JPH01130497A - 薄膜エレクトロルミネセンスパネル - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンスパネルInfo
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- JPH01130497A JPH01130497A JP62288677A JP28867787A JPH01130497A JP H01130497 A JPH01130497 A JP H01130497A JP 62288677 A JP62288677 A JP 62288677A JP 28867787 A JP28867787 A JP 28867787A JP H01130497 A JPH01130497 A JP H01130497A
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- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、画素欠陥が無く歩留りの高いマトリクス表示
薄膜エレクトロルミネセンスパネル（以下、薄膜Ｅしパ
ネルと記述する）に関Ｊるものである。
薄膜エレクトロルミネセンスパネル（以下、薄膜Ｅしパ
ネルと記述する）に関Ｊるものである。
〔従来技術・発明が解決しようとする問題点〕Ｉ−Ｖｌ
族化合物半導体、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体とし
、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ）、あるい
は希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし、この両
側に酸化物、あるいは窒化物等の絶縁層（誘電体層）
ａ１膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄膜構造体を
、その一方が透明な一対の対向′１１ｆ極で挾持した薄
膜ＥＬ素子は周知であり、対向電極間に交流重重を印加
することによって高輝度に発光し、しかも長寿命である
ことが知られている。
族化合物半導体、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体とし
、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ）、あるい
は希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし、この両
側に酸化物、あるいは窒化物等の絶縁層（誘電体層）
ａ１膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄膜構造体を
、その一方が透明な一対の対向′１１ｆ極で挾持した薄
膜ＥＬ素子は周知であり、対向電極間に交流重重を印加
することによって高輝度に発光し、しかも長寿命である
ことが知られている。
第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面構造図を示すもので
あり、図において１はガラス基板、２はＩｎ２Ｏ３：Ｓ
ｎ等からなる透明電極膜、３は１’ａｚＯｓ、Ｓｍ２Ｏ
３，ＹｚＯ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｓｉ３ Ｎ４ 、Ｓ ｉＯ
ｚ等の内の１種類、或は２種類以上の膜からなる第１絶
縁層膜、４はＭｎ或は希土類化合物を添加したＺｎＳあ
るいはＳｒＳ等のＩ−Ｖｌ族化合物半導体発光層膜、５
は３と同様な第２絶縁層膜、６はＡｌ等よりなる背面金
属電極膜である。
あり、図において１はガラス基板、２はＩｎ２Ｏ３：Ｓ
ｎ等からなる透明電極膜、３は１’ａｚＯｓ、Ｓｍ２Ｏ
３，ＹｚＯ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｓｉ３ Ｎ４ 、Ｓ ｉＯ
ｚ等の内の１種類、或は２種類以上の膜からなる第１絶
縁層膜、４はＭｎ或は希土類化合物を添加したＺｎＳあ
るいはＳｒＳ等のＩ−Ｖｌ族化合物半導体発光層膜、５
は３と同様な第２絶縁層膜、６はＡｌ等よりなる背面金
属電極膜である。
このような構造の薄膜ＥＬ素子に交流電圧を印加した時
、発光層内部の電界強度が約１０６ｖ／ｃｍ程度になる
と、絶縁層と発光層の界面等から生成され電界で加速さ
れた゛電子が発光中心物質を衝突励起することによって
