JPH06177020A - 薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置 - Google Patents
薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置Info
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- JPH06177020A JPH06177020A JP32914992A JP32914992A JPH06177020A JP H06177020 A JPH06177020 A JP H06177020A JP 32914992 A JP32914992 A JP 32914992A JP 32914992 A JP32914992 A JP 32914992A JP H06177020 A JPH06177020 A JP H06177020A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単色の電子線で、かつ面状の電子線源および
それを用いた露光装置を提供する。 【構成】 ＭＩＭ構造の薄膜冷陰極の絶縁薄膜に単結晶
あるいは高配向のアルミニウム酸化膜を用いる
それを用いた露光装置を提供する。 【構成】 ＭＩＭ構造の薄膜冷陰極の絶縁薄膜に単結晶
あるいは高配向のアルミニウム酸化膜を用いる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビ−ムを用いて集
積回路あるいはファイルメモリ−などの微細パタ−ンを
作製する電子線露光装置およびその電子源に関する。
積回路あるいはファイルメモリ−などの微細パタ−ンを
作製する電子線露光装置およびその電子源に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路などのパタ−ンの露光には光、
レ−ザ、Ｘ線、電子線などを利用した方法がある。その
中で、電子線による露光は波長による微細化の限界が光
より、はるかに小さいため、Ｘ線と並んで今後の描画技
術として注目されている。電子線露光方法は、点状ある
いは矩形状の断面を持つ電子線を偏光し位置を移動しな
がらウェハ上に照射し、さらにステ−ジも移動させて微
細パタ−ンを描画しようとするものである。しかし、こ
の方法には解像度の向上を望むことができるが、一本書
きの露光のため、ウェハ−全面露光には時間がかかり、
スル−プットが低く量産には向かない問題があった。
レ−ザ、Ｘ線、電子線などを利用した方法がある。その
中で、電子線による露光は波長による微細化の限界が光
より、はるかに小さいため、Ｘ線と並んで今後の描画技
術として注目されている。電子線露光方法は、点状ある
いは矩形状の断面を持つ電子線を偏光し位置を移動しな
がらウェハ上に照射し、さらにステ−ジも移動させて微
細パタ−ンを描画しようとするものである。しかし、こ
の方法には解像度の向上を望むことができるが、一本書
きの露光のため、ウェハ−全面露光には時間がかかり、
スル−プットが低く量産には向かない問題があった。
【０００３】これに対して、面状電子源を作製し、その
表面に、特定パタ−ン発生回路を設けるか、あるいは電
子源の前に、集積回路のパタ−ンと同じ形状のマスクを
設けて、電子線を成形し、これを対象とする感光剤で被
覆された半導体の上に一括転写すれば従来のスル−プッ
トの低さが克服できる（例えば、電子・イオンビ−ムハ
ンドブック、日刊工業新聞社、昭和６１年、Ｐ４１５〜
４１７参照）。
表面に、特定パタ−ン発生回路を設けるか、あるいは電
子源の前に、集積回路のパタ−ンと同じ形状のマスクを
設けて、電子線を成形し、これを対象とする感光剤で被
覆された半導体の上に一括転写すれば従来のスル−プッ
トの低さが克服できる（例えば、電子・イオンビ−ムハ
ンドブック、日刊工業新聞社、昭和６１年、Ｐ４１５〜
４１７参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記面状電子源として
