JP5068319B2

JP5068319B2 - 電界放出器およびその駆動方法

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Publication number: JP5068319B2
Application number: JP2009527283A
Authority: JP
Inventors: ウックヤン・ドン; ウンナ・ヤン
Original assignee: Hanwha Chemical Corp
Current assignee: Hanwha Chemical Corp
Priority date: 2006-09-06
Filing date: 2006-09-06
Publication date: 2012-11-07
Anticipated expiration: 2026-09-06
Also published as: WO2008029963A1; US8148904B2; CN101558438B; US20090273298A1; WO2008029963A9; CN101558438A; JP2010503173A

Description

本発明は、電界放出器およびその駆動方法に係り、さらに詳しくは、背面基板の第１電極および第２電極の両方ともにエミッターを形成させ、ゲートと陰極の区別を無くして二重の電界放出を可能にする二重エミッターの３極構造を持つ電界放出器において、前記背面基板の第１電極および第２電極間の地点とアノードとの間に接地を形成し、矩形波を印加して第１電極および第２電極で交互に電界放出を行うことにより、発光面積および発光効率を増大させるうえ、駆動電圧および消費電力を減少させ、製造コストおよび製造時間を節減させ、長寿命を達成することができる電界放出器の駆動方法に関する。

現在使用されている電界放出方式バックライト、電界放出平面ランプ(ＦＥＦＬ：Field
Emission Flat Lamp)および電界放出ディスプレイなどの電界放出装置は、蛍光体を励起させる加速電子を放出するための手段として、従来の陰極線管で使われる熱陰極の代わりに尖鋭な冷陰極を用いる。すなわち、冷陰極を構成するエミッターに高電界を集中させることにより、量子力学的なトンネル効果によって電子が放出されるようにしている。ＤｏｎａｌｄＯ．Ｓｍｉｔｈ等による米国特許第３，９７０，８８７号は、半導体基板にシ
リコン（Ｓｉ）マイクロチップを形成し、ゲート電極を介してチップに電界を印加して電子を放出する構造を開示しているが、このような方式の電界放出装置は、マイクロチップに使用される物質の仕事関数が大きいため、電子放出のためのゲート電圧が相当高くなければならず、マイクロチップが損傷し易いという問題点がある。

よって、エミッターとしてダイアモンド膜が脚光を浴びており、最近では、ダイアモンド膜の電子放出のための電界より約１／１０程度の低い電界でも電子を放出するカーボンナノチューブ(ＣＮＴ：Carbon nanotube)に関する研究が盛んに行われている。

いずれのエミッターを使用しても、広い発光面積、高輝度、長寿命、および工程の単純化を達成しなければ、実質的な応用は不可能である。

既存の電界放出装置には２極構造または３極構造がある。２極構造では、陽極電極と陰極電極との間に高い電圧を加えることにより電界放出物質から電子を取り出し、この電子で蛍光体を励起、発光させる方法を採用する。前記２極構造は、製造コストが低く、製造が容易であるうえ、発光面積を大きくすることができるという利点はあるが、駆動電圧が高く、安定に発せられる輝度が低く、発光効率が低いという問題点がある。

韓国公開特許第２０００−７４６０９号、米国特許第５，７７３，８３４号、韓国公開特許第２００１−８４３８４号、および韓国公開特許第２００４−４４１０１号には、３極構造の電界放出装置が開示されている。前記３極構造では、電界放出物質から電子を取り出すために、ゲート電極という補助電極を陰極電極から数十ｎｍ〜数ｍｍ離隔して形成することにより、電子をより容易に取り出すことができる。このように取り出した電子によって、陽極電極と陰極電極の間に高い電圧を形成して陽極電極側の蛍光体を励起、発光させる方法を採用する。このような３極構造では、駆動電圧を大きく低め且つ高輝度を出すことはできるが、製造コストが相対的に高く、製造時間が多くかかるうえ、発光面積が狭くなるという問題点がある。

韓国公開特許第２００４−４４１０１号に開示された側面ゲート(lateral gate)方式の電界放出装置を図１に示した。図１を参照すると、陰極電極１０は背面基板５の表面に形成されており、炭素ナノチューブからなるエミッター２０は前記陰極電極１０の上面に形
成されており、ゲート電極２５は前記陰極電極１０から所定の距離を隔てて形成されており、絶縁層１５を介して背面基板５に接している。蛍光体層３０、ＩＴＯからなる陽極電極３５、および前面基板４０などは、背面基板５に対向して配置されている。

