JP2000323016A - 表示装置 - Google Patents
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- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
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- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源素子のト
ンネル絶縁像を構成する絶縁膜の膜質を改善し、動作寿
命を向上させた表示装置を提供する。 【解決手段】 表面に蛍光体層が形成される第２の基板
と、前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される
第１の基板とを有する表示装置であって、前記電子線源
は、第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−
第２の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁
膜は、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機オ
キソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カ
ルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を２つ以
上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ば
れる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用い
て、前記第１導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜で
ある。
ンネル絶縁像を構成する絶縁膜の膜質を改善し、動作寿
命を向上させた表示装置を提供する。 【解決手段】 表面に蛍光体層が形成される第２の基板
と、前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される
第１の基板とを有する表示装置であって、前記電子線源
は、第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−
第２の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁
膜は、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機オ
キソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カ
ルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水酸基を２つ以
上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ば
れる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用い
て、前記第１導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に係わ
り、特に、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−
Ｍｅｔａｌ）型トンネルダイオード構造の電子線源を用
いる表示装置に適用して有効な技術に関する。
り、特に、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−
Ｍｅｔａｌ）型トンネルダイオード構造の電子線源を用
いる表示装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＩＭ型トンネルダイオード構造の電子
線源を用いる表示装置が、例えば、下記文献（イ）に記
載されている。 （イ）M.Suzuki and T.Kusunoki, ”Emission and Beam
-Divergence Propertiesof an MIM-Cathode Array fo D
isplay Applications”, SID'97 DIGEST (1997)p.123。 前記文献（イ）に開示されているＭＩＭ型ダイオード構
造の微小電子線源は、高効率・高指向性を特徴としてお
り、トンネル絶縁層の厚さは５．５ｎｍで、電子放出部
となる上部電極は、ホットエレクトロンの散乱を避ける
ため６ｎｍと薄くなっている。
線源を用いる表示装置が、例えば、下記文献（イ）に記
載されている。 （イ）M.Suzuki and T.Kusunoki, ”Emission and Beam
-Divergence Propertiesof an MIM-Cathode Array fo D
isplay Applications”, SID'97 DIGEST (1997)p.123。 前記文献（イ）に開示されているＭＩＭ型ダイオード構
造の微小電子線源は、高効率・高指向性を特徴としてお
り、トンネル絶縁層の厚さは５．５ｎｍで、電子放出部
となる上部電極は、ホットエレクトロンの散乱を避ける
ため６ｎｍと薄くなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記文献（イ）に記載
されているようなＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源素
子は、その構成上、動作中にトンネル絶縁層にはおおよ
そ１０ＭＶ／ｃｍの高電界がかかり、約０．４ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流が流れる。このような過酷な条件下において
は、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜の経時的な劣化は
避けられない。トンネルダイオード特性の経時変化を観
測すると、ダイオード電流は時間と共に減少しやがて破
壊に至る。この現象は、トンネル絶縁層を構成する絶縁
膜中で、注入されたホットエレクトロンの一部が、絶縁
膜中に存在する電子トラップに捕獲されてマイナスの固
定電荷となり、カソード側の電界を弱める結果、電子注
入を抑制することで説明される。また、劣化が時間的に
飽和しないことは、高電界中のホットレクトロンによ
り、新たな電子トラップが発生していることを物語って
いる。この現象が、ＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源
素子の動作寿命を制限する大きな要因となっていた。そ
して、従来、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜は、化成
液として、１〜３重量％の酒石酸水溶液をアンモニア水
で中和し、エチレングリコールで希釈したものを用い、
化成電流密度を１００μＡ／ｃｍ2以下に制限して、陽
極酸化により形成されていた。この方法では、良好な初
期特性を達成できるが、長期的に特性を維持するのには
問題があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決
するためになされたものであり、本発明の目的は、表示
装置において、ＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源のト