は、数ｍｍの大きさの面状で、かつ、エネルギ−の揃っ
た単色の電子線が得られる必要がある。その為には、
０．５ｅＶ程度の単色の電子線が得られる薄膜型冷陰極
が必要である。
は、数ｍｍの大きさの面状で、かつ、エネルギ−の揃っ
た単色の電子線が得られる必要がある。その為には、
０．５ｅＶ程度の単色の電子線が得られる薄膜型冷陰極
が必要である。
【０００５】しかし、現在の薄膜型冷陰極のエネルギ−
は、最も低いものでも１．５ｅＶ止まりである（例え
ば、ジャ−ナル オブ アプライド フィジックス 第
４５巻１号（１９７４年）１１９頁から１２５頁（Jour
nal of Applied Physics, Vol.45, No.1, (1974)pp119-
125)参照）。
は、最も低いものでも１．５ｅＶ止まりである（例え
ば、ジャ−ナル オブ アプライド フィジックス 第
４５巻１号（１９７４年）１１９頁から１２５頁（Jour
nal of Applied Physics, Vol.45, No.1, (1974)pp119-
125)参照）。
【０００６】図２に従来の薄膜型冷陰極のＭＩＭ構造の
模式的なエネルギ−バンド図を示す。ＳｉＯ2基板１に
電子供給源の下部金属電極Ｍ1、トンネル電流を通す絶
縁薄膜Ｉ、電子引出用の上部金属電極Ｍ2からなるＭＩ
Ｍ構造の模式的なエネルギ−バンド図を示す。ＳｉＯ2
基板１上に、電子供給源の下部金属電極Ｍ1として働く
厚さ２００ｎｍのＡｌ膜、トンネル電流を通す絶縁薄膜
Ｉとして働く厚さ約１０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜（Ａｌ膜の表
面を陽極酸化法で酸化して形成する）、および電子引出
用の上部金属電極Ｍ2として働く厚さ約１０ｎｍのＡｕ
膜を設けたものである。ここで、下部金属電極Ｍ1と上
部金属電極Ｍ2の間に、直流電源２を接続し約１０Ｖ電
圧を印加すると、下部金属電極Ｍ1のフェルミレベル近
傍の電子（ｉT）が絶縁薄膜Ｉ中を流れ，真空中に電子
放出（ｉE）される。
模式的なエネルギ−バンド図を示す。ＳｉＯ2基板１に
電子供給源の下部金属電極Ｍ1、トンネル電流を通す絶
縁薄膜Ｉ、電子引出用の上部金属電極Ｍ2からなるＭＩ
Ｍ構造の模式的なエネルギ−バンド図を示す。ＳｉＯ2
基板１上に、電子供給源の下部金属電極Ｍ1として働く
厚さ２００ｎｍのＡｌ膜、トンネル電流を通す絶縁薄膜
Ｉとして働く厚さ約１０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜（Ａｌ膜の表
面を陽極酸化法で酸化して形成する）、および電子引出
用の上部金属電極Ｍ2として働く厚さ約１０ｎｍのＡｕ
膜を設けたものである。ここで、下部金属電極Ｍ1と上
部金属電極Ｍ2の間に、直流電源２を接続し約１０Ｖ電
圧を印加すると、下部金属電極Ｍ1のフェルミレベル近
傍の電子（ｉT）が絶縁薄膜Ｉ中を流れ，真空中に電子
放出（ｉE）される。
【０００７】従来の電子線のエネルギ−幅は１．５ｅＶ
と高いが、これは絶縁薄膜Ｉの厚さ制御が精度良くなさ
れていないため、膜中の電界分布の不均一が生じるこ
と、および絶縁薄膜Ｉの結晶性に対する配慮がなされて
いないため、膜中での不均一な格子振動による電子散乱
で電子放出（ｉE）のエネルギ−広がりを生じているこ
とが原因と考えられる。
と高いが、これは絶縁薄膜Ｉの厚さ制御が精度良くなさ
れていないため、膜中の電界分布の不均一が生じるこ
と、および絶縁薄膜Ｉの結晶性に対する配慮がなされて
いないため、膜中での不均一な格子振動による電子散乱
で電子放出（ｉE）のエネルギ−広がりを生じているこ
とが原因と考えられる。
【０００８】本発明の目的は、単色の電子線で、かつ面
状の電子線源およびそれを用いた露光装置を提供するこ
とにある。
状の電子線源およびそれを用いた露光装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は絶縁薄膜に単
結晶あるいは高配向のアルミニウム酸化膜を用いること
で解決できる。この絶縁薄膜は以下のプロセスで作製で
