JPS6364293A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPS6364293A JPS6364293A JP61207946A JP20794686A JPS6364293A JP S6364293 A JPS6364293 A JP S6364293A JP 61207946 A JP61207946 A JP 61207946A JP 20794686 A JP20794686 A JP 20794686A JP S6364293 A JPS6364293 A JP S6364293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- transparent electrode
- thin film
- insulating
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 16
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000002496 gastric effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229940110676 inzo Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- -1 rare earth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は交流電界の印加によりエレクトロルミネセンス
(E L)を呈する薄1■エレクトロルミネセンス素子
(以下簿膜EL素子と称する)に関するものである。
(E L)を呈する薄1■エレクトロルミネセンス素子
(以下簿膜EL素子と称する)に関するものである。
近年、大容量ディスプレイとして、ブラウン管(以下C
RTと称する)が広く用いられているが。
RTと称する)が広く用いられているが。
CRTは真空管であるため、大重量で破損の危険性もあ
り、また奥行き寸法が大きい、偏向走査歪が避けに<<
、さらには数KV以上の高電圧を必要とするなどの問題
があった。
り、また奥行き寸法が大きい、偏向走査歪が避けに<<
、さらには数KV以上の高電圧を必要とするなどの問題
があった。
一方、平面形のディスプレイとしては、プラズマディス
プレイパネル(以下FDPと称する)の開発が進められ
ているが、FDPはCRTに比較して薄形であり、動作
電圧も低く、マトリックス形であるため走査歪がないと
いう利点があるが、ガス放電管であり、また真空管の一
種であるために重量が大きく、破損の危険性は避けられ
ない。
プレイパネル(以下FDPと称する)の開発が進められ
ているが、FDPはCRTに比較して薄形であり、動作
電圧も低く、マトリックス形であるため走査歪がないと
いう利点があるが、ガス放電管であり、また真空管の一
種であるために重量が大きく、破損の危険性は避けられ
ない。
また、液晶ディスプレイディバイス(以下LCDと称す
る)は、固体素子に近く、動作電圧も数Vないし十数■
と低いが、応答速度が小さい、動作可能温度範囲が狭く
、さらには受光形デバイスのため表示面が暗いといった
問題を抱えている。
る)は、固体素子に近く、動作電圧も数Vないし十数■
と低いが、応答速度が小さい、動作可能温度範囲が狭く
、さらには受光形デバイスのため表示面が暗いといった
問題を抱えている。
これに対してELを呈する薄膜EL素子を用いた薄膜E
Lパネルは、CRTと比較して駆動電圧が低く、またF
DPに比較して重置、大きさ等において優れ、LCDに
比較して動作可能温度範囲が広い等、多くの利点を有し
ており、文字、グラフィック表示に対して最適である。
Lパネルは、CRTと比較して駆動電圧が低く、またF
DPに比較して重置、大きさ等において優れ、LCDに
比較して動作可能温度範囲が広い等、多くの利点を有し
ており、文字、グラフィック表示に対して最適である。
この薄膜EL素子は、例えば硫化亜鉛(ZnS)を母体
とし、これに付活剤としてマンガン(M n )や希土
類化合物等を添加した発光層の両側あるいは片側に酸化
イツトリウム(Y2O2)や窒化シリコン(SiNx)
等の絶縁層を設け、対向電極でサンドインチ状に挟持し
た構成が輝度、寿命等の点で優れている。
とし、これに付活剤としてマンガン(M n )や希土
類化合物等を添加した発光層の両側あるいは片側に酸化
イツトリウム(Y2O2)や窒化シリコン(SiNx)
等の絶縁層を設け、対向電極でサンドインチ状に挟持し
た構成が輝度、寿命等の点で優れている。
第2図は発光層を絶8層で挟持させた二重絶縁層構造の
薄膜EL索子の一例を示す要部断面図である。同図にお
