JPS6095888A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS6095888A JPS6095888A JP58203370A JP20337083A JPS6095888A JP S6095888 A JPS6095888 A JP S6095888A JP 58203370 A JP58203370 A JP 58203370A JP 20337083 A JP20337083 A JP 20337083A JP S6095888 A JPS6095888 A JP S6095888A
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- electrode
- thin film
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- transparent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、交流電界の印加によってＥ Ｉ＝（Ｅｌｅ
Ｏｔｌ’ｏ １ｌＩＩＩｌｉｎｅｓｃｅｌＩｃｅ ＞発
光を呈する薄膜ＥＬ素子の４１１造に関し１．：特に電
極橘造が改良された簿膜ＥＬｉ子に関する。
Ｏｔｌ’ｏ １ｌＩＩＩｌｉｎｅｓｃｅｌＩｃｅ ＞発
光を呈する薄膜ＥＬ素子の４１１造に関し１．：特に電
極橘造が改良された簿膜ＥＬｉ子に関する。
発明の、背景
従来、交流動作の薄膜ＥＬ素子に関して、発光層に規則
的に高い電界（１０ＧＶ／ｃｎ＋程度）を印加し、絶縁
耐圧、発光効率および動作の安定性などを高めるために
、０．１〜２．０．Ｉｌ！１％の〜１ｎ（あるいはＧＯ
、Ａ ｕ、、 Ｂ、ｒなど）をドープしたＺｌｌ Ｓ、
Ｚｎ ３ｅなどの半導体発光層をｙ２ｏ、。
的に高い電界（１０ＧＶ／ｃｎ＋程度）を印加し、絶縁
耐圧、発光効率および動作の安定性などを高めるために
、０．１〜２．０．Ｉｌ！１％の〜１ｎ（あるいはＧＯ
、Ａ ｕ、、 Ｂ、ｒなど）をドープしたＺｌｌ Ｓ、
Ｚｎ ３ｅなどの半導体発光層をｙ２ｏ、。
■１０２などの誘電体ＷＩｗＡでサンドイッチした３層
構造のＺｎＳ：Ｍｎ（またはＺｎ Ｓｅ ：Ｍｌｌ ）
ＥＥＬ素子が開発されており、発光路特性の向上が確か
められている。この薄膜Ｅ 、Ｌ素子は数ＫＨｚの交流
電界の印加によって高輝度発光し、しかも長寿命である
という特徴を有している。
構造のＺｎＳ：Ｍｎ（またはＺｎ Ｓｅ ：Ｍｌｌ ）
ＥＥＬ素子が開発されており、発光路特性の向上が確か
められている。この薄膜Ｅ 、Ｌ素子は数ＫＨｚの交流
電界の印加によって高輝度発光し、しかも長寿命である
という特徴を有している。
また、この薄ＩＩ Ｅ Ｌ素子の発光に関しては、印加
電圧を昇圧していく過程と高電圧側より降圧し゛（いく
過程で、同じ印加電圧に対しての発光ｎ度が異なるとい
うヒステリシス特性を有していることが発見され−ＣＪ
３す、このヒステリシス特性を有す・る薄膜ＥＬ素子に
印加電圧を昇圧する過程において、光、電界、熱などが
付与されると、薄膜ＥＬ素子・はその強度に対応した発
光輝度の状態に励起され、光、電界、熱などを除去し元
の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に留まると
いったメｔり一現象が存在することが知られている。
電圧を昇圧していく過程と高電圧側より降圧し゛（いく
過程で、同じ印加電圧に対しての発光ｎ度が異なるとい
うヒステリシス特性を有していることが発見され−ＣＪ
３す、このヒステリシス特性を有す・る薄膜ＥＬ素子に
印加電圧を昇圧する過程において、光、電界、熱などが
付与されると、薄膜ＥＬ素子・はその強度に対応した発
光輝度の状態に励起され、光、電界、熱などを除去し元
の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に留まると
いったメｔり一現象が存在することが知られている。
このメモリー現象を有効に活用して、薄膜ＦＬ素子をメ
モリー素子に利用するＦｔｌ ＰＩＡ Ｅ Ｌ素子応用
技術が現在産業界で研究開発途上にある。
モリー素子に利用するＦｔｌ ＰＩＡ Ｅ Ｌ素子応用
技術が現在産業界で研究開発途上にある。
油膜Ｅｌ−素子の一例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬゑ子
の基本的＠造を第１図に正面断面図で示す。