前記側面ゲート方式を含んだ従来の３極構造電界放出装置は、ゲート電極２５から電子が放出されないため、輝度不均一性が発生し、陰極電極１０の上面に形成されたエミッター２０のみから電子が放出されるため、前記エミッター２０に多くの負荷がかかって寿命が短縮し、輝度が低いという問題点がある。

本発明の出願人によって先出願された特許出願第２００４−７０８７１号は、前述した従来の技術の問題点を克服するもので、輝度を高め、製造コストを低めるという利点があるが、二重エミッターを持つ電界放出器の駆動方法においては本発明に係る接地駆動方式の利点を達成していない。

そこで、本発明は、前述した従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、背面基板の第１電極および第２電極間の地点とアノードとの間に接地を形成し、矩形波を印加して電界放出を行うことにより、発光面積および発光効率を増大させるうえ、駆動電圧および消費電力を減少させ、製造コストおよび製造時間を節減し、長寿命を達成することができる、電界放出器およびその駆動方法を提供することにある。

上記目的は、所定の間隔で離隔して配置された前面基板および背面基板、前記前面基板上に存在する陽極電極、前記陽極電極上に存在する蛍光体、前記背面基板上に位置し、所定の間隔で離隔している第１電極および第２電極、並びに前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一つに形成されたエミッターを含んでなる電界放出器において、前記陽極電極に電力を印加するＤＣインバータと、ＡＣ波の中間電位を前記ＤＣインバータに接地し、前記第１および第２電極に電力を印加するＡＣインバータとをさらに含んでなることを特徴とする、電界放出器によって達成される。

また、上記目的は、電界放出器の駆動方法において、前面基板に形成された陽極電極にＤＣ電力を印加する段階と、ＡＣ波の中間電位をＤＣインバータと接地し、背面基板に形成された第１および第２電極に矩形波およびＡＣパルスを印加する段階と、前記第１および第２電極の少なくとも一つに形成されたエミッターで交互に電界放出を行う段階と、前記前面基板に形成された蛍光体を発光させる段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出器の駆動方法によっても達成される。

本発明の電界放出器およびその駆動方法は、エミッターが全て形成されたゲート電極とカソード電極との間に仮想接地（単一変圧器の場合は２次コイルの中間タップ部分、２つの変圧器の場合は両変圧器の中間タップ部分）を形成し、これを前面基板の電力部（ＤＣインバータ）と同時に接地させて駆動する。

これにより、１）発光面積を増やすことができ、２）ゲートとカソードの概念がないため、製造コストおよび製造時間の面で多くの利得を得ることができ、３）長い寿命を保障することができ、４）消費電力と駆動電圧を減少させることができる。

また、既存の側壁ゲート構造においても、このような接地駆動方式を適用することにより、駆動電圧および消費電力を減少させるうえ、輝度および発光効率を増加させることが
できる。

本発明の目的および技術的構成とそれによる作用効果に関する詳細な事項は、本発明の好適な実施例を示している添付図面を参照した以降の詳細な説明によってさらに明確に理解されるであろう。

図２は本発明に係る電界放出器を示す構成図である。

本発明の電界放出器は、背面基板１００上に第１電極１０５および第２電極１１０が形成され、前記第１電極１０５と第２電極１１０の上面にはエミッター１１５が形成されている。前記第１電極１０５および第２電極１１０の両方ともにエミッター１１５を形成することにより、事実上、従来のゲート電極と陰極電極の区別を無くした構造であって、駆動電圧に応じて、前記第１電極１０５および前記第２電極１１０はゲートまたは陰極電極になる。このようにして、発光面積の増大、発光効率の増加、均一な発光、高輝度および高寿命を達成することができる。

前記背面基板１００としては、ガラス、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ-_３）、石英、プラスチッ
ク、シリコン（Ｓｉ）基板などを含み、より好ましくはガラス基板である。

前記第１電極１０５と前記第２電極１１０は、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタニウム（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、ＩＴＯなどの金属およびその合金から形成可能であり、スクリーンプリンティングによるプリント方式が適するが、金属粉末を焼結する方法、またはスパッタリングや真空蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの薄膜蒸着法を用いて形成することもできる。