きる。（１）ＭＩＭ構造の下部金属電極として、ガリウ
ム砒素基板上に単結晶成長させたアルミニウムを用い
る。その場合、ガリウム砒素基板として、（００１）面
方位の単結晶基板を用いることが好ましい。（２）ま
た、下部金属電極として、サファイア基板上に、ニオビ
ウム単結晶を成長させ、その上にアルミニウムを被覆し
たのを用いても良い。その場合、サファイア基板とし
て、（１１０２）のＲ面方位の単結晶基板を用いること
が好ましい。（３）アルミニウム酸化膜は陽極酸化法、
あるいは減圧酸素雰囲気下で作製する方法で達成でき
る。
結晶あるいは高配向のアルミニウム酸化膜を用いること
で解決できる。この絶縁薄膜は以下のプロセスで作製で
きる。（１）ＭＩＭ構造の下部金属電極として、ガリウ
ム砒素基板上に単結晶成長させたアルミニウムを用い
る。その場合、ガリウム砒素基板として、（００１）面
方位の単結晶基板を用いることが好ましい。（２）ま
た、下部金属電極として、サファイア基板上に、ニオビ
ウム単結晶を成長させ、その上にアルミニウムを被覆し
たのを用いても良い。その場合、サファイア基板とし
て、（１１０２）のＲ面方位の単結晶基板を用いること
が好ましい。（３）アルミニウム酸化膜は陽極酸化法、
あるいは減圧酸素雰囲気下で作製する方法で達成でき
る。
【００１０】
【作用】基板としてＧａＡｓ単結晶を用いることで、そ
の上にＭＢＥ法でＡｌ単結晶を成長させることができ
る。そのため、Ａｌ下部金属電極に多結晶の粒界による
表面の荒れがなくなり、結果としてＡｌ2Ｏ3縁薄膜が均
一の厚さで生成し、膜内の電界強度分布が均一となる。
さらに、Ａｌ単結晶の上に成長するＡｌ2Ｏ3膜は結晶学
的に配向しやすいので、トンネル電流は不規則な格子振
動による散乱を受けにくいので、真空中に単色化された
電子線が放出される。同様な効果は基板にＡｌ2Ｏ3単結
晶を用い、その上にＮｂ単結晶を成長させ、その上にＡ
ｌとＡｌ2Ｏ3，高配向膜を作製しても得られる。この場
合、薄膜陰極全体をＮｂの超伝導臨界温度９Ｋ以下、例
えばＨｅの液化温度４．２Ｋにすると、下部金属電極Ｍ
1のフェルミレベル近傍の電子は強く凝縮するので、さ
らに電子線の単色化に有効である。
の上にＭＢＥ法でＡｌ単結晶を成長させることができ
る。そのため、Ａｌ下部金属電極に多結晶の粒界による
表面の荒れがなくなり、結果としてＡｌ2Ｏ3縁薄膜が均
一の厚さで生成し、膜内の電界強度分布が均一となる。
さらに、Ａｌ単結晶の上に成長するＡｌ2Ｏ3膜は結晶学
的に配向しやすいので、トンネル電流は不規則な格子振
動による散乱を受けにくいので、真空中に単色化された
電子線が放出される。同様な効果は基板にＡｌ2Ｏ3単結
晶を用い、その上にＮｂ単結晶を成長させ、その上にＡ
ｌとＡｌ2Ｏ3，高配向膜を作製しても得られる。この場
合、薄膜陰極全体をＮｂの超伝導臨界温度９Ｋ以下、例
えばＨｅの液化温度４．２Ｋにすると、下部金属電極Ｍ
1のフェルミレベル近傍の電子は強く凝縮するので、さ
らに電子線の単色化に有効である。
【００１１】
実施例１ 本発明の実施例１の薄膜冷陰極を図１により説明する。
表面を清浄化したＧａＡｓ（００１）基板３にＡｌ４を
室温〜４００℃の基板温度、１０-9Ｔｏｒｒの真空雰囲
気、０．０５ｎｍ／ｓの蒸着速度、の条件下で２００ｎ
ｍ付着した。電子線回折によると、（００１）面のＡｌ
単結晶膜が基板方位に対して、４５度回転して、成長し
ていた。表面は１０万倍の走査型電子顕微鏡で凹凸が確
認できないほど平坦であった。Ａｌ2Ｏ3膜５は陽極酸化
法で３％クエン酸アンモニウム水溶液、１０Ｖの化成電
圧、１分の酸化時間の条件下でＡｌ単結晶の上に１０ｎ
ｍ成長させた。Ａｌ2Ｏ3膜厚のバラツキは数％以下に抑
えられていた。結晶性もＸ線回折によるとｃ軸が膜面に
垂直な方位を持つ単結晶に近い高配向膜であった。な
お、Ａｌ2Ｏ3膜５の形成は陽極酸化法に限らず、１０-2
Ｔｏｒｒ程度の減圧酸素中で３００から６００℃の低温
で加熱して作製する方法でも良い。結晶性はｃ軸が膜面
に垂直な単結晶膜であった。次に、Ａｌ2Ｏ3膜のうえ
