JPH07114896A - 電界放出形蛍光表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
電界放出形蛍光表示装置及びその駆動方法Info
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- JPH07114896A JPH07114896A JP5262388A JP26238893A JPH07114896A JP H07114896 A JPH07114896 A JP H07114896A JP 5262388 A JP5262388 A JP 5262388A JP 26238893 A JP26238893 A JP 26238893A JP H07114896 A JPH07114896 A JP H07114896A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】放出電子が拡がりにくく、高精細表示において
も漏れ発光が生じにくい蛍光表示装置を提供する。 【構成】電界放出形陰極のエミッタを有するカソード導
体は、マトリクス状に配設された多数の単位領域９に分
割されている。各単位領域の各小領域は、それぞれアク
ティブ素子と記憶要素によって駆動される。電界放出形
陰極のゲート７は多数の帯状電極に分割され、１本置き
に接続されて２電極群G1, G2を構成する。アノード15も
同様にこれと直交する２電極群A1, A2を構成する。カソ
ード導体側を駆動し、電極群G1, G2及び電極群A1, A2を
切り替え制御し、１単位領域内を４個の小領域a,b,c,d
に時分割駆動する。隣接の各小領域間では同時に選択し
電子放出を行うことはない。放出電子は隣接ゲートおよ
びアノードのオフレベルによって生ずる電界により集束
してアノードに射突し、漏れ発光せずに高精細な表示を
実現する。
も漏れ発光が生じにくい蛍光表示装置を提供する。 【構成】電界放出形陰極のエミッタを有するカソード導
体は、マトリクス状に配設された多数の単位領域９に分
割されている。各単位領域の各小領域は、それぞれアク
ティブ素子と記憶要素によって駆動される。電界放出形
陰極のゲート７は多数の帯状電極に分割され、１本置き
に接続されて２電極群G1, G2を構成する。アノード15も
同様にこれと直交する２電極群A1, A2を構成する。カソ
ード導体側を駆動し、電極群G1, G2及び電極群A1, A2を
切り替え制御し、１単位領域内を４個の小領域a,b,c,d
に時分割駆動する。隣接の各小領域間では同時に選択し
電子放出を行うことはない。放出電子は隣接ゲートおよ
びアノードのオフレベルによって生ずる電界により集束
してアノードに射突し、漏れ発光せずに高精細な表示を
実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カソード導体がアクテ
ィブマトリクス駆動される電界放出形陰極を有する蛍光
表示装置に関するものである。
ィブマトリクス駆動される電界放出形陰極を有する蛍光
表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１４に示す蛍光表示装置は、カソード
導体１００とエミッタ１０１とゲート１０２を有する電
界放出形陰極１０３と、これに対面して蛍光体を有する
アノード１０４を備えている。アノード１０４とゲート
１０２は各々一電極を構成しており、常に正にバイアス
されている。これに対し、前記カソード導体１００は蛍
光体を有するアノード１０４の単位発光領域に対応する
複数の単位領域１０５に分割されている。そして、各単
位領域１０５はマトリクス状に配設され、それぞれ駆動
トランジスタ部１０６が接続されてマトリクス駆動され
るように構成されている。
導体１００とエミッタ１０１とゲート１０２を有する電
界放出形陰極１０３と、これに対面して蛍光体を有する
アノード１０４を備えている。アノード１０４とゲート
１０２は各々一電極を構成しており、常に正にバイアス
されている。これに対し、前記カソード導体１００は蛍
光体を有するアノード１０４の単位発光領域に対応する
複数の単位領域１０５に分割されている。そして、各単
位領域１０５はマトリクス状に配設され、それぞれ駆動
トランジスタ部１０６が接続されてマトリクス駆動され
るように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１４に示した従来の
蛍光表示装置は、アノード１０４とゲート１０２が各々
一電極であって互いに相対しており、常に正にバイアス
されている。このため、カソード導体１００の各単位領
域１０５ごとに放出される電子線は図１５に示すように
大きく拡がり、微小な発光ドットで高密度表示を行う場
合には充分ドット間のギャップが取れないため漏れ発光
の原因となってしまう。
蛍光表示装置は、アノード１０４とゲート１０２が各々
一電極であって互いに相対しており、常に正にバイアス
されている。このため、カソード導体１００の各単位領
域１０５ごとに放出される電子線は図１５に示すように
大きく拡がり、微小な発光ドットで高密度表示を行う場
合には充分ドット間のギャップが取れないため漏れ発光
の原因となってしまう。
【０００４】本発明は、放出された電子の拡がりが小さ
く、高精細表示においても漏れ発光が生じにくい蛍光表
