KR20060065235A - 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법 - Google Patents

전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060065235A
KR20060065235A KR1020040104033A KR20040104033A KR20060065235A KR 20060065235 A KR20060065235 A KR 20060065235A KR 1020040104033 A KR1020040104033 A KR 1020040104033A KR 20040104033 A KR20040104033 A KR 20040104033A KR 20060065235 A KR20060065235 A KR 20060065235A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotube
catalyst layer
growth promoting
nanotube growth
promoting catalyst
Prior art date
Application number
KR1020040104033A
Other languages
English (en)
Inventor
문희성
김재명
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040104033A priority Critical patent/KR20060065235A/ko
Publication of KR20060065235A publication Critical patent/KR20060065235A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06—Main electrodes
    • H01J61/067—Main electrodes for low-pressure discharge lamps
    • H01J61/0672—Main electrodes for low-pressure discharge lamps characterised by the construction of the electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06—Main electrodes
    • H01J61/067—Main electrodes for low-pressure discharge lamps
    • H01J61/0675—Main electrodes for low-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 인터 디지트(inter digit) 전극 구조를 취하여 휘도가 증진되고 수명이 늘어나며 제조공정이 단순화된 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법을 위하여, 서로 대향된 전면 기판 및 배면 기판과, 상기 전면 기판의 상기 배면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 애노드 전극층 및 형광체층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 일 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고, 타 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층, 그리고 상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법을 제공한다.

Description

전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법 {Electron emission type backlight unit, flat panel display device therewith and method of manufacturing the electron emission type backlight unit}
도 1은 종래의 전자 방출형 백라이트 유니트를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 2는 종래의 전자 방출형 백라이트 유니트의 배면 패널을 개략적으로 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 배면 패널을 개략적으로 도시하는 평면도.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 취한 단면도.
도 5는 도 4의 일부분의 확대도.
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 배면 패널을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 7은 바이폴라 펄스(bipolar pulse)형의 전압 파형을 개략적으로 도시하는 개념도.
도 8은 바이폴라 펄스의 일종인 교류 전압의 파형을 개략적으로 도시하는 개념도.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액정 디스플레이 패널과 백라이트 유니트를 도시한 분리 사시도.
도 10은 도 9 의 X-X선을 따라 취한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
300: 배면 기판
310: 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층
320: 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층
330, 340: 알루미늄층
350, 360: 탄소 나노튜브
400: 전면 기판
450: 형광체층
460: 애노드 전극층
본 발명은 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 인터 디지트(inter digit) 전극 구조를 취하여 휘도가 증진되고 수명이 늘어나며 제조공정이 단순화된 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 평판 디스플레이 장치(flat panel display device)는 크게 발광형과 수광형으로 분류될 수 있다. 발광형으로는 음극선관(CRT; Cathode Ray Tube), 플라즈마 디스플레이 장치(PDP; Plasma Display Panel) 및 전자 방출 디스플레이 장치(FED; Electron Emission Display Device) 등이 있으며, 수광형으로는 액정 디스플레이 장치(LCD; Liquid Crystal Display Device)가 있다. 이중에서, 액정 디스플레이 장치는 무게가 가볍고 소비전력이 적은 장점을 가지고 있으나, 그 자체가 발광하여 화상을 형성하지 못하고 외부로부터 빛이 입사되어 화상을 형성하는 수광형 디스플레이 장치이므로, 어두운 곳에서는 화상을 볼 수 없다는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액정 디스플레이 장치의 배면에는 백라이트 유니트(backlight unit)가 설치되어 빛을 조사한다. 이에 따라, 어두운 곳에서도 화상을 구현할 수 있다.
종래의 백라이트 유니트로는 가장자리 발광형이 주로 이용되었는바, 광원으로서 선광원과 점광원을 사용하였다. 대표적인 선광원으로서는 양 단부의 전극이 관내에 설치되는 냉음극 형광램프(CCFL: cold cathode fluorescent lamp)가 있고, 점광원으로서는 발광다이오드(LED: light emitting diode)가 있다.
