JP2500443B2 - 化合物半導体のドライエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体のドライエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体の低損傷
ドライエッチング法による微細構造形成技術に関する。
ドライエッチング法による微細構造形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】加工により化合物半導体の量子細線とい
ったナノメータサイズの微細構造を形成するには、大気
暴露による表面汚染を避けるために、成長後の化合物半
導体試料を真空中でそのまま加工する、いわゆる真空一
貫プロセスを行うことが重要である。またこの時の加工
においては、微細性と低損傷を兼備した集束電子線を利
用する事が有効である。
ったナノメータサイズの微細構造を形成するには、大気
暴露による表面汚染を避けるために、成長後の化合物半
導体試料を真空中でそのまま加工する、いわゆる真空一
貫プロセスを行うことが重要である。またこの時の加工
においては、微細性と低損傷を兼備した集束電子線を利
用する事が有効である。
【０００３】化合物半導体であるヒ化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）に対しこの様な微細加工を行う方法として、従来、
ＧａＡｓ酸化膜をエッチング用のマスクとし、集束電子
線と塩素ガスを用いて微細構造を形成する方法があり、
例えば、セミコンダクタ・サイエンス・アンド・テクノ
ロジー（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．）、Ｖｏｌ．７、（１９９２）ｐｐ．１６０〜１６
３に記載されている様なドライエッチング方法がある。
この方法を図２を用いて説明する。この方法では、次に
述べる工程を真空中で連続して行う。まず、分子線エピ
タキシー法により成長したＧａＡｓ成長層２１の表面に
酸素ガス２２雰囲気中でハロゲンランプによる光照射２
３を行いＧａＡｓ酸化膜２４を形成する（図２
（ａ））。次に集束電子線２５をＧａＡｓ酸化膜２４に
照射し、照射部分のＧａＡｓ酸化膜を選択的に改質し、
塩素ガスエッチング耐性を劣化させる（図２（ｂ））。
次に改質パターン化されたＧａＡｓ酸化膜をマスクとし
て塩素ガス２６によりＧａＡｓ成長層２１のエッチング
を行う。これにより集束電子線２５が照射された場所の
ＧａＡｓ酸化膜が選択的にエッチングされ、従って、こ
の部分のＧａＡｓも選択的にエッチングされる（図２
（ｃ））。
ｓ）に対しこの様な微細加工を行う方法として、従来、
ＧａＡｓ酸化膜をエッチング用のマスクとし、集束電子
線と塩素ガスを用いて微細構造を形成する方法があり、
例えば、セミコンダクタ・サイエンス・アンド・テクノ
ロジー（Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．）、Ｖｏｌ．７、（１９９２）ｐｐ．１６０〜１６
３に記載されている様なドライエッチング方法がある。
この方法を図２を用いて説明する。この方法では、次に
述べる工程を真空中で連続して行う。まず、分子線エピ
タキシー法により成長したＧａＡｓ成長層２１の表面に
酸素ガス２２雰囲気中でハロゲンランプによる光照射２
３を行いＧａＡｓ酸化膜２４を形成する（図２
（ａ））。次に集束電子線２５をＧａＡｓ酸化膜２４に
照射し、照射部分のＧａＡｓ酸化膜を選択的に改質し、
塩素ガスエッチング耐性を劣化させる（図２（ｂ））。
次に改質パターン化されたＧａＡｓ酸化膜をマスクとし
て塩素ガス２６によりＧａＡｓ成長層２１のエッチング
を行う。これにより集束電子線２５が照射された場所の
ＧａＡｓ酸化膜が選択的にエッチングされ、従って、こ
の部分のＧａＡｓも選択的にエッチングされる（図２
（ｃ））。
【０００４】しかし、この方法では、酸化物という半導
体材料とは異質の物質を用いているため、塩素ガスエッ
チングによる加工表面がこの酸化膜によって汚染される
事が懸念される。
体材料とは異質の物質を用いているため、塩素ガスエッ
チングによる加工表面がこの酸化膜によって汚染される
事が懸念される。
【０００５】この問題点を解決するために、最近、半導
体エピタキシャル層をエッチングのマスクとする方法が
提案されている（平成４年秋季 第５３回応用物理学会
学術講演会 講演予稿集 第３分冊 ｐ．１１４９）。
この方法を図３を用いて説明する。この方法では、次に
述べる工程を真空中で連続して行う。まず、分子線エピ
