JPS60160594A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS60160594A JPS60160594A JP59017395A JP1739584A JPS60160594A JP S60160594 A JPS60160594 A JP S60160594A JP 59017395 A JP59017395 A JP 59017395A JP 1739584 A JP1739584 A JP 1739584A JP S60160594 A JPS60160594 A JP S60160594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light emitting
- dielectric layer
- electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
氷見Ｆ３Ｊ１ハ交流電界の印加に応答してＥＬ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄
膜ＥＬ素子に関し、特に素子の電極構造に技術的手段を
駆使することにより動作特性の信頼性を改善したもので
ある。
ｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄
膜ＥＬ素子に関し、特に素子の電極構造に技術的手段を
駆使することにより動作特性の信頼性を改善したもので
ある。
〈従来技術〉
従来一般的に知られている薄膜ＥＬ素子の一例としてＺ
ｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の基本的構造を第１図に示す。
ｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の基本的構造を第１図に示す。
ガラス基板１上にＩ ｎ２０３ 、 Ｓ ｎ ０２等の
透明電極２゛が帯状に多数本平行配列され、さらにその
上に積層してＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３
Ｎ４゜Ｓ ｉＯ２等からなる第１の誘電体層３がスパッ
タあるいは電子ビーム蒸着法等により重畳形成されてい
る。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレット
を電子ビーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発光層
４が形成されている。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電
体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層さ
れ、更にその上には上記透明電極２と直交する方向に多
数本平行配列されたＡノ等から成る背面電極６が蒸着形
成されている。透明電極２と背面電極６はマトリックス
電極を形成するとともに交流電源７に接続され薄膜ＥＬ
素子が駆動される。
透明電極２゛が帯状に多数本平行配列され、さらにその
上に積層してＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３
Ｎ４゜Ｓ ｉＯ２等からなる第１の誘電体層３がスパッ
タあるいは電子ビーム蒸着法等により重畳形成されてい
る。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレット
を電子ビーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発光層
４が形成されている。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電
体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層さ
れ、更にその上には上記透明電極２と直交する方向に多
数本平行配列されたＡノ等から成る背面電極６が蒸着形
成されている。透明電極２と背面電極６はマトリックス
電極を形成するとともに交流電源７に接続され薄膜ＥＬ
素子が駆動される。
電極２，６間に交流電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に上記電圧が誘起されること
になり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界によっ
て伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギーを
得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起され
たＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の発光
を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発光層
４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ原子
の電子を励起し、基底状態に落ちる時。
の両側の誘電体層３，５間に上記電圧が誘起されること
になり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界によっ
て伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギーを
得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起され
たＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の発光
を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発光層
４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ原子
の電子を励起し、基底状態に落ちる時。