前記エミッター１１５は、炭素ナノチューブ、ダイアモンド、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)、フラーレン(Fulleren)、酸化パラジウム（ＰｄＯ）などから形成できるが、比較
的低い電圧でも電子を放出することが可能な炭素ナノチューブがより好ましい。

前面基板２００上には透明電極２０５と蛍光体２１０が形成されており、前記前面基板２００と背面基板１００との間隔を維持するスペーサ３００が存在する。このスペーサはフリット(frit)ガラスなどのシーリング材３０５によって封止され、その内部は約１０^−３ｔｏｒｒの高真空を保っている。

前記前面基板２００は、ガラス、石英、プラスチックなどから形成可能であり、ガラス基板がより好ましい。また、前記背面基板１００および前記前面基板２００をプラスチック基板とする場合、巻物型液晶ディスプレイのバックライトとして使用することができる。

前記透明電極２０５は、ＩＴＯなどの透明導電性材料を前記前面基板２００に蒸着、コーティングまたは印刷して形成することができる。前記蛍光体２１０は、赤、緑、青蛍光体を一定の割合で混合した酸化物、硫化物などの白色蛍光体が好ましく、スクリーンプリンティング方式によって形成することができる。

図３は前記第１電極１０５と前記第２電極１１０の配置を示す断面図である。図３ａに示すように、第１電極１０５と第２電極１１０が等間隔で形成されることもでき、図３ｂに示すように、第１電極１０５と第２電極１１０を一対としてお互いに対して近接するように形成して駆動電圧を低める構造も可能であり、図３ｃに示すように、第１電極１０５
と第２電極１１０との間に隔離絶縁膜１１７を形成して両電極のショートを防止することもでき、図３ｄに示すように、第１電極１０５と第２電極１１０を高さの段差をもって形成されることもできる。図３（ｄ）の第２電極１１０の下方には絶縁体１１９を形成する。

図４は本発明に係る電界放出器の背面基板を示す平面図である。図４に示すように、第１電極１０５と第２電極１１０は互いに交差するくま手状に形成されており、前記第１電極１０５と第２電極１１０には位相差に応じて相異なる極性の電圧を交互に加えることにより、それぞれの電極上に位置するエミッター１１５から電子が放出される。このように２つの電極から電子を放出するため、図５に示すように、従来の技術である側面ゲート３極構造電界放出装置に比べて同一の電界下でより大きい電流密度を得ることができる。前記第１電極１０５および第２電極のいずれか一方をゲート電極として使用することも可能である。

本発明の電界放出器は、その駆動のために前面基板上の陽極電極２０５に加えられる電力を生成するＤＣ(Direct Current)インバータ４００と、第１電極および第２電極に印加される電力を生成するＡＣインバータ４０２を含んでいる。

前記ＡＣインバータ４０２の内部構成は、前面基板２００の大きさおよび／または第１および第２電極の構成に応じて多様な変形を加えることができる。

図６〜図２１は本発明に係る電界放出器の駆動方法を説明することができるように駆動回路および駆動波形を示す。本発明によれば、透明電極２０５および蛍光体２１０が形成された前面基板２００をスペーサ３００によって背面基板１００から一定の間隔離隔させる。このスペーサは約１０^−７ｔｏｒｒの高真空を保ち、フリットガラスなどのシーリング材３０５によって封止される。この状態で、前記前面基板２００にはＤＣインバータ４００を連結し、前記背面基板１００にはＡＣインバータ４０２を連結してＡＣパルスを印加して駆動する。

図６は図７、図１３および図１４の駆動回路を示す。まず、入力電源４０１からＡＣインバータ４０２に電力を印加する。次いで、電力フィルタ部４０２ａで不規則な波形をフィルタリングし、電力供給部４０２ｂを経て電力ドライブ段４０２ｃの電力用素子を用いて所望の形状に多様に変形された電力を高圧発生部４０２ｄに印加し、駆動パルスを発生する。前記高圧発生部４０２ｄに印加された電力は、変圧器を介してそれぞれ電極１（１０５）、電極２（１１０）および透明基板（アノード基板）２０５に印加されて電界放出器を駆動する。