の基本的＠造を第１図に正面断面図で示す。
舒：１図を参照して、ガラス基板１上には■ｎ２０ａ、
ＳｎＯ２などの材料からなる透明電極２が、さらに透明
電極２の上に稍野してＹ２０８ 、１−ｉ０２ 、ＡＩ
Ｌ２０ａ 、Ｓｉ ｓ Ｎ＜ 、Ｓｉ ０２なトカら４
ｃる第１の誘電体層３が、スパッタあるいは電子ビーム
蒸着法などの方法により重畳形成されている。第１の誘
電体層３上には、ＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビー
ム蒸着することにより得られる７「ＩＳ発光Ｗ／Ｉが形
成されている。この際蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレッ
トには、活性物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定
されたベレッｉ〜が用いられろ。
ＳｎＯ２などの材料からなる透明電極２が、さらに透明
電極２の上に稍野してＹ２０８ 、１−ｉ０２ 、ＡＩ
Ｌ２０ａ 、Ｓｉ ｓ Ｎ＜ 、Ｓｉ ０２なトカら４
ｃる第１の誘電体層３が、スパッタあるいは電子ビーム
蒸着法などの方法により重畳形成されている。第１の誘
電体層３上には、ＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビー
ム蒸着することにより得られる７「ＩＳ発光Ｗ／Ｉが形
成されている。この際蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレッ
トには、活性物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定
されたベレッｉ〜が用いられろ。
ＺｎＳ発光層４上には、第１の誘電体層３と同様の材質
からなる第２のＭ″Ｎ１体層５が積層されており、さら
に第２のＲＭ体Ｗ！５の上面にはＡｕなどからなる背面
電極６が蒸着形成されている。透明ｔｌ １！Ｉｉ ２
と背面？４極６とは互いに直交ｊる方向に配列されて交
流電源７に接続され、）！！−Ｅｌ素子が駆動される。
からなる第２のＭ″Ｎ１体層５が積層されており、さら
に第２のＲＭ体Ｗ！５の上面にはＡｕなどからなる背面
電極６が蒸着形成されている。透明ｔｌ １！Ｉｉ ２
と背面？４極６とは互いに直交ｊる方向に配列されて交
流電源７に接続され、）！！−Ｅｌ素子が駆動される。
電極２．６間に交流電圧を印加づると、ｚｎｓ発光層４
の両側の誘電体層３．５間に該交流電圧が誘起されるこ
とになり、したがってｚｒｔｓ発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されＣ十分なエネ
ルギを１９だ電子が、直接Ｍｎｎ先光センター１１起し
、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄
色の発光を行なう。ずなわら、高電稈で加速された電子
がＺ １１升発光Ｉ４／ｌ中の発光センター（゛ある７
ｎリイ）・に入ったＭｎ原子の電子を励起し、該電子
が基底状態に落らるとき、略々５８５０Ａをピークに幅
広い波長領域で強い発光を呈する。
の両側の誘電体層３．５間に該交流電圧が誘起されるこ
とになり、したがってｚｒｔｓ発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されＣ十分なエネ
ルギを１９だ電子が、直接Ｍｎｎ先光センター１１起し
、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄
色の発光を行なう。ずなわら、高電稈で加速された電子
がＺ １１升発光Ｉ４／ｌ中の発光センター（゛ある７
ｎリイ）・に入ったＭｎ原子の電子を励起し、該電子
が基底状態に落らるとき、略々５８５０Ａをピークに幅
広い波長領域で強い発光を呈する。
第２図Ｊ３よび第３図は、第１図に示したＭｍＥＬ素子
の：問題点を説明するための図であり、第１図に示した
構造における基板１、透明電極２および誘電体Ｍ３の相
互の関係を示す部分切欠き平面図および第１図のＸ方向
から見た部分断面図である。上述ようなｍ造を有するＷ
Ｉ躾ＥＬ素子において、全体の内積を同一に保ったまま
で表示容量を増大させるには、帯状電極群２．６の電極
幅（ストライプ幅）を細くしなければならない。しかし
ながら、第２図に明瞭に示されている透明電極２のスト