いて、1はガラス基板、2は酸化インジウム(InzO
a)あるいはインジウムと錫との酸化物(IT○)等か
らなる透明電極、3はYzO3,SiNx等からなる第
1の絶縁層、4はMnあるいは希十だj化合物等を添加
したZ n S発光層、5は第2の絶縁入り、6はアル
ミニラA(A2)等からなる背面電極、7は交σ;d電
源である。
薄膜EL索子の一例を示す要部断面図である。同図にお
いて、1はガラス基板、2は酸化インジウム(InzO
a)あるいはインジウムと錫との酸化物(IT○)等か
らなる透明電極、3はYzO3,SiNx等からなる第
1の絶縁層、4はMnあるいは希十だj化合物等を添加
したZ n S発光層、5は第2の絶縁入り、6はアル
ミニラA(A2)等からなる背面電極、7は交σ;d電
源である。
このような構成による薄膜EL素子は、透明電極2と背
面′rヒ極6との間に交流電源7により交流電界を印加
すると、約10’V/■程度の高電界により高輝度に発
光する。このように高μ1度を得るためには、極めて高
い電界を必要とするため、第1、第2の絶縁層3,5は
極めて高い絶縁耐圧をもつことが不可欠である。
面′rヒ極6との間に交流電源7により交流電界を印加
すると、約10’V/■程度の高電界により高輝度に発
光する。このように高μ1度を得るためには、極めて高
い電界を必要とするため、第1、第2の絶縁層3,5は
極めて高い絶縁耐圧をもつことが不可欠である。
なお、絶縁層全体の絶縁性を向上させる方法としては、
絶縁層成膜後、真空中、400〜600°Cで熱処理す
る方法が特公昭59−100 a 3号公報において詳
記されている。
絶縁層成膜後、真空中、400〜600°Cで熱処理す
る方法が特公昭59−100 a 3号公報において詳
記されている。
しかしながら、このように構成される薄膜)E L索子
は、同図から明らかなよ−うにガラス基板1上に形成す
る透明電極2.第1の絶縁層3.Zr1S発光層4.第
2の絶縁層5および背面電極6を真空熱着あるいはスパ
ッタリング法等で成膜し、透明北極2および背面電極6
については所望のパターンをエツチング法あるいはマス
ク成膜法により得た場合、パターンエツジ部に段差を生
じる。特に透明′北極2のパターンエツジ部ではこの上
に積層した第1の絶縁層32発光層4および第2の絶縁
層5にも段差が生じ、局部的に膜厚が小さくなる。また
、この第2の絶縁層5上に背面電極6を形成し、透明電
極2と背面電極6との間に高電界を印加すると、透明電
極2のパターンエツジ部に電界集中が生じ、絶縁破壊の
起点となる可能性があり、また高輝度を得るために著し
く悪影響を与え、信頼性を著しく低下させていることが
判明した。
は、同図から明らかなよ−うにガラス基板1上に形成す
る透明電極2.第1の絶縁層3.Zr1S発光層4.第
2の絶縁層5および背面電極6を真空熱着あるいはスパ
ッタリング法等で成膜し、透明北極2および背面電極6
については所望のパターンをエツチング法あるいはマス
ク成膜法により得た場合、パターンエツジ部に段差を生
じる。特に透明′北極2のパターンエツジ部ではこの上
に積層した第1の絶縁層32発光層4および第2の絶縁
層5にも段差が生じ、局部的に膜厚が小さくなる。また
、この第2の絶縁層5上に背面電極6を形成し、透明電
極2と背面電極6との間に高電界を印加すると、透明電
極2のパターンエツジ部に電界集中が生じ、絶縁破壊の
起点となる可能性があり、また高輝度を得るために著し
く悪影響を与え、信頼性を著しく低下させていることが
判明した。
したがって本発明の目的は、高電界印加時に絶縁性基板
上に形成した電極パターンのエツジ部に生じる電界集中
を抑止し、品質および信頼性を向上させた薄1’J E
L素子を提供することにある。
上に形成した電極パターンのエツジ部に生じる電界集中
を抑止し、品質および信頼性を向上させた薄1’J E
L素子を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明による薄膜EL索
子は、透明電極パターンエツジ部上の、第2の絶縁層の
上に第3の絶縁膜を設け、透明電極パターンエツジ部に
生じる”Illll中を抑止させたものである。
子は、透明電極パターンエツジ部上の、第2の絶縁層の
上に第3の絶縁膜を設け、透明電極パターンエツジ部に
生じる”Illll中を抑止させたものである。
すなわち、本発明においては、透明電極パターンのエツ
ジ部により生じる第2絶縁膜の段差を第3の絶縁膜を形
成して埋めてやることにより、その上に形成される背面
電極のだゎ下がりを防止し、もって透明電極パターンエ
ツジ部との間の電界集中を抑止してやることができる。
ジ部により生じる第2絶縁膜の段差を第3の絶縁膜を形
成して埋めてやることにより、その上に形成される背面