、ＥＬ発光が得られる。
、発光層内部の電界強度が約１０６ｖ／ｃｍ程度になる
と、絶縁層と発光層の界面等から生成され電界で加速さ
れた゛電子が発光中心物質を衝突励起することによって
、ＥＬ発光が得られる。
ここで、透明電極膜を複数本のストライプ状に加工しこ
れと直交する方向に背面電極膜を複数本にストライプ状
に加工した構造とし、電圧を印加する電極を選択づるこ
とにより任なの画素を発光せしめるマトリクス表示薄膜
ＥＬパネルを作製することができる。このような薄膜Ｅ
Ｌパネルでは、通常ストライプ状の電極線のどちらか一
方の端部より電圧を供給するため、電極線上にある複数
の画素の内の何れかの画素で破壊が生じその画素上で背
面１’［ｆ極膜が断線した場合、給電側から見て破壊画
素より先の画素には給電することが不可能になる。その
ため、マトリクス表示した場合に破壊画素だけの点欠陥
にならず線状の欠陥になってしまい、表示品質を著しく
悪化させてしまう。
れと直交する方向に背面電極膜を複数本にストライプ状
に加工した構造とし、電圧を印加する電極を選択づるこ
とにより任なの画素を発光せしめるマトリクス表示薄膜
ＥＬパネルを作製することができる。このような薄膜Ｅ
Ｌパネルでは、通常ストライプ状の電極線のどちらか一
方の端部より電圧を供給するため、電極線上にある複数
の画素の内の何れかの画素で破壊が生じその画素上で背
面１’［ｆ極膜が断線した場合、給電側から見て破壊画
素より先の画素には給電することが不可能になる。その
ため、マトリクス表示した場合に破壊画素だけの点欠陥
にならず線状の欠陥になってしまい、表示品質を著しく
悪化させてしまう。
従来、このような画素破壊による給電線の断線に対する
防止策としては、給電線と平行に絶縁体などからなる膜
厚の厚い領域を作りその上にまで給電線の幅を広げたり
、或は画素上に絶縁体などからなる膜厚の厚い部分を格
子状に作る（特開昭６２−１１９８９５）など、基本的
にｔよ非発光領域に給電線のバイパスを確保するという
思想に基づくもののみであった。しかしながら、これら
の方法は、絶縁体の膜厚に段差をつけるための積層、或
は加工工程が必要なためプロセスが複雑になることや、
非発光領域に給１１線を確保しなければならないためそ
の分だけ発光領域の開口率が低下するという問題点があ
った。
防止策としては、給電線と平行に絶縁体などからなる膜
厚の厚い領域を作りその上にまで給電線の幅を広げたり
、或は画素上に絶縁体などからなる膜厚の厚い部分を格
子状に作る（特開昭６２−１１９８９５）など、基本的
にｔよ非発光領域に給電線のバイパスを確保するという
思想に基づくもののみであった。しかしながら、これら
の方法は、絶縁体の膜厚に段差をつけるための積層、或
は加工工程が必要なためプロセスが複雑になることや、
非発光領域に給１１線を確保しなければならないためそ
の分だけ発光領域の開口率が低下するという問題点があ
った。
本発明はこの欠点を解決するために発明されたもので、
作製プロセスが筒車で、発光領域の間口率の低下を来た
すことがなく、かつ画素欠陥のない薄膜エレクトロルミ
ネ廿ンスパネルを提供することを目的とするものである
。
作製プロセスが筒車で、発光領域の間口率の低下を来た
すことがなく、かつ画素欠陥のない薄膜エレクトロルミ
ネ廿ンスパネルを提供することを目的とするものである
。
本発明は、薄膜構造体をストライプ状に加工した複数本
の透明電極線群からなる透明電極膜と上記透明電極線群
と直交する方向にストライプ状に加工した複数本の背面
電極線群からなる背面電極膜で挾持し、電圧を当該電極
膜間に印加して発光せしめるマトリクス表示薄膜エレク
ト１コルミネセンスパネルにおいて、発光する画素部分
でストライプ状に加工した各背面電極線が更に細い複数
本の線状に加工されており、少なくともストライプの給
電側と反対の端部においてこの細い複数本の線が短絡さ
れていることを特徴とするものである。
の透明電極線群からなる透明電極膜と上記透明電極線群
と直交する方向にストライプ状に加工した複数本の背面
電極線群からなる背面電極膜で挾持し、電圧を当該電極
膜間に印加して発光せしめるマトリクス表示薄膜エレク
ト１コルミネセンスパネルにおいて、発光する画素部分
でストライプ状に加工した各背面電極線が更に細い複数
本の線状に加工されており、少なくともストライプの給
電側と反対の端部においてこの細い複数本の線が短絡さ
れていることを特徴とするものである。
次に本発明の実施例を添付図面に従って説明する。なお