ンネル絶縁層を構成する絶縁膜の膜質を改善し、動作寿
命を向上させることが可能となる技術を提供することに
ある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにす
る。
されているようなＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源素
子は、その構成上、動作中にトンネル絶縁層にはおおよ
そ１０ＭＶ／ｃｍの高電界がかかり、約０．４ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流が流れる。このような過酷な条件下において
は、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜の経時的な劣化は
避けられない。トンネルダイオード特性の経時変化を観
測すると、ダイオード電流は時間と共に減少しやがて破
壊に至る。この現象は、トンネル絶縁層を構成する絶縁
膜中で、注入されたホットエレクトロンの一部が、絶縁
膜中に存在する電子トラップに捕獲されてマイナスの固
定電荷となり、カソード側の電界を弱める結果、電子注
入を抑制することで説明される。また、劣化が時間的に
飽和しないことは、高電界中のホットレクトロンによ
り、新たな電子トラップが発生していることを物語って
いる。この現象が、ＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源
素子の動作寿命を制限する大きな要因となっていた。そ
して、従来、トンネル絶縁層を構成する絶縁膜は、化成
液として、１〜３重量％の酒石酸水溶液をアンモニア水
で中和し、エチレングリコールで希釈したものを用い、
化成電流密度を１００μＡ／ｃｍ2以下に制限して、陽
極酸化により形成されていた。この方法では、良好な初
期特性を達成できるが、長期的に特性を維持するのには
問題があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決
するためになされたものであり、本発明の目的は、表示
装置において、ＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源のト
ンネル絶縁層を構成する絶縁膜の膜質を改善し、動作寿
命を向上させることが可能となる技術を提供することに
ある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴
は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、表面に蛍光体層が
形成される第２の基板と、前記第２の基板と相対向し、
電子線源が形成される第１の基板とを有する表示装置で
あって、前記電子線源は、第１の基板上に積層された第
１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装
置において、前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有す
る有機溶媒と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸
の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコ
ール性水酸基を２つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸
の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含
む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化し
て形成される絶縁膜であることを特徴とする。また、本
発明は、表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、前
記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１の
基板とを有する表示装置であって、前記電子線源は、第
１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２の
導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜が、
非プロトン性有機溶媒と、無オキソ機酸の塩および有機
カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを
含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化
して形成される絶縁膜であることを特徴とする。また、
本発明は、表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、
前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１
の基板とを有する表示装置であって、前記電子線源は、
第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２
の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜
が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン
性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機オキソ酸の塩お
よび有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の
溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を
陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とす
る。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、表面に蛍光体層が
形成される第２の基板と、前記第２の基板と相対向し、
電子線源が形成される第１の基板とを有する表示装置で
あって、前記電子線源は、第１の基板上に積層された第
１の導電膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装
置において、前記絶縁膜が、アルコール性水酸基を有す
る有機溶媒と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸
の塩（但し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコ
ール性水酸基を２つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸
の塩に限る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含
む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化し
て形成される絶縁膜であることを特徴とする。また、本
発明は、表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、前
記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１の
基板とを有する表示装置であって、前記電子線源は、第
