KR20060084501A - 전자기장을 이용한 전계방출소자 및 그 구동방법 - Google Patents

전자기장을 이용한 전계방출소자 및 그 구동방법 Download PDF

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KR20060084501A
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송병권
허정나
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Abstract

전자기장을 이용한 전계방출소자 및 그 구동방법이 개시된다. 개시된 전계방출소자는 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 하부기판 및 상부기판; 하부기판 상에 마련되는 다수의 캐소드 전극; 캐소드 전극들 사이에 배치되는 다수의 게이트 전극; 상부기판 상에 마련되는 애노드 전극; 애노드 전극 상에 형성되는 형광체층; 및 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성하도록 게이트 전극에 전류를 인가하는 게이트 구동회로;를 구비한다.

Description

전자기장을 이용한 전계방출소자 및 그 구동방법{Field emission device using electromagnetic field and driving method thereof}
도 1은 종래 일반적인 전계방출소자를 도시한 일부 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계방출소자를 도시한 일부 단면도이다.
도 3은 도 2의 하부기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 게이트 전극을 도시한 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 게이트 전극에 전압만을 인가한 경우와 게이트 전극에 전압 및 전류를 인가한 경우를 도시한 것이다.
도 5a 및 도 5b는 각각 게이트 전극에 전압만을 인가한 경우와 게이트 전극에 전압 및 전류를 인가한 경우, 상부기판에 형성된 화상을 보여주는 사진들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 하부기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 게이트 전극을 도시한 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110...하부기판 112... 캐소드 전극
116... 게이트 전극 120... 상부기판
122... 애노드 전극 124... 형광체층
130... 에미터 150... 게이트 구동회로
본 발명은 전계방출소자에 관한 것으로서, 상세하게는 전자기장을 이용하여 에미터로부터 방출되는 전자들을 집속함으로써 휘도(brightness) 및 발광효율(luminous efficiency)을 향상시킬 수 있는 전계방출소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.
전계방출소자(FED; Field Emission Device)는 캐소드 전극에 형성된 에미터(emitter) 주위에 강한 전기장을 형성하여 상기 에미터로부터 전자를 방출시키고, 이렇게 방출된 전자를 가속하여 애노드 전극 상에 도포된 형광체층에 충돌시켜 발광되도록 하는 장치이다. 전계방출소자는 전체 두께가 수 ㎝에 불과하며, 넓은 시야각, 낮은 소비전력, 낮은 제조비용 등의 장점을 갖기 때문에 액정 디스플레이(LCD; Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel)과 함께 차세대 표시소자로 주목받고 있고 있다.
한편, 액정 디스플레이 등에 사용되는 종래의 백라이트(back-light) 소자로는 선광원으로서 냉음극 형광램프(CCFL; Cold Cathode Fluorescent Lamp)와, 점광원으로서 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 종래의 백라이트 소자는 일반적으로 그 구성이 복잡하여 제조 비용이 높고, 광원이 측면에 있어서 광의 반사와 투과에 따른 전력 소모가 큰 단점이 있다. 특히, 액정 디스플레이가 대형화할수록 휘도의 균일도를 확보하기 힘든 문제점 이 있다. 이에 따라, 최근에는 평면발광 구조를 가진 백라이트용 전계방출소자가 개발되고 있다. 이러한 백라이트용 전계방출소자는 기존의 냉음극 형광램프 등을 이용한 백라이트 소자에 비해 전력 소모가 적고, 또한 넓은 범위의 발광 영역에서도 비교적 균일한 휘도를 나타내는 장점이 있다.