図７は前記ＡＣインバータ４０２の高圧発生部４０２ｄを示す一実施例である。図７の高圧発生部４０２ｄは第１および第２電極の駆動分担率(duty)がそれぞれ５０％の場合である。これはＡＣ波の中間電位を前記ＤＣインバータと接地することにより達成されるところ、図７のような場合には、全体インバータを成す構成要素のうち、変圧器４０４の２次側コイルの中間タップ区域とＤＣインバータ４００を共通接地して駆動させる。前記接地は、安定的な出力を得ることが可能な仮想接地方式を取ることが好ましい。

図８〜図１２は図７の高圧発生部４０２ｄから生成される駆動波形を示す。まず、図８は前記前面基板２００に印加されるアノード電圧波形である。ＤＣインバータ４００を介して直流波形が印加されたことを確認することができる。

図９は前記背面基板１００に印加されるカソード電圧波形を示す。図７から考察したように、変圧器４０４の２次側コイルの中間タップ区域とＤＣインバータ４００とが共通接
地されて駆動されるので、前記第１および第２電極に印加される波形は、同一の大きさおよび振幅を持ち且つ反対の極性を持つ。波形の１サイクル或いは半サイクル毎に遅延時間を設定して前記第１および第２電極を駆動させる。前記遅延時間は、好ましくは５０ｍｓ以下（０〜５０ｍｓ）に設定する。

図１０は駆動分担率による印加パルスを示すもので、図７に示した第１および第２電極それぞれの駆動分担率５０％によるパルス波形である。

図１１および図１２は図７のＡＣインバータ４０２で電力ドライブ段４０２ｃの電力用半導体素子を用いて多様に変形された波形を示す。前記電力用半導体素子は、ダイオード(diode)、サイリスタ(thyristor)、トランジスタ(transistor)、ＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ＧＴＯ(Gate Turn Off Thyristor)などのインバータの種類と使用容量に応じて
選択する。

図１３は前記前面基板２００の大きさが大きくなって容量が増加するとき、２つの変圧器４０４を連結して駆動させる回路を示す。この際、図７と同一の方法で２つの変圧器の中間部分とＤＣインバータ４００とを共通接地して駆動させる。この際の駆動波形は図８〜図１２に示したのと同様である。

図１４は第１電極と第２電極の高さが互いに異なるように設定された場合の高圧発生部４０２ｄを示す。すなわち、ゲートの役割を果たす電極の位置はエミッターの役割を果たす電極の高さより高く設定することが、効率を増加させることができるので、第１および第２電極間の高さを異にしたことを示す。

この場合、高さの高い電極から低い電極への放出は容易であるが、高さの低い電極から高い電極への放出は難しくなる。すなわち、第１電極１０５から第２電極１１０への電界放出は容易であり、第２電極１１０から第１電極１０５への電界放出は難しくなる。したがって、図１３に示すようにそれぞれの変圧器が同一の巻線比を持つようにするのではなく、巻線比を異にする変圧器４０６、４０８を備えることにより、足りない電界放出を補償する。また、図１５に示すように、第１電極１０５の発光面積を減らすことにより、効率をさらに増加させることができる。

図１５の構造では、第２電極１１０の面積は増やし且つ電界放出電圧の高い第１電極１０５の面積は減らすことにより、発光効率を増大させることができる。第１電極１０５が第２電極１１０より高く位置することにより、既存の同一の高さに位置した側面ゲート構造より駆動電圧が低くなるという効果を示すことができ、第１電極１０５でも電界放出が起ることにより、発光面積も広くなる効果を同時に達成することができる。

図１６は図１４の高圧発生部４０２ｄによる他の実施例である。すなわち、図１５で見られる第２電極１１０の増大した面積が適用されておらず、前記第１電極１０５の下部に絶縁層１１９を形成して第１電極からも電子を放出するようにすることにより、発光面積を広めるのである。図１５の構造においても絶縁層１１９が形成できる。

図１７〜図２１は図１５および図１６の駆動回路で現れる駆動波形を示す。まず、図１７は前記前面基板２００に印加されるアノード電圧波形を示す。図１７より、ＤＣインバータ４００を介して直流波形が印加されることを確認することができる。

図１８は前記背面基板１００に印加されるカソード電圧波形を示す。図１５および図１６から考察したように各変圧器４０６、４０８間の中間区域とＤＣインバータ４００が共
通接地されて駆動されるので、前記第１および第２電極に印加される波形は同一の大きさおよび振幅を持ち且つ反対の極性を持つ。波形の１サイクル或いは半サイクル毎に遅延時間を設定して前記第１および第２電極を駆動させる。前記遅延時間は、好ましくは０〜５０ｍｓに設定する。