ライプ幅を細くすれば、その線抵抗は、Ｒ−ρ↓見／′
（ｄ−Ｗ） ・・・式（１）の式から明らかにように、
透明電極２の末端部分に行くに従い印加電圧の降下が大
きくなることになる。なお、式（１）において庭は電極
２の長さ、′ｄは電極２の厚み、Ｗは電極２０幅、ρは
比抵抗およびＲは線抵抗を示す。このように電圧降下が
発生し、無視できないほど大きくなれば、電極２の取出
側から電極の長手方向に沿って発光１１度が順次低ドし
、均一な発光状態を得ることができなくなり、結果表示
素子として用いることができなくなる。
の：問題点を説明するための図であり、第１図に示した
構造における基板１、透明電極２および誘電体Ｍ３の相
互の関係を示す部分切欠き平面図および第１図のＸ方向
から見た部分断面図である。上述ようなｍ造を有するＷ
Ｉ躾ＥＬ素子において、全体の内積を同一に保ったまま
で表示容量を増大させるには、帯状電極群２．６の電極
幅（ストライプ幅）を細くしなければならない。しかし
ながら、第２図に明瞭に示されている透明電極２のスト
ライプ幅を細くすれば、その線抵抗は、Ｒ−ρ↓見／′
（ｄ−Ｗ） ・・・式（１）の式から明らかにように、
透明電極２の末端部分に行くに従い印加電圧の降下が大
きくなることになる。なお、式（１）において庭は電極
２の長さ、′ｄは電極２の厚み、Ｗは電極２０幅、ρは
比抵抗およびＲは線抵抗を示す。このように電圧降下が
発生し、無視できないほど大きくなれば、電極２の取出
側から電極の長手方向に沿って発光１１度が順次低ドし
、均一な発光状態を得ることができなくなり、結果表示
素子として用いることができなくなる。
したがって、透明１ｉｉ［ｉ２のストライプ幅を細くし
、しかも線抵抗を増大させないためには、式（１）から
明らかなように透明電極２の膜厚ｄを厚くする必要があ
る。しかしながら、Ｗｌ膜ＥＬ素子は、前述したように
、その構造の大部分がスパッタ、真空蒸着、プラズマＣ
ＶＤなどの方法により形成されている。したがって形成
される層のうち最も下層となる透明電極２の膜厚ｄを大
きくりると、基板１上での透明電極２の上方への突出量
が大きくなり、透明Ｔ１極２の端縁での段差が大きくな
り、さらにその上に誘電体層３などの均一な膜を積Ｉｔ
！Ｉｔダ−ることが困難となる。
、しかも線抵抗を増大させないためには、式（１）から
明らかなように透明電極２の膜厚ｄを厚くする必要があ
る。しかしながら、Ｗｌ膜ＥＬ素子は、前述したように
、その構造の大部分がスパッタ、真空蒸着、プラズマＣ
ＶＤなどの方法により形成されている。したがって形成
される層のうち最も下層となる透明電極２の膜厚ｄを大
きくりると、基板１上での透明電極２の上方への突出量
が大きくなり、透明Ｔ１極２の端縁での段差が大きくな
り、さらにその上に誘電体層３などの均一な膜を積Ｉｔ
！Ｉｔダ−ることが困難となる。
Ｗ乳悲吐丘
それゆえに、この光用の目的は、透明電極の電極幅を細
くしても線抵抗の増大を効果的に防止づるごとびでき、
したがって大容量の表示をｉｉＪ能とし轡る新規な構造
の薄膜ＥＬ累素子提供づるごとにある。
くしても線抵抗の増大を効果的に防止づるごとびでき、
したがって大容量の表示をｉｉＪ能とし轡る新規な構造
の薄膜ＥＬ累素子提供づるごとにある。
星Ｊし２泗」（
この発明は、要約すれば、複数本の電極からなり、互い
に交差するようにｉｉ！置された第１および第２の電極
群から構成されるマ［・リフスミ極間に、誘電体層でザ
ンドイツチされた［Ｌ発光層を配置し、基板上に搭載し
くなる薄膜ＥＬＪＦ＝子において、第１および第２の電
極群のうち前記基板と前記誘電体層間に設【プられた電
極群は、前記基板に埋設されて形成されていることを特
徴とする、ＩＤＥＬ素子である。
に交差するようにｉｉ！置された第１および第２の電極
群から構成されるマ［・リフスミ極間に、誘電体層でザ
ンドイツチされた［Ｌ発光層を配置し、基板上に搭載し
くなる薄膜ＥＬＪＦ＝子において、第１および第２の電
極群のうち前記基板と前記誘電体層間に設【プられた電
極群は、前記基板に埋設されて形成されていることを特
徴とする、ＩＤＥＬ素子である。
この発明のその他の特徴は、以下の実施例の説明により
明らかとなろう。
明らかとなろう。
民度ｊの説明
第４図ないし第６図は、この発明の一実施例を説明づる
ための図であり、第４図はこの発明の一実施例に用いら
れる基板に溝を形成した状態を示す斜視図であり、第５
図および第６図は、従来技術で示した第２図および第３
凶に相当りる図１ｄ＞る。