タキシー法により被加工材料であるＧａＡｓ層３１とエ
ッチングのマスクとなるＩｎＧａＡｓ層３２を連続的に
成長する（図３（ａ））。次に集束電子線３３と塩素ガ
ス３４をＩｎＧａＡｓ層表面に同時に照射してＩｎＧａ
Ａｓ層３２をエッチング除去し、更に照射を続けて被加
工材料であるＧａＡｓ層３１のエッチング加工を行う
（図３（ｂ））。この時、電子線が照射されていない部
分のＩｎＧａＡｓ層３２は塩素ガスエッチング耐性があ
るのでマスクとしてはたらく。この方法では、エッチン
グのマスクとして、被加工材料のＧａＡｓと同じ化合物
半導体であるＩｎＧａＡｓを用いているので、前記の酸
化物マスクの場合のような異種物質による汚染はない。
体エピタキシャル層をエッチングのマスクとする方法が
提案されている（平成４年秋季 第５３回応用物理学会
学術講演会 講演予稿集 第３分冊 ｐ．１１４９）。
この方法を図３を用いて説明する。この方法では、次に
述べる工程を真空中で連続して行う。まず、分子線エピ
タキシー法により被加工材料であるＧａＡｓ層３１とエ
ッチングのマスクとなるＩｎＧａＡｓ層３２を連続的に
成長する（図３（ａ））。次に集束電子線３３と塩素ガ
ス３４をＩｎＧａＡｓ層表面に同時に照射してＩｎＧａ
Ａｓ層３２をエッチング除去し、更に照射を続けて被加
工材料であるＧａＡｓ層３１のエッチング加工を行う
（図３（ｂ））。この時、電子線が照射されていない部
分のＩｎＧａＡｓ層３２は塩素ガスエッチング耐性があ
るのでマスクとしてはたらく。この方法では、エッチン
グのマスクとして、被加工材料のＧａＡｓと同じ化合物
半導体であるＩｎＧａＡｓを用いているので、前記の酸
化物マスクの場合のような異種物質による汚染はない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩｎＧ
ａＡｓをエッチングのマスクに用いる従来の方法では、
ＩｎＧａＡｓを除去できるエッチング条件、すなわち、
高試料温度・高塩素ガス圧という条件では、被加工材料
であるＧａＡｓ層が塩素ガスのみによっても非常に早い
速度で表面平行方向・垂直方向にエッチングされる。し
たがって、同一試料上に複数個の隣接する構造を形成す
る場合、第１番目の構造を電子線と塩素ガスの同時照射
により形成した後、電子線の照射位置を移動して第２の
構造を形成している間、第１の構造のＧａＡｓ部分は塩
素ガスに晒されているので、エッチングが高速で進行し
てしまう。したがって、これら複数個の構造の深さ・幅
といった加工寸法が大幅にばらついてしまうという問題
点があった。
ａＡｓをエッチングのマスクに用いる従来の方法では、
ＩｎＧａＡｓを除去できるエッチング条件、すなわち、
高試料温度・高塩素ガス圧という条件では、被加工材料
であるＧａＡｓ層が塩素ガスのみによっても非常に早い
速度で表面平行方向・垂直方向にエッチングされる。し
たがって、同一試料上に複数個の隣接する構造を形成す
る場合、第１番目の構造を電子線と塩素ガスの同時照射
により形成した後、電子線の照射位置を移動して第２の
構造を形成している間、第１の構造のＧａＡｓ部分は塩
素ガスに晒されているので、エッチングが高速で進行し
てしまう。したがって、これら複数個の構造の深さ・幅
といった加工寸法が大幅にばらついてしまうという問題
点があった。
【０００７】本発明の目的は、被加工材料と同じ種類の
化合物半導体を電子線と反応性ガスによるエッチングの
マスクとして用いた真空一貫加工プロセスにおいて、深
さ・幅加工寸法のばらつきの非常に少ない新規なドライ
エッチング方法を提供する事にある。
化合物半導体を電子線と反応性ガスによるエッチングの
マスクとして用いた真空一貫加工プロセスにおいて、深
さ・幅加工寸法のばらつきの非常に少ない新規なドライ
エッチング方法を提供する事にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子線と反応
性ガスとイオンを利用した化合物半導体の加工方法であ
って、被加工化合物半導体表面上に、反応性ガスの照
射、あるいは電子線と前記反応性ガスとの同時照射によ
ってはエッチングされず、イオンの照射、あるいは前記
イオンと前記反応性ガスとの同時照射により容易にエッ
チングされる化合物半導体から成る第１のマスクを形成
する工程と、前記第１のマスクの上に前記電子線と前記
反応性ガスとの同時照射により容易にエッチングされ、
前記イオンあるいは前記イオンと前記反応性ガスとの同
時照射によっても容易にエッチングされる化合物半導体