냉음극 형광램프는 강한 백색광을 방출할 수 있고 고휘도와 고균일도를 얻을 수 있으며 대면적화 설계가 가능하다는 장점이 있지만, 고주파 교류신호에 의해 작동되고 작동온도범위가 좁다는 단점이 있다. 발광다이오드는 휘도와 균일도 면에서 냉음극 형광램프에 비해 성능이 떨어지나, 직류신호 의해 작동되고 수명이 길며 작 동온도범위가 넓다. 또, 박형화가 가능하다는 장점을 가진다. 그러나 이러한 종래의 백라이트 유니트는 일반적으로 그 구성이 복잡하여 제조 비용이 높고, 광원이 측면에 있어서 광의 반사와 투과에 따른 전력 소모가 큰 단점이 있다. 특히, 액정 디스플레이 장치가 대형화될수록 휘도의 균일성을 확보하기 힘든 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 상기 문제점들을 해소하기 위하여 평면 발광 구조를 가진 전자 방출형(electron emission type)의 백라이트 유니트가 제안되고 있다. 이러한 전자 방출형 백라이트 유니트는 기존의 냉음극 형광램프 등을 이용한 백라이트 유니트에 비해 전력 소모가 적고, 또한 넓은 범위의 발광 영역에서도 비교적 균일한 휘도를 나타내는 장점이 있다.
도 1 및 도 2에는 대한민국 공개특허공보 특2003-0081866호에 개시된 종래의 전자 방출형 백라이트 유니트의 일 예가 도시되어 있다. 도 1은 상기 백라이트 유니트의 단면도이고 도 2는 그 배면 패널의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상부 기판(200)과 하부 기판(100)이 일정간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 있다. 그리고, 상기 상부 기판(200)의 하면에는 형광체층(210)과 애노드(anode) 전극층(220)이 차례로 구비되어 있으며, 상기 하부 기판(100)의 상면에는 캐소드(cathode) 전극층(110)이 구비되어 있고 그 상부에 전자 방출부(120)가 스트라이프 형상으로 구비되어 있다. 이러한 구조를 가진 전자 방출형 백라이트 유니트에 있어서, 상기 애노드 전극층(220)과 상기 캐소드 전극층(110) 사이에 소정의 전압을 인가하게 되면, 상기 캐소드 전극층(110) 상의 전자 방출부(120)로부터 전자가 방출된다. 그리고, 이렇게 방출된 전자가 형광체층(210) 에 충돌하게 되면 형광체층(210) 내의 형광물질이 여기되어 가시광을 발산하게 된다.
그런데, 상기한 백라이트 유니트는 도 2에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극층(110)이 하부 기판(100)의 전면에 형성된 구조를 가지고 있다. 이러한 구조에서는 애노드 전극층(220)과 캐소드 전극층(110) 사이에 전자 방출을 위한 고전압이 직접 인가되므로 국부적으로 아킹이 발생하기 쉽다. 이와 같이 국부적인 아킹이 발생하게 되면, 백라이트 유니트의 전면에 걸쳐 휘도의 균일성을 보장하기 힘들뿐만 아니라, 전극층들(220, 110), 형광체층(210) 및 전자 방출부(120)가 아킹에 의해 손상되어 백라이트 유니트의 수명이 짧아지게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 인터 디지트(inter digit) 전극 구조를 취하여 휘도가 증진되고 수명이 늘어나며 제조공정이 단순화된 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
서로 대향된 전면 기판 및 배면 기판;
상기 전면 기판의 상기 배면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 애노드 전극층 및 형광체층;
상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 일 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층;
상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고, 타 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층;
상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층; 및
상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층은 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 사이에, 보조 전극층이 더 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층간에 바이폴라 펄스형 전압이 인가되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 바이폴라 펄스형 전압은 교류전압인 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 서로 대향된 전면 기판 및 배면 기판과, 상기 전면 기판의 상기 배면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 애노드 전극층 및 형광체층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 구비되고 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층, 그리고 상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에 구비되고 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들을 구비하는 전자 방출형 백라이트 유니트; 및
상기 백라이트 유니트의 전방에 배치되어 상기 백라이트 유니트로부터 공급 되는 광을 제어하여 화상을 구현하는, 수발광 소자를 이용한 디스플레이 패널;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층은 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 사이에, 보조 전극층이 더 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층간에 바이폴라 펄스형 전압이 인가되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 바이폴라 펄스형 전압은 교류전압인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 수발광 소자는 액정인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여,
