KR100710592B1 - 전계 방출 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 전극간의 누설 전류를 방지하고, 불안정한 발광 특성을 개선하는 전계 방출 장치에 관한 것이다.
본 발명의 전계 방출 장치는 소정 간격 이격되어 배치된 전면기판 및 배면기판; 상기 전면기판 상에 존재하는 양극; 상기 양극 상에 존재하는 형광체; 상기 배면기판 상에 위치하며 소정 간격 이격되어 존재하는 복수의 전극부; 및 상기 복수의 전극부 중 어느 하나 이상에 형성된 에미터를 포함하며, 상기 복수의 전극부 중 에미터가 형성된 어느 하나의 전극부는 음극으로 변화되고, 상기 복수의 전극부 중 다른 하나의 전극부는 게이트 전극으로 변화되어 상기 에미터로부터 전자를 방출하여 상기 형광체를 발광시키고, 상기 복수의 전극부는 적어도 4개 이상의 전극부로 구성되고, 각 전극부는 상호 교대로 형성되며, 상기 각 전극부의 에미터가 형성된 부분은 상호 이격됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 전계 방출 장치는 4개 이상의 개별 전극을 갖는 에미터를 형성함으로써, 첫째, 기존의 2중 에미터 3극 구조 및 측면 게이트 방식 보다 전극 간격을 좁게 형성하여도 전극간의 누설 전류를 방지할 수 있고, 둘째, 기존의 방식과 동일 간격을 형성하여도 LCD 백라이트 등에 적용할 때 보다 자연스러운 화면을 얻을 수 있다.
4중 에미터, 전계 방출.

Description

전계 방출 장치{Field emission device}
도 1 내지 도 3은 종래기술에 따른 전계 방출 장치,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 장치,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 장치의 배면기판 평면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 장치,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 방출 장치,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 장치와 종래기술과의 비교도,
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 장치의 인가되는 구동파형도,
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 장치와 종래기술과의 전자방출 비교도,
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 장치와 종래기술과의 비교도,
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 장치의 인가되는 구동파형도,
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 장치와 종래기술과의 전자방출 비교도,
도 14 내지 도 15는 본 발명에 따른 전계 방출 장치의 구동 회로의 예시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 배면기판 106: 제 1 전극부
107: 제 2 전극부 108: 제 3 전극부
109: 제 4 전극부 111, 112: 절연체
115: 에미터 200: 전면기판
205: 양극 210: 형광체
300: 스페이서 305: 실링재
400: DC 인버터 402: AC 인버터
404, 406, 408: 변압기
본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 전극간의 누설 전류를 방지하고, 불안정한 발광 특성을 개선하는 전계 방출 장치에 관한 것이다.
현재 사용되고 있는 전계 방출 방식 백라이트, 전계 방출 평면 램프(FEFL: Field Emission Flat Lamp) 및 전계 방출 디스플레이 등의 전계 방출 장치는 형광체를 여기시키는 가속전자를 방출하기 위한 수단으로서 종래의 음극선관에서 사용 되는 열음극 대신 첨예한 냉음극을 이용한다. 즉, 냉음극을 구성하는 에미터(Emitter)에 고전계를 집중시킴으로써 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자가 방출되도록 하고 있다. Donald O. Smith 등에 의한 미합중국 특허 제3,970,887호는 반도체 기판에 실리콘(Si) 마이크로 팁을 형성하고 게이트 전극을 통해 팁에 전계를 인가하여 전자를 방출하는 구조를 개시하고 있는데 이러한 방식의 전계 방출 장치는 마이크로 팁에 사용되는 물질의 일함수가 크기 때문에 전자 방출을 위한 게이트 전압이 상당히 높아야 하고 마이크로 팁이 쉽게 손상을 입는 문제가 존재한다.