に、１０ｎｍのＡｕ膜６を上部電極として、抵抗加熱蒸
着法で形成した。
表面を清浄化したＧａＡｓ（００１）基板３にＡｌ４を
室温〜４００℃の基板温度、１０-9Ｔｏｒｒの真空雰囲
気、０．０５ｎｍ／ｓの蒸着速度、の条件下で２００ｎ
ｍ付着した。電子線回折によると、（００１）面のＡｌ
単結晶膜が基板方位に対して、４５度回転して、成長し
ていた。表面は１０万倍の走査型電子顕微鏡で凹凸が確
認できないほど平坦であった。Ａｌ2Ｏ3膜５は陽極酸化
法で３％クエン酸アンモニウム水溶液、１０Ｖの化成電
圧、１分の酸化時間の条件下でＡｌ単結晶の上に１０ｎ
ｍ成長させた。Ａｌ2Ｏ3膜厚のバラツキは数％以下に抑
えられていた。結晶性もＸ線回折によるとｃ軸が膜面に
垂直な方位を持つ単結晶に近い高配向膜であった。な
お、Ａｌ2Ｏ3膜５の形成は陽極酸化法に限らず、１０-2
Ｔｏｒｒ程度の減圧酸素中で３００から６００℃の低温
で加熱して作製する方法でも良い。結晶性はｃ軸が膜面
に垂直な単結晶膜であった。次に、Ａｌ2Ｏ3膜のうえ
に、１０ｎｍのＡｕ膜６を上部電極として、抵抗加熱蒸
着法で形成した。
【００１２】この本素子を超高真空容器の中にセット
し、電子放出を行なわさせる図１の電圧印加をした。電
圧Ｖ1はＡｌの下部電極とＡｕの上部電極の間に加わ
り、９Ｖとした。これにより、Ａｌ2Ｏ3の絶縁膜には９
Ｖ／１０ｎｍ＝９ｘ１０7Ｖ／ｃｍの高電圧がかかり、
図２の原理で真空中への電子放出を生じた。電圧Ｖ2に
１００Ｖをかけ、１０ｋΩの抵抗体に流れる電流値を読
み取ると、０．５μＡ／ｃｍ2であった。さらに、別の
超高真空容器の中で、retarding potential法で、電子線
のエネルギ−幅を求めると、０．５ｅＶであった。さら
に、図１に示すように、上部電極のＡｕ膜６に、１０μ
ｍ2のマトリクス駆動可能な微細回路パタ−ンを設け、
外部回路のスイッチング、例えば９Ｖのパルス状の電圧
印加Ｑで、特定の微細素子からのみの電子放出を行うこ
とができた。本発明の電子源の前に、集積回路のパタ−
ンと同じ形状の金属マスクを設けても、電子線を成形す
ることができた。
し、電子放出を行なわさせる図１の電圧印加をした。電
圧Ｖ1はＡｌの下部電極とＡｕの上部電極の間に加わ
り、９Ｖとした。これにより、Ａｌ2Ｏ3の絶縁膜には９
Ｖ／１０ｎｍ＝９ｘ１０7Ｖ／ｃｍの高電圧がかかり、
図２の原理で真空中への電子放出を生じた。電圧Ｖ2に
１００Ｖをかけ、１０ｋΩの抵抗体に流れる電流値を読
み取ると、０．５μＡ／ｃｍ2であった。さらに、別の
超高真空容器の中で、retarding potential法で、電子線
のエネルギ−幅を求めると、０．５ｅＶであった。さら
に、図１に示すように、上部電極のＡｕ膜６に、１０μ
ｍ2のマトリクス駆動可能な微細回路パタ−ンを設け、
外部回路のスイッチング、例えば９Ｖのパルス状の電圧
印加Ｑで、特定の微細素子からのみの電子放出を行うこ
とができた。本発明の電子源の前に、集積回路のパタ−
ンと同じ形状の金属マスクを設けても、電子線を成形す
ることができた。
【００１３】実施例２ 本発明の実施例２の薄膜冷陰極を図３により説明する。
基板に（１１０２）Ａｌ2Ｏ3７を用い、その上にＮｂ８
とＡｌ４の下部電極を設ける。Ｎｂの成膜は電子線加熱
蒸着法で、基板温度８００℃、真空度２ｘ１０-6Ｐａ，
成膜速度０．１ｎｍ／ｓの条件下で５０ｎｍの厚さとし
た。電子線回折によると、Ｎｂの（１００）単結晶膜で
あった。この上に、図１と同様にＡｌとＡｌ2Ｏ3の障壁
層５、上部電極のＡｕ膜６を設けた。Ａｌは（１１１）
面が成長した単結晶体で、Ａｌ2Ｏ3膜はｃ軸の高配向膜
であった。本構成陰極の放出電流密度と、エネルギ−分
布を求めると、０．３μＡ／ｃｍ2と０．６ｅＶであっ
た。しかし、薄膜陰極全体を低温ステ−ジにマウント
し、Ｎｂの超伝導臨界温度９Ｋ以下、たとえばＨｅの液
化温度４．２Ｋにすると、エネルギ−分布の広がりは小
さくなり、０．２ｅＶであった。これは下部金属電極Ｍ
1のフェルミレベル近傍の電子は超伝導状態になると、
特定レベルに凝縮するので電子線の単色化を強くするた
めである。