(a) 배면 기판의 상부에, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부의 알루미늄층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부의 알루 미늄층을 형성하는 단계;
(b) 상기 알루미늄층에, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들을 형성하는 단계;
(c) 상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들을 형성하는 단계;
(d) 상기 배면 기판에 대향되는 전면 기판의 면에 애노드 전극층 및 형광체층을 형성하는 단계; 및
(e) 상기 배면 기판과 상기 전면 기판의 단부를 봉지하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계는, 배면 기판의 상부에, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1보조 전극층과 그 상부의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층과, 상기 제 1보조 전극층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2보조 전극층과 그 상부의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계는,
(a1) 배면 기판의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하는 단계;
(a2) 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 알루미늄층을 형성하는 단계; 및
(a3) 상기 탄소나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부에 구비된 알루미늄층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부에 구비된 알루미늄층을 형성하는 단계;를 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (a1) 단계 이전에, 배면 기판의 상부에 보조 전극층을 형성하는 단계를 더 구비하고, 상기 (a1) 단계는, 상기 보조 전극층의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하는 단계이며, 상기 (a3) 단계는, 상기 보조 전극층, 상기 탄소나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1보조 전극층과 그 상부에 구비된 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층과, 상기 제 1보조 전극층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2보조 전극층과 그 상부에 구비된 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (b) 단계는, 양극산화법을 이용하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (c) 단계는, 화학 기상 증착법을 이용하는 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 배면 패널을 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 취한 단면도이며, 도 5는 도 4의 일부분의 확대도이다.
먼저 도 4를 참조하면, 전면 기판(400)과 배면 기판(300)이 서로 대향되도록 배치되어 있다.
상기 전면 기판(400)의 상기 배면 기판(300)을 향한 면의 상부는 애노드 전극층(460) 및 형광체층(450)이 구비되어 있다. 도 4에 도시되어 있듯이, 형광체층(450)이 상기 전면 기판(400)의 상기 배면 기판(300) 방향의 면 상에 구비되고, 상기 형광체층(450)의 상면에 금속 박막으로 이루어지는 애노드 전극층(460)이 구비되어 있다. 금속 박막으로 이루어지는 상기 애노드 전극층(460)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받는 기능뿐만 아니라 백라이트 유니트의 내전압 확보와 휘도 향상에 도움을 주는 역할을 한다. 한편, 상기와 같은 구조에서 상기 형광체층(450)의 일 표면에는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극이 더 구비될 수 있다. 투명 전극은 전면 기판의 일 표면 전체를 덮도록 구비되거나 스트라이프 패턴으로 구비될 수 있다. 이 경우에는 상술한 금속 박막을 생략할 수 있으며, 생략할 경우 투명 전극이 애노드 전극이 되어 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가받는다.
또한, 도 4에 도시된 바와 달리, 상기 전면 기판(400)의 상기 배면 기판(300) 방향의 면 상부에 전자를 가속하기 위해 고전압이 인가되는 ITO 등으로 형성되는 투명한 애노드 전극층과, 상기 애노드 전극층의 상부에 상기 전자에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 형광체층이 구비된 구조를 취할 수도 있다.
한편, 상기 배면 기판(300)의 상기 전면 기판(400)을 향한 면의 상부에는, 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 구비된다. 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층들(310, 320)은, 후술하는 제조방법에서 설명하듯이, 전자 방출부가 되는 탄소 나노튜브의 성장을 촉진하는 것으로서, 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 경우에는 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층들(310, 320)은 도전성 물질이므로, 전자 방출부가 되는 탄소 나노튜브에 전자를 공급하는 캐소드 전극의 역할도 하게 된다.
상기 촉매층들(310, 320)의 상부에는 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층(330, 340)이 구비되어 있다. 그리고 상기 알루미늄층(330, 340)의 상기 홀들 내부에는, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 상에, 탄소 나노 튜브들(350, 360)이 구비되어 있다.