図１５および図１６では第１電極１０５から第２電極１１０への電界放出はその逆より相対的に高く示されるが、これはアノードにかかる電圧の方向のためであり、第２電極１１０にはより高い（＋）電圧を加えて電子を放出する必要がある。したがって、第２電極１１０には第１電極１０５より高い（＋）電圧がかかるように回路を構成する。このように定められた０Ｖの地点とアノード電圧の（−）端子とを連結して両方向電界放出を達成することができる。

図１９は駆動分担率５０％による印加パルスを示すもので、図１５および図１６に示されている第１および第２電極それぞれの駆動分担率５０％によるパルス波形を示す。

図２０〜図２１は図１５および図１６の駆動回路で電力ドライブ段４０２ｃの電力用半導体素子を用いて所望の形状に多様に変形された波形を示す。前記電力用半導体素子は、ダイオード、サイリスタ、トランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＧＴＯなどのインバータの種類と使用容量に応じて選択する。

図２２は本発明の仮想接地方式を従来の側面ゲート３極構造に適用したことを示す。これは図１に示した構造とほぼ同様のように見えるが、第１電極１０５の面積を広め或いは第１電極１０５の電圧を高めてより多くの電界放出を実現しようとするとき、図１４に示したようにインバータの変圧器の巻線比および仮想接地方式を適用して駆動されるものであって、図１の駆動方式とは異なることが分かる。

図２３〜図２５は、デュアルエミッター構造において、仮想接地方式における駆動結果と既存の側面ゲート方式における駆動結果とを比較して示したものである。これはデュアルエミッター構造においてアノード電圧を３ｋＶに固定し、それぞれの駆動方式を比較したものである。

図２３はゲート電圧（第１電極または第２電極）による電流特性を示すグラフである。このグラフより、アノード電流値が同一のゲート電圧で仮想接地駆動方式がさらに多く流れることが分かる。

図２４はゲート電圧による輝度を示すグラフである。このグラフより、同一のゲート電圧で仮想接地駆動方式が多くは３倍近い高輝度を示すことが分かる。

図２５はゲート電圧による効率を示すグラフである。このグラフより、同一のゲート電圧で仮想接地駆動方式が約２倍の高い効率を示すことが分かる。

図２６および図２７は側面ゲート構造において仮想接地方式における駆動結果と既存の側面ゲート方式における駆動結果を比較して示したものである。これは側面ゲート構造においてアノード電圧を２ｋＶと固定し、それぞれの駆動方式を比較したものである。図２６は同一ゲート電圧によるアノード電流値を示すもので、仮想接地駆動方式がさらに多くの電流が流れることを確認することができる。

図２７は同一のゲート電圧による輝度を示すもので、同一のゲート電圧で仮想接地駆動方式が２倍近い高輝度を示すことを確認することができる。

図２８からは同一の電力で仮想接地方式が多くは２倍程度の高輝度を示すことを確認することができ、図２９からは同一の電力で仮想接地方式が多くは２倍程度の高効率を示すことを確認することができる。

すなわち、図２６〜図２９は側面ゲート構造においても仮想接地駆動方式を用いると、より多くのアノード電流、輝度、効率を確保することができることを示す。

以上、本発明の好適な実施例を挙げて図示し説明したが、前述した実施例に限定されず、本発明の精神から外れない範囲内において、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって多様な変更と修正が可能であろう。

従来の技術に係る電界放出器を示す図である。本発明に係る電界放出器を示す図である。本発明に係る電界放出器を示す図である。本発明に係る電界放出器を示す図である。本発明と従来の技術との電流密度を比較して示すグラフである。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。本発明に係る接地方式の駆動回路および波形を示す図である。従来の電界放出器の構造に本発明の接地方式を適用した例を示す図である。本発明の接地方式と従来の駆動方式を比較して示すグラフである。本発明の接地方式と従来の駆動方式を比較して示すグラフである。本発明の接地方式と従来の駆動方式を比較して示すグラフである。従来の電界放出器の構造に本発明の接地方式と従来の駆動方式をそれぞれ適用して比較して示すグラフである。従来の電界放出器の構造に本発明の接地方式と従来の駆動方式をそれぞれ適用して比較して示すグラフである。従来の電界放出器の構造に本発明の接地方式と従来の駆動方式をそれぞれ適用して比較して示すグラフである。従来の電界放出器の構造に本発明の接地方式と従来の駆動方式をそれぞれ適用して比較して示すグラフである。