따라서 에미터로 다이아몬드막이 각광을 받고 있고 최근에는 다이아몬드막의 전자 방출을 위한 전계보다 약 1/10 정도의 낮은 전계에서도 전자를 방출하는 카본나노튜브(CNT: Carbon nanotube)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
어떠한 에미터를 사용하든 넓은 발광면적, 고휘도, 긴 수명 및 공정의 단순화를 달성해야 실질적으로 응용될 수 있다.
기존의 전계 방출 장치에는 2극 또는 3극 구조가 존재한다. 2극 구조에서는 양극(Anode electrode)과 음극(Cathode electrode)간에 높은 전압을 인가함으로써 전계 방출 물질로부터 전자를 뽑아내어 전자가 형광체를 여기, 발광하는 방법을 사용한다. 그런데, 상기 2극 구조는 제조원가가 낮고 제조가 쉬우며 발광면적을 크게 가져갈 수 있는 장점이 있지만, 구동 전압이 높고 안정하게 낼 수 있는 휘도가 낮고 발광효율이 낮다는 문제가 있다.
대한민국 공개특허 제2000-74609호, 미합중국 특허 제5,773,834호, 대한민국 공개특허 제2001-84384호 및 대한민국 공개특허 제2004-44101호에는 3극 구조의 전계 방출 장치가 개시되어 있다. 상기 3극 구조에서는 전계 방출물질로부터 전자를 방출시키기 위해서 보조전극인 게이트 전극(Gate electrode)을 음극과 수십 나노미터(nm)에서 수 밀리미터(mm)까지 이격 형성시킨다. 이렇게 방출된 전자를 양극과 음극 간에 높은 전압을 인가함으로써 양극쪽 형광체를 여기, 발광하는 방법을 사용한다. 이러한 3극 구조에서는 구동 전압을 크게 낮출 수 있으며 높은 휘도를 낼 수 있지만, 제조 원가가 상대적으로 높고 제조 시간이 많이 걸리며 발광면적이 적어지는 문제가 있었다.
대한민국 공개특허 제2004-44101호에 개시된 측면 게이트(Lateral gate) 방식 전계 방출 장치를 도 1에 나타내었다. 도 1을 참조하면, 배면기판(5)의 표면에 음극(10)이 형성되어 있고, 상기 음극(10)의 상부면에는 탄소나노튜브로 구성된 에미터(20)가 위치하고 있으며, 상기 음극(10)과 소정 간격 이격되며, 절연층(15)을 매개로 배면기판(5)에 접한 게이트 전극(25)이 있다. 배면기판(5)에 대향하여 형광체층(30), ITO(Indium Tin Oxide)로 구성되는 양극(35) 및 전면기판(40) 등으로 구성되어 있다.
상기 측면 게이트 방식을 포함한 종래의 3극 구조 전계 방출 장치는 게이트 전극(25)에서 전자가 방출되지 않기 때문에 휘도 불균일성이 발생하고, 음극(10) 상부면에 형성된 에미터(20)에서만 전자를 방출하기 때문에 상기 에미터(20)에 부하가 많이 걸려 수명이 단축되고 휘도가 낮은 문제가 있다.
도 2는 본 발명의 출원인이 선출원한 특허출원 제2004-70871호의 구성도를 나타낸 것이다. 상기 도 2의 전계 방출 장치는 배면기판(100) 상에 제 1 전극(105) 및 제 2 전극(110)이 존재하며 제 1 전극(105)과 제 2 전극(110)의 상부면에는 에미터(115)가 위치하고 있다. 제 1 전극(105) 및 제 2 전극(110)에 에미터(115)를 형성함으로써 사실상 종래의 게이트 전극과 음극의 구별을 없앤 구조이다. 즉 구동 전압에 따라 제 1 전극(105) 및 제 2 전극(110)은 게이트 전극이 되기도 하고 음극이 되기도 한다. 이에 따라 발광면적의 증대, 발광효율의 증가, 균일한 발광, 고휘도 및 고수명을 달성할 수 있다.