이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 (310)은 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴으로 구비된다. 그리고 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)은, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고, 타 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴으로 구비된다. 그리고 상기 알루미늄층(330, 340)은 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)의 상부에 구비되므로, 동일한 패턴으로 구비된다. 물론 도 3의 도면은 평면도이므로, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 아니라 상기 알루미늄층(330, 340)의 형상이 도시되어 있다.
상기와 같은 구조의 전자 방출형 백라이트 유니트에 있어서, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)에 상반된 극성의 전압을 인가하여, 예컨대 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)에 마이너스 전압을 인가하고 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)에 플러스 전압을 인가하여 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)이 캐소드 전극이 되고 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 게이트 전극이 되도록 할 수 있다.
상기와 같은 전압을 인가하면 캐소드 전극인 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 상에 구비된 전자 방출부인 탄소 나노튜브들(350)로부터 전자들이 방출되며, 상기 방출된 전자들은 전면 기판(400)의 애노드 전극층(460)에 의해 형성된 전계에 의해 상기 형광체층(450)에 충돌하여 빛을 발생시키게 된다. 이와 같이 종래의 전자 방출형 백라이트 유니트가 2극 구조를 취한 것과 달리 인터 디지 트(inter digit)형 평면 3극 구조를 취함으로써 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)을 이용하여 전자 방출부에 강한 전계가 형성되도록 하여 전자의 방출을 용이하게 함과 동시에 캐소드 전극과 애노드 전극간의 직접적인 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같은 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저 글라스재 등으로 형성된 배면 기판(300)을 준비하고, 상기 배면 기판(300)의 상부에, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 그 상부의 알루미늄층(330)과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 및 그 상부의 알루미늄층(340)을 형성한다.
상기와 같은 구조의 촉매층들(310, 320) 및 그 상부의 알루미늄층들(330, 340)을 제조하는 방법은 다양한 것들이 있을 수 있는데, 예컨대, 상기 배면 기판(300)의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하고, 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 알루미늄층을 형성한 후, 상기 촉매층 및 알루미늄층을 동시에 패터닝하여 이룰 수 있다.
즉 상기와 같은 촉매층 및 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 그 상부에 구비된 알루미늄층(330)과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 및 그 상부에 구비된 알루미늄층(340)을 형성할 수 있다. 물론 이외에 마스크를 이용한 증착 등의 다양한 방법들을 사용할 수도 있음은 물론이다.
이때, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)의 재료로는, 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 사용할 수 있다. 이 물질은 후에 전자 방출부가 되는 탄소 나노튜브의 성장을 촉진하는 역할을 하게 되며, 또한 상기 전자 방출부에 전자를 공급하는 캐소드 전극의 역할을 하게 된다.
상기와 같은 구조의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310), 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 및 그 상부의 알루미늄층(330, 340)을 형성한 후, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 노출되도록 상기 알루미늄층(330, 340)에 복수개의 홀들을 형성한다. 이는 양극산화법을 이용하여 손쉽게 행할 수 있다.
상기와 같은 단계들을 거친 후, 상기 알루미늄층(330, 340)의 상기 홀들 내부에, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들(350, 360)을 형성한다. 이는 화학 기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition)을 이용하여 행할 수 있다. 이때, 상기 알루미늄층(330, 340)의 홀들 내부에 탄소 나노튜브들(350, 360)이 형성됨에 따라, 상기 홀의 방향을 따라 수직으로 탄소 나노튜브들(350, 360)이 형성 되게 된다.
그 후, 상기 배면 기판(300)에 대향되는 전면 기판(400)에 애노드 전극층 및 형광체층을 형성하고, 상기 배면 기판(300)과 상기 전면 기판(400)의 단부를 봉지함으로써, 도 4에 도시된 바와 같은 전자 방출형 백라이트 유니트를 제조하게 된다. 물론 도 4에 도시된 것은 전자 방출형 백라이트 유니트의 일부분의 단면도이다.