から成る第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマ
スクの表面に前記電子線と前記反応性ガスの同時照射に
より前記第１のマスクの厚さ以上の深さを有する凹みを
形成する工程と、前記第２のマスクの表面への前記イオ
ンの照射、あるいは前記イオンと前記反応性ガスとの同
時照射により、前記第１のマスクのうち前記凹みの下方
にある部分のみを除去する工程と、前記被加工化合物半
導体表面全体に前記反応性ガスを照射、あるいは前記電
子線と前記反応性ガスとを同時照射する工程とを有する
ことを特徴とする化合物半導体のドライエッチング方法
である。
性ガスとイオンを利用した化合物半導体の加工方法であ
って、被加工化合物半導体表面上に、反応性ガスの照
射、あるいは電子線と前記反応性ガスとの同時照射によ
ってはエッチングされず、イオンの照射、あるいは前記
イオンと前記反応性ガスとの同時照射により容易にエッ
チングされる化合物半導体から成る第１のマスクを形成
する工程と、前記第１のマスクの上に前記電子線と前記
反応性ガスとの同時照射により容易にエッチングされ、
前記イオンあるいは前記イオンと前記反応性ガスとの同
時照射によっても容易にエッチングされる化合物半導体
から成る第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマ
スクの表面に前記電子線と前記反応性ガスの同時照射に
より前記第１のマスクの厚さ以上の深さを有する凹みを
形成する工程と、前記第２のマスクの表面への前記イオ
ンの照射、あるいは前記イオンと前記反応性ガスとの同
時照射により、前記第１のマスクのうち前記凹みの下方
にある部分のみを除去する工程と、前記被加工化合物半
導体表面全体に前記反応性ガスを照射、あるいは前記電
子線と前記反応性ガスとを同時照射する工程とを有する
ことを特徴とする化合物半導体のドライエッチング方法
である。
【０００９】
【作用】本発明に於いては、まず、第１のマスク上にあ
る第２のマスクに、所望の構造にしたがった凹部を集束
電子線と反応性ガスとの同時照射によるいわゆるマスク
レスエッチング法で形成しておく。次に、第２のマスク
全面に対してイオン照射あるいはイオンと反応性ガスの
同時照射により第２のマスクをエッチングしていく。す
ると、先に凹形状にした部分では他の部分よりも早く第
１のマスクが露出する。さらにエッチングを続けると、
凹部の深さを予め次のように設定しておけば、凹部以外
の第２のマスクがエッチングされて第１のマスクが露出
する前に、凹部の下の第１のマスクを除去する事ができ
る。
る第２のマスクに、所望の構造にしたがった凹部を集束
電子線と反応性ガスとの同時照射によるいわゆるマスク
レスエッチング法で形成しておく。次に、第２のマスク
全面に対してイオン照射あるいはイオンと反応性ガスの
同時照射により第２のマスクをエッチングしていく。す
ると、先に凹形状にした部分では他の部分よりも早く第
１のマスクが露出する。さらにエッチングを続けると、
凹部の深さを予め次のように設定しておけば、凹部以外
の第２のマスクがエッチングされて第１のマスクが露出
する前に、凹部の下の第１のマスクを除去する事ができ
る。
【００１０】Ｄ2 ＞ｄ1 ×Ｒ2 ／Ｒ1 ここに、Ｄ2 は第１のマスクへのパターン転写に要す
る、第２のマスクに形成する凹部の深さ、ｄ1 は第１の
マスクの厚さ、Ｒ1 は第１のマスクのエッチング速度、
Ｒ2 は第２のマスクのエッチング速度である。
る、第２のマスクに形成する凹部の深さ、ｄ1 は第１の
マスクの厚さ、Ｒ1 は第１のマスクのエッチング速度、
Ｒ2 は第２のマスクのエッチング速度である。
【００１１】この後、被加工化合物半導体表面全体に反
応性ガスを照射、あるいは電子線と反応性ガスとを同時
照射すると、第１のマスクのない部分の被加工化合物半
導体はエッチングされるが、その他の部分は、第２のマ
スクによりエッチングされない。結果として、最初に第
２のマスクに形成した凹部パターンが被加工化合物半導
体に転写される。
応性ガスを照射、あるいは電子線と反応性ガスとを同時
照射すると、第１のマスクのない部分の被加工化合物半
導体はエッチングされるが、その他の部分は、第２のマ
スクによりエッチングされない。結果として、最初に第
２のマスクに形成した凹部パターンが被加工化合物半導
体に転写される。
【００１２】ここで、凹部を第１のマスクに転写・エッ
チングする工程はイオン照射あるいはイオと反応性ガス
の同時照射により行うので、Ｒ1 〜Ｒ2 である。したが
ってＤ2 ＞ｄ1 となるので、予め第２のマスク上に形成