도 1에는 종래 전계방출소자의 일반적인 구조가 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 하부기판(10)과 상부기판(20)이 서로 이격되게 배치되어 있다. 여기서, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20)은 그 사이에 마련되는 스페이서(미도시)에 의해 서로 일정 간격으로 유지되어 있다. 상기 하부기판(10)의 상면에는 캐소드 전극(12)이 형성되며, 그 위에는 절연층(14)과 전자 추출을 위한 게이트 전극(16)이 차례로 형성되어 있다. 그리고, 상기 절연층(14)에는 캐소드 전극(12)을 노출시키는 에미터홀(emitter hole)이 형성되어 있으며, 이 에미터홀의 내부에는 전자를 방출시키는 에미터(30)가 마련되어 있다. 한편, 상기 상부기판(20)의 하면에는 애노드 전극(22)이 형성되어 있으며, 이 애노드 전극(22) 상에는 형광체층(24)이 도포된다.
그러나, 상기와 같은 구조의 전계방출소자에서는 에미터(30)로부터 방출된 전자들이 애노드 전극(22) 상의 원하는 위치에 정확하게 도달되기 어렵다는 문제점이 있어 휘도 및 발광효율이 떨어질 수 있다. 그리고, 에미터(30)로부터 더 많은 양의 전자를 방출시키기 위하여 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16) 사이에 더 강한 전기장을 인가하게 되면, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16) 사이에는 누설 전류(leakage current)가 증가하게 된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 전자기장을 이용하여 에미터로부터 방출되는 전자들을 집속함으로써 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 전계방출소자 및 그 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 일 구현예에 따르면,
일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 하부기판 및 상부기판;
상기 하부기판 상에 마련되는 다수의 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극들 사이에 배치되는 다수의 게이트 전극;
상기 상부기판 상에 마련되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성되는 형광체층; 및
상기 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성하도록 상기 게이트 전극에 전류를 인가하는 게이트 구동회로;를 구비하는 전계방출소자가 개시된다.
상기 게이트 구동회로에는 공진회로 또는 에너지 회수(recovery)회로가 더 구비될 수 있다.
상기 캐소드 전극의 양측에는 적어도 하나의 에미터가 마련되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT), 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선 및 나노 산화금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 캐소드 전극 및 게이트 전극들은 스트라이프 형태로 형성되며, 상기 하 부기판의 동일 평면상에 마련될 수 있다.
상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 직류 또는 교류 전류를 인가할 수 있다. 여기서, 상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 인가되는 전류의 세기를 조절함으로써 상기 캐소드 전극으로부터 방출된 전자들을 상기 애노드 전극의 소정 위치에 집속시킬 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면,
일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 하부기판 및 상부기판;
상기 하부기판 상에 서로 교대로 마련되는 다수의 제1 및 제2 캐소드 전극;
상기 제1 및 제2 캐소드 전극들 사이에 배치되는 게이트 전극;
상기 상부기판 상에 마련되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 형성되는 형광체층; 및
상기 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성하도록 상기 게이트 전극에 전류를 인가하는 게이트 구동회로;를 구비하는 전계방출소자가 개시된다.
여기서, 상기 게이트 전극은 일체형으로 이루어지는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 제1 및 제2 캐소드 전극들은 각각 제1 및 제2 캐소드 구동회로에 연결될 수 있다.
상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 교류 전류를 인가할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 캐소드 전극들은 상기 게이트 전극에 인가되는 전류의 방향에 따라 교대로 전자를 방출시키는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설 명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계방출소자를 도시한 일부 단면도이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 하부기판 상에 배치된 캐소드 전극과 게이트 전극들을 도시한 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 하부기판(110)과 상부기판(120)이 이격되어 서로 대향되게 배치되어 있다. 상기 하부기판(110)과 상부기판(120)은 그 사이에 마련되는 스페이서(spacer,미도시)에 의해 서로 일정한 간격을 유지하고 있다. 상기 상부기판(120)의 하면에는 애노드(anode) 전극(122)이 마련되어 있으며, 상기 애노드 전극(122)의 하면에는 형광체층(124)이 형성되어 있다.