示装置を提供することを目的としている。
く、高精細表示においても漏れ発光が生じにくい蛍光表
示装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された本
発明の電界放出形蛍光表示装置は、カソード導体とエミ
ッタとゲートを有する電界放出形陰極に蛍光体を有する
アノードが対面し、前記カソード導体がアクティブマト
リクス駆動される電界放出形蛍光表示装置において、前
記ゲートとアノードの少なくとも一方が複数本の帯状電
極に分割され、各帯状電極が一本おきまたは複数本おき
に共通接続されて複数の帯状電極群を構成していること
を特徴とする。
発明の電界放出形蛍光表示装置は、カソード導体とエミ
ッタとゲートを有する電界放出形陰極に蛍光体を有する
アノードが対面し、前記カソード導体がアクティブマト
リクス駆動される電界放出形蛍光表示装置において、前
記ゲートとアノードの少なくとも一方が複数本の帯状電
極に分割され、各帯状電極が一本おきまたは複数本おき
に共通接続されて複数の帯状電極群を構成していること
を特徴とする。
【０００６】請求項２に記載された本発明の電界放出形
蛍光表示装置は、請求項１記載の蛍光表示装置におい
て、前記ゲート及びアノードが、互いに直交するそれぞ
れ複数の帯状電極群からなることを特徴としている。
蛍光表示装置は、請求項１記載の蛍光表示装置におい
て、前記ゲート及びアノードが、互いに直交するそれぞ
れ複数の帯状電極群からなることを特徴としている。
【０００７】請求項３に記載された本発明の電界放出形
蛍光表示装置は、請求項２記載の蛍光表示装置におい
て、前記アノードの帯状電極の分割部分の隙間に対応す
る前記ゲートの帯状電極上の位置に、それぞれ絶縁層を
設けたことを特徴としている。
蛍光表示装置は、請求項２記載の蛍光表示装置におい
て、前記アノードの帯状電極の分割部分の隙間に対応す
る前記ゲートの帯状電極上の位置に、それぞれ絶縁層を
設けたことを特徴としている。
【０００８】請求項４に記載された本発明の電界放出形
蛍光表示装置の駆動方法は、請求項１又は２記載の電界
放出形蛍光表示装置の駆動方法において、前記カソード
導体をアクティブマトリクス駆動するとともに、前記複
数の帯状電極群に順次駆動信号を与えることにより、帯
状電極が区画する単位領域内をカソード導体に対応する
小領域毎に時分割して順次繰り返して駆動することを特
徴としている。
蛍光表示装置の駆動方法は、請求項１又は２記載の電界
放出形蛍光表示装置の駆動方法において、前記カソード
導体をアクティブマトリクス駆動するとともに、前記複
数の帯状電極群に順次駆動信号を与えることにより、帯
状電極が区画する単位領域内をカソード導体に対応する
小領域毎に時分割して順次繰り返して駆動することを特
徴としている。
【０００９】
【作用】前記カソード導体をアクティブマトリクス駆動
する。また、前記ゲートを構成する複数の帯状電極群
と、前記アノードを構成する複数の帯状電極群に、それ
ぞれ順次駆動信号を与える。カソード導体のうち、ゲー
トとアノードで選択された部分のみが、前記帯状電極の
駆動に合わせて順次電子を放出する。放出された電子は
選択された帯状電極とオフレベルにある帯状電極によっ
て生ずる電界によって集束されてアノードに到達する。
また隣接する前記小領域が同時に電子を放出することが
ないので漏れ発光の防止に充分な効果を出すことができ
る。
する。また、前記ゲートを構成する複数の帯状電極群
と、前記アノードを構成する複数の帯状電極群に、それ
ぞれ順次駆動信号を与える。カソード導体のうち、ゲー
トとアノードで選択された部分のみが、前記帯状電極の
駆動に合わせて順次電子を放出する。放出された電子は
選択された帯状電極とオフレベルにある帯状電極によっ
て生ずる電界によって集束されてアノードに到達する。
また隣接する前記小領域が同時に電子を放出することが
ないので漏れ発光の防止に充分な効果を出すことができ
る。
【００１０】
【実施例】図１は、本実施例の電界放出形蛍光表示装置
１（以下、本装置１と呼ぶ。）の構造を示す模式図であ
る。本装置は、所定間隔をおいて対面する陽極基板２と
図示しない陰極基板を有している。両基板は、図示しな
いスペーサ部材を介して封着され、内部を高真空状態に
排気されて外囲器を構成している。
１（以下、本装置１と呼ぶ。）の構造を示す模式図であ
る。本装置は、所定間隔をおいて対面する陽極基板２と
図示しない陰極基板を有している。両基板は、図示しな
いスペーサ部材を介して封着され、内部を高真空状態に
排気されて外囲器を構成している。
【００１１】前記陰極基板の内面には、電界放出形陰極
３が形成されている。電界放出形陰極３は、カソード導
体４と、該カソード導体４の上に設けられたコーン形状
のエミッタ５と、前記エミッタ５の上方に設けられて各
エミッタ５に対応した開口６を有するゲート７を備えて
いる。
３が形成されている。電界放出形陰極３は、カソード導
体４と、該カソード導体４の上に設けられたコーン形状
のエミッタ５と、前記エミッタ５の上方に設けられて各
エミッタ５に対応した開口６を有するゲート７を備えて
いる。
【００１２】図１に示すように、前記各小領域８は、駆
動部として、それぞれ１個ずつの駆動トランジスタ部１
０（以下トランジスタ部１０と呼ぶ。）を有している。
