑えて分割出来る
という従来技術では全く製造することの出来なか
つた構造のサーマルヘツドを可能ならしめ、大巾
な製造コストの低減が達成することが出来るとい
う著大な効果を有する。
また、本発明方法によれば発熱素子とリード線
部を別々に製造しているため、簡単にシリアルヘ
ツドもラインヘツドも思いのままに製造すること
が出来ることは云うまでもない。
部を別々に製造しているため、簡単にシリアルヘ
ツドもラインヘツドも思いのままに製造すること
が出来ることは云うまでもない。
さらに本発明のサーマルヘツドによれば、上述
の如く製造コストの低減が図れるという効果に加
えて、従来の平担な基板を持つ膜型のヘツドに比
べ、ガラスグレーズ等を用いなくても基板が凸条
形状をしているため、印字用紙に対する良好な密
着性及び熱応答性を有するという効果がある。
の如く製造コストの低減が図れるという効果に加
えて、従来の平担な基板を持つ膜型のヘツドに比
べ、ガラスグレーズ等を用いなくても基板が凸条
形状をしているため、印字用紙に対する良好な密
着性及び熱応答性を有するという効果がある。
第１図は本発明サーマルヘツドの一例を構成す
る発熱素子とリード線部を示す断面図、第２図は
本発明サーマルヘツドの一例の斜視略図、第３図
〜第６図は第１図に示した発熱素子の製造工程に
おける断面図、第７図は従来のシリアルヘツドの
パターン図、第８図、第９図は従来のラインヘツ
ドのパターン図、第１０図は従来のサーマルヘツ
ドを示す断面図、第１１図はグレーズガラスを有
した基板を用いた時の従来のサーマルヘツドを示
す断面図、第１２図は異方性エツチングを行う前
のシリコン基板を示す斜視図、第１３図は異方性
エツチング終了後のシリコン基板を示す斜視図で
ある。 ２……発熱抵抗体膜、３……導体膜、３′……
リード線、（４……耐酸化膜、５……耐摩耗膜）
保護膜、６……発熱部（発熱素子）７……リード
線部、９……基板。
る発熱素子とリード線部を示す断面図、第２図は
本発明サーマルヘツドの一例の斜視略図、第３図
〜第６図は第１図に示した発熱素子の製造工程に
おける断面図、第７図は従来のシリアルヘツドの
パターン図、第８図、第９図は従来のラインヘツ
ドのパターン図、第１０図は従来のサーマルヘツ
ドを示す断面図、第１１図はグレーズガラスを有
した基板を用いた時の従来のサーマルヘツドを示
す断面図、第１２図は異方性エツチングを行う前
のシリコン基板を示す斜視図、第１３図は異方性
エツチング終了後のシリコン基板を示す斜視図で
ある。 ２……発熱抵抗体膜、３……導体膜、３′……
リード線、（４……耐酸化膜、５……耐摩耗膜）
保護膜、６……発熱部（発熱素子）７……リード
線部、９……基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エツチングに対して異方性あるいは選択性を
有する材料から成る凸条の基板上に少なくとも発
熱抵抗体膜、導体膜および保護膜を設けてなる発
熱部を、電気絶縁基板にリード線を形成した前記
発熱部とは別体のリード線部に、発熱部の導体と
リード線部の対応するリード線とを電気的に接続
して一体化して成るサーマルヘツド。 ２ 前記凸条の基板上に導体膜、発熱抵抗体膜の
順に成膜した特許請求の範囲第１項記載のサーマ
ルヘツド。 ３ エツチングに対して異方性あるいは選択性を
有する材料から成る基板素材をエツチングして複
数条の凸条を作り、各凸条の表面に少なくとも発
熱抵抗体膜、導体膜、および保護膜が位置するよ
うに基板素材上に被膜を施し、しかる後基板素材
の被膜側と反対側の面をエツチングして上記複数
条の凸条を独立と成し、ついで各凸条毎に上記被
膜部分を分割し、分割して得た発熱部を、別工程
で電気絶縁基板にリード線を形成して製造したリ
ード線部に、発熱部の導体とリード線部の対応す
るリード線を結線して固着させたことを特徴とす
るサーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178859A JPS6154954A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
| US06/770,652 US4683646A (en) | 1984-08-28 | 1985-08-28 | Thermal head method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178859A JPS6154954A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154954A JPS6154954A (ja) | 1986-03-19 |
| JPH036917B2 true JPH036917B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=16055931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178859A Granted JPS6154954A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4683646A (ja) |
| JP (1) | JPS6154954A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163459A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-01 | Alps Electric Co Ltd | ライン型サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS61167574A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
| US4809428A (en) * | 1987-12-10 | 1989-03-07 | Hewlett-Packard Company | Thin film device for an ink jet printhead and process for the manufacturing same |
| JPH02212159A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
| US4957592A (en) * | 1989-12-27 | 1990-09-18 | Xerox Corporation | Method of using erodable masks to produce partially etched structures in ODE wafer structures |
| US5006202A (en) * | 1990-06-04 | 1991-04-09 | Xerox Corporation | Fabricating method for silicon devices using a two step silicon etching process |
| US5201987A (en) * | 1990-06-04 | 1993-04-13 | Xerox Corporation | Fabricating method for silicon structures |
| WO1995034083A1 (en) * | 1994-06-09 | 1995-12-14 | Chipscale, Inc. | Resistor fabrication |
| KR20010025016A (ko) * | 1999-03-19 | 2001-03-26 | 핫토리 쥰이치 | 서멀 헤드의 제조방법 |
| CN109500914A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-03-22 | 深圳鑫安满金融服务有限公司 | 一种同步独立控制的双侧pcb模塑装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4296309A (en) * | 1977-05-19 | 1981-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal head |
| US4259564A (en) * | 1977-05-31 | 1981-03-31 | Nippon Electric Co., Ltd. | Integrated thermal printing head and method of manufacturing the same |
| JPS564481A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-17 | Tdk Corp | Thermal pen tip and preparation thereof |
| JPS56130374A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Thermal head |
| JPS5979775A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | サ−マルヘツド |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59178859A patent/JPS6154954A/ja active Granted
-
1985
- 1985-08-28 US US06/770,652 patent/US4683646A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154954A (ja) | 1986-03-19 |
| US4683646A (en) | 1987-08-04 |
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