１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２の
導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜が、
非プロトン性有機溶媒と、無オキソ機酸の塩および有機
カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを
含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化
して形成される絶縁膜であることを特徴とする。また、
本発明は、表面に蛍光体層が形成される第２の基板と、
前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１
の基板とを有する表示装置であって、前記電子線源は、
第１の基板上に積層された第１の導電膜−絶縁膜−第２
の導電膜構造を有する表示装置において、前記絶縁膜
が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロトン
性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機オキソ酸の塩お
よび有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の
溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導電膜を
陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とす
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。図１は、本
発明の実施の形態の表示装置の概略構成を示す展開斜視
図である。本実施の形態の表示装置は平面型の表示装置
であり、表面に、金属一絶縁膜−金属構造（ＭＩＭ構
造）の微小電子線源アレイが形成される下基板３と、ス
トライプ状の蛍光体層が形成される上基板５とが、枠ガ
ラス４により対向配置されて構成される。なお、図１に
おいて、６は排気管である。図２は、図１に示す下基板
３の一例の概略構成を示す図である。同図に示す下基板
３は、ソーダガラス等のガラス基板１１上に形成される
Ｘ方向に延びるストライプ状の下部電極１２と、下部電
極１２上に形成される電界緩和層（または層間絶縁膜）
１３およびトンネル絶縁層１４と、電界緩和層１３およ
びトンネル絶縁層１４上に形成されるＹ方向に延びるス
トライプ状のバス電極１５と、バス電極１５上に形成さ
れる上部電極１６とで構成される。ここで、下部電極１
２とバス電極１５とは、互いに略直交するように形成さ
れ、下部電極１２とバス電極１５とが重なる領域内の一
部に電子放出部１７が形成される。この電子放出部１７
は、バス電極１５が除去され、上部電極１６がトンネル
絶縁層１４を介して下部電極１２と対向している。図３
は、図１に示す上基板５の一例の概略構成を示す図であ
る。同図に示す上基板５は、ソーダガラス等のガラス基
板２１上に、Ｙ方向に延びるストライプ状の赤、緑、青
の蛍光体層から成る蛍光体ストライプ１８と、当該蛍光
体ストライプ１８上に形成されるメタルバック（Ａｌ
膜）膜１９とで構成される。
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。図１は、本
発明の実施の形態の表示装置の概略構成を示す展開斜視
図である。本実施の形態の表示装置は平面型の表示装置
であり、表面に、金属一絶縁膜−金属構造（ＭＩＭ構
造）の微小電子線源アレイが形成される下基板３と、ス
トライプ状の蛍光体層が形成される上基板５とが、枠ガ
ラス４により対向配置されて構成される。なお、図１に
おいて、６は排気管である。図２は、図１に示す下基板
３の一例の概略構成を示す図である。同図に示す下基板
３は、ソーダガラス等のガラス基板１１上に形成される
Ｘ方向に延びるストライプ状の下部電極１２と、下部電
極１２上に形成される電界緩和層（または層間絶縁膜）
１３およびトンネル絶縁層１４と、電界緩和層１３およ
びトンネル絶縁層１４上に形成されるＹ方向に延びるス
トライプ状のバス電極１５と、バス電極１５上に形成さ
れる上部電極１６とで構成される。ここで、下部電極１
２とバス電極１５とは、互いに略直交するように形成さ
れ、下部電極１２とバス電極１５とが重なる領域内の一
部に電子放出部１７が形成される。この電子放出部１７
は、バス電極１５が除去され、上部電極１６がトンネル
絶縁層１４を介して下部電極１２と対向している。図３
は、図１に示す上基板５の一例の概略構成を示す図であ
る。同図に示す上基板５は、ソーダガラス等のガラス基
板２１上に、Ｙ方向に延びるストライプ状の赤、緑、青
の蛍光体層から成る蛍光体ストライプ１８と、当該蛍光
体ストライプ１８上に形成されるメタルバック（Ａｌ
膜）膜１９とで構成される。
【０００６】本発明は、図２に示すトンネル絶縁層１４
が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機オキ
ソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カル
ボン酸の塩もしくは、アルコール性水酸基を２つ以上含
まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる
少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、
下部電極１２を陽極酸化して形成される絶縁膜である。
また、図２に示すトンネル絶縁層１４が、非プロトン性
有機溶媒と、無オキソ機酸の塩および有機カルボン酸の
塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化
成液を用いて、下部電極１２を陽極酸化して形成される
絶縁膜である。あるいは、図２に示すトンネル絶縁層１
４が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロト
ン性有機溶媒からなる混合溶媒と、無機オキソ酸の塩お
よび有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の
溶質とを含む非水系化成液を用いて、下部電極１２を陽
極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする。
が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と、無機オキ
ソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但し、芳香族カル
ボン酸の塩もしくは、アルコール性水酸基を２つ以上含
まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限る）から選ばれる
少なくとも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、
下部電極１２を陽極酸化して形成される絶縁膜である。
また、図２に示すトンネル絶縁層１４が、非プロトン性
有機溶媒と、無オキソ機酸の塩および有機カルボン酸の
塩から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系化
成液を用いて、下部電極１２を陽極酸化して形成される
絶縁膜である。あるいは、図２に示すトンネル絶縁層１
４が、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と非プロト