略々５８５０にをピークに幅広い波長領域で、強い発光
を呈する。
を呈する。
上記構造を有する薄膜ＥＬ素子は、その製造工程中に微
小ゴミ、異物等の付着が原因となって。
小ゴミ、異物等の付着が原因となって。
薄膜中にピンホールやマイクロクラック等を生じるとい
った問題を内包している。これらの欠陥は薄膜ＥＬ素子
の通電時に発光面にブレークダウンを生じ、その結果微
小破壊点（以下Ｂ、Ｐ、と略称する）か発生する。現在
の薄膜生成技術で、各種の構造欠陥を含まない充分緻密
なＥＬ発光層及び誘電体層を生成することは困難である
ため、Ｂ。
った問題を内包している。これらの欠陥は薄膜ＥＬ素子
の通電時に発光面にブレークダウンを生じ、その結果微
小破壊点（以下Ｂ、Ｐ、と略称する）か発生する。現在
の薄膜生成技術で、各種の構造欠陥を含まない充分緻密
なＥＬ発光層及び誘電体層を生成することは困難である
ため、Ｂ。
Ｐ、の発生は避けられない問題となっている。
Ｂ、Ｐ、は発光面内で非発光点となり、薄膜ＥＬパネル
の表示品位を低下させる原因と々るが通常直径２０〜５
０μｍ程度の大きさであシ発生個数も少ないため、発光
面内の占有率が小さく、実用上表示に際しては問題が少
ない。しかしながら、薄膜ＥＬ素子はその構造上電極を
ストライプ状（帯状）に成形することが多く、この場合
透明電極２の配列に伴なう段差に応じてＥＬ発光層４゜
誘電体層３．５が透明電極２の部分で他部より薄く形成
される。その結果、透明電極２のラインに沿ってＢ、Ｐ
、が集中して発生する傾向が強く現われる。Ｂ、Ｐ、が
透明電極２のエツジ部に多数発生した場合、対向する背
面電極６の断線を招くことがあ勺、１絵素のみでなくｌ
ラインが非発光部となるため薄膜ＥＬ素子は表示機能を
失なう。
の表示品位を低下させる原因と々るが通常直径２０〜５
０μｍ程度の大きさであシ発生個数も少ないため、発光
面内の占有率が小さく、実用上表示に際しては問題が少
ない。しかしながら、薄膜ＥＬ素子はその構造上電極を
ストライプ状（帯状）に成形することが多く、この場合
透明電極２の配列に伴なう段差に応じてＥＬ発光層４゜
誘電体層３．５が透明電極２の部分で他部より薄く形成
される。その結果、透明電極２のラインに沿ってＢ、Ｐ
、が集中して発生する傾向が強く現われる。Ｂ、Ｐ、が
透明電極２のエツジ部に多数発生した場合、対向する背
面電極６の断線を招くことがあ勺、１絵素のみでなくｌ
ラインが非発光部となるため薄膜ＥＬ素子は表示機能を
失なう。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、電極構造を改良すること
によりＢ、Ｐ、の発生を抑制し、素子としての信頼性を
改善した新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
とする。
によりＢ、Ｐ、の発生を抑制し、素子としての信頼性を
改善した新規有用な薄膜ＥＬ素子を提供することを目的
とする。
〈実施例〉
第２図は１本発明−実施例を示す薄膜ＥＬ素子の要部断
面構成図であり、第１図と同等部には同一符号を付して
いる。また第３図は第２図を上方から見た場合の平面図
である。この薄膜ＥＬ素子は第１図と同様に透明電極２
及び背面電極６が帯状に形成され互いに直交する如く複
数本配列されたマトリックス表示用電極構造を有してい
る。また透明電極２と背面電極６が平面図的に見て交差
した領域が表示に際しての１絵素に相当する。透明電極
２はガラス基板１上に平行配列され、この上に第１図同
様第１の誘電体層３、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、
更にＺｎＳ発光層４の上には第２の誘電体層５が積層さ
れている。第２の誘電体層５上には透明電極２と直交す
る方向に幅の狭いスペーサ層８が平行配列され、更にこ
のスペーサ層８を包むようにこれより幅の広い帯状成形
された背面電極６か重畳して平行配列されている。
面構成図であり、第１図と同等部には同一符号を付して
いる。また第３図は第２図を上方から見た場合の平面図
である。この薄膜ＥＬ素子は第１図と同様に透明電極２
及び背面電極６が帯状に形成され互いに直交する如く複
数本配列されたマトリックス表示用電極構造を有してい
る。また透明電極２と背面電極６が平面図的に見て交差
した領域が表示に際しての１絵素に相当する。透明電極
２はガラス基板１上に平行配列され、この上に第１図同
様第１の誘電体層３、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、
更にＺｎＳ発光層４の上には第２の誘電体層５が積層さ
れている。第２の誘電体層５上には透明電極２と直交す
る方向に幅の狭いスペーサ層８が平行配列され、更にこ
のスペーサ層８を包むようにこれより幅の広い帯状成形
された背面電極６か重畳して平行配列されている。
透明電極２と背面電極６は駆動電源に接続され。
薄膜ＥＬ素子が駆動される。
背面電極６と第２の誘電体層５の間に介設したスペーサ
層８は例えば各種誘電体材料またはレジスト材料等から
なる。本実施例では層厚５０００Ａ”程度に成膜したＳ
ｓ ０２膜を使用している。このように第２の誘電体
層５と背面電極６の間にＳ ｉＯ２等から成る幅の狭い
スペーサ層８を背面電極６のエツジに沿って設けること
により、電極間に交流電圧を印加した際、第３図のスペ
ーサ層８に対応する絵素領域ｂ−ｒはほぼ全電圧がスペ
ーサ層８に印加され、ＺｎＳ発光層４に印加される電圧
が低下するため非発光領域となりＢ、Ｐ、の発生はなく
断線は生じない。このため第３図のスペーサ層８が介在
しない絵素領域３の発光絵素において、透明電極のエツ
ジに沿ってＢ、Ｐ、が多数発生しても背面電極６が断線
するといった問題は解消され、高品位でかつ高信頼性の
薄膜ＥＬ表示素子が得られる。尚、上記実施例では第２
の誘電体層５と背面電極６の間にスペーサ層８を設けた
場合について説明したが、スペーサ層８はこれ以外にＥ
Ｌ発光層４と第１誘電体層３若しくは第２誘電体層５の
間、透明電極２と第１誘電体層３の間等に介設してもよ
い。また、薄膜ＥＬ素子を構成している第１誘電体層３
あるいは第２誘電体層５の膜厚を部分的に厚くしてスペ
ーサ層とすることも可能である。電極構造としてはマト