しておく凹部の深さは第１のマスクの厚さ程度で良い。
第１のマスクの厚さは、反応性ガスの照射あるいは電子
線と反応性ガスとの同時照射に耐性があれば良いので、
数ｎｍあれば十分であるので凹部の深さも数ｎｍ程度で
良く、このエッチングに要する時間は短い。したがっ
て、複数個の凹部を形成する際のパターン幅広がりが非
常に小さい。一方、深さについては、第２のマスクに電
子線と反応性ガスとの同時照射エッチングによる複数個
の凹部を形成する場合、同時照射時間が同じならば、エ
ッチング深さは形成する凹部の順番に依らず一定である
ので問題はない。この深さばらつきが無く、幅ばらつき
の小さいパターンを直進性の良いイオンにより第１のマ
スクに転写し、さらにこれをマスクとして被加工化合物
半導体を全面一括でエッチングするので、深さ・幅ばら
つきの少ない構造が形成できる。
チングする工程はイオン照射あるいはイオと反応性ガス
の同時照射により行うので、Ｒ1 〜Ｒ2 である。したが
ってＤ2 ＞ｄ1 となるので、予め第２のマスク上に形成
しておく凹部の深さは第１のマスクの厚さ程度で良い。
第１のマスクの厚さは、反応性ガスの照射あるいは電子
線と反応性ガスとの同時照射に耐性があれば良いので、
数ｎｍあれば十分であるので凹部の深さも数ｎｍ程度で
良く、このエッチングに要する時間は短い。したがっ
て、複数個の凹部を形成する際のパターン幅広がりが非
常に小さい。一方、深さについては、第２のマスクに電
子線と反応性ガスとの同時照射エッチングによる複数個
の凹部を形成する場合、同時照射時間が同じならば、エ
ッチング深さは形成する凹部の順番に依らず一定である
ので問題はない。この深さばらつきが無く、幅ばらつき
の小さいパターンを直進性の良いイオンにより第１のマ
スクに転写し、さらにこれをマスクとして被加工化合物
半導体を全面一括でエッチングするので、深さ・幅ばら
つきの少ない構造が形成できる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明によるドライエッチング方法
を、図１を用いて説明する。まず、分子線エピタキシー
法により、被加工化合物半導体としてのＧａＡｓ１１上
に、第１のマスクとしてのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ（以下
ＩｎＧａＡｓと記す）１２を厚さ５ｎｍ、第２のマスク
としてのＧａＡｓ１３を厚さ１０ｎｍ、順次連続的にエ
ピタキシャル成長する（図１（ａ））。次に、試料温度
を６５℃に保ち、３×１０-6Ｔｏｒｒの塩素ガス１４雰
囲気中で運動エネルギー５ｋｅＶ、ビーム径５０ｎｍの
集束電子線１５を電子ドーズ１×１０17（電子／ｃ
ｍ-2）になるように２分間照射する事でエッチングを行
い、第２のマスクであるＧａＡｓ１３に深さ７．５ｎ
ｍ、幅５０ｎｍのパターンを１０個形成する（図１
（ｂ）、ただし、この図ではパターンは１個）。深さ
は、エッチング時間が同じならば一定である。この時、
最初にエッチングしたパターンの、雰囲気塩素ガスエッ
チングによる幅広がりは、高々１．３ｎｍと少ない。次
に、試料温度を室温に保ち、塩素ラジカル１６を用いた
イオン１７の加速電圧３０Ｖの反応性イオンビームエッ
チング法により第２のマスク１３に形成した１０個のパ
ターンを第１のマスク１２に転写する（図１（ｃ））。
この時、第１，第２のマスクではＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａ
ｓ、ＧａＡｓと材料は異なるが、イオンを用いる反応性
イオンビームエッチング法では、エッチング速度は殆ど
同じであり、また、ＩｎＧａＡｓ１２は５ｎｍと非常に
薄いので、容易にパターン転写が行われる。次に、試料
温度を室温に保ったまま、５×１０-5Ｔｏｒｒの塩素ガ
ス１８雰囲気中で試料全面に運動エネルギー５００ｅＶ
のシャワー状電子ビーム１９を照射する（図１
（ｃ））。この時、被加工材料のＧａＡｓ１１は容易に
エッチングされるが、第１のマスクであるＩｎＧａＡｓ
１２は殆どエッチングされないため、被加工材料のＧａ
Ａｓ１１には、エッチング深さが一定で、幅広がりの非
常に少ない構造が形成できる。
を、図１を用いて説明する。まず、分子線エピタキシー
法により、被加工化合物半導体としてのＧａＡｓ１１上
に、第１のマスクとしてのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ（以下
ＩｎＧａＡｓと記す）１２を厚さ５ｎｍ、第２のマスク
としてのＧａＡｓ１３を厚さ１０