ン性有機溶媒からなる混合溶媒と、無機オキソ酸の塩お
よび有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の
溶質とを含む非水系化成液を用いて、下部電極１２を陽
極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴とする。
【０００７】本発明における陽極酸化用化成液の溶質と
する無機酸は、無機オキソ酸が好ましい。無機オキソ酸
は、プロトンとして解離しうる水素が酸素原子に結合し
ている無機酸であり、中心原子は非金属であっても金属
であってもかまわない。具体的には、硼酸、燐酸、硫
酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、バナジ
ン酸および過レニウム酸からなる群から選択される１以
上の化合物が好ましい。本発明における陽極酸化用化成
液の溶質とする有機カルボン酸としては、カルボキシル
基を有する広範な有機化合物の中から選択することがで
きる。カルボキシル基の数や結合位置は特に制限されな
い。好ましいのは、芳香族カルボン酸および脂肪族多価
カルボン酸の塩である。芳香族カルボン酸としては、ベ
ンゼン環、縮合ベンゼン環、非ベンゼン系芳香環、複素
芳香環とカルボキシル基とを有する化合物を使用するこ
とができる。例えば、ヘテロ原子を含まない芳香族カル
ボン酸として、サリチル酸、フタル酸、安息香酸、γ−
レゾルシン酸、トルイル酸、クミル酸、ｔ−ブチル安息
香酸、アニシン酸、２，４−クレソチン酸、桂皮酸、Ｎ
−メチルアントラニル酸、ゲンチシン酸、没食子酸およ
びｐ−ヒドロキシ安息香酸を例示することができる。ま
た、ヘテロ芳香族カルボン酸として、ニコチン酸、２−
フロイン酸、２−テノイン酸およびヒドラジル安息香酸
を例示することができる。さらに、本発明の所期の効果
を損なわない限り、カルボキシル基以外の官能基を有す
る芳香族カルボン酸も使用することができる。例えば、
ニトロ安息香酸、アントラニル酸、モノメチルアミノ安
息香酸およびジメチルアミノ安息香酸のようにニトロ基
やアミノ基を有する芳香族カルボン酸を使用することが
できる。
する無機酸は、無機オキソ酸が好ましい。無機オキソ酸
は、プロトンとして解離しうる水素が酸素原子に結合し
ている無機酸であり、中心原子は非金属であっても金属
であってもかまわない。具体的には、硼酸、燐酸、硫
酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、バナジ
ン酸および過レニウム酸からなる群から選択される１以
上の化合物が好ましい。本発明における陽極酸化用化成
液の溶質とする有機カルボン酸としては、カルボキシル
基を有する広範な有機化合物の中から選択することがで
きる。カルボキシル基の数や結合位置は特に制限されな
い。好ましいのは、芳香族カルボン酸および脂肪族多価
カルボン酸の塩である。芳香族カルボン酸としては、ベ
ンゼン環、縮合ベンゼン環、非ベンゼン系芳香環、複素
芳香環とカルボキシル基とを有する化合物を使用するこ
とができる。例えば、ヘテロ原子を含まない芳香族カル
ボン酸として、サリチル酸、フタル酸、安息香酸、γ−
レゾルシン酸、トルイル酸、クミル酸、ｔ−ブチル安息
香酸、アニシン酸、２，４−クレソチン酸、桂皮酸、Ｎ
−メチルアントラニル酸、ゲンチシン酸、没食子酸およ
びｐ−ヒドロキシ安息香酸を例示することができる。ま
た、ヘテロ芳香族カルボン酸として、ニコチン酸、２−
フロイン酸、２−テノイン酸およびヒドラジル安息香酸
を例示することができる。さらに、本発明の所期の効果
を損なわない限り、カルボキシル基以外の官能基を有す
る芳香族カルボン酸も使用することができる。例えば、
ニトロ安息香酸、アントラニル酸、モノメチルアミノ安
息香酸およびジメチルアミノ安息香酸のようにニトロ基
やアミノ基を有する芳香族カルボン酸を使用することが
できる。
【０００８】脂肪族多価カルボン酸としては、酒石酸、
クエン酸、タルトロン酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジメチルマロ
ン酸、ジエチルマロン酸、ジプロピルマロン酸、２−メ
チルグルタル酸、３，３−ジメチルグルタル酸、３−メ
チルアジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、
シトラコン酸、２−メチレングルタル酸、２−メチルー
２ペンタニ酸などを例示することができる。なお、化成
液としてアルコール性水酸基を有する溶媒を使用する場
合は、溶質である有機カルボン酸の塩は芳香族カルボン
酸の塩およびアルコール性水酸基を２つ以上含まない脂
肪族多価カルボン酸の塩からなる群から選択する。この
場合の芳香族カルボン酸の塩としては、前記の例示化合
物を挙げることができる。また、脂肪族多価カルボン酸
の塩は、アルコール性水酸基を２つ以上含まず、かつカ
ルボキシル基２個を有する脂肪族化合物であれば特にそ
の構造は制限されない。脂肪族多価カルボン酸を使用す
る場合には、炭素数３〜９の脂肪族ジカルボン酸が好ま
しい。従って、分子中に不飽和結合を有するものであっ
ても良いし、不飽和結合を有しないものであっても良
い。また、本発明の所期の効果を損なわない限り、カル
ボキシル基以外の官能基を有する脂肪族多価カルボン酸
を使用することができる。本発明に使用できる脂肪族多
価カルボン酸として、例えば、クエン酸、タルトロン
酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライ
ン酸、セバシン酸、ジメチルマロン酸、ジエチルマロン
酸、ジプロピルマロン酸、２−メチルグルタル酸、３，
３−ジメチルグルタル酸、３−メチルアジピン酸、マレ
イン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、２−メ
チレングルタル酸、２−メチルー２ペンタニ酸などを例
示することができる。
クエン酸、タルトロン酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジメチルマロ
ン酸、ジエチルマロン酸、ジプロピルマロン酸、２−メ
チルグルタル酸、３，３−ジメチルグルタル酸、３−メ
チルアジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、
シトラコン酸、２−メチレングルタル酸、２−メチルー
２ペンタニ酸などを例示することができる。なお、化成
液としてアルコール性水酸基を有する溶媒を使用する場
合は、溶質である有機カルボン酸の塩は芳香族カルボン
酸の塩およびアルコール性水酸基を２つ以上含まない脂
肪族多価カルボン酸の塩からなる群から選択する。この
場合の芳香族カルボン酸の塩としては、前記の例示化合
物を挙げることができる。また、脂肪族多価カルボン酸
の塩は、アルコール性水酸基を２つ以上含まず、かつカ
ルボキシル基２個を有する脂肪族化合物であれば特にそ
の構造は制限されない。脂肪族多価カルボン酸を使用す
る場合には、炭素数３〜９の脂肪族ジカルボン酸が好ま
しい。従って、分子中に不飽和結合を有するものであっ
ても良いし、不飽和結合を有しないものであっても良
い。また、本発明の所期の効果を損なわない限り、カル
ボキシル基以外の官能基を有する脂肪族多価カルボン酸
を使用することができる。本発明に使用できる脂肪族多
価カルボン酸として、例えば、クエン酸、タルトロン
酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタ
ル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライ
ン酸、セバシン酸、ジメチルマロン酸、ジエチルマロン
酸、ジプロピルマロン酸、２−メチルグルタル酸、３，
３−ジメチルグルタル酸、３−メチルアジピン酸、マレ
イン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、２−メ
チレングルタル酸、２−メチルー２ペンタニ酸などを例
示することができる。
【０００９】前記無機オキソ酸の中でも、硼酸、燐酸、
硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、およ
びバナジン酸が好ましく、特に、タングステン酸が好ま
しい。前記有機カルボン酸の中でも、サリチル酸、アジ
ピン酸、アゼライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾ
ルシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシ
トラコン酸が好ましく、中でも特に、サリチル酸、アジ
ピン酸、マレイン酸、アゼライン酸およびフタル酸を使
用するのが好ましい。これらの無機酸や有機カルボン酸
の塩を形成するための陽イオンは、特に制限されない。
例えば、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、
１、２、３、または４級アルキルアンモニウムイオン、
ホスホニウムイオンおよびスルホニウムイオンなどを用
いることができる。中でも、アンモニウムイオンまたは
１，２，３，または４級アルキルアンモニウムイオンを
用いるのが好ましい。アルキルアンモニウムイオンを用
いる場合のアルキル基の大きさは、溶媒への溶解性を考
慮して選択することができる。通常は炭素数１〜４のア
ルキル基を選択する。これらの溶質は１種を単独で使用
しても良いし、２種以上組み合わせて使用しても良い。
また、無機酸や有機カルボン酸の塩以外の溶質を組み合
わせて使用しても良い。
硫酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸、およ
びバナジン酸が好ましく、特に、タングステン酸が好ま
しい。前記有機カルボン酸の中でも、サリチル酸、アジ
ピン酸、アゼライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾ
ルシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシ
トラコン酸が好ましく、中でも特に、サリチル酸、アジ
ピン酸、マレイン酸、アゼライン酸およびフタル酸を使
用するのが好ましい。これらの無機酸や有機カルボン酸
の塩を形成するための陽イオンは、特に制限されない。
例えば、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、
１、２、３、または４級アルキルアンモニウムイオン、
ホスホニウムイオンおよびスルホニウムイオンなどを用
いることができる。中でも、アンモニウムイオンまたは
１，２，３，または４級アルキルアンモニウムイオンを
用いるのが好ましい。アルキルアンモニウムイオンを用
いる場合のアルキル基の大きさは、溶媒への溶解性を考
慮して選択することができる。通常は炭素数１〜４のア
ルキル基を選択する。これらの溶質は１種を単独で使用
しても良いし、２種以上組み合わせて使用しても良い。
また、無機酸や有機カルボン酸の塩以外の溶質を組み合
わせて使用しても良い。
【００１０】本発明の化成液の溶質濃度は、０．０１〜
３０重量％の範囲に設定するのが一般的であり、０．１
〜１５重量％の範囲内に設定するのが好ましい。
３０重量％の範囲に設定するのが一般的であり、０．１
〜１５重量％の範囲内に設定するのが好ましい。
【００１１】本発明の化成液には、溶媒としてアルコー
ル性水酸基を有する溶媒または非プロトン性有機溶媒を
使用する。溶媒として使用するアルコール性水酸基を有
する化合物の種類は特に制限されない。好ましい溶媒
は、アルコール性水酸基を有する脂肪族アルコールであ
る。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、
イソプロパノール等の１価アルコール；エチレングリコ
ール、プロピレングリコール等の２価アルコール；３価
以上の多価アルコールを使用することができる。また、
分子内にアルコール性水酸記以外の官能基を有する溶媒
も、本発明の所期の効果を損なわない限り使用すること
ができる。例えば、メチルセロソルブやセロソルブ等の
ようにアルコール性水酸基と共にアルコキシ基を有する
溶媒も使用することができる。これらの溶媒は１種を単
独で使用しても良いし、２種以上を組み合わせて使用し
ても良い。本発明に使用するアルコール性水酸基を有す
る溶媒としては、炭素数１〜８の溶媒が好ましい。特に
好ましい溶媒は、エチレングリコールおよびプロピレン
グリコールの単独または混合溶媒である。
ル性水酸基を有する溶媒または非プロトン性有機溶媒を
使用する。溶媒として使用するアルコール性水酸基を有
する化合物の種類は特に制限されない。好ましい溶媒
は、アルコール性水酸基を有する脂肪族アルコールであ
る。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、
イソプロパノール等の１価アルコール；エチレングリコ
ール、プロピレングリコール等の２価アルコール；３価
以上の多価アルコールを使用することができる。また、
分子内にアルコール性水酸記以外の官能基を有する溶媒
も、本発明の所期の効果を損なわない限り使用すること
ができる。例えば、メチルセロソルブやセロソルブ等の
ようにアルコール性水酸基と共にアルコキシ基を有する
溶媒も使用することができる。これらの溶媒は１種を単
独で使用しても良いし、２種以上を組み合わせて使用し
ても良い。本発明に使用するアルコール性水酸基を有す
る溶媒としては、炭素数１〜８の溶媒が好ましい。特に
好ましい溶媒は、エチレングリコールおよびプロピレン
グリコールの単独または混合溶媒である。
【００１２】本発明に使用する非プロトン性有機溶媒
は、極性溶媒であっても非極性溶媒であっても良い。極
性溶媒としては、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラク
トン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒；エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカ
ーボネート等のカーボネート系溶媒；Ｎ−メチルホルム
アミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチリホルムアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロロジノン等のアミド系溶媒；３−メトキシプ
ロピオニトリル、グルタロニトリル等のニトリル系溶
媒；トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート
等の燐酸エステル系溶媒を例示することができる。これ
らの溶媒は、１種を単独で使用しても良いし、２種以上
を組み合わせて使用しても良い。本発明の溶媒として好
ましいものは、特にプロピレンカーボネートおよびγ―
ブチロラクトンの単独あるいは混合溶媒である。本発明
の化成液には、水が０．１〜５０重量％含まれているこ
とが好ましい。水の含有量は、０．１〜３０重量％であ
ることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがよ
り好ましく、１〜１５重量％であることがさらにより好
ましく、３〜１５重量％であることが特に好ましい。
は、極性溶媒であっても非極性溶媒であっても良い。極
性溶媒としては、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラク
トン、δ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒；エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカ
ーボネート等のカーボネート系溶媒；Ｎ−メチルホルム
アミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチリホルムアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロロジノン等のアミド系溶媒；３−メトキシプ
ロピオニトリル、グルタロニトリル等のニトリル系溶
媒；トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート
等の燐酸エステル系溶媒を例示することができる。これ
らの溶媒は、１種を単独で使用しても良いし、２種以上
を組み合わせて使用しても良い。本発明の溶媒として好
ましいものは、特にプロピレンカーボネートおよびγ―
ブチロラクトンの単独あるいは混合溶媒である。本発明
の化成液には、水が０．１〜５０重量％含まれているこ
とが好ましい。水の含有量は、０．１〜３０重量％であ
ることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがよ
り好ましく、１〜１５重量％であることがさらにより好
ましく、３〜１５重量％であることが特に好ましい。
【００１３】本発明の化成液を調製するに際して、水を
添加する方法は特に制限されない。例えば、水を含む前
記溶媒に前記溶質を溶解することにより本発明の化成液
を調製してもよいし、前記溶媒に前記溶質を溶解した後
に水を添加して本発明に使用する化成液を調製してもよ
い。さらに、酸と塩基とを反応させて前記溶質を生成さ
せる際に副生する水を利用して調製してもよい。また、
これらの方法を組み合わせてもよい。
添加する方法は特に制限されない。例えば、水を含む前
記溶媒に前記溶質を溶解することにより本発明の化成液
を調製してもよいし、前記溶媒に前記溶質を溶解した後
に水を添加して本発明に使用する化成液を調製してもよ
い。さらに、酸と塩基とを反応させて前記溶質を生成さ
せる際に副生する水を利用して調製してもよい。また、
これらの方法を組み合わせてもよい。
【００１４】本発明の化成液を用いて第１導電膜を陽極
酸化して絶縁膜（トンネル絶縁層）を形成する条件は、
特に制限されない。陽極酸化時の温度は、化成液が安定
に液体として存在する温度範囲に限定され、一般的には
−２０〜１５０℃の範囲内であり、好ましくは１０〜１
００℃の範囲内である。陽極酸化時の電流および電圧の
制御方法は特に限定されず、金属表面に酸化皮膜が形成
される条件を適宜組み合わせることができる。通常は、
あらかじめ定められた化成電圧（Ｖｆ）まで定電流で化
成し、化成電圧に達した後は一定時間定電圧で陽極酸化
を行う。この際、電流密度は１μ〜１００ｍＡ／ｃｍ2
の範囲内にし、好ましくは１μ〜１ｍＡ／ｃｍ2の範囲
にする。また、Ｖｆは通常０．１〜５０Ｖの範囲内に設
定し、好ましくは０．１〜２０Ｖの範囲内に設定する。
酸化して絶縁膜（トンネル絶縁層）を形成する条件は、
特に制限されない。陽極酸化時の温度は、化成液が安定
に液体として存在する温度範囲に限定され、一般的には
−２０〜１５０℃の範囲内であり、好ましくは１０〜１
００℃の範囲内である。陽極酸化時の電流および電圧の
制御方法は特に限定されず、金属表面に酸化皮膜が形成
される条件を適宜組み合わせることができる。通常は、
あらかじめ定められた化成電圧（Ｖｆ）まで定電流で化
成し、化成電圧に達した後は一定時間定電圧で陽極酸化
を行う。この際、電流密度は１μ〜１００ｍＡ／ｃｍ2
の範囲内にし、好ましくは１μ〜１ｍＡ／ｃｍ2の範囲
にする。また、Ｖｆは通常０．１〜５０Ｖの範囲内に設
定し、好ましくは０．１〜２０Ｖの範囲内に設定する。
【００１５】第１導電膜に使用する金属は、陽極酸化に
よりバリア皮膜を形成するいわゆる’バルブ金属’が対
象となり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアル
ミニウム合金が好ましい。純粋アルミニウムは熱処理に
よりヒロックが生じ易いことから、アルミニウム以外の
元素を微量含有する合金が配線材料としてより好まし
い。添加する元素としては、スカンジウム（Ｓｃ），イ
ットリウム（Ｙ），ランタン（Ｌａ），プラセオジム
（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），ガドリニウム（Ｇｄ），
ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅｒ）等の希土類元
素や、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ），ジルコニウ
ム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），ニオブ（Ｎｂ），タ
ングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の’バルブ金
属’元素を例示することができる。更には、ケイ素（Ｓ
ｉ）、銅（Ｃｕ）であってもよい。本発明の第１導電膜
としては、ネオジム（Ｎｄ）を含むアルミニウム合金が
特に好ましい。
よりバリア皮膜を形成するいわゆる’バルブ金属’が対
象となり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはアル
ミニウム合金が好ましい。純粋アルミニウムは熱処理に
よりヒロックが生じ易いことから、アルミニウム以外の
元素を微量含有する合金が配線材料としてより好まし
い。添加する元素としては、スカンジウム（Ｓｃ），イ
ットリウム（Ｙ），ランタン（Ｌａ），プラセオジム
（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），ガドリニウム（Ｇｄ），
ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅｒ）等の希土類元
素や、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ），ジルコニウ
ム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），ニオブ（Ｎｂ），タ
ングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の’バルブ金
属’元素を例示することができる。更には、ケイ素（Ｓ
ｉ）、銅（Ｃｕ）であってもよい。本発明の第１導電膜
としては、ネオジム（Ｎｄ）を含むアルミニウム合金が
特に好ましい。
【００１６】［実施例］以下、本実施の形態の表示装置
の実施例について説明する。本実施例では、始めに、電
子線源素子を以下の方法により作成した。 （１）ガラス基板１１にスパッタリングにより、Ａｌ−
Ｎｄ（２原子％）合金を３００ｎｍ堆積し、フォトリソ
グラフィー技術により下部電極（第１導電膜）１２を形
成した。 （２）次に、後にトンネル絶縁層１４となる部分をレジ
ストで覆い、酒石酸アンモニウム水溶液とエチレングリ