電極のだゎ下がりを防止し、もって透明電極パターンエ
ツジ部との間の電界集中を抑止してやることができる。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による薄膜E L素子の一例を示す要部
平面図、そのA −A ’断面[イjである。同図にお
いて、絶も(性基扱として例えばホウケイ酸ガラス基板
8を用い、このガラス基板8上にインジウムと錫との酸
化物をスパッタリング法により約2000人程度の〕メ
さに被着し、焼成して耐熱性を有する透明導〒ぼ膜を形
1反する。次にこの透明導電膜を所望のストライプ状パ
ターンにフォトエツチングして透明電極パターン9を形
成する。
平面図、そのA −A ’断面[イjである。同図にお
いて、絶も(性基扱として例えばホウケイ酸ガラス基板
8を用い、このガラス基板8上にインジウムと錫との酸
化物をスパッタリング法により約2000人程度の〕メ
さに被着し、焼成して耐熱性を有する透明導〒ぼ膜を形
1反する。次にこの透明導電膜を所望のストライプ状パ
ターンにフォトエツチングして透明電極パターン9を形
成する。
次に透明電極パターン9が形成されたガラス基板8上に
基板温度約300 ’CでY x O3をEB無蒸着て
膜厚約3000A程度の第1の絶縁層10を形成する。
基板温度約300 ’CでY x O3をEB無蒸着て
膜厚約3000A程度の第1の絶縁層10を形成する。
次にこの絶縁層10上に付活剤としてMnを約Q、5w
t%加えたZnSの焼結体を材料として基板温度約25
0℃でEB無蒸着より発光層11を約5000人の厚さ
に形成する。その後、真空中において約550°Cで2
時間アニール処理を行ない、発光層11中のMnの分布
の均一化と各薄膜の欠陥の低減をはかる。次にこの発光
層11上に基板温度300’CでYzOaを約3000
A程度の厚さにEB無蒸着て第2の絶縁層12を形成す
る。
t%加えたZnSの焼結体を材料として基板温度約25
0℃でEB無蒸着より発光層11を約5000人の厚さ
に形成する。その後、真空中において約550°Cで2
時間アニール処理を行ない、発光層11中のMnの分布
の均一化と各薄膜の欠陥の低減をはかる。次にこの発光
層11上に基板温度300’CでYzOaを約3000
A程度の厚さにEB無蒸着て第2の絶縁層12を形成す
る。
次に、この第2絶縁層12上の全面にSiO2膜をスパ
ッタリングして厚さ2000A程度のSiO2膜を形成
する。
ッタリングして厚さ2000A程度のSiO2膜を形成
する。
次にこのSiO2膜を所望のストライプ状パターンにフ
ォトエツチングして、第3の絶縁膜13を形成する。こ
の場合、フォトレジストの膜厚は0゜5〜5μm程度の
範囲が良く、望ましくは、1〜2μmの厚さに形成し、
これを所定のフォトマスクを用いて露光して現像し、第
3の絶縁膜のエツチングを行ない、フォトレジストを剥
離して、第3の絶縁層13を形成する。
ォトエツチングして、第3の絶縁膜13を形成する。こ
の場合、フォトレジストの膜厚は0゜5〜5μm程度の
範囲が良く、望ましくは、1〜2μmの厚さに形成し、
これを所定のフォトマスクを用いて露光して現像し、第
3の絶縁膜のエツチングを行ない、フォトレジストを剥
離して、第3の絶縁層13を形成する。
なお、第2の絶縁層12上の第3の絶縁層13は、透明
電極パターン9間に対応する上方のみに形成すれば良い
が、望ましくは、隣接する透明電極パターンの双方のエ
ツジ部をいくらか覆う様に形成するのが良い。これは、
第3の絶縁層をエツチングで除去する際のエツチング幅
を調節する°ことにより任意に選択できる。
電極パターン9間に対応する上方のみに形成すれば良い
が、望ましくは、隣接する透明電極パターンの双方のエ
ツジ部をいくらか覆う様に形成するのが良い。これは、
第3の絶縁層をエツチングで除去する際のエツチング幅
を調節する°ことにより任意に選択できる。
最後に透明電極パターン9と直交する方向にアルミニウ
ムを約2000A程度のツクさにマスク蒸着してストラ
イプ状の背面な極」4を形成して素子を完成する。
ムを約2000A程度のツクさにマスク蒸着してストラ
イプ状の背面な極」4を形成して素子を完成する。
このような構成によれば、透明電極9のエツジ上に第3
の絶縁層を形成したことにより、透明電極パターン9の
パターンエツジによる′電界の集中の発生が抑止され、
絶縁破壊の起点となることを防止できるので、素子の絶
縁耐圧が飛躍的に向上し、発光の寿命を向上させること
ができる。
の絶縁層を形成したことにより、透明電極パターン9の
パターンエツジによる′電界の集中の発生が抑止され、
絶縁破壊の起点となることを防止できるので、素子の絶
縁耐圧が飛躍的に向上し、発光の寿命を向上させること
ができる。