도 3은 상기 도 2의 전계 방출 장치의 배면기판(100)의 평면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 전극부(105)와 제 2 전극부(110)는 서로 엇갈리는 갈퀴 모양으로 형성되어 있고 상기 제 1 전극부(105)와 제 2 전극부(110)에 위상차에 따라 서로 다른 극성의 전압을 교대로 인가함으로써 각각의 전극 위에 위치하는 에미터(115)에서 전자가 방출된다. 이와 같이 두 개의 전극 모두에서 전자를 방출하기 때문에 종래 기술인 측면 게이트 3극 구조 전계 방출 장치에 비해 같은 전계하에서 보다 큰 전류밀도(Current density)를 얻을 수 있다. 물론, 제 1 전극부(105) 또는 제 2 전극부(110) 중 어느 하나를 게이트 전극으로 사용하는 것도 가능하다.
그러나, 도 2 내지 도 3의 전계 방출 장치는 종래기술들의 문제점을 극복하는 것으로, 발광면적을 증대시켜 휘도를 높이고 제조단가를 낮추는 장점이 존재하지만, 효율을 증가시키기 위해 전극간의 간격을 줄이면 누설 전류와 아크 발생이 일어날 가능성이 있다.
따라서, 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 4개 이상의 개별 전극을 갖는 에미터를 형성함으로써, 전극간의 누설 전류를 방지하고, 불안정한 발광 특성을 개선하는 전계 방출 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 목적은 소정 간격 이격되어 배치된 전면기판 및 배면기판; 상기 전면기판 상에 존재하는 양극; 상기 양극 상에 존재하는 형광체; 상기 배면기판 상에 위치하며 소정 간격 이격되어 존재하는 복수의 전극부; 및 상기 복수의 전극부 중 어느 하나 이상에 형성된 에미터를 포함하며, 상기 복수의 전극부 중 에미터가 형성된 어느 하나의 전극부는 음극으로 변화되고, 상기 복수의 전극부 중 다른 하나의 전극부는 게이트 전극으로 변화되어 상기 에미터로부터 전자를 방출하여 상기 형광체를 발광시키고, 상기 복수의 전극부는 적어도 4개 이상의 전극부로 구성되고, 각 전극부는 상호 교대로 형성되며, 상기 각 전극부의 에미터가 형성된 부분은 상호 이격되는 전계 방출 장치에 의해 달성된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들 이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 4는 본 발명에 따른 전계 방출 장치의 구성도이다. 본 발명의 전계 방출 장치는 배면기판(100) 상에 제 1 전극부(106), 제 2 전극부(107), 제 3 전극부(108) 및 제 4 전극부(109)가 존재하며 전극부들(106, 107, 108, 109)의 상부면에는 에미터(115)가 위치하고 있다. 전극부들(106, 107, 108, 109) 모두에 에미터(115)를 형성함으로써 사실상 종래의 게이트 전극과 음극의 구별을 없앤 구조로서 구동 전압에 따라 상기 전극부들(106, 107, 108, 109)은 게이트가 되기도 하고 음극이 되기도 한다. 이와 같이 형성됨으로써 전극부간의 누설 전류를 방지하고, 불안정한 발광 특성을 개선하는 것이다. 배면기판(100)은 유리, 알루미나(Al2O3), 석영, 플라스틱, 실리콘(Si) 기판 등이 가능하며 유리기판이 보다 바람직하다.
전극부들(106, 107, 108, 109)은 은(Ag), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 텅스텐(W), ITO 등의 금속 및 그 합금이 가능하며 스크린 프린팅에 의한 인쇄 방식이 적합하나 금속 분말을 소결하는 방법 또는 스퍼터링(Sputtering), 진공증착, 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 등의 박막 증착법을 사용하여 형성할 수도 있다.