トランジスタ部１０は２個のトランジスタＴｒ1 ，Ｔｒ
2 とキャパシタＣを有する。この小領域８はトランジス
タ部１０および電界放出形陰極３とともに、図示しない
陰極基板に作り込まれている。
動部として、それぞれ１個ずつの駆動トランジスタ部１
０（以下トランジスタ部１０と呼ぶ。）を有している。
トランジスタ部１０は２個のトランジスタＴｒ1 ，Ｔｒ
2 とキャパシタＣを有する。この小領域８はトランジス
タ部１０および電界放出形陰極３とともに、図示しない
陰極基板に作り込まれている。
【００１３】図１に示すように、単位領域９は、隣り合
う２本の帯状ゲートと２本の帯状アノードで区切られた
部分と、この部分に包括された４個の小領域８から成っ
ている。
う２本の帯状ゲートと２本の帯状アノードで区切られた
部分と、この部分に包括された４個の小領域８から成っ
ている。
【００１４】図２に示すように、マトリクス状に並んだ
各トランジスタ部１０のトランジスタＴｒ2 は、列ごと
にゲート電極が接続されている。また、同トランジスタ
Ｔｒ 2 は、行ごとにドレイン電極が接続されている。
各トランジスタ部１０のトランジスタＴｒ2 は、列ごと
にゲート電極が接続されている。また、同トランジスタ
Ｔｒ 2 は、行ごとにドレイン電極が接続されている。
【００１５】図２に示すように、複数のトランジスタ部
１０から成るマトリクスの各行Ｙ1〜Ｙm は、主走査側
シフトレジスタ１１に接続されている。また、同マトリ
クスの各列Ｘ1 〜Ｘn は、副走査側シフトレジスタ１２
に接続されている。そして画像データはドライバを介し
て各列Ｘ1 〜Ｘn から各トランジスタ部１０に与えられ
るように構成されている。
１０から成るマトリクスの各行Ｙ1〜Ｙm は、主走査側
シフトレジスタ１１に接続されている。また、同マトリ
クスの各列Ｘ1 〜Ｘn は、副走査側シフトレジスタ１２
に接続されている。そして画像データはドライバを介し
て各列Ｘ1 〜Ｘn から各トランジスタ部１０に与えられ
るように構成されている。
【００１６】図３に示すように、主走査側シフトレジス
タ１１によって各行Ｙ1 〜Ｙm を走査する。そして各行
が選択される度に、これにタイミングを合わせて各列Ｘ
1 〜Ｘn を副操作側レジスタ１２で走査する。そして画
像データは、このような走査によって選択されたトラン
ジスタ部１０のキャパシタＣにチャージされる。
タ１１によって各行Ｙ1 〜Ｙm を走査する。そして各行
が選択される度に、これにタイミングを合わせて各列Ｘ
1 〜Ｘn を副操作側レジスタ１２で走査する。そして画
像データは、このような走査によって選択されたトラン
ジスタ部１０のキャパシタＣにチャージされる。
【００１７】次に、図１及び図４に示すように、前記電
界放出形陰極３のゲート７は、複数本の帯状電極７ａに
分割されている。各帯状電極７ａは行方向に平行であ
り、その幅は前記小領域８に対応している。そして各帯
状電極は、１本置きに共通に接続されており、全体とし
て２群の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 が構成されている。
界放出形陰極３のゲート７は、複数本の帯状電極７ａに
分割されている。各帯状電極７ａは行方向に平行であ
り、その幅は前記小領域８に対応している。そして各帯
状電極は、１本置きに共通に接続されており、全体とし
て２群の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 が構成されている。
【００１８】次に、図１に示すように、前記陽極基板２
の内面には、発光表示部としてのアノード１５が形成さ
れている。アノード１５は、透光性を有する陽極導体１
６と、該陽極導体１６の表面に被着した蛍光体層１７を
有している。蛍光体層１７の発光は、共に透光性を有す
る陽極導体１６及び陽極基板２を介して陽極基板２の外
面側から観察される。
の内面には、発光表示部としてのアノード１５が形成さ
れている。アノード１５は、透光性を有する陽極導体１
６と、該陽極導体１６の表面に被着した蛍光体層１７を
有している。蛍光体層１７の発光は、共に透光性を有す
る陽極導体１６及び陽極基板２を介して陽極基板２の外
面側から観察される。
【００１９】図１及び図５に示すように、前記アノード
１５は、複数本の帯状電極１５ａに分割されている。ア
ノード１５の各帯状電極１５ａは列方向に平行であり、
その幅は前記小領域８に対応している。各帯状電極１５
ａは、１本置きに共通に接続されており、全体として２
群の帯状電極群Ａ1 ，Ａ2 が構成されている。
１５は、複数本の帯状電極１５ａに分割されている。ア
ノード１５の各帯状電極１５ａは列方向に平行であり、
その幅は前記小領域８に対応している。各帯状電極１５
ａは、１本置きに共通に接続されており、全体として２
群の帯状電極群Ａ1 ，Ａ2 が構成されている。
【００２０】図６に示すように、ゲート７の２群の帯状
電極群Ｇ1 ，Ｇ2 と、アノード１５の２群の帯状電極群
Ａ1 ，Ａ2 は互いに直交しており、前記カソード導体４
の各単位領域９において、各小領域８に対応する４個の
領域ａ，ｂ，ｃ，ｄを区画構成している。
電極群Ｇ1 ，Ｇ2 と、アノード１５の２群の帯状電極群
Ａ1 ，Ａ2 は互いに直交しており、前記カソード導体４
の各単位領域９において、各小領域８に対応する４個の
領域ａ，ｂ，ｃ，ｄを区画構成している。