なお、前述した実施例においては、透明電極パターン9
のエツジの影響を抑止するための第3の絶縁膜13の膜
厚は、透明電極パターン9の膜厚と同一とした場合につ
いて説明したが、これが最も効果的であるが、5iOz
膜の膜厚を500人〜5000人の範囲で変えても同様
の効果が得られる。
のエツジの影響を抑止するための第3の絶縁膜13の膜
厚は、透明電極パターン9の膜厚と同一とした場合につ
いて説明したが、これが最も効果的であるが、5iOz
膜の膜厚を500人〜5000人の範囲で変えても同様
の効果が得られる。
さらに、前述した実施例において、絶縁膜13はスパッ
タリングで形成したS i O2膜を用いた場合につい
て説明したが、成膜法は真空蒸着、イオンブレーティン
グ、プラズマCVD法等でも良く、材料もSiNx、A
QxO3,TazOa、Ti0z、Cr2O3等でも全
く同様の効果が得られる。なお、第3の絶縁Mの誘電或
は第2の絶縁層のそれより低い値のものを用いるのが動
作特性上からして好ましい。
タリングで形成したS i O2膜を用いた場合につい
て説明したが、成膜法は真空蒸着、イオンブレーティン
グ、プラズマCVD法等でも良く、材料もSiNx、A
QxO3,TazOa、Ti0z、Cr2O3等でも全
く同様の効果が得られる。なお、第3の絶縁Mの誘電或
は第2の絶縁層のそれより低い値のものを用いるのが動
作特性上からして好ましい。
また、前述した実施例において、ガラス基板8はホウケ
イ酸ガラスを用いたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、不透明基板を用いた場合でもこの不透明基板
上に設けられる背面電極パターンのエツジによる段差を
同様の方法で平坦化することにより、同様の効果が得ら
れることは明白である。
イ酸ガラスを用いたが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、不透明基板を用いた場合でもこの不透明基板
上に設けられる背面電極パターンのエツジによる段差を
同様の方法で平坦化することにより、同様の効果が得ら
れることは明白である。
以上説明したように本発明によれば、絶縁性桟板上に形
成した透明電極パターンのエツジにより、発光層、絶縁
層の膜厚が局部的に狭くなるのを抑止できるので、電極
パターンエツジ部による電界集中が著しく抑制でき、信
頼性の高い高品質、高性能、長寿命の薄膜EL崇子が得
られるという極めて優れた効果を有する。
成した透明電極パターンのエツジにより、発光層、絶縁
層の膜厚が局部的に狭くなるのを抑止できるので、電極
パターンエツジ部による電界集中が著しく抑制でき、信
頼性の高い高品質、高性能、長寿命の薄膜EL崇子が得
られるという極めて優れた効果を有する。
第1図は本発明による薄膜EL素子の一実施例を説明す
るための要部断面図、第2図は従来周知の薄膜EL素子
の構造を示す要部断面図である。 8・・・ガラス基板、9・・・透明電極パターン、10
・・・第1の絶・縁’p:II、11・・・発光層、1
2・・・第2の絶縁層、13・・・第3の絶縁層、14
・・・背面電極。 8・・・ガラス基板 9・・・透明電極パターン 10・・・第1の絶縁層 11・・・完売層 12・・・第2の絶縁層 13・・・第3の絶縁層 14・・・胃m電極
るための要部断面図、第2図は従来周知の薄膜EL素子
の構造を示す要部断面図である。 8・・・ガラス基板、9・・・透明電極パターン、10
・・・第1の絶・縁’p:II、11・・・発光層、1
2・・・第2の絶縁層、13・・・第3の絶縁層、14
・・・背面電極。 8・・・ガラス基板 9・・・透明電極パターン 10・・・第1の絶縁層 11・・・完売層 12・・・第2の絶縁層 13・・・第3の絶縁層 14・・・胃m電極
Claims (2)
- 1.絶縁性基板上に少なくとも透明電極,第1の絶縁層
,発光層,第2の絶縁層,および背面電極を形成してな
る薄膜エレクトロルミネセンス素子において、前記第2
の絶縁層形成後、第3の絶縁膜を形成し、前記透明電極
上にある第3の絶縁膜の一部もしくは全部をエッチング
で除去してから背面電極を形成することを特徴とする薄
膜エレクトロルミネセンス素子。 - 2.前記第3の絶縁膜の誘電率を、第2の絶緑層の誘電
率よりも低くしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207946A JPS6364293A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207946A JPS6364293A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6364293A true JPS6364293A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16548156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61207946A Pending JPS6364293A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6364293A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295498A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Kaneka Corp | 発光デバイス用電極とその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61207946A patent/JPS6364293A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295498A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Kaneka Corp | 発光デバイス用電極とその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03295138A (ja) | 表示装置 | |
KR950008758B1 (ko) | 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법 | |
JPH04280094A (ja) | 薄膜発光素子 | |
JPH0935670A (ja) | フィールド・エミッション・ディスプレイ素子及びその製造方法 | |
KR100334017B1 (ko) | 평판 디스플레이 | |
JPS6364293A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
KR100710592B1 (ko) | 전계 방출 장치 | |
US6107733A (en) | Anode for a flat display screen | |
JPS6364294A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
JPS61151996A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
JPS6364291A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
US20090310333A1 (en) | Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same, and method of manufacturing the electron emission device | |
JPS61151995A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
US7994696B2 (en) | Electron emission device, electron emission type backlight unit including the electron emission device, and method of manufacturing the electron emission device | |
KR960005332B1 (ko) | 전계발광 표시소자의 제조방법 | |
JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
KR19980034432A (ko) | 강유전체 박막을 사용한 전자방출 진공소자 | |
KR970003851B1 (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
JPS61151994A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
JPS6147096A (ja) | 薄膜el素子の製造方法 | |
JPH0544157B2 (ja) | ||
JPH02306585A (ja) | 薄膜el素子の製造法 | |
KR20050086306A (ko) | 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 구동방법 | |
JPH07118387B2 (ja) | 多色発光elディスプレイ装置 |