ための図であり、第４図はこの発明の一実施例に用いら
れる基板に溝を形成した状態を示す斜視図であり、第５
図および第６図は、従来技術で示した第２図および第３
凶に相当りる図１ｄ＞る。
この実施例では、まず第４図に斜視図で示すように、ガ
ラス基板”１の表面に透明電極を埋設４るための濡゛１
１を形成づる。溝１１は、目的の透明電極の厚みと同一
の深８を有（るように形成されており、たとえはフン酸
を用いたフォトエツチングなどの公知のｈ法により形成
し冑る。なおこの〕ｔトエッチングに際しては、基板１
の裏面の腐食を避１ノるため、基板１の裏面全面ｊ３よ
び基板１の表面の透明電極を構成しない部分をレジス［
・で」−−フィックしＣおく。このようにしてｐｉｌｌ
を形成した後、透明電極２を構成する月利を基板１の全
面に形成し、表面をＬ；ＪＴ＠することにより複数本の
帯状電極からなる透明電極２を形成し、さらにでの上に
誘電体Ｗｉ３を硝ａ丈る。この状態が第６図に示さＦＬ
Ｃいる６第６図から明らかなように、この実施例°Ｃは
透明電極２が！！仮１に形成さねた溝１１内に埋設され
て形成されでいるため、透明？！！極２の厚みを厚くし
たとしても、透明Ｎ極２と基板１との間に段差は生じな
い。したがって誘電体ＦＦ１３、さらにはＥＬ発光層４
・・などを均一に順次積Ｈすることが可能である。それ
ゆえに、透明電極２のストライブ幅を細くしても、透明
電極２の厚みを厚みすることにより線抵抗Ｒの増大を防
ぐことができる。
ラス基板”１の表面に透明電極を埋設４るための濡゛１
１を形成づる。溝１１は、目的の透明電極の厚みと同一
の深８を有（るように形成されており、たとえはフン酸
を用いたフォトエツチングなどの公知のｈ法により形成
し冑る。なおこの〕ｔトエッチングに際しては、基板１
の裏面の腐食を避１ノるため、基板１の裏面全面ｊ３よ
び基板１の表面の透明電極を構成しない部分をレジス［
・で」−−フィックしＣおく。このようにしてｐｉｌｌ
を形成した後、透明電極２を構成する月利を基板１の全
面に形成し、表面をＬ；ＪＴ＠することにより複数本の
帯状電極からなる透明電極２を形成し、さらにでの上に
誘電体Ｗｉ３を硝ａ丈る。この状態が第６図に示さＦＬ
Ｃいる６第６図から明らかなように、この実施例°Ｃは
透明電極２が！！仮１に形成さねた溝１１内に埋設され
て形成されでいるため、透明？！！極２の厚みを厚くし
たとしても、透明Ｎ極２と基板１との間に段差は生じな
い。したがって誘電体ＦＦ１３、さらにはＥＬ発光層４
・・などを均一に順次積Ｈすることが可能である。それ
ゆえに、透明電極２のストライブ幅を細くしても、透明
電極２の厚みを厚みすることにより線抵抗Ｒの増大を防
ぐことができる。
なお、上述した実施例では、マトリクス電極を構成する
透明電極２および背面電極６（第１図を参照）はほぼ直
交（−るように配置されていたが、互いに交差するもの
でさえあればよく、必ずしも直交づるように配置されて
いなくともよいことを指摘しておく。
透明電極２および背面電極６（第１図を参照）はほぼ直
交（−るように配置されていたが、互いに交差するもの
でさえあればよく、必ずしも直交づるように配置されて
いなくともよいことを指摘しておく。
ｕｍｏと級１２
以上のように、この発明によれば、基板とｙｔｒｔｂ体
層間に設【）られる１℃甑６Ｙりなわち逍明電）（が、
基板に埋設されＣ形成されているため、透明Ｔｉ極のス
トラー１′ブ幅をＫｌｌ＜ １．７だとしでも、厚、７
＋を１９りすることにより線抵抗の増大を効果的に防止
づることかでき、したがってビッツの細かい人容品の表
示が可０しな傳喫ＥＬス％′ｆを実現りることが可能と
なる。
層間に設【）られる１℃甑６Ｙりなわち逍明電）（が、
基板に埋設されＣ形成されているため、透明Ｔｉ極のス
トラー１′ブ幅をＫｌｌ＜ １．７だとしでも、厚、７
＋を１９りすることにより線抵抗の増大を効果的に防止
づることかでき、したがってビッツの細かい人容品の表
示が可０しな傳喫ＥＬス％′ｆを実現りることが可能と
なる。
第１図は、Ｍ膜トＬＭ子の一例を示す正面断面図である
。、第２図および第３図は、従来の透明電極と基板との
配置間係を示すための部分切欠き平面図および部分切欠
き側面断面図である。第４図は、この発明の一実施例に
用いられる基板に溝を形成した状態いを示ず部分切欠ぎ
Ｉ！：ｌ 現図である。 第５図および第６図は、第４図に資した基板を用いて形
成したこの発明の一実施例における透明電極と基板との