에미터(115)는 탄소나노튜브, 다이아몬드, DLC(Diamond Like Carbon), 풀러렌(Fulleren), 산화팔라듐(PdO) 등이 가능하나 비교적 낮은 전압에서도 전자를 방출할 수 있는 탄소나노튜브가 보다 바람직하다.
전면기판(200) 상에는 투명 전극(205)과 형광체(210)가 형성되어 있으며 전 면기판(200)과 배면기판(100)의 간격을 유지해주는 스페이서(Spacer, 300)가 존재하며 프리트(Frit) 글래스와 같은 실링재(305)에 의해 봉지되어 그 내부는 10-7torr 정도의 고진공을 유지하도록 되어 있다. 전면기판(200)은 유리, 석영, 플라스틱 등이 가능하며 유리기판이 보다 바람직하다. 아울러 배면기판(100)과 전면기판(200)을 모두 플라스틱 기판으로 사용할 경우 두루마리 액정 디스플레이의 백라이트로 사용할 수 있다.
투명전극(205)은 ITO 등의 투명 도전성 재료를 전면기판(200)에 증착, 코팅 또는 인쇄하여 형성할 수 있다. 형광체(210)는 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue) 형광체를 일정 비율로 혼합한 산화물, 황화물 등의 백색 형광체가 바람직하며 스크린 프린팅 방식에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 전계 방출 장치는 그 구동을 위해 전면기판 상의 양극(205)에 가해지는 전원을 생성하는 DC 인버터(400), 각 전극부들(106, 107, 108, 109)에 인가되는 전원을 생성하는 AC 인버터(402)를 포함하고 있다. AC 인버터(402)의 내부 구성은 전면기판(200)의 크기에 따라, 각 전극부들(106, 107, 108, 109)의 구성에 다양한 변형을 가할 수 있다. 본 발명의 전계 방출 장치는 전극부 4개(106, 107, 108, 109)가 형성되어 AC 인버터(402)와 DC 인버터(400)로 구동한다. AC 인버터는 하나 이상으로 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 전계 방출 장치의 배면기판 평면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 각 전극부들(106, 107, 108, 109)은 갈퀴 모양으로 상호 교대로 형 성되어 있고, 각 전극부들(106, 107, 108, 109)의 위상차에 따라 서로 다른 극성의 전압을 교대로 인가함으로써 각각의 전극부 위에 위치하는 에미터(115)에서 전자가 방출되게 된다. 이와 같이 4개의 전극부 모두에서 전자를 방출하기 때문에, 종래 기술인 측면(Lateral) 게이트 3극 구조 전계 방출 장치에 비해 같은 전계하에서 보다 큰 전류밀도(Current density)를 얻을 수 있다. 각 전극부의 상호 겹쳐지는 부분은 절연체(112)를 형성한다.
도 6은 본 발명의 전계 방출 장치의 다른 실시예에 따른 구성도이다. 도 6에 따른 구성은 제 1 전극부(106)와 제 3 전극부(108)가 짝을 이루고 제 2 전극부(107)와 제 4 전극부(109)가 짝을 이루어 구동하는 방식인 반면, 도 4에 따른 구성은 제 1 전극부(106)와 제 2 전극부(107)가 짝을 이루고 제 3 전극부(108)와 제 4 전극부(109)가 짝을 이루어 구동하는 방식이다. 도 6에 따른 구성에서는 제 1 전극부(106)와 제 3 전극부(108)가 짝을 이루고 전자 방출을 일으키므로 각 전극부들의 간격을 기존의 전극부 간격에 비해 절반 이하로 가깝게 형성할 수 있다. 또한, 도 7과 같이 각 전극부간에 절연체(111)를 형성하여 각 전극간의 누설 전류를 보다 확실히 방지할 수 있다. 즉, 각 전극 간격을 더욱 좁히고자 한다면 상기 절연체(111)의 두께, 높이 및 절연물질을 상호 조절하면 된다.