상기와 같은 제조방법을 통해 전자 방출형 백라이트 유니트를 제조함으로써, 평면 3극 구조를 취해 전자 방출부에 강한 전계가 형성되도록 하여 전자의 방출을 용이하게 함과 동시에 캐소드 전극과 애노드 전극간의 직접적인 아킹이 발생하는 것이 방지된 전자 방출형 백라이트 유니트를 제조할 수 있다. 또한, 상기와 같은 양극산화법을 이용함으로써, 전자 방출부가 되는 탄소 나노튜브가 전면 기판을 향해 얼라인 되도록 하여 전자 방출 효율을 높일 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 배면 패널을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트가 전술한 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트와 다른 점은, 기판(300)과 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 사이, 그리고 기판(300)과 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 사이에, 제 1보조 전극층(310a) 및 제 2보조 전극층(320a)이 각각 더 구비되어 있다는 것이다. 상기와 같은 제 1보조 전극층(310a) 및 제 2보조 전극층(320a)이 더 구비되도록 함으로써, 그 상부의 전자 방출부에 전자를 더욱 원활하게 공급 할 수 있다.
상기와 같은 구조의 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법은, 전술한 제 1 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법과 대부분 동일하며, 상기 배면 기판의 제조공정에 있어서 다음과 같은 차이점만 있다.
즉, 배면 기판(300)의 전면에 보조 전극층을 형성하고, 상기 보조 전극층의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하며, 그 후 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 알루미늄층을 형성한다. 그 후, 상기 보조 전극층, 상기 탄소나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1보조 전극층(310a)과 그 상부에 구비된 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 및 알루미늄층(330)과, 상기 제 1보조 전극층(310a)의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2보조 전극층(320a)과 그 상부에 구비된 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 및 알루미늄층(340)을 형성한다. 물론 이 외의 마스크를 이용한 증착 등의 다양한 방법을 통해 제조할 수도 있음은 물론이다.
한편, 상기와 같은 실시예들에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트들에 있어서, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 간에 바이폴라 펄스(bipolar pulse)형 전압을 인가함으로써 전자를 더욱 효율적으로 방출시킬 수 있다. 바이폴라 펄스형 전압이라 함은 일정한 주기로 전압의 극성이 변하는 것으로서, 교류 전압과 같은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같은 형태의 전압이 대표적인 바이폴라 펄스형 전압이다.
도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같은 구조의 전자 방출형 백라이트 유니트의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)과 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)간에 도 7에 도시된 바와 같은 형태의 바이폴라 펄스형 전압이 인가된다면, 예컨대 시간 t1까지는 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)에 플러스 전압이 인가됨에 따라 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)이 게이트 전극이 되고 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 캐소드 전극이 되어 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320) 상의 전자 방출부(360)에서 전자가 방출되게 된다. 그리고 시간 t1부터 t2까지는 이와 반대로 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)에 마이너스 전압이 인가됨에 따라 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)이 캐소드 전극이 되고 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 게이트 전극이 되어 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310) 상의 전자 방출부(350)에서 전자가 방출되게 된다. 이와 같이 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(310)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(320)이 교대로 게이트 전극과 캐소드 전극의 역할을 함으로써 상기 전자 방출부들(350, 360)의 시간당 부하가 절반으로 줄어들게 되기 때문에 전자 방출로 인한 상기 전자 방출부들(350, 360)의 온도상승이 억제되어 상기 전자 방출부들(350, 360)의 수명이 증가하게 된다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트를 구비한 평판 디스플레이 장치, 특히 액정 디스플레이 장치를 도시한 사시도 및 단면도이다.
우선, 도 9에는 액정 디스플레이 장치의 액정 디스플레이 패널(700)과 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 광을 공급하는 백라이트 유니트(800)가 도시되어 있다. 상기 액정 디스플레이 패널(700)에는 화상신호를 전달하는 연성인쇄회로기판(720)이 부착되어 있다. 상기 액정 디스플레이 패널(700)의 후방에는 백라이트 유니트(800)가 배치된다.
상기 백라이트 유니트(800)는 전자 방출형 백라이트 유니트로서, 연결케이블(740)을 통해 전원을 공급받고, 상기 백라이트 유니트 전면(751)을 통하여 광(750)을 방출시켜, 상기 방출광(750)이 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 공급된다.
도 10을 참조하여, 상기 백라이트 유니트(800)와 상기 액정 디스플레이 패널(700)에 대해 설명하기로 한다.