基板に（１１０２）Ａｌ2Ｏ3７を用い、その上にＮｂ８
とＡｌ４の下部電極を設ける。Ｎｂの成膜は電子線加熱
蒸着法で、基板温度８００℃、真空度２ｘ１０-6Ｐａ，
成膜速度０．１ｎｍ／ｓの条件下で５０ｎｍの厚さとし
た。電子線回折によると、Ｎｂの（１００）単結晶膜で
あった。この上に、図１と同様にＡｌとＡｌ2Ｏ3の障壁
層５、上部電極のＡｕ膜６を設けた。Ａｌは（１１１）
面が成長した単結晶体で、Ａｌ2Ｏ3膜はｃ軸の高配向膜
であった。本構成陰極の放出電流密度と、エネルギ−分
布を求めると、０．３μＡ／ｃｍ2と０．６ｅＶであっ
た。しかし、薄膜陰極全体を低温ステ−ジにマウント
し、Ｎｂの超伝導臨界温度９Ｋ以下、たとえばＨｅの液
化温度４．２Ｋにすると、エネルギ−分布の広がりは小
さくなり、０．２ｅＶであった。これは下部金属電極Ｍ
1のフェルミレベル近傍の電子は超伝導状態になると、
特定レベルに凝縮するので電子線の単色化を強くするた
めである。
【００１４】実施例３ 本発明の電子線源を用いた電子線露光装置の一実施例を
図４に示す。ＬＳＩパタ−ン発生器と本発明の面状電子
源９の組合せで発生した成形された電子線をブランカ１
０と電子レンズ１１で縮小し、偏向器１２で対象とする
感光剤で被覆された半導体ウェハ１３の上に縮小して、
一括転写することにより従来の一本書きの露光方法に比
べて、スル−プットを一桁以上低減できることが可能に
なった。
図４に示す。ＬＳＩパタ−ン発生器と本発明の面状電子
源９の組合せで発生した成形された電子線をブランカ１
０と電子レンズ１１で縮小し、偏向器１２で対象とする
感光剤で被覆された半導体ウェハ１３の上に縮小して、
一括転写することにより従来の一本書きの露光方法に比
べて、スル−プットを一桁以上低減できることが可能に
なった。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、膜厚が均一で、かつ結
晶性の良い絶縁膜が得られるので、エネルギ−の揃った
単色の電子線が得られ、スル−プットの大きい転写方式
の電子線露光装置を可能となる。
晶性の良い絶縁膜が得られるので、エネルギ−の揃った
単色の電子線が得られ、スル−プットの大きい転写方式
の電子線露光装置を可能となる。
【図１】ＭＩＭ型薄膜冷陰極の動作原理を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例１の薄膜冷陰極の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例２の薄膜冷陰極の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例３の電子線露光装置の概略図で
ある。
ある。
１：ＳｉＯ2基板、２：直流電源、３：ＧａＡｓ基板、
４：Ａｌ単結晶膜、５：Ａｌ2Ｏ3高配向膜、６：Ａｕ
膜、７：Ａｌ2Ｏ3基板、８：Ｎｂ単結晶膜 ９：面状電子源、１０：ブランカ、１１：電子レンズ、
１２：偏向器、１３：半導体ウェハ、１４：ステ−ジ、
Ｍ1：下部電極、Ｍ2：上部電極、Ｉ：絶縁膜、Ｖ1：引
出電圧、Ｖ2：加速電圧、Ｒ：抵抗、Ｑ：パルス電圧。
４：Ａｌ単結晶膜、５：Ａｌ2Ｏ3高配向膜、６：Ａｕ
膜、７：Ａｌ2Ｏ3基板、８：Ｎｂ単結晶膜 ９：面状電子源、１０：ブランカ、１１：電子レンズ、
１２：偏向器、１３：半導体ウェハ、１４：ステ−ジ、
Ｍ1：下部電極、Ｍ2：上部電極、Ｉ：絶縁膜、Ｖ1：引
出電圧、Ｖ2：加速電圧、Ｒ：抵抗、Ｑ：パルス電圧。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 9172−5Ｅ (72)発明者 矢口 富雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 楠 敏明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 成清 正 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山田 絵実子 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 品田 博之 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】真空中に電子放出させる上部金属電極
（Ｍ）、トンネル電流を通す絶縁薄膜（Ｉ）、電子供給
源の下部金属電極（Ｍ）からなるＭＩＭ構造の薄膜冷陰
極において、上記絶縁膜は単結晶あるいは高配向のアル
ミニウム酸化膜を有することを特徴とする薄膜冷陰極。 - 【請求項２】上記下部電極はガリウム砒素単結晶基板上
に形成された単結晶アルミニウム膜で構成された部分を
有する請求項１記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項３】上記下部電極はサファイア単結晶基板上に
形成された単結晶ニオビウム膜および該単結晶ニオビウ
ム膜上に形成されたアルミニウム膜で構成された部分を
有する請求項１記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項４】上部電極はＡｕ膜を有している請求項１乃
至３のいずれか一項に記載の薄膜冷陰極。 - 【請求項５】上部電極はマトリクス駆動可能なパタ−ン
形状をしている請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
薄膜冷陰極。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄
膜冷陰極と、該陰極を駆動する回路を有することを特徴
とする電子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32914992A JPH06177020A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32914992A JPH06177020A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177020A true JPH06177020A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18218192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32914992A Pending JPH06177020A (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177020A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998024108A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Sugihara, Shinichi | Element et procede de decharge d'electrons |
| WO2000070642A1 (fr) * | 1999-05-17 | 2000-11-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif d'affichage |
| JP2007518223A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-07-05 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 発散制御機能を有したハイブリッド型マルチビーム電子放出デバイス |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP32914992A patent/JPH06177020A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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