、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱し
ない範囲で、種々の変更或は改良を行いうろことは言う
までもない。
、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱し
ない範囲で、種々の変更或は改良を行いうろことは言う
までもない。
（実施例１）
第１図は本発明の薄膜Ｅしパネルの構成図の一例を示す
ものであって、図において７はガラス基板、８はストラ
イプ状に形成された複数本の透明電極線８ａ、８ａ・・
・からなる透明電Ｉ４ｉ膜、９は絶縁層膜、１０は発光
層膜、１１は絶縁層膜、１２はストライプ状に形成され
た複数本の背面電極線１２ａ、１２ａ・・・からなる背
面金属電極膜（背面電極膜）である。また、１５は絶縁
層膜９、発光層Ｉｉ！Ｊ１０、絶縁層膜１１で構成され
る薄膜構造体である。
ものであって、図において７はガラス基板、８はストラ
イプ状に形成された複数本の透明電極線８ａ、８ａ・・
・からなる透明電Ｉ４ｉ膜、９は絶縁層膜、１０は発光
層膜、１１は絶縁層膜、１２はストライプ状に形成され
た複数本の背面電極線１２ａ、１２ａ・・・からなる背
面金属電極膜（背面電極膜）である。また、１５は絶縁
層膜９、発光層Ｉｉ！Ｊ１０、絶縁層膜１１で構成され
る薄膜構造体である。
第１図の薄膜ＥＬパネルを作製するにあたり、ガラス基
板７としてホ！製のＮＡ４０を用いた。
板７としてホ！製のＮＡ４０を用いた。
このガラス基板上にＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ透明電極膜８を２
００ｎｍ、スパッタ法で形成し、ストライプ状に加工し
た。次に、絶縁層１１９９としてＴａ２０５を高周波マ
グネトロン・スパッタ法により ３００ｎｍ。
００ｎｍ、スパッタ法で形成し、ストライプ状に加工し
た。次に、絶縁層１１９９としてＴａ２０５を高周波マ
グネトロン・スパッタ法により ３００ｎｍ。
発光層膜１０としてＺｎＳ ：Ｍｎ＠電子ビーム蒸着法
により５００ｎｍ、絶縁層膜１１として９と同様に１’
ａｚＯｓを３００ｎｍ、順次、積層形成した。そして、
最後に背面金属電極膜１２としてＡｌを電子ビーム蒸着
法により １１００ｎ形成した後第１図のパターンに加
工して１ＷＷＡＥＬパネル（パネルＡ）を作製した。こ
こで、各背面電極線１２ａは細い２本の線状に加工され
ており、この細い２本の線は給電側の端部Ｓと反対の端
部において短絡されている。また、比較のために上記構
成の内背面金属′１１ｉ極膜を第２図に示づような従来
構造のパネル（パネルＢ）も同時に作製した。第３図に
おいて、１３は複数本の背面電極線１３．１３・・・か
らなる背面金属電極膜である。ここで、パネル△、Ｂの
電極線幅は２１０μ乳で、パネルＡでは幅９０μｍの細
線２本が３０μｍのギャップで並んだ構成とした。パネ
ルＡ、Ｂの作製工程は全く同様であり、背面電極のパタ
ーン加工工程ｒｒ４なるフォト・マスクを使用するに過
ぎない。
により５００ｎｍ、絶縁層膜１１として９と同様に１’
ａｚＯｓを３００ｎｍ、順次、積層形成した。そして、
最後に背面金属電極膜１２としてＡｌを電子ビーム蒸着
法により １１００ｎ形成した後第１図のパターンに加
工して１ＷＷＡＥＬパネル（パネルＡ）を作製した。こ
こで、各背面電極線１２ａは細い２本の線状に加工され
ており、この細い２本の線は給電側の端部Ｓと反対の端
部において短絡されている。また、比較のために上記構
成の内背面金属′１１ｉ極膜を第２図に示づような従来
構造のパネル（パネルＢ）も同時に作製した。第３図に
おいて、１３は複数本の背面電極線１３．１３・・・か
らなる背面金属電極膜である。ここで、パネル△、Ｂの
電極線幅は２１０μ乳で、パネルＡでは幅９０μｍの細
線２本が３０μｍのギャップで並んだ構成とした。パネ
ルＡ、Ｂの作製工程は全く同様であり、背面電極のパタ
ーン加工工程ｒｒ４なるフォト・マスクを使用するに過
ぎない。
表１に、ＩＴＯ，Δノ両電極としそれぞれストライプの
片側Ｓからのみ給電し、全画素を伝導電荷密度が約１μ
Ｃ／ ｃｉの電圧で数１０時間駆動した後の両パネルの
線状欠陥数を比較して示す。
片側Ｓからのみ給電し、全画素を伝導電荷密度が約１μ
Ｃ／ ｃｉの電圧で数１０時間駆動した後の両パネルの
線状欠陥数を比較して示す。
表１０両パネルの、線状欠陥数
表の結果からもわかるように、背面電掩が従来構造のパ
ネルＢでは１つの画素破壊が線状の表示欠陥になるのに
対して、新構造のパネルＡでは１７２画素の破壊になる
にすぎない。ここでは、各画素が単に２つの小画素から