도 10에 도시된 백라이트 유니트(800)는 상술한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트이나, 또 다른 일 실시예에 따른 전자 방출형 백라이트 유니트가 구비될 수도 있음은 물론이다.
도 10을 참조하면, 배면 기판(801) 상에 전술한 바와 같은 인터 디지트 형태로 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810) 및 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820)이 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810) 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820) 상에 홀들이 구비된 알루미늄층들(830, 840)이 구비된다. 그리고 상기 알루미늄층들(830, 840)의 홀 내부에는, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820)의 상부에, 탄소 나노튜브로 전자 방출부들(850, 860)이 구비된다.
도 10에 도시된 바와 같은 구조의 전자 방출형 백라이트 유니트의 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820)간에 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같은 형태의 바이폴라 펄스형 전압이 인가된다면, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820)이 교대로 게이트 전극 및 캐소드 전극이 되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810) 상의 전자 방출부(850)와 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820) 상의 전자 방출부(860)가 교대로 전자를 방출하게 된다. 이와 같이 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(810)과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층(820)이 교대로 게이트 전극과 캐소드 전극의 역할을 함으로써 상기 전자 방출부들(850, 860)로부터 교대로 전자가 방출된다. 그리고 상기 방출된 전자들이 전면 기판(870) 상의 애노드 전극(890)에 의해 형광체층(880)에 충돌하여 가시광선(V)을 발생시켜 전면의 액정 디스플레이 패널(700)을 향해 출광시키게 된다.
한편, 상기 액정 디스플레이 패널(700)은 제 1기판(505)을 구비하고, 상기 제 1기판(505) 상에는 버퍼층(510)이 형성되고, 상기 버퍼층(510) 상에는 반도체층(580)이 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 반도체층(580) 상에는 제 1절연층(520)이 형성되며, 상기 제 1절연층(520)상에는 게이트 전극(590)이 소정의 패턴으로 형성되고, 상기 게이트 전극(590) 상에는 제 2절연층(530)이 형성된다. 상기 제 2절연층(530)이 형성된 후에는, 드라이 에칭 등의 공정에 의해 상기 제 1절연층(520)과 제 2절연층(530)이 식각되어 상기 반도체층(580)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 부분을 포함하는 소정의 영역에 소스 전극(570)과 드레인 전극(610)이 형성된다. 상기 소스 전극(570) 및 드레인 전극(610)이 형성된 후 제 3절연층(540)이 형성되며, 상기 제 3절연층(540) 상에 평탄화층(550)이 형성된다. 상기 평탄화층(550)상에는 소정의 패턴으로 제 1전극(620)이 형성되고, 상기 제 3절연층(540)과 상기 평탄화층(550) 일부가 식각되어 상기 드레인 전극(610)과 상기 제 1전극(620)의 도전통로가 형성된다. 투명한 제 2기판(680)은 상기 제 1기판(505)과 별도로 제조되고, 상기 제 2기판의 하면(680a)에는 칼라 필터층(670)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)의 하면(670a)에는 제 2전극(660)이 형성되고, 상기 제 1전극(620)과 제 2전극(660)의 서로 대향하는 면들에는 액정층(640)을 배향하는 제 1배향층(630)과 제 2배향층(650)이 형성된다. 상기 제 1기판(505)의 하면(505a)에는 제 1편광층(500)이, 상기 제 2기판의 상면(680b)에는 제 2편광층(690)이 형성되고, 상기 제 2편광층의 상면(690a)에는 보호필름(695)이 형성된다. 상기 칼라 필터층(670)과 상기 평탄화층(550) 사이에는 상기 액정층(640)을 구획하는 스페이서(560)가 형성된다.
상기 액정 디스플레이 패널(410)의 작동원리에 관해 간단히 설명하면, 상기 게이트 전극(590), 소스 전극(570), 드레인 전극(610)에 의해 제어된 외부신호에 의해 상기 제 1전극(620)과 제 2전극(660) 사이에 전위차가 형성되고, 상기 전위차에 의해 상기 액정층(640)의 배열이 결정되며, 상기 액정층(640)의 배열에 따라서 상기 백라이트 유니트(800)에서 공급되는 가시광선(V)이 차폐 또는 통과된다. 상기 통과된 광이 칼라 필터층(670)을 통과하면서 색을 띠게 되어 화상을 구현한다.
