JPS61245488A - 薄膜elデイスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜elデイスプレイパネルの製造方法Info
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- JPS61245488A JPS61245488A JP60087302A JP8730285A JPS61245488A JP S61245488 A JPS61245488 A JP S61245488A JP 60087302 A JP60087302 A JP 60087302A JP 8730285 A JP8730285 A JP 8730285A JP S61245488 A JPS61245488 A JP S61245488A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は薄膜ILLパネルの製造方法に関し、特ニマ
トリックス型薄膜KLパネルのEL層を形成す・る場合
に利用されるものである。
トリックス型薄膜KLパネルのEL層を形成す・る場合
に利用されるものである。
従来の技術
従来、交流動作の薄膜KL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(10’V/crn程度)を印加し、絶縁
耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0
.1〜1. Oωt%のMn(あるいはCu%At、B
r等)をドープしたZnS、Zn5s等の発光層をY、
03、T12,0.等の誘電体薄膜でサントイ・フチし
た三層構造znS:Mn(又はZn5e:Mn)KL素
子が開発され、発光緒特性の向上が確かめられている。
的に高い電界(10’V/crn程度)を印加し、絶縁
耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0
.1〜1. Oωt%のMn(あるいはCu%At、B
r等)をドープしたZnS、Zn5s等の発光層をY、
03、T12,0.等の誘電体薄膜でサントイ・フチし
た三層構造znS:Mn(又はZn5e:Mn)KL素
子が開発され、発光緒特性の向上が確かめられている。
この薄膜EL素子は数KHzの交流電界印加によって高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。
薄膜KL素子・を用いたディヌデレイパネルの1例の基
本的構造を第2図に示す。なお、第2図の左半分は透明
電[2に平行なX方向の断面図を示し。右半分は透明電
極2に直交するY方向の断面図を示す。
本的構造を第2図に示す。なお、第2図の左半分は透明
電[2に平行なX方向の断面図を示し。右半分は透明電
極2に直交するY方向の断面図を示す。
第2図に基いて薄膜11mLディスプレイパネルの構造
を具体的に説明すると、硬質かつ透明の前面ガラヌ基板
1上に、X方向に所定ピ・フチでIn、O。
を具体的に説明すると、硬質かつ透明の前面ガラヌ基板
1上に、X方向に所定ピ・フチでIn、O。
SnO,等のストライプ状の透明電極2を形成し、その
上に85層3が形成されている。この85層3は、前記
透明電極2の上に積層してys o、 、”t○1、A
l1 O,、Bi、a Na、Sin、等からなる第1
の誘電体層4がスバ、ツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により形成されている。第1の誘電体層4上にはZnS
:Mn焼結ベレ、ソトを電子ビーム蒸着することにより
得られるZnS発光層5が形成されている。この時蒸着
用のZn S : Mn焼結ベレ、ソトには活性物質と
なるMnが目的に応じた濃度に設定されたベレットが使
用される。ZnS発光層5上には第1の誘電体層4と同
様または異質の材質から成る第2の誘電体層6が積層さ
れ、更にその上にAt等から成るストライプ状の背面電
4M7が、Y方向に所定ピ、ソチで平行状に蒸着形成さ
れている。透明電極2と背面電極7は互いに直交する如
く複数本配列されたマトリックス電極構造が採用されて
おり、透明電極2と背面電極7が平面図的に見て交叉し
た位置がパネルの1画素に相当する。8は前記透明電極
2および背面電極7に重畳して形成された端子部で、例
えばTi層、 A4層およびNi層を順次積層して蒸着
することにより形成されている(特開昭59−1824
28号)。前記EL層8を収納する如く、皿状のカバー
ガラス9がガラス基板1上に重畳され、その内部間隙に
85層3が内蔵される。ガラス基板1とカバーガラス9
の接合部はエポキシ樹脂、光硬化性樹脂(フォトボンド
)等の接着剤で密閉されている。即ち、ガラス基板1と
カバーガラス9はKL層3に対する外囲器を構成する。
上に85層3が形成されている。この85層3は、前記
透明電極2の上に積層してys o、 、”t○1、A
l1 O,、Bi、a Na、Sin、等からなる第1
の誘電体層4がスバ、ツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により形成されている。第1の誘電体層4上にはZnS
:Mn焼結ベレ、ソトを電子ビーム蒸着することにより
得られるZnS発光層5が形成されている。この時蒸着
用のZn S : Mn焼結ベレ、ソトには活性物質と
なるMnが目的に応じた濃度に設定されたベレットが使
用される。ZnS発光層5上には第1の誘電体層4と同
様または異質の材質から成る第2の誘電体層6が積層さ
れ、更にその上にAt等から成るストライプ状の背面電
4M7が、Y方向に所定ピ、ソチで平行状に蒸着形成さ
れている。透明電極2と背面電極7は互いに直交する如
く複数本配列されたマトリックス電極構造が採用されて
おり、透明電極2と背面電極7が平面図的に見て交叉し
た位置がパネルの1画素に相当する。8は前記透明電極
2および背面電極7に重畳して形成された端子部で、例
えばTi層、 A4層およびNi層を順次積層して蒸着
することにより形成されている(特開昭59−1824
28号)。前記EL層8を収納する如く、皿状のカバー
ガラス9がガラス基板1上に重畳され、その内部間隙に
85層3が内蔵される。ガラス基板1とカバーガラス9
の接合部はエポキシ樹脂、光硬化性樹脂(フォトボンド
)等の接着剤で密閉されている。即ち、ガラス基板1と
カバーガラス9はKL層3に対する外囲器を構成する。
そしてこの外囲器内には、注入孔10からシリコンオイ
ル、真空グリース等の85層3の保護用の絶縁性保護流
体11が充填封入されて、前記注入孔lOはガラス蓋板
12等で閉止されている(特開昭52−127790号
公報)。
ル、真空グリース等の85層3の保護用の絶縁性保護流
体11が充填封入されて、前記注入孔lOはガラス蓋板
12等で閉止されている(特開昭52−127790号
公報)。
前記透明電極2および背面電極7の端子部8には、それ
ぞれフレキシブルリード(図示せず)の端子部が半田付
けされ、このフレキシブルリードはそれぞれスイッチを
介して、駆動電源に接続される。
ぞれフレキシブルリード(図示せず)の端子部が半田付
けされ、このフレキシブルリードはそれぞれスイッチを
介して、駆動電源に接続される。
上記の構成において、スイッチを閉じて選択された透明
電極2および背面電極7間に駆動電圧を印加すると、発
光層50両側の誘電体層2.6間に上記AC電圧が誘起
されることになり、従って発光層5内に発生した電界に
よって伝導体に励起され、かつ加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励
起されたMn発光センターが基底状態に戻る際に橙黄色
の発光を行う。即ち、高電界で加速された電子が発光層
4中の発光センターであるZnサイトに入ったMn原子
の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々5850A
をピークに幅広い波長領域で強い発光を呈する。
電極2および背面電極7間に駆動電圧を印加すると、発
光層50両側の誘電体層2.6間に上記AC電圧が誘起
されることになり、従って発光層5内に発生した電界に
よって伝導体に励起され、かつ加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Mn発光センターを励起し、励
起されたMn発光センターが基底状態に戻る際に橙黄色
の発光を行う。即ち、高電界で加速された電子が発光層
4中の発光センターであるZnサイトに入ったMn原子
の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々5850A
をピークに幅広い波長領域で強い発光を呈する。
上記の如き構造を有する薄膜ELディスプレイパネルは
、スペースファクタの利点を生かした平面薄型ディヌプ
レイデバイスとして、文字及び図形を含むコンピュータ
ーの出力表示端末機器その他種々の表示装置に文字、記
号、静止画像、動画像等の表示手段として利用すること
ができ非常に有効なものである。
、スペースファクタの利点を生かした平面薄型ディヌプ
レイデバイスとして、文字及び図形を含むコンピュータ
ーの出力表示端末機器その他種々の表示装置に文字、記
号、静止画像、動画像等の表示手段として利用すること
ができ非常に有効なものである。
絶縁性保護流体11は、:EL層8の誘電体層に、製造
工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロクラッ
ク等を含み、これらの欠陥を通して発光層4に湿気等が
侵入するため、KL発光損失による発熱、層間剥離、素
子特性の劣化等を招来するのを防止するとともに、ピン
ホール等によって通電時に生じるブレークダウンのため
起こる微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気
環境下で湿気保護、放熱効果に役立ち、さらにカバーガ
ラス9は、振動、たわみに対しても有効となる。
工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロクラッ
ク等を含み、これらの欠陥を通して発光層4に湿気等が
侵入するため、KL発光損失による発熱、層間剥離、素
子特性の劣化等を招来するのを防止するとともに、ピン
ホール等によって通電時に生じるブレークダウンのため
起こる微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気
環境下で湿気保護、放熱効果に役立ち、さらにカバーガ
ラス9は、振動、たわみに対しても有効となる。
発明が解決しようとする問題点
ところで、上記の薄膜KLディスプレイパネルを製造す
る場合、従来第8図に示すように、透明電極2を形成後
、端子部8を形成し、透明電極2上に1uL層8を形成
し、全体を加熱することにより製造していた。
る場合、従来第8図に示すように、透明電極2を形成後
、端子部8を形成し、透明電極2上に1uL層8を形成
し、全体を加熱することにより製造していた。
しかしながら、上記の従来方法によれば、端子部8を形
成後のガラス基板1への密着強度が小さく、II、層8
の形成前のマスクの目合せ時等に端子部8が剥離しやす
いし、また、ガラス基板1や透明電極2上にゴミ等の異
物が付着した状態でE5層3を形成すると、ピンホール
が形成されやすく、放電が発生し、背面電極7の断線等
も生じやすかった。一方、EL層3の形成前にガラス基
板1を洗浄すると、端子部8が剥離するという問題点が
あった。
成後のガラス基板1への密着強度が小さく、II、層8
の形成前のマスクの目合せ時等に端子部8が剥離しやす
いし、また、ガラス基板1や透明電極2上にゴミ等の異
物が付着した状態でE5層3を形成すると、ピンホール
が形成されやすく、放電が発生し、背面電極7の断線等
も生じやすかった。一方、EL層3の形成前にガラス基
板1を洗浄すると、端子部8が剥離するという問題点が
あった。
そのため、この発明は上記の問題点にかんがみ、端子部
の剥離がなく、EL層にピンホールのない薄膜ディスプ
レイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
の剥離がなく、EL層にピンホールのない薄膜ディスプ
レイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するだめの手段
そこで、この発明は、絶縁基板に透明電極を形成する工
程と、絶縁基板を加熱しながら前記透明電極の端部上お
よび前記透明電極と直交する方向に複数の端子部を形成
する工程と、前記絶縁基板を洗浄する工程と、前記透明
電極上にEL層を形成する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
程と、絶縁基板を加熱しながら前記透明電極の端部上お
よび前記透明電極と直交する方向に複数の端子部を形成
する工程と、前記絶縁基板を洗浄する工程と、前記透明
電極上にEL層を形成する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
作用
上記の手段によれば、端子部の絶縁基板に対する密着強
度が増大し、後の加熱工程が不要になるばかりでなく、
洗浄しても端子部が剥落しないので、絶縁基板を積浄な
状態にしてFliL層を形成することが可能になり、ピ
ンホールの少ないEL層が形成でき、放電による背面電
極の断線もなくなる。
度が増大し、後の加熱工程が不要になるばかりでなく、
洗浄しても端子部が剥落しないので、絶縁基板を積浄な
状態にしてFliL層を形成することが可能になり、ピ
ンホールの少ないEL層が形成でき、放電による背面電
極の断線もなくなる。
実施例
以下、この発明の一実施例について、図面を参照して説
明する。
明する。
第1図はこの発明の製造方法の工程プロ・ツク図である
。まず、ガラス基板1の上面全面に工、 T、 o。
。まず、ガラス基板1の上面全面に工、 T、 o。
等よりなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜に周知
のフォトエ・フチングを行なって、幅0,23■ピッチ
0.46mのストライプ状でかつ平行状の多数の透明電
極2を形成する。
のフォトエ・フチングを行なって、幅0,23■ピッチ
0.46mのストライプ状でかつ平行状の多数の透明電
極2を形成する。
次に、ガラス基板1に所定パターンの開口部を有するマ
スクを重ね合せて、ガラス基板1を200〜400℃に
加熱しながら、T i、層を厚さ500人程度に、At
層を厚さIGOOA程度に、Ni層を厚さ100OA程
度に順次積層して端子部8を形成する。
スクを重ね合せて、ガラス基板1を200〜400℃に
加熱しながら、T i、層を厚さ500人程度に、At
層を厚さIGOOA程度に、Ni層を厚さ100OA程
度に順次積層して端子部8を形成する。
こののち、上記端子部8を形成したガラス基板1全体を
、水洗して表面を清浄化し、乾燥する。
、水洗して表面を清浄化し、乾燥する。
次に、ガラス基板1にマスクを重ねて、EL層3、すな
わち第1の誘電体層49発光層5.第2の誘電体層6を
順次積層して形成し、さらに第2の誘電体層6の上に、
前記透明電極2と直交する方向の幅0.28 mでピ、
ソチ0.46mのストライプ状の多数の背面電極7を、
その一端が前記端子部8に重畳するように形成する。
わち第1の誘電体層49発光層5.第2の誘電体層6を
順次積層して形成し、さらに第2の誘電体層6の上に、
前記透明電極2と直交する方向の幅0.28 mでピ、
ソチ0.46mのストライプ状の多数の背面電極7を、
その一端が前記端子部8に重畳するように形成する。
以下、従来と同様の方法で、第2図と同様の薄[Lディ
スプレイパネルを製作した。
スプレイパネルを製作した。
上記の薄膜KLディヌデレイパネルにおいては、EL層
3のピンホーpがなく、放電による背面電:;極7の断
線が生じなかった。
3のピンホーpがなく、放電による背面電:;極7の断
線が生じなかった。
発明の効果
この発明によれば、絶縁基板を加熱しながら端子部を形
成するので、端子部の形成後加熱工程を設けなくても、
絶縁基板に対する端子部の密着強度が大きくなシ、製造
工程が短縮でき、しかも洗浄しても端子部が剥落しない
ので、絶縁基板を清浄な状態でEL層を形成することが
でき、ビンホーμのないEL層を形成することができる
。
成するので、端子部の形成後加熱工程を設けなくても、
絶縁基板に対する端子部の密着強度が大きくなシ、製造
工程が短縮でき、しかも洗浄しても端子部が剥落しない
ので、絶縁基板を清浄な状態でEL層を形成することが
でき、ビンホーμのないEL層を形成することができる
。
第1図はこの発明の一実施例の薄膜ELディスプレイパ
ネルの製造方法について説明するだめの工程ブロウク図
である。 第2図は薄膜VLディスプレイパネルの断面図である。 第3図は従来の薄膜11CLデイスプレイパネルの製造
方法について説明するための工程プロ、ツク図である。 1・・・・・・・・・絶縁基板(ガラス基板)、2・・
・・・・・・・透明電極、 3・・・・・・・・・EL層、 4・・・・・・・・・第1の誘電体層、5・・・・・・
・・・発光層、 6・・・・・・・・・第2の誘電体層、7・・・・・・
・・・背面電極、
ネルの製造方法について説明するだめの工程ブロウク図
である。 第2図は薄膜VLディスプレイパネルの断面図である。 第3図は従来の薄膜11CLデイスプレイパネルの製造
方法について説明するための工程プロ、ツク図である。 1・・・・・・・・・絶縁基板(ガラス基板)、2・・
・・・・・・・透明電極、 3・・・・・・・・・EL層、 4・・・・・・・・・第1の誘電体層、5・・・・・・
・・・発光層、 6・・・・・・・・・第2の誘電体層、7・・・・・・
・・・背面電極、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a) 絶縁基板に透明電極を形成する工程と、 (b) 絶縁基板を加熱しながら、前記透明電極の端
部上および前記透明電極と直交する方向に複数の端子部
を形成する工程と、 (c) 前記絶縁基板を洗浄する工程と、 (d) 前記透明電極上にEL層を形成する工程とを
含むことを特徴とする薄膜ELディスプレイパネルの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087302A JPS61245488A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜elデイスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60087302A JPS61245488A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜elデイスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61245488A true JPS61245488A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13911028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60087302A Pending JPS61245488A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜elデイスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61245488A (ja) |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60087302A patent/JPS61245488A/ja active Pending
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