なる構造としだだｔプであり、小画素が２つとも破壊し
てしまえば勿論線状の表示欠陥ができてしまう。しかし
ながら、元々画素破壊が生じる確率は１％以下であり、
１本の給電線を２本に分けた場合にその２本ともが断線
するような画素破壊を起こす確率は微々たるものである
。従つχ、本実施例に示したように各給電線を２本に分
離しただけで線状の表示欠陥を救済する確率は格段に向
上するわけである。本実施例では、各ストライプ電極を
２本の細線より構成するパターンとしたが、更に細い複
数線からなるパターンに加工すれば線状欠陥の救済確率
が更に向上するものと思われる。
ネルＢでは１つの画素破壊が線状の表示欠陥になるのに
対して、新構造のパネルＡでは１７２画素の破壊になる
にすぎない。ここでは、各画素が単に２つの小画素から
なる構造としだだｔプであり、小画素が２つとも破壊し
てしまえば勿論線状の表示欠陥ができてしまう。しかし
ながら、元々画素破壊が生じる確率は１％以下であり、
１本の給電線を２本に分けた場合にその２本ともが断線
するような画素破壊を起こす確率は微々たるものである
。従つχ、本実施例に示したように各給電線を２本に分
離しただけで線状の表示欠陥を救済する確率は格段に向
上するわけである。本実施例では、各ストライプ電極を
２本の細線より構成するパターンとしたが、更に細い複
数線からなるパターンに加工すれば線状欠陥の救済確率
が更に向上するものと思われる。
また、第３図に示すように、背面金属電極Ｉｔ！Ｊ１４
を構成する各電極線１４ａを画素上で複数本に分けた上
に、画素と画素との間の部分で短絡させた梯子状の電極
構造とすれば、電極加工時の位置合わせ精度が若干要求
されるものの線状欠陥の発生率を殆ど０％に近付ける事
が可能である。
を構成する各電極線１４ａを画素上で複数本に分けた上
に、画素と画素との間の部分で短絡させた梯子状の電極
構造とすれば、電極加工時の位置合わせ精度が若干要求
されるものの線状欠陥の発生率を殆ど０％に近付ける事
が可能である。
本発明、及びその効果は上記実施例中に記述した材料に
なんら限定されるものではなく、例えばガラス幕板とし
ては、コーニング７０５９を用いても同様の効果が得ら
れるし、背面金属電極膜としてＭｏ／Ａｌ積層膜を用い
ても同様である。その伯、発光層膜としては丁す、３ｍ
、 Ｃｅ等の希土類化合物を添加したｚｎｓ、ＳｒＳ、
ＣａＳ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体簿喚、第１図の絶
縁層膜９．１１に用いる絶縁層膜としては５ｒ−ｒ！０
３゜Ｂａ’ｒ ｉ ０３ 、ＰｂＴ ｉ ０３ 、Ｂａ
Ｔａ２０Ｇ 。
なんら限定されるものではなく、例えばガラス幕板とし
ては、コーニング７０５９を用いても同様の効果が得ら
れるし、背面金属電極膜としてＭｏ／Ａｌ積層膜を用い
ても同様である。その伯、発光層膜としては丁す、３ｍ
、 Ｃｅ等の希土類化合物を添加したｚｎｓ、ＳｒＳ、
ＣａＳ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体簿喚、第１図の絶
縁層膜９．１１に用いる絶縁層膜としては５ｒ−ｒ！０
３゜Ｂａ’ｒ ｉ ０３ 、ＰｂＴ ｉ ０３ 、Ｂａ
Ｔａ２０Ｇ 。
Ｔａｚ Ｏ５，、Ｓｍ２０３ 、Ｙ２０３ 、Ａｌ２０
３ 。
３ 。
８ｉ３Ｎ４．５ｉＯｚ薄膜等、あるいはこれらを２種類
以上組み合わせた複合層を用いても同様の効果が期待で
きる。また、上記の実施例においては、薄膜構造体１５
の構成として、絶縁層膜を発光層膜の両側に設けたが、
この絶縁層膜は発光層膜の一方の側に設けるだけであっ
てもよい。
以上組み合わせた複合層を用いても同様の効果が期待で
きる。また、上記の実施例においては、薄膜構造体１５
の構成として、絶縁層膜を発光層膜の両側に設けたが、
この絶縁層膜は発光層膜の一方の側に設けるだけであっ
てもよい。
以上説明したように、本発明のパネルは作製プロセスが
簡単な上に、歩留りが良（、線状欠陥がなく、かつ開口
率が高いことから、本発明のパネルを用いれば表示品質
の優れたマトリクス薄膜Ｅ［パネルを製造できるという
利点がある。
簡単な上に、歩留りが良（、線状欠陥がなく、かつ開口
率が高いことから、本発明のパネルを用いれば表示品質
の優れたマトリクス薄膜Ｅ［パネルを製造できるという
利点がある。
第１図は本発明の一実施例として示した薄膜ＥＬパネル
の概略構成図、第２図は従来のｉ［ＥＬパネルの概略構
成図、第３図は本発明の別の実施例として示した薄膜Ｅ
しパネルの概略構成図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の
断面図である。 ８・・・・・・透明電極膜、 ８ａ・・・・・・透明電極線、 １２．１４・・・・・・背面電極膜（背面金属電極膜）
、１２ａ、１４ａ・・・・・・背面電極線、１５・・・
・・・薄膜構造体。 第１図 ８０−、逍ＢＢｔ格線 １２−ｆ面電楊博 １２ａ：＊ｆｌ電極線 １５：、％Ｆ１％ａ造イツト。 第２図 第３因
の概略構成図、第２図は従来のｉ［ＥＬパネルの概略構
成図、第３図は本発明の別の実施例として示した薄膜Ｅ
しパネルの概略構成図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の
断面図である。 ８・・・・・・透明電極膜、 ８ａ・・・・・・透明電極線、 １２．１４・・・・・・背面電極膜（背面金属電極膜）
、１２ａ、１４ａ・・・・・・背面電極線、１５・・・
・・・薄膜構造体。 第１図 ８０−、逍ＢＢｔ格線 １２−ｆ面電楊博 １２ａ：＊ｆｌ電極線 １５：、％Ｆ１％ａ造イツト。 第２図 第３因
Claims (3)
- （１） 薄膜構造体をストライプ状に加工した複数本の
透明電極線群からなる透明電極膜と上記透明電極線群と
直交する方向にストライプ状に加工した複数本の背面電
極線群からなる背面電極膜で挾持し、電圧を当該電極膜
間に印加して発光せしめるマトリクス表示薄膜エレクト
ロルミネセンスパネルにおいて、発光する画素部分でス
トライプ状に加工した各背面電極線が更に細い複数本の
線状に加工されており、少なくともストライプの給電側
と反対の端部においてこの細い複数本の線が短絡されて
いることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンスパネ
ル。 - （２） 上記背面電極膜がＡｌまたはＭｏ／Ａｌ膜であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜エ
レクトロルミネセンスパネル。 - （３） 上記背面電極膜がＡｌまたはＭｏ／Ａｌ膜であ
り、ストライプ状に加工した各背面電極線が発光する画
素部分で２本の線状に加工されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミネセン
スパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288677A JPH01130497A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288677A JPH01130497A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130497A true JPH01130497A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17733256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62288677A Pending JPH01130497A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 薄膜エレクトロルミネセンスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130497A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168391A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS61281499A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62288677A patent/JPH01130497A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168391A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Sharp Kk | Thin film el panel |
| JPS61281499A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
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