상기 하부기판(110)의 상면에는 캐소드(cathode) 전극(112)과 게이트(gate) 전극(116)이 교대로 형성되어 있다. 여기서, 상기 캐소드 전극(112) 및 게이트 전극들(116)은 하부기판(110)의 동일 평면상에서 스트라이프(stripe) 형태로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 캐소드 전극(112)의 양측에는 적어도 하나의 에미터(emitter,130)가 마련되어 있다. 상기 에미터(130)는 캐소드 전극(112)과 게이트 전극(116) 사이에 인가되는 전계(electric field)에 의하여 전자를 방출시키는 전자방출원으로서, 탄소나노튜브(CNT; carbon nanotube), 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선 및 나노 산화금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 게이트 전극(116)에는 게이트 구동회로(150)가 연결되어 있다. 상기 게이트 구동회로(150)는 게이트 전극(116)에 전압을 인가하는 동시에 전류를 흘려주기 위한 회로이다. 이와 같이 게이트 전극(116)에 전류를 흘려주기 위해서 상기 게이트 구동회로(150)와 게이트 전극(116)은 폐회로(closed loop)를 구성하게 된다. 여기서, 상기 게이트 전극(116)에는 직류 또는 교류 전류가 인가될 수 있다. 한편, 상기 게이트 전극(116)에 교류 전류가 인가될 때, 상기 게이트 구동회로(150)에는 소비전력을 최소화하기 위해서 공진회로(resonance circuit,미도시) 또는 에너지 회수회로(energy recovery circuit,미도시)가 더 구비될 수 있다.
상기와 같이 게이트 전극(116)과 게이트 구동회로(150)가 폐회로를 구성하게 되면, 게이트 전극(116)의 양단에는 소정의 전압차가 존재하게 되고, 이에 따라 게이트 전극(116)에는 전류(C)가 흐르게 된다. 이와 같이, 상기 게이트 전극(116)에 전류(C)가 흐르게 되면, 상기 게이트 전극(116)의 주위에는 전자기장(electromagnetic field,B)이 형성된다.
상기와 같은 구성에서, 캐소드 전극(112)과 게이트 전극(116)에 각각 소정 전압이 인가되면, 캐소드 전극(112)과 게이트 전극(116) 사이에 형성되는 전계에 의하여 캐소드 전극(112)의 에미터(130)로부터 전자들이 방출된다. 이때, 상기 게이트 전극(116)에는 전류(C)가 흐르게 되므로 게이트 전극(116)의 주위에 전자기장(B)이 형성되고, 상기 에미터(130)로부터 방출된 전자들은 이러한 전자기장(B)의 영향을 받아 나선 형태로 회전하면서 애노드 전극(122) 쪽으로 가속된다. 이때, 게이트 구동회로(150)에 의하여 상기 게이트 전극(116)에 흐르는 전류(C)를 조절함으로써 상기 에미터(130)로부터 방출된 전자들은 애노드 전극(122)상의 원하는 위치에 집속될 수 있다. 이렇게 집속된 전자들은 형광체층(124)과 충돌하면서 가시광을 발생시키게 된다.
이와 같이, 게이트 구동회로(150)에 의하여 게이트 전극(116)에 전류를 흘려주게 되면, 상기 게이트 전극(116)의 주위에 형성되는 전자기장으로 인하여 에미터(130)로부터 방출되는 전자들을 애노드 전극(122) 상의 원하는 위치에 효과적으로 집속할 수 있다. 이에 따라, 휘도 및 휘도의 균일도가 향상될 수 있으며, 발광효율이 향상될 수 있다. 한편, 에미터(130)로부터 방출되는 전자들의 회전력에 의하여 발광효율은 더욱 향상될 수 있다.
도 4a는 게이트 구동회로(150)에 연결된 스위치(160)를 오프(off)시켜 게이트 전극(116)에 전압만을 인가한 경우를 도시한 것이고, 도 4b는 게이트 구동회로(150)에 연결된 스위치를 온(on)시켜 게이트 전극(116)에 전압 및 전류를 인가한 경우를 도시한 것이다.