도 8은 상기 도 4의 전계 방출 장치의 구성에 따른 구동방식과 종래기술들의 구동방식을 비교한 것이다. 도 8의 (a)는 종래의 2중 에미터 구동방식이고, (b)는 본 발명에 따른 4중 에미터 구동방식이며, (c)는 종래의 측면(Lateral) 게이트 구동방식을 나타낸 것이다. 또한, 도 8은 (a) 내지 (c)의 구동방식이 동일 전극 거리 에서 발광하는 것을 나타낸다. 편의상 (a)의 제 1 전극, 제 2 전극은 X, Y로, (b)의 제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극, 제 4 전극은 X1, X2, Y1, Y2로, (c)의 게이트, 에미터는 X, Y로 표기한다.
도 9는 도 8의 각 구조에 있어서, 시간(T1, T2, T3, T4)에 따라 인가되는 구동파형을 나타낸 것이다. 도 9의 구동파형에 따른 전자방출을 정리하면 도 10과 같다. 동일 전극간격에서 동일 주파수를 인가하면 도 8(a)의 2중 에미터와 도 8(b)의 4중 에미터는 같은 수의 발광 횟수(8회)를 나타내며 도 8(c)의 측면 게이트 방식에서는 절반의 발광 횟수(4회)를 나타낸다. 도 8(a)의 2중 에미터 방식과 도 8(b)의 4중 에미터 방식은 서로 발광 횟수는 같지만, 도 8(b)의 4중 에미터 방식은 연속적인 발광이 가능함을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 4중 에미터 방식을 LCD 백라이트로 적용시 종래에 비해 보다 자연스러운 화면 구성을 이룰 수 있다.
도 11은 도 6의 전계 방출 장치의 구성에 따른 구동방식과 종래기술들의 구동방식을 비교한 것이다. 도 11의 (a)는 종래의 2중 에미터 구동방식이고, (b)는 본 발명의 실시예에 따른 4중 에미터 구동방식이며, (c)는 종래의 측면(Lateral) 게이트 구동방식을 나타낸 것이다. 또한, 도 11(a) 내지 도 11(c)는 구동방식이 서로 다른 전극 거리에서 발광하는 것을 나타낸다. 즉, 도 11(b)의 4중 에미터 구동방식은 종래의 도 11(a) 및 도 11(c)의 구조보다 절반의 전극간 거리를 나타낸다. 편의상 도 11(a)의 제 1 전극부, 제 2 전극부는 X, Y로, 도 11(b)의 제 1 전극부, 제 2 전극부, 제 3 전극부, 제 4 전극부는 X1, X2, Y1, Y2로, 도 11(c)의 게이트, 에미터는 X, Y로 표기한다.
도 12는 도 11의 각 구조에 있어서, 시간(T1, T2, T3, T4)에 따라 인가되는 구동파형을 나타낸 것이다. 도 12의 구동파형에 따른 전자방출을 정리하면 도 13과 같다. 동일 전극간격에서 동일 주파수를 인가하면 도 11(a)의 2중 에미터와 도 11(b)의 4중 에미터는 같은 수의 발광 횟수(4회)를 나타내며 도 11(c)의 측면 게이트 방식에서는 절반의 발광 횟수(2회)를 나타낸다. 도 11(a)의 2중 에미터 방식과 도 11(b)의 4중 에미터 방식은 서로 발광 횟수는 같지만, 도 11(b)의 4중 에미터 방식은 도 11(a)의 2중 에미터 방식에서의 주파수 절반의 주기로 동일한 발광 횟수를 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 4중 에미터 방식은 전계 방출 장치의 수명을 2배 이상 늘일 수 있게 된다.
본 발명에 따른 전계 방출 장치는 구형파 또는 AC파의 인가시 여러 주파수와 듀티비를 갖는 구동방식을 적용할 수 있다. 즉, 도 14 내지 도 15에 도시된 바와 같은 구동회로를 적용한다.