コールとの混合液（比較例）を化成液として用い、陽極
酸化により、下部電極１２の表面に酸化アルミニウムを
形成して厚い電界緩和層１３を形成した。陽極酸化条件
は、定電流（電流密度３０μＡ／ｃｍ2）状態で電圧８
０Ｖまで、その後定電圧状態で１時間行った。 （３）続いて、化成液として、下記表１に示す本発明の
非水系化成液を用いて、下部電極１２の表面の電子放出
部１７の領域に酸化アルミニウムを形成して薄いトンネ
ル絶縁層１４を形成した。陽極酸化条件は、定電流（電
流密度１０μＡ／ｃｍ2）状態で電圧４Ｖまで、その後
定電圧状態で２時間行った。 （４）最後に、バス電極１５および上部電極１６を形成
した。ここで、バス電極１５は、アルミニウムとモリブ
デンとの多層膜で構成され、また、上部電極１６は、ス
パッタリングでインジウム（Ｉｒ；１ｎｍ），白金（Ｐ
ｔ；２ｎｍ），金（Ａｕ；３ｎｍ）を順次真空を破らず
にマスク蒸着を行って作成した。前記（１）〜（４）の
手順により作製したＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子
線源素子を、真空容器内で圧力１×１０−６ｔｏｒｒ下
におき、下部電極１２を接地し、上部電極１６に７．５
Ｖの電圧を印加したところ、上部電極１６からの電子放
出が確認された。
の実施例について説明する。本実施例では、始めに、電
子線源素子を以下の方法により作成した。 （１）ガラス基板１１にスパッタリングにより、Ａｌ−
Ｎｄ（２原子％）合金を３００ｎｍ堆積し、フォトリソ
グラフィー技術により下部電極（第１導電膜）１２を形
成した。 （２）次に、後にトンネル絶縁層１４となる部分をレジ
ストで覆い、酒石酸アンモニウム水溶液とエチレングリ
コールとの混合液（比較例）を化成液として用い、陽極
酸化により、下部電極１２の表面に酸化アルミニウムを
形成して厚い電界緩和層１３を形成した。陽極酸化条件
は、定電流（電流密度３０μＡ／ｃｍ2）状態で電圧８
０Ｖまで、その後定電圧状態で１時間行った。 （３）続いて、化成液として、下記表１に示す本発明の
非水系化成液を用いて、下部電極１２の表面の電子放出
部１７の領域に酸化アルミニウムを形成して薄いトンネ
ル絶縁層１４を形成した。陽極酸化条件は、定電流（電
流密度１０μＡ／ｃｍ2）状態で電圧４Ｖまで、その後
定電圧状態で２時間行った。 （４）最後に、バス電極１５および上部電極１６を形成
した。ここで、バス電極１５は、アルミニウムとモリブ
デンとの多層膜で構成され、また、上部電極１６は、ス
パッタリングでインジウム（Ｉｒ；１ｎｍ），白金（Ｐ
ｔ；２ｎｍ），金（Ａｕ；３ｎｍ）を順次真空を破らず
にマスク蒸着を行って作成した。前記（１）〜（４）の
手順により作製したＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子
線源素子を、真空容器内で圧力１×１０−６ｔｏｒｒ下
におき、下部電極１２を接地し、上部電極１６に７．５
Ｖの電圧を印加したところ、上部電極１６からの電子放
出が確認された。
【００１７】次に、ダイオード電流密度が０．４ｍＡ／
ｃｍ2となるように初期電圧を設定し、そのまま１時間
駆動を行いその間のダイオード電流の変動を記録した。
その結果、従来仕様の酒石酸とエチレングリコール混合
液（比較例）に比べて、本発明の化成液を用いて、下部
電極１２を陽極酸化して形成されたトンネル絶縁層１４
を有するＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子で
は、下記表１に示すように、電流の減少が少ないことが
確認できた。このように、本実施例のＭＩＭ型ダイオー
ド構造の微小電子線源素子における、トンネル絶縁層１
４は、電子トラップ密度が少なく、高電界、かつ大動作
電流条件下において電子トラップの生成が少ないので優
れた寿命特性を有する。
ｃｍ2となるように初期電圧を設定し、そのまま１時間
駆動を行いその間のダイオード電流の変動を記録した。
その結果、従来仕様の酒石酸とエチレングリコール混合
液（比較例）に比べて、本発明の化成液を用いて、下部
電極１２を陽極酸化して形成されたトンネル絶縁層１４
を有するＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子で
は、下記表１に示すように、電流の減少が少ないことが
確認できた。このように、本実施例のＭＩＭ型ダイオー
ド構造の微小電子線源素子における、トンネル絶縁層１
４は、電子トラップ密度が少なく、高電界、かつ大動作
電流条件下において電子トラップの生成が少ないので優
れた寿命特性を有する。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、図５に示すように、前記した手順に
より、ＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子をア
レイ（マトリックス）状に配列した下基板３を作成し
た。続いて、下基板３と、ストライプ状の蛍光体層が形
成される上基板５と、枠ガラス４とを、ガラスペースト
を使って融着するとともに、排気管６を融着して真空容
器とした。この時の、ガラスペーストの焼結条件は、大
気中、４００℃、１０分とした。続いて、真空容器を油
拡散ポンプにより排気し、３００℃で焼きだしを行い真
空度が５×１０−７ｔｏｒｒに達した時点で排気管を封
止して表示装置を完成させた。本実施例の表示装置の表
示実験を、ＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子
の駆動方式として、プログレッシブモードで行った。こ
のプログレッシブモードでは、選択された画素の下部電
極１２には、−３．０Ｖの走査電圧パルスが、また、上
部電極１６（またはバス電極１５）には、４．５Ｖのデ
ータ電圧パルスがそれぞれ印加されるので、電子放出部
１７から電子が放出される。この放出された電子は、上
基板５との間（ギャップ＝２ｍｍ）に印加された３ｋＶ
の加速電圧により加速されて、蛍光体ストライプ１８に
達し発光を起こす。これに対して、非選択画素では、下
部電極１２、あるいは上部電極１６（またはバス電極１
５）のどちらか一方にのみ、−３．０Ｖの走査電圧パル
ス、あるいは、４．５Ｖのデータ電圧パルスが印加され
るので、電子放出部１７から電子が放出されない。この
表示実験により、本実施例の表示装置は良好な表示特性
を示した。
より、ＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子をア
レイ（マトリックス）状に配列した下基板３を作成し
た。続いて、下基板３と、ストライプ状の蛍光体層が形
成される上基板５と、枠ガラス４とを、ガラスペースト
を使って融着するとともに、排気管６を融着して真空容
器とした。この時の、ガラスペーストの焼結条件は、大
気中、４００℃、１０分とした。続いて、真空容器を油
拡散ポンプにより排気し、３００℃で焼きだしを行い真
空度が５×１０−７ｔｏｒｒに達した時点で排気管を封
止して表示装置を完成させた。本実施例の表示装置の表
示実験を、ＭＩＭ型ダイオード構造の微小電子線源素子
の駆動方式として、プログレッシブモードで行った。こ
のプログレッシブモードでは、選択された画素の下部電
極１２には、−３．０Ｖの走査電圧パルスが、また、上
部電極１６（またはバス電極１５）には、４．５Ｖのデ
ータ電圧パルスがそれぞれ印加されるので、電子放出部
１７から電子が放出される。この放出された電子は、上
基板５との間（ギャップ＝２ｍｍ）に印加された３ｋＶ
の加速電圧により加速されて、蛍光体ストライプ１８に