リックス電極以外にセグメント電極その他を適用するこ
とができる。
層８は例えば各種誘電体材料またはレジスト材料等から
なる。本実施例では層厚５０００Ａ”程度に成膜したＳ
ｓ ０２膜を使用している。このように第２の誘電体
層５と背面電極６の間にＳ ｉＯ２等から成る幅の狭い
スペーサ層８を背面電極６のエツジに沿って設けること
により、電極間に交流電圧を印加した際、第３図のスペ
ーサ層８に対応する絵素領域ｂ−ｒはほぼ全電圧がスペ
ーサ層８に印加され、ＺｎＳ発光層４に印加される電圧
が低下するため非発光領域となりＢ、Ｐ、の発生はなく
断線は生じない。このため第３図のスペーサ層８が介在
しない絵素領域３の発光絵素において、透明電極のエツ
ジに沿ってＢ、Ｐ、が多数発生しても背面電極６が断線
するといった問題は解消され、高品位でかつ高信頼性の
薄膜ＥＬ表示素子が得られる。尚、上記実施例では第２
の誘電体層５と背面電極６の間にスペーサ層８を設けた
場合について説明したが、スペーサ層８はこれ以外にＥ
Ｌ発光層４と第１誘電体層３若しくは第２誘電体層５の
間、透明電極２と第１誘電体層３の間等に介設してもよ
い。また、薄膜ＥＬ素子を構成している第１誘電体層３
あるいは第２誘電体層５の膜厚を部分的に厚くしてスペ
ーサ層とすることも可能である。電極構造としてはマト
リックス電極以外にセグメント電極その他を適用するこ
とができる。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によれば薄膜ＥＬ素子の電極
断線による表示機能劣化を防止でき薄膜ＥＬ表示パネル
としての信頼性向上に非常に有効な素子構造が確立され
る。
断線による表示機能劣化を防止でき薄膜ＥＬ表示パネル
としての信頼性向上に非常に有効な素子構造が確立され
る。
第１図は薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図である
。第２図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ素子の要部
断面構成図である。第３図は第２図を上方より見た電極
部分構成を示す平面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・
第１の誘電体層、 ４・・・ＺｎＳ発光層、 ５・・・
第２の代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１
図 第２ｒ７Ｉ 第３図
。第２図は本発明の一実施例を示す薄膜ＥＬ素子の要部
断面構成図である。第３図は第２図を上方より見た電極
部分構成を示す平面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・
第１の誘電体層、 ４・・・ＺｎＳ発光層、 ５・・・
第２の代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１
図 第２ｒ７Ｉ 第３図
Claims (1)
- １、電圧の印加に応答してＥＬ光発光呈する薄膜発光層
を１対の帯状電極間に介設して成る薄膜ＥＬ素子に於い
て、少なくとも一方の帯状電極の一部にスペーサ層を介
在させ、該スペーサ層で前記帯状電極領域に非発光領域
を形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017395A JPS60160594A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59017395A JPS60160594A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160594A true JPS60160594A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11942807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017395A Pending JPS60160594A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160594A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412499A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Kenwood Corp | Thin film el display element structure |
| JPH04196395A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Hitachi Ltd | 冷却装置を備えた電子計算機 |
| JPH05151657A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Teac Corp | カセツト型磁気テ−プ装置 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59017395A patent/JPS60160594A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412499A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Kenwood Corp | Thin film el display element structure |
| JPH04196395A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Hitachi Ltd | 冷却装置を備えた電子計算機 |
| JPH05151657A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Teac Corp | カセツト型磁気テ−プ装置 |
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