JP2006286617A - 薄膜電子源とその製造方法および薄膜電子源を用いた画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
子源を用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板10上に第1の電極11と絶縁層12と第2の電極13とをこの
順に積層してなる薄膜電子源の上記絶縁層12を陽極酸化法によって形成し、該絶縁層中
に存在する欠陥数を3×1019個/cm3以下とした。
【選択図】図10
Description
一方、電子加速層の膜厚を厚くすると、下部電極11と上部電極13との間の印加電圧を上昇させることによって、必要な電界強度を得ることが可能である。この印加電圧の上昇に伴い、上部電極13の仕事関数φ以上のエネルギーを持つホットエレクトロンの量は増大することになるが、電子加速層(絶縁層)12の膜厚増加に伴い、これを通過する電子がこの中で散乱される量も増大してしまう。そのため、電子加速層(絶縁層)12の膜厚が過剰に厚くなるときも、これを備えた薄膜電子源は高効率な電子放出の役割を果たし難くなる。
条件B・・上記電極間電流密度:0.003mA/cm2、上記電極間電流密度の増加率:0.06V/分
条件C・・上記電極間電流密度:0.010mA/cm2、上記電極間電流密度の増加率:0.2V/分
条件D・・上記電極間電流密度:0.100mA/cm2、上記電極間電流密度の増加率:2V/分
これらの条件A、B、C、Dを図15に示した。
11・・・第1の電極(下部電極)、
12・・・絶縁層(電子加速層)、
13・・・第2の電極(上部電極)、
14・・・保護絶縁層、
15・・・第2保護絶縁層、
20・・・真空、
25・・・レジスト膜、
26・・・第1の金属層(上部バス電極)、
27・・・第2の金属層(上部バス電極)、
40・・・スペーサ、
110・・・面板、
111・・・赤色蛍光体、
112・・・緑色蛍光体、
113・・・青色蛍光体、
114・・・メタルバック、
115・・・フリットガラス、
116・・・枠。
Claims (12)
- 絶縁基板上に第1の電極と絶縁層と第2の電極とがこの順に積層された構造を有する薄膜電子源であって、
前記絶縁層は陽極酸化法によって形成され、前記絶縁層中に存在する欠陥数が3×1019個/cm3以下であることを特徴とする薄膜電子源。 - 前記絶縁層の厚さが5nmから15nmであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電子源。
- 前記第1の電極を構成する材料が、アルミニウムもしくはアルミニウム合金であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電子源。
- 前記絶縁層が陽極酸化法で得られるアルミニウムを含む酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電子源。
- 前記第2の電極を構成する材料が、イリジウム、白金、金,銀,ニッケル膜もしくはこれらの2種以上の積層膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電子源。
- 絶縁基板上に第1の電極と絶縁層と第2の電極とをこの順に積層した構造を有する薄膜電子源の製造方法であって、
前記絶縁基板上にアルミニウムもしくはアルミニウム合金層を成膜して前記第1の電極を形成し、
前記第1の電極に、電流密度0.01mA/cm2以下、且つ電圧昇圧速度0.15V/分以下であり、到達電圧が3Vから9Vである電界印加条件で陽極酸化して前記絶縁層を形成し、
前記絶縁層を覆って前記第2の電極を形成することを特徴とする薄膜電子源の製造方法。 - 前記第2の電極として、イリジウム、白金、金,銀,ニッケル膜もしくはこれらの2種以上の積層膜を成膜することを特徴とする請求項6に記載の薄膜電子源の製造方法。
- 背面基板と前面基板、および前記背面基板と前記前面基板の周縁に介在して当該背面基板と前面基板が所定間隔で対向して形成する内部空間を所定の真空状態に封止する封止枠とを備えた画像表示装置であって、
前記背面基板は、絶縁基板上に一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線と、
前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、
前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部に設けられた薄膜電子源と、
前記走査信号配線に接続して前記薄膜電子源に電流を供給する給電電極とを形成した背面基板を有し、
前記薄膜電子源は、下部電極となる第1の電極である前記画像信号配線の上に積層されて、電子放出領域となる薄膜部分を一部に有して電子源開口を形成する絶縁膜と、前記走査信号配線に接続して前記薄膜部分を含む前記絶縁膜を被覆する上部電極となる第2の電極から構成され、
前記絶縁層は陽極酸化法によって形成され、前記絶縁層中に存在する欠陥数が3×1019個/cm3以下であることを特徴とする画像表示装置。 - 前記絶縁層の厚さが5nmから15nmであることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
- 前記第1の電極を構成する材料が、アルミニウムもしくはアルミニウム合金であることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
- 前記絶縁層が陽極酸化法で得られるアルミニウムを含む酸化物であることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
- 前記第2の電極を構成する材料が、イリジウム、白金、金,銀,ニッケル膜もしくはこれらの2種以上の積層膜であることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
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Citations (3)
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JP2000323016A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
WO2001018839A1 (fr) * | 1999-09-06 | 2001-03-15 | Hitachi, Ltd. | Source d'electrons en couche mince, procede de fabrication de source d'electrons en couche mince, et afficheur |
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2006
- 2006-03-03 JP JP2006057169A patent/JP2006286617A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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