도 14는 본 발명에 따른 전계 방출 장치의 구동 회로를 나타낸 것이다. 먼저, 입력전원(401)으로부터 AC 인버터(402)로 전원이 인가된다. 이어서, 전원 필터부(402a)에서 불규칙한 파형을 필터링하고, 전원 공급부(402b)를 거쳐 전력 드라이브단(402c)에서 전력용 소자를 사용하여 원하는 형태로 다양하게 변형된 전력을 고압 발생부(402d)로 인가하고, 구동펄스를 발생한다. 고압 발생부(402d)로 인가된 전력은 변압기를 통해 각각 제 1 전극부(106), 제 2 전극부(107) 및 투명기판(에노드기판, 205)로 인가되어 전계 방출 장치를 구동한다. 이는 제 3 전극부(108)와 제 4 전극부(109)에도 동일하게 적용할 수 있다.
도 15는 AC 인버터(402)의 고압 발생부(402d)를 나타낸 일실시예이다. 도 15의 고압 발생부(402d)는 제 1 및 제 2 전극부의 구동분담율(duty)이 각각 50%일 경우이다. 이는 AC 파의 중간 전위를 DC 인버터와 접지함으로써 달성되는 바, 도 14와 같은 경우에는 전체 인버터를 이루는 구성요소 중 변압기(404, 406)의 2차측 코일의 중간 탭 구역과 DC 인버터(400)를 공통 접지하여 구동시킨다. 본 발명의 접지는 안정적인 출력을 얻을 수 있는 가상 접지 방식을 취함이 바람직하다.
상기 도 14 내지 도 15의 구동회로는 도 4의 구동방식 뿐만 아니라 도 6의 구동방식에도 적용될 수 있다. 또한, AC 인버터(402)를 한 개 이상을 사용하더라도 상기 구동회로를 적용할 수 있음은 자명하다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 전계 방출 장치는 4개 이상의 개별 전극부를 갖는 에미터를 형성함으로써, 첫째, 기존의 2중 에미터 3극 구조 및 측면 게이트 방식 보다 전극 간격을 좁게 형성하여도 전극간의 누설 전류를 방지할 수 있다. 둘째, 기존의 방식과 동일 간격을 형성하여도 LCD 백라이트 등에 적용할 때 보다 자연스러운 화 면을 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 소정 간격 이격되어 배치된 전면기판 및 배면기판;
    상기 전면기판 상에 존재하는 양극;
    상기 양극 상에 존재하는 형광체;
    상기 배면기판 상에 위치하며 소정 간격 이격되어 존재하는 복수의 전극부; 및
    상기 복수의 전극부 중 어느 하나 이상에 형성된 에미터를 포함하며,
    상기 복수의 전극부 중 에미터가 형성된 어느 하나의 전극부는 음극으로 변화되고, 상기 복수의 전극부 중 다른 하나의 전극부는 게이트 전극으로 변화되어 상기 에미터로부터 전자를 방출하여 상기 형광체를 발광시키고,
    상기 복수의 전극부는 적어도 4개 이상의 전극부로 구성되고, 각 전극부는 상호 교대로 형성되며, 상기 각 전극부의 에미터가 형성된 부분은 상호 이격되는 전계 방출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 4개 이상의 각 전극부는 인접한 전극부와 교대로 음극과 게이트 전극으로 변화되어 전자 방출하는 전계 방출 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 4개 이상의 각 전극부는 인접한 전극의 다음 인접한 전극과 교대로 음극과 게이트 전극으로 변화되어 전자 방출하는 전계 방출 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 4개 이상의 각 전극부 사이에 절연체를 형성하는 전계 방출 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극에 전원을 인가하는 DC 인버터; 및
    AC 파의 중간 전위를 상기 DC 인버터와 접지하고, 상기 각 전극부에 전원을 인가하는 AC 인버터
    를 더 포함하여 이루어지는 전계 방출 장치.
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