配ｔｑ慄を説明づるための部分切欠き平面図おＪ：び部
分切欠き側ｉｉｉ断面図Ｃあり、従来技術で示した第２
図および第３図に４［」当（る図である。 １・・・基板、２・・・基板と誘電体層間に設置〕られ
るτ挿Ｉｌｌ’としての透明ｒＰｉｔ〜、３，５・・・
誘ｎ体層、４・・・ＥＬ梵光層、６・・・７１−リクス
π恒を構成づる電極群としての背面電極。
。、第２図および第３図は、従来の透明電極と基板との
配置間係を示すための部分切欠き平面図および部分切欠
き側面断面図である。第４図は、この発明の一実施例に
用いられる基板に溝を形成した状態いを示ず部分切欠ぎ
Ｉ！：ｌ 現図である。 第５図および第６図は、第４図に資した基板を用いて形
成したこの発明の一実施例における透明電極と基板との
配ｔｑ慄を説明づるための部分切欠き平面図おＪ：び部
分切欠き側ｉｉｉ断面図Ｃあり、従来技術で示した第２
図および第３図に４［」当（る図である。 １・・・基板、２・・・基板と誘電体層間に設置〕られ
るτ挿Ｉｌｌ’としての透明ｒＰｉｔ〜、３，５・・・
誘ｎ体層、４・・・ＥＬ梵光層、６・・・７１−リクス
π恒を構成づる電極群としての背面電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数Ａ（の電極からなり、互い、に交差するように配置
されＩて第１ｔ３よび第２の電極群から構成されるマト
リクス電憶間に、誘電体層でサンドイツ１されたヒｌ−
発光層を配置１）、基板上に搭載してなる薄膜Ｅ Ｌ、
索子において、 剪記第゛ＩＪ３よび第２の電１傷群のうち＃ ｒｔ基板
と前ｉ？［ｌ！誘心１本Ｂ間にｒＳシリられだ電極群（
Ｊ、前記雄板に埋ごシされて形成８１していることを特
徴と９る、ｉ９膜ヒＬ ｊｉ−子。 □
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203370A JPS6095888A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58203370A JPS6095888A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095888A true JPS6095888A (ja) | 1985-05-29 |
| JPS6262437B2 JPS6262437B2 (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=16472903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58203370A Granted JPS6095888A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | ホ−ヤ株式会社 | 透明導電膜パタ−ン付き基板とその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54146167U (ja) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | ||
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58203370A patent/JPS6095888A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54146167U (ja) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | ||
| JPS58154107A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | 富士通株式会社 | 電極基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224293A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | ホ−ヤ株式会社 | 透明導電膜パタ−ン付き基板とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262437B2 (ja) | 1987-12-26 |
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