【００２１】そして、ゲート７の２群の帯状電極群
Ｇ1 ，Ｇ2 と、アノード１５の２群の帯状電極群Ａ1 ，
Ａ2 は、図７に示すように、前記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄ
が所定の順序で選択されるように駆動される。出力イネ
ーブル信号は、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの選択時間の間に
微小な非選択時間を設け、各領域が重なって選択されな
いようにしている。
Ｇ1 ，Ｇ2 と、アノード１５の２群の帯状電極群Ａ1 ，
Ａ2 は、図７に示すように、前記各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄ
が所定の順序で選択されるように駆動される。出力イネ
ーブル信号は、各領域ａ，ｂ，ｃ，ｄの選択時間の間に
微小な非選択時間を設け、各領域が重なって選択されな
いようにしている。
【００２２】図８は、図７に示したような各帯状電極Ｇ
1 ，Ｇ2 ，Ａ1 ，Ａ2 の駆動を実現する回路構成の一例
である。この回路によれば、発振部２０からの信号をカ
ウンタ部２１においてカウントし、そのカウント出力を
基準信号としてドライバａ1に与え、前記帯状電極群Ａ
1 を駆動する。前記帯状電極群Ａ2 を駆動するドライバ
ａ2 には前記基準信号の反転信号を与える。前記カウン
タ部２１のカウンタ出力と、前記発振部２０からの信号
を、デコーダ・ラッチ部２２に入力し、出力イネーブル
信号を得る。基準信号が入力されたフリップフロップ部
２３から出力される互いに反転した２出力と、前記出力
イネーブル信号とをそれぞれＡＮＤ要素に入力し、各出
力をドライバｇ1 ，ｇ2 に与えて各帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ
2 を駆動する。
1 ，Ｇ2 ，Ａ1 ，Ａ2 の駆動を実現する回路構成の一例
である。この回路によれば、発振部２０からの信号をカ
ウンタ部２１においてカウントし、そのカウント出力を
基準信号としてドライバａ1に与え、前記帯状電極群Ａ
1 を駆動する。前記帯状電極群Ａ2 を駆動するドライバ
ａ2 には前記基準信号の反転信号を与える。前記カウン
タ部２１のカウンタ出力と、前記発振部２０からの信号
を、デコーダ・ラッチ部２２に入力し、出力イネーブル
信号を得る。基準信号が入力されたフリップフロップ部
２３から出力される互いに反転した２出力と、前記出力
イネーブル信号とをそれぞれＡＮＤ要素に入力し、各出
力をドライバｇ1 ，ｇ2 に与えて各帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ
2 を駆動する。
【００２３】以上のようなゲート７とアノード１５の構
成によれば、各単位領域９は４個の小さい領域ａ，ｂ，
ｃ，ｄごとに循環して選択される。
成によれば、各単位領域９は４個の小さい領域ａ，ｂ，
ｃ，ｄごとに循環して選択される。
【００２４】従って、直接隣接している小領域８は必ず
消灯状態にあり、選択された小領域８は、隣接のゲート
とアノードがそれぞれ直交し、取り囲むようにオフレベ
ルにあるので、放出電子を集束する電界が発生し、放出
された電子は従来のようには拡散せず、該小領域８に対
応したアノード１５の部分のみに射突する。このため、
高精細表示の蛍光表示装置の場合でも漏れ発光を起こす
ことがない。
消灯状態にあり、選択された小領域８は、隣接のゲート
とアノードがそれぞれ直交し、取り囲むようにオフレベ
ルにあるので、放出電子を集束する電界が発生し、放出
された電子は従来のようには拡散せず、該小領域８に対
応したアノード１５の部分のみに射突する。このため、
高精細表示の蛍光表示装置の場合でも漏れ発光を起こす
ことがない。
【００２５】本装置においては、陰極側のユニット８に
対応する全ての画素が、デューティ４分の１で常時発光
している。このため、図２に示したカソード駆動回路に
おいて画像データをドライバに転送するタイミングと、
前記ゲート７とアノード１５の前述した切り替え制御
（表示タイミング制御）のタイミングとは、必ずしも一
致する必要はない。
対応する全ての画素が、デューティ４分の１で常時発光
している。このため、図２に示したカソード駆動回路に
おいて画像データをドライバに転送するタイミングと、
前記ゲート７とアノード１５の前述した切り替え制御
（表示タイミング制御）のタイミングとは、必ずしも一
致する必要はない。
【００２６】図９は、図２のカソード駆動回路に前記ゲ
ート７とアノード１５を対応させた構成図である。ま
た、図１０は、図９の構成において、上記両駆動のタイ
ミングを一致させた場合のタイミング図である。
ート７とアノード１５を対応させた構成図である。ま
た、図１０は、図９の構成において、上記両駆動のタイ
ミングを一致させた場合のタイミング図である。
【００２７】即ち、前述したように、カソード駆動回路
においては行方向を主走査し、列方向を副走査する。そ
して画像データの転送は、１行の走査毎に列方向を全て
走査し、１行分のデータを転送することによって行う。
これを１行目Ｙ1 から最終行Ｙm まで順次繰り返し、記
憶手段であるキャパシタＣを有する全てのトランジスタ
部１０１０に表示データを転送する。そして、カソード
側における１行目Ｙ1から最終行Ｙm までの走査が終了
する間に、アノード１５の帯状電極群Ａ1 ，Ａ 2 とゲー
ト７の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 を順次切り替えて１画面を
表示させる。
においては行方向を主走査し、列方向を副走査する。そ
して画像データの転送は、１行の走査毎に列方向を全て
走査し、１行分のデータを転送することによって行う。
これを１行目Ｙ1 から最終行Ｙm まで順次繰り返し、記
憶手段であるキャパシタＣを有する全てのトランジスタ
部１０１０に表示データを転送する。そして、カソード
側における１行目Ｙ1から最終行Ｙm までの走査が終了
する間に、アノード１５の帯状電極群Ａ1 ，Ａ 2 とゲー
ト７の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 を順次切り替えて１画面を
表示させる。
【００２８】図１１は、本実施例における電子の分布状
態の一例を示すため、アノード１５に沿った方向ついて
電界解析のコンピュータシミュレーションを行った結果
であり、特に隣接のゲート７を０Ｖに引き下げることに
よって生ずる電界によって、電子線集束の効果が顕著に
顕れている。
態の一例を示すため、アノード１５に沿った方向ついて
電界解析のコンピュータシミュレーションを行った結果
であり、特に隣接のゲート７を０Ｖに引き下げることに
よって生ずる電界によって、電子線集束の効果が顕著に
顕れている。
【００２９】図１２（Ａ）は、図１１に対して直交する
方向であるゲート７に沿った方向ついて電界解析のコン
ピュータシミュレーションを行った結果である。図１２
（Ａ）に示すように隣接のアノードを０Ｖに引き下げる
ことによって、放出電子を集束すると同時に隣接アノー
ドに到達した電子は反発され、漏れ発光は防止される。
しかし反発された電子の大半はゲートに流入し、全放出
電子の数％が無効電流となる。図１２（Ｂ）は、図１３
に示すようにアノード１５の帯状電極の両端縁に対応す
るゲート７の帯状電極７ａ上の位置にそれぞれ絶縁層２
５を設けて、絶縁層のチャージアップによって生ずる電
界によって電子の集束をさらに向上させた場合の効果を
示している。このような構成にすることによって放出さ
れた電子線は更に集束され、消灯すべき隣接のアノード
１５における漏れ発光は完全に防止され、無効電流も減
少させることができる。
方向であるゲート７に沿った方向ついて電界解析のコン
ピュータシミュレーションを行った結果である。図１２
（Ａ）に示すように隣接のアノードを０Ｖに引き下げる
ことによって、放出電子を集束すると同時に隣接アノー
ドに到達した電子は反発され、漏れ発光は防止される。
しかし反発された電子の大半はゲートに流入し、全放出
電子の数％が無効電流となる。図１２（Ｂ）は、図１３
に示すようにアノード１５の帯状電極の両端縁に対応す
るゲート７の帯状電極７ａ上の位置にそれぞれ絶縁層２
５を設けて、絶縁層のチャージアップによって生ずる電
界によって電子の集束をさらに向上させた場合の効果を
示している。このような構成にすることによって放出さ
れた電子線は更に集束され、消灯すべき隣接のアノード
１５における漏れ発光は完全に防止され、無効電流も減
少させることができる。
【００３０】なお、以上説明した実施例ではアノード１
５とゲート７をそれぞれ２群の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 ，
Ａ1 ，Ａ2 に分けたが、発光ドットの密度の状況によっ
てはゲート７又はアノード１５のどちらか一方のみを分
割するだけでもよいし、密度が非常に高い場合はそれぞ
れ３組以上の帯状電極群に分割してもよい。例えば、ア
ノード１５のみを２群の帯状電極群とし、前記単位領域
９が２個の小領域８に分割駆動されるように構成しても
よい。又は、アノード及びゲートをそれぞれ３群の帯状
電極群とし、前記単位領域９が９個の小領域８に分割駆
動されるように構成してもよい。
５とゲート７をそれぞれ２群の帯状電極群Ｇ1 ，Ｇ2 ，
Ａ1 ，Ａ2 に分けたが、発光ドットの密度の状況によっ
てはゲート７又はアノード１５のどちらか一方のみを分
割するだけでもよいし、密度が非常に高い場合はそれぞ
れ３組以上の帯状電極群に分割してもよい。例えば、ア
ノード１５のみを２群の帯状電極群とし、前記単位領域
９が２個の小領域８に分割駆動されるように構成しても
よい。又は、アノード及びゲートをそれぞれ３群の帯状
電極群とし、前記単位領域９が９個の小領域８に分割駆
動されるように構成してもよい。
【００３１】なお、記憶要素とトランジスタによって電
界放出形陰極をマトリクス駆動する蛍光表示装置は、記
憶要素の働きによってデューティが１／１であることを
特徴としているが、前記実施例のような分割駆動を行え
ば、デューティは１／２〜１／４と小さくなって、同一
駆動電圧条件下では輝度が低下する。しかしながら、通
常の単純マトリクス駆動ではデューティが１／２４０〜
１／４８０のような小さな値であることを考慮すれば、
本実施例によるデューティは十分に大きく、さらに電子
の分布を制御して表示品位が向上する点は実用上極めて
有効である。なお、若干の輝度の低下は、アノードへの
入力電圧を２〜４倍にすれば容易に解決することができ
る。
界放出形陰極をマトリクス駆動する蛍光表示装置は、記
憶要素の働きによってデューティが１／１であることを
特徴としているが、前記実施例のような分割駆動を行え
ば、デューティは１／２〜１／４と小さくなって、同一
駆動電圧条件下では輝度が低下する。しかしながら、通
常の単純マトリクス駆動ではデューティが１／２４０〜
１／４８０のような小さな値であることを考慮すれば、
本実施例によるデューティは十分に大きく、さらに電子
の分布を制御して表示品位が向上する点は実用上極めて
有効である。なお、若干の輝度の低下は、アノードへの
入力電圧を２〜４倍にすれば容易に解決することができ
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係る電界放出形蛍光表示装置及
びその駆動方法によれば、次のような効果が得られる。 電界放出形陰極３のカソード導体４をマトリクス駆
動する電界放出形蛍光表示装置において、その特徴であ
る低電圧・高輝度の特徴を最大限に生かして、漏れ発光
や混色の少ない表示品位の高い優れた表示装置が実現で
きる。
びその駆動方法によれば、次のような効果が得られる。 電界放出形陰極３のカソード導体４をマトリクス駆
動する電界放出形蛍光表示装置において、その特徴であ
る低電圧・高輝度の特徴を最大限に生かして、漏れ発光
や混色の少ない表示品位の高い優れた表示装置が実現で
きる。
【００３３】 ゲートやアノードに流れる無効電流を
最小限におさえることができる。
最小限におさえることができる。
【００３４】 構造が簡単であり、製造し易い。例え
ば、アノードとゲートの帯状電極群は、エッチングで極
めて容易に形成できる。
ば、アノードとゲートの帯状電極群は、エッチングで極
めて容易に形成できる。
【００３５】 ゲートとアノードの間には他の電極が
ないので、帯状電極群は極めて高密度な構成とすること
ができる。
ないので、帯状電極群は極めて高密度な構成とすること
ができる。
【００３６】 アノード又は／及びゲートの複数の帯
状電極群を順次選択するだけの簡単な操作で駆動でき
る。
状電極群を順次選択するだけの簡単な操作で駆動でき
る。
【００３７】
【図１】本発明の一実施例の構成を示す模式図である。
【図２】本実施例におけるカソード駆動回路の回路図で
ある。
ある。
【図３】本実施例におけるカソードの駆動タイミング図
である。
である。
【図４】本実施例におけるゲートの帯状電極群を示す図
である。
である。
【図５】本実施例におけるアノードの帯状電極群を示す
図である。
図である。
【図６】本実施例におけるゲートの帯状電極群とアノー
ドの帯状電極群の交差状態を示す図である。
ドの帯状電極群の交差状態を示す図である。
【図７】本実施例におけるゲートの帯状電極群とアノー
ドの帯状電極群の駆動タイミング図である。
ドの帯状電極群の駆動タイミング図である。
【図８】本実施例におけるゲートの帯状電極群とアノー
ドの帯状電極群の駆動回路の一例を示す回路図である。
ドの帯状電極群の駆動回路の一例を示す回路図である。
【図９】本実施例のカソード駆動回路とゲート・アノー
ドによって区画された小領域との関係を示す図である。
ドによって区画された小領域との関係を示す図である。
【図１０】本実施例の駆動タイミング図である。
【図１１】本実施例の効果を示す帯状アノードに沿った
方向の電界解析図である。
方向の電界解析図である。
【図１２】（Ａ）は本実施例の効果を示す帯状ゲートに
沿った方向の電界解析図であり、（Ｂ）は本実施例の変
形例の効果を示す電界解析図である。
沿った方向の電界解析図であり、（Ｂ）は本実施例の変
形例の効果を示す電界解析図である。
【図１３】本実施例におけるゲートの帯状電極群に絶縁
層を設けた態様を示す図である。
層を設けた態様を示す図である。
【図１４】従来の電界放出形蛍光表示装置の構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図１５】従来の電界放出形蛍光表示装置における問題
点を示す電界解析図である。
点を示す電界解析図である。
１ 電界放出形蛍光表示装置 ３ 電界放出形陰極 ４ カソード導体 ５ エミッタ ７ ゲート ７ａ 帯状電極 ８ 小領域 ９ 単位領域 １５ アノード １５ａ 帯状電極 １７ 蛍光体層 ２５ 絶縁層 Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ａ1 ，Ａ2 帯状電極群 ａ，ｂ，ｃ，ｄ 領域
フロントページの続き (72)発明者 小野高 功二 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 カソード導体とエミッタとゲートを有す
る電界放出形陰極に蛍光体を有するアノードが対面し、
前記カソード導体がアクティブマトリクス駆動される電
界放出形蛍光表示装置において、 前記ゲートとアノードの少なくとも一方が複数本の帯状
電極に分割され、各帯状電極が一本おきまたは複数本お
きに共通接続されて複数の帯状電極群を構成しているこ
とを特徴とする電界放出形蛍光表示装置。 - 【請求項２】 前記ゲート及びアノードが、互いに直交
するそれぞれ複数の帯状電極群からなる請求項１記載の
電界放出形蛍光表示装置。 - 【請求項３】 前記アノードの帯状電極の分割部分に対
応する前記ゲートの帯状電極上の位置に、それぞれ絶縁
層を設けた請求項２記載の電界放出形蛍光表示装置。 - 【請求項４】 前記各カソード導体をアクティブマトリ
クス駆動するとともに、前記複数の帯状電極群に順次駆
動信号を与えることにより、前記帯状電極が区画する各
単位領域ごとに包括する小領域を順次繰り返して駆動す
る請求項１又は２記載の電界放出形蛍光表示装置の駆動
方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262388A JP2768238B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 電界放出形蛍光表示装置及びその駆動方法 |
| TW083108872A TW272322B (ja) | 1993-09-30 | 1994-09-24 | |
| KR1019940024569A KR100194368B1 (ko) | 1993-09-30 | 1994-09-28 | 전계방출형 형광표시장치, 및 전계방출형 형광표시장치의 구동방법 |
| US08/315,578 US5786795A (en) | 1993-09-30 | 1994-09-30 | Field emission display (FED) with matrix driving electron beam focusing and groups of strip-like electrodes used for the gate and anode |
| FR9411761A FR2712426B1 (fr) | 1993-09-30 | 1994-09-30 | Dispositif d'affichage fluorescent à émission de champ et méthode de commande de ce dispositif. |
| US09/066,771 US6100637A (en) | 1993-09-30 | 1998-04-27 | Field emission display (FED) with matrix driving, electron beam focusing and groups of strip-like electrodes used for the gate and anode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5262388A JP2768238B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 電界放出形蛍光表示装置及びその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114896A true JPH07114896A (ja) | 1995-05-02 |
| JP2768238B2 JP2768238B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=17375074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5262388A Expired - Lifetime JP2768238B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-10-20 | 電界放出形蛍光表示装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768238B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010062797A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 니시무로 아츠시 | 형광 발광형 표시장치 |
| WO2003032334A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-04-17 | Noritake Co., Limited | Element en pellicule epaisse, son dispositif d'application et ses procedes de fabrication |
| KR100434535B1 (ko) * | 1998-12-14 | 2004-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 구동방법 |
| WO2005096340A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
| KR100592203B1 (ko) * | 1998-07-03 | 2006-06-23 | 탈레스 | 전자 친화도가 낮은 캐소드를 갖는 스크린 제어 |
| WO2007011117A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-25 | Iljin Diamond Co., Ltd | Field emission device |
| JP2007264533A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Futaba Corp | 電界放出形表示素子及びその駆動方法 |
| US7492087B2 (en) | 1997-03-21 | 2009-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission apparatus comprising electron-emitting devices, image forming apparatus and voltage application apparatus for applying voltage between electrodes |
| US7888878B2 (en) | 2001-07-12 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device using electron source elements and method of driving same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261946A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-03-01 | Commiss Energ Atom | マイクロドット三原色蛍光スクリーンとその製造方法及びそのアドレス方法 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP5262388A patent/JP2768238B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261946A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-03-01 | Commiss Energ Atom | マイクロドット三原色蛍光スクリーンとその製造方法及びそのアドレス方法 |
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| US7791264B2 (en) | 1997-03-21 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission apparatus comprising electron-emitting devices, image-forming apparatus and voltage application apparatus for applying voltage between electrodes |
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| US8022633B2 (en) | 2001-07-12 | 2011-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device using electron source elements and method of driving same |
| US7888878B2 (en) | 2001-07-12 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device using electron source elements and method of driving same |
| WO2003032334A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-04-17 | Noritake Co., Limited | Element en pellicule epaisse, son dispositif d'application et ses procedes de fabrication |
| US7105200B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-12 | Noritake Co., Limited | Method of producing thick-film sheet member |
| WO2005096340A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置 |
| KR100710592B1 (ko) * | 2005-07-18 | 2007-04-24 | 일진다이아몬드(주) | 전계 방출 장치 |
| WO2007011117A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-25 | Iljin Diamond Co., Ltd | Field emission device |
| JP2007264533A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Futaba Corp | 電界放出形表示素子及びその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768238B2 (ja) | 1998-06-25 |
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