그리고, 도 5a 및 도 5b는 각각 도 4a에 도시된 바와 같이 게이트 전극(116)에 전압만을 인가한 경우와 도 4b에 도시된 바와 같이 게이트 전극(116)에 전압 및 전류를 인가한 경우에 상부기판(120)에 형성된 화상을 보여주는 사진들이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 종래와 같이 게이트 전극(116)에 전압만을 인가했을 경우에는 에미터(130)로부터 방출된 전자들이 애노드 전극(122) 상의 원하는 위치에 도달되지 않아 도 5a에 도시된 바와 같이 화상의 퍼짐(spreading) 현상이 나타나는 반면, 게이트 전극(116)에 전압 및 전류(C)를 인가했을 경우에는 게이트 전극(116) 주위에 형성되는 전자기장의 영향으로 에미터(130)로부터 방출된 전자들이 애노드 전극(122) 상의 원하는 위치에 집속됨으로써 도 5b에 도시된 바와 같이 화상의 퍼 짐 현상이 줄어들었음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 하부기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 게이트 전극을 도시한 도면이다. 본 실시예에서는 상부기판과 하부기판, 상부기판 상에 형성되는 애노드 전극 및 형광체층은 전술한 실시예에서 설명되었으므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 하부기판(미도시) 상에 캐소드 전극들(212a,212b) 및 게이트 전극(216)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 캐소드 전극들(212a,212b) 및 게이트 전극(216)은 동일 평면 상에 마련될 수 있다. 상기 캐소드 전극들(212a,212b)은 서로 교대로 배치되는 다수의 제1 캐소드 전극(212a) 및 제2 캐소드 전극(212b)으로 이루어진다. 여기서, 상기 제1 및 제2 캐소드 전극들(212a,212b)은 스트라이프 형태로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 캐소드 전극들(212a,212b)의 양측에는 적어도 하나의 에미터(미도시)가 마련될 수 있다. 상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT), 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선 및 나노 산화금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 전극(216)은 상기 제1 캐소드 전극(212a)과 제2 캐소드 전극(212b) 사이에 위치하도록 마련된다. 여기서, 상기 게이트 전극(216)은 일체형으로 이루어진다. 그리고, 상기 제1 캐소드 전극들(212a)에는 상기 제1 캐소드 전극들(212a)에 소정 전압을 인가하기 위한 제1 캐소드 구동회로(260)가 연결되어 있으며, 상기 제2 캐소드 전극들(212b)에는 상기 제2 캐소드 전극들(212b)에 소정 전압을 인가하기 위한 제2 캐소드 구동회로(270)가 연결되어 있다.
상기 게이트 전극(216)에는 상기 게이트 전극(216)에 전압 및 전류를 인가하기 위한 게이트 구동회로(250)가 연결되어 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(216)과 게이트 구동회로(250)는 폐회로를 구성하게 된다. 상기 게이트 구동회로(250)에 의하여 게이트 전극(216)에 전류가 흐르게 되면, 상기 게이트 전극(216)의 주위에는 전자기장이 형성된다. 한편, 본 실시예에서는 상기 게이트 구동회로(250)에 의하여 상기 게이트 전극(216)에 교류 전류가 인가된다. 이때, 상기 게이트 구동회로(250)에는 소비전력을 최소화하기 위해서 공진회로(미도시) 또는 에너지 회수회로(미도시)가 더 구비될 수 있다.