도 10에는 TFT-LCD를 예시하였으나, 본 발명의 액정 디스플레이 패널이 이에 한정되는 것은 아니며, 또한 상기 수광 소자로는 상기와 같은 액정 디스플레이 패널 외에도 다양한 수광형 디스플레이 패널이 적용될 수 있다.
상기와 같이 인터 디지트 형 평면 전극 구조로 되어 있는 전자 방출형 백라이트 유니트를 구비한 액정 디스플레이 패널은 그 백라이트의 휘도와 수명이 향상됨에 따라 상기 디스플레이 패널의 화상의 휘도 향상은 물론 수명 증대의 효과를 가져올 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 종래의 전자 방출형 백라이트 유니트가 2극 구조를 취한 것과 달리 인터 디지트(inter digit)형 평면 3극 구조를 취함으로써, 인터 디지트 형태로 구비된 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 이용하여, 전자 방출부에 강한 전계가 형성되도록 하여 전자의 방출을 용이하게 함과 동시에 캐소드 전극과 애노드 전극간의 직접적인 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
둘째, 양극산화법을 이용함으로써, 전자 방출부가 되는 탄소 나노튜브가 전면 기판을 향해 얼라인되도록 하여 전자 방출 효율을 높일 수 있다.
셋째, 인터 디지트 형태로 구비된 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층에 바이폴라 펄스 형태의 전압을 인가하여, 상기 촉매층들이 교대로 게이트 전극과 캐소드 전극의 역할을 하도록 함으로써, 전자 방출부들의 시간당 부하가 절반으로 줄어들게 하여 전자 방출로 인한 전자 방출부들의 온도상승을 억제하여 전자 방출부들의 수명을 증진시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 서로 대향된 전면 기판 및 배면 기판;
    상기 전면 기판의 상기 배면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 애노드 전극층 및 형광체층;
    상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 일 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층;
    상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고, 타 단부가 서로 연결되는, 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층;
    상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층; 및
    상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에 구비되고, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들;을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층은 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기판과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 사이에, 보조 전극층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층간에 바이폴라 펄스형 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 형 백라이트 유니트.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 바이폴라 펄스형 전압은 교류전압인 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트.
  6. 서로 대향된 전면 기판 및 배면 기판과, 상기 전면 기판의 상기 배면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 애노드 전극층 및 형광체층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 배면 기판의 상기 전면 기판을 향한 면의 상부에 구비되는 것으로 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 구비되고 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들이 형성되어 있는 알루미늄층, 그리고 상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에 구비되고 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들을 구비하는 전자 방출형 백라이트 유니트; 및
    상기 백라이트 유니트의 전방에 배치되어 상기 백라이트 유니트로부터 공급 되는 광을 제어하여 화상을 구현하는, 수발광 소자를 이용한 디스플레이 패널;을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층은 니켈, 코발트, 철 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 기판과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 사이에, 보조 전극층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층간에 바이폴라 펄스형 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 바이폴라 펄스형 전압은 교류전압인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레 이 장치.
  11. 제 6항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수발광 소자는 액정인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  12. (a) 배면 기판의 상부에, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부의 알루미늄층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부의 알루미늄층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 알루미늄층에, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층이 노출되도록 복수개의 홀들을 형성하는 단계;
    (c) 상기 알루미늄층의 상기 홀들 내부에, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 상에 구비되는 탄소 나노 튜브들을 형성하는 단계;
    (d) 상기 배면 기판에 대향되는 전면 기판의 면에 애노드 전극층 및 형광체층을 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 배면 기판과 상기 전면 기판의 단부를 봉지하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 배면 기판의 상부에, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1보조 전극층과 그 상부의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층과, 상기 제 1보조 전극층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2보조 전극층과 그 상부의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 배면 기판의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 상부에 알루미늄층을 형성하는 단계; 및
    (a3) 상기 탄소나노튜브 성장 촉진 촉매층과 상기 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부에 구비된 알루미늄층과, 상기 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 그 상부에 구비된 알루미늄층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 (a1) 단계 이전에, 배면 기판의 상부에 보조 전극층을 형성하는 단계를 더 구비하고,
    상기 (a1) 단계는, 상기 보조 전극층의 상부에 탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층을 형성하는 단계이며,
    상기 (a3) 단계는, 상기 보조 전극층, 상기 탄소나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 상기 알루미늄층을 동시에 패터닝하여, 일 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 1보조 전극층과 그 상부에 구비된 제 1탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층과, 상기 제 1보조 전극층의 각 스트라이프 패턴 사이에 구비되고 타 단부가 서로 연결되는 스트라이프 패턴의 제 2보조 전극층과 그 상부에 구비된 제 2탄소 나노튜브 성장 촉진 촉매층 및 알루미늄층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 (b) 단계는, 양극산화법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 (c) 단계는, 화학 기상 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 유니트의 제조방법.