符号の説明

１００：背面基板１０５：第１電極
１１０：第２電極１１５：エミッター
１１７：隔離絶縁膜１１９：絶縁層
２００：前面基板２０５：陽極電極
２１０：蛍光体３００：スペーサ
３０５：シーリング材４００：ＤＣインバータ
４０２：ＡＣインバータ４０４、４０６、４０８：変圧器

Claims

所定の間隔で離隔して配置された前面基板および背面基板、
前記前面基板上に存在する陽極電極、前記陽極電極上に存在する蛍光体、
前記背面基板上に位置し、所定の間隔で離隔して存在する第１電極および第２電極、
並びに前記第１電極および前記第２電極の全てに形成されたエミッターを含んでなる電界放出器において、
前記陽極電極に電力を印加するＤＣインバータと、
ＡＣ波の中間電位を前記ＤＣインバータと接地し、前記第１および第２電極に電力を印加するＡＣインバータと、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成され、前記第１電極と前記第２電極のショートを防止する隔離絶縁膜とを含んでなることを特徴とする、電界放出器。
前記ＡＣインバータは、
入力電源から電力が印加され、不規則な波形をフィルタリングする電力フィルタ部と、
前記電力フィルタ部から印加された電力を電力ドライブ段に供給する電力供給部と、
前記電力供給部から印加された電力から電力用素子を用いて所望の形態の電力を生成し、駆動パルスを発生する電力ドライブ段と、
前記電力ドライブ段から印加された電力を前記第１電極、前記第２電極および前記前面基板に供給し、ＤＣインバータと接地をなす高圧発生部とを含んでなることを特徴とする、請求項１に記載の電界放出器。
前記ＡＣ波の中間電位は、高圧発生部の少なくとも一つの変圧器の中間電位にタップを形成して前記ＤＣインバータと接地することを特徴とする、請求項１または２に記載の電界放出器。
前記第１電極と前記第２電極の構造が同一の場合には、前記少なくとも一つの変圧器の中央にタップを形成して前記ＤＣインバータと接地することを特徴とする、請求項３に記載の電界放出器。
前記第１電極と前記第２電極の構造が相異なる高さまたは面積を持つ場合には、高い電極または広い電極にさらに高い電圧を加えることができるように、前記少なくとも一つの変圧器にタップを形成して前記ＤＣインバータと接地することを特徴とする、請求項３に記載の電界放出器。
前記第１および前記第２電極は、ＡＣインバータから、遅延時間を持つ矩形波およびＡＣパルスが印加されることを特徴とする、請求項１または２に記載の電界放出器。
前記遅延時間は５０ｍｓ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の電界放出器。
電界放出器の駆動方法において、
前面基板に形成された陽極電極にＤＣ電力を印加する段階と、
ＡＣ波の中間電位をＤＣインバータと接地し、背面基板に形成された第１および第２電極に矩形波およびＡＣパルスを印加する段階と、
前記第１および第２電極の全てに形成されたエミッターで交互に電界放出を行う段階と、
前記前面基板に形成された蛍光体を発光させる段階とを含んでなり、
前記第１電極と前記第２電極の間に隔離絶縁膜が形成され、前記第１電極と前記第２電極のショートを防止することを特徴とする、電界放出器の駆動方法。
前記第１および第２電極に印加される矩形波およびＡＣパルスは、少なくとも一つの変圧器の中間電位にタップを形成し、前記陽極電極に電力を印加するＤＣインバータと接地することにより印加されることを特徴とする、請求項８に記載の電界放出器の駆動方法。
前記第１電極と前記第２電極の構造が同一の場合には、前記少なくとも一つの変圧器の中央にタップを形成して前記ＤＣインバータと接地することを特徴とする、請求項８または９に記載の電界放出器の駆動方法。
前記第１電極と前記第２電極の構造が相異なる高さまたは面積を持つ場合には、高い電極または広い電極にさらに高い電圧を加えることができるように、前記少なくとも一つの変圧器にタップを形成して前記ＤＣインバータと接地することを特徴とする、請求項８または９に記載の電界放出器の駆動方法。