상기와 같은 구성에서, 먼저 제1 캐소드 구동회로(260) 및 게이트 구동회로(250)에 의하여 제1 캐소드 전극들(212a) 및 게이트 전극(216)에 각각 소정의 전압이 인가되면 상기 게이트 전극(216)에는 전류가 예를 들어 C1 방향으로 흐르게 된다. 그리고, 상기 게이트 전극(216)의 주위에는 상기 게이트 전극(216)에 흐르는 C1 방향의 전류에 따라 전자기장이 형성된다. 이에 따라, 제1 캐소드 전극들(212a)과 게이트 전극(216) 사이에 형성된 전계로 의하여 제1 캐소드 전극들(212a)의 에미터로부터 전자들이 방출되고, 이렇게 방출된 전자들은 게이트 전극(216)의 주위에 형성되는 전자기장으로 인하여 애노드 전극(미도시) 상의 소정 위치에 집속되게 된다. 다음으로, 제2 캐소드 구동회로(270) 및 게이트 구동회로(250)에 의하여 제2 캐소드 전극들(212b) 및 게이트 전극(216)에 각각 소정의 전압이 인가된다. 이때, 상기 게이트 전극(216)에는 전류가 C1 방향과 반대 방향인 C2 방향으로 흐르게 된 다. 그리고, 상기 게이트 전극(216)의 주위에는 상기 게이트 전극(216)에 흐르는 C2 방향의 전류에 따라 전자기장이 형성된다. 이에 따라, 제2 캐소드 전극들(212b)과 게이트 전극(216) 사이에 형성되는 전계로 의하여 제2 캐소드 전극들(212b)의 에미터로부터 전자들이 방출되고, 이렇게 방출된 전자들은 게이트 전극(216)의 주위에 형성된 전자기장으로 인하여 애노드 전극 상의 소정 위치에 집속되게 된다. 이와 같이, 본 실시예에서는 게이트 전극(216)에 흐르는 전류의 방향이 바뀜에 따라 제1 캐소드 전극들(212a)과 제2 캐소드 전극들(212b)로부터 교대로 전자들이 방출되게 된다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 전계방출소자에 의하면, 게이트 전극에 전압을 인가하는 동시에 전류를 흘려주는 게이트 구동회로를 구비함으로써 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성할 수 있게 되고, 이에 따라 캐소드 전극의 에미터로부터 방출되는 전자들을 애노드 전극 상의 원하는 위치에 효과적으로 집속할 수 있다. 그 결과, 휘도 및 휘도의 균일도가 향상될 수 있으며, 발광효율이 증대될 수 있다.

Claims (18)

  1. 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 하부기판 및 상부기판;
    상기 하부기판 상에 마련되는 다수의 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극들 사이에 배치되는 다수의 게이트 전극;
    상기 상부기판 상에 마련되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 상에 형성되는 형광체층; 및
    상기 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성하도록 상기 게이트 전극에 전류를 인가하는 게이트 구동회로;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 구동회로에는 공진회로 또는 에너지 회수(recovery)회로가 구비되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극의 양측에는 적어도 하나의 에미터가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT), 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금 속선 및 나노 산화금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 및 게이트 전극들은 스트라이프 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 및 게이트 전극들은 상기 하부기판의 동일 평면상에 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  7. 제 1 항에 기재된 전계방출소자의 구동방법에 있어서,
    상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 직류 또는 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 구동방법
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 인가되는 전류의 세기를 조절함으로써 상기 캐소드 전극으로부터 방출된 전자들을 상기 애노드 전극의 소정 위치에 집속시키는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 구동방법.
  9. 일정한 간격으로 서로 대향되게 배치되는 하부기판 및 상부기판;
    상기 하부기판 상에 서로 교대로 마련되는 다수의 제1 및 제2 캐소드 전극;
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극들 사이에 배치되는 게이트 전극;
    상기 상부기판 상에 마련되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 상에 형성되는 형광체층; 및
    상기 게이트 전극의 주위에 전자기장을 형성하도록 상기 게이트 전극에 전류를 인가하는 게이트 구동회로;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 일체형으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극들은 각각 제1 및 제2 캐소드 구동회로에 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 게이트 구동회로에는 공진회로 또는 에너지 회수(recovery)회로가 구비되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극의 양측에는 적어도 하나의 에미터가 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 에미터는 탄소나노튜브(CNT), 비정질 탄소, 나노 다이아몬드, 나노 금속선 및 나노 산화금속선으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극들은 스트라이프 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극은 하부기판의 동일 평면상에 마련되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
  17. 제 10 항에 기재된 전계방출소자의 구동방법에 있어서,
    상기 게이트 구동회로는 상기 게이트 전극에 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 구동방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐소드 전극들은 상기 게이트 전극에 인가되는 전류의 방향에 따라 교대로 전자를 방출시키는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 구동방법.
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