達し発光を起こす。これに対して、非選択画素では、下
部電極１２、あるいは上部電極１６（またはバス電極１
５）のどちらか一方にのみ、−３．０Ｖの走査電圧パル
ス、あるいは、４．５Ｖのデータ電圧パルスが印加され
るので、電子放出部１７から電子が放出されない。この
表示実験により、本実施例の表示装置は良好な表示特性
を示した。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
【００２１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。本発明によれば、ＭＩＭ型ダイオード
構造の電子線源素子を用いた表示装置の動作寿命を向上
させることが可能となる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。本発明によれば、ＭＩＭ型ダイオード
構造の電子線源素子を用いた表示装置の動作寿命を向上
させることが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態の表示装置の概略構成を示
す展開斜視図である。
す展開斜視図である。
【図２】図１に示す下基板の一例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】図１に示す上基板の一例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図４】図２に示すＭＩＭ型ダイオード構造の電子線源
素子をアレイ状に配置した状態を示す模式図である。
素子をアレイ状に配置した状態を示す模式図である。
３…下基板、４…枠ガラス、５…上基板、６…排気管、
１１，２１…ガラス基板、１２…下部電極（第１導電
膜）、１３…電界緩和層（または層間絶縁膜）、１４…
トンネル絶縁層、１５…バス電極、１６…上部電極（第
２導電膜）、１７…電子放出部、１８…蛍光体ストライ
プ、１９…メタルバック（Ａｌ膜）膜。
１１，２１…ガラス基板、１２…下部電極（第１導電
膜）、１３…電界緩和層（または層間絶縁膜）、１４…
トンネル絶縁層、１５…バス電極、１６…上部電極（第
２導電膜）、１７…電子放出部、１８…蛍光体ストライ
プ、１９…メタルバック（Ａｌ膜）膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡井 誠 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 水谷 文一 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱化学株式会社筑波研究所内 (72)発明者 鷹羽 寛 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱化学株式会社筑波研究所内 (72)発明者 宇恵 誠 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号 三菱化学株式会社筑波研究所内 Ｆターム(参考） 5C031 DD09 DD17 DD19 5C036 EE01 EE19 EF01 EF06 EF09 EG12 EH06 EH26 5C094 AA31 AA43 BA04 BA32 BA34 CA19 DA15 DB04 EA04 EA10 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 GA10 GB10
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に蛍光体層が形成される第２の基板
と、 前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１
の基板とを有する表示装置であって、 前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電
膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置におい
て、 前記絶縁膜は、アルコール性水酸基を有する有機溶媒
と、無機オキソ酸の塩および有機カルボン酸の塩（但
し、芳香族カルボン酸の塩、もしくは、アルコール性水
酸基を２つ以上含まない脂肪族多価カルボン酸の塩に限
る）から選ばれる少なくとも一種の溶質とを含む非水系
化成液を用いて、前記第１導電膜を陽極酸化して形成さ
れる絶縁膜であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 表面に蛍光体層が形成される第２の基板
と、 前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１
の基板とを有する表示装置であって、 前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電
膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置におい
て、 前記絶縁膜は、非プロトン性有機溶媒と、無オキソ機酸
の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも
一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第１導
電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを特徴
とする表示装置。 - 【請求項３】 表面に蛍光体層が形成される第２の基板
と、 前記第２の基板と相対向し、電子線源が形成される第１
の基板とを有する表示装置であって、 前記電子線源は、第１の基板上に積層された第１の導電
膜−絶縁膜−第２の導電膜構造を有する表示装置におい
て、 前記絶縁膜は、アルコール性水酸基を有する有機溶媒と
非プロトン性有機溶媒とからなる混合溶媒と、無機オキ
ソ酸の塩および有機カルボン酸の塩から選ばれる少なく
とも一種の溶質とを含む非水系化成液を用いて、前記第
１導電膜を陽極酸化して形成される絶縁膜であることを
特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 前記アルコール性水酸基を有する溶媒
は、エチレングリコールまたはプロピレングリコールで
あることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の
表示装置。 - 【請求項５】 前記非プロトン性有機溶媒は、γ―ブチ
ロラクトンまたはプロピレンカーボネートであることを
特徴とする請求項２または請求項３に記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記無機オキソ酸は、硼酸、燐酸、硫
酸、タングステン酸、モリブデン酸、クロム酸およびバ
ナジン酸からなる群から選択される１以上の化合物であ
り、 前記有機カルボン酸は、サリチル酸、アジピン酸、アゼ
ライン酸、フタル酸、安息香酸、γ−レゾルシン酸、マ
レイン酸、フマル酸、イタコン酸、マロン酸、コハク
酸、グルタル酸、ジメチルマロン酸およびシトラコン酸
からなる群から選択される１以上の化合物であることを
特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記
載の表示装置。
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|---|---|---|---|
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