KR1020040104033A 2004-12-10 2004-12-10 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법 KR20060065235A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040104033A KR20060065235A (ko) 2004-12-10 2004-12-10 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040104033A KR20060065235A (ko) 2004-12-10 2004-12-10 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060065235A true KR20060065235A (ko) 2006-06-14

Family

ID=37160540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040104033A KR20060065235A (ko) 2004-12-10 2004-12-10 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060065235A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100867172B1 (ko) * 2006-12-18 2008-11-06 한국전기연구원 탄소나노튜브 기반의 ｘ-선관 구조
KR100897139B1 (ko) * 2007-08-08 2009-05-14 삼성에스디아이 주식회사 전자방출소자 및 이를 이용한 액정표시장치
KR100911183B1 (ko) * 2008-02-12 2009-08-06 한양대학교 산학협력단 패터닝된 ｃｎｔ 박막이 형성된 플렉서블 기판의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100867172B1 (ko) * 2006-12-18 2008-11-06 한국전기연구원 탄소나노튜브 기반의 ｘ-선관 구조
KR100897139B1 (ko) * 2007-08-08 2009-05-14 삼성에스디아이 주식회사 전자방출소자 및 이를 이용한 액정표시장치
KR100911183B1 (ko) * 2008-02-12 2009-08-06 한양대학교 산학협력단 패터닝된 ｃｎｔ 박막이 형성된 플렉서블 기판의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101018344B1 (ko) 전계방출형 백라이트 유니트 및 그 구동 방법과 하부패널의 제조 방법
US7525244B2 (en) Field emission type backlight device
JP2005222944A (ja) 電界放出素子及びそれを備えたバックライト装置
KR20070011804A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR20070011807A (ko) 전계 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치
KR20070070649A (ko) 전자 방출 소자, 이를 구비한 백라이트 유닛, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자의 구동 방법
US7492089B2 (en) Electron emission type backlight unit and flat panel display device having the same
KR101002278B1 (ko) 전계 방출형 백라이트 소자
KR101002279B1 (ko) 전계 방출형 백라이트 소자용 패널 및 그 제조방법
US20070228930A1 (en) Field emission backlight, display apparatus using the same and a method of manufacturing the same
US7701127B2 (en) Field emission backlight unit
KR100669719B1 (ko) 전계 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판 표시장치
KR20070011806A (ko) 전계 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치
JP4326542B2 (ja) 面光源装置及びこれを用いた液晶表示装置
KR20060065235A (ko) 전자 방출형 백라이트 유니트, 이를 구비한 평판디스플레이 장치 및 상기 전자 방출형 백라이트 유니트의제조방법
KR20080019819A (ko) 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR20060084501A (ko) 전자기장을 이용한 전계방출소자 및 그 구동방법
US20070096630A1 (en) Field emission backlight unit and its method of operation
KR100917466B1 (ko) 전계 방출 면광원 소자 및 그 제조 방법
CN100578723C (zh) 发光装置、电子发射单元的制造方法及显示装置
KR101040801B1 (ko) 전계방출장치
KR20070013875A (ko) 전자 방출형 백라이트 유니트 및 이를 구비한 평판 표시장치
US20090040420A1 (en) Backlight unit and image display apparatus including the backlight unit
KR101040796B1 (ko) 전계방출장치
KR20080097642A (ko) 백라이트 유니트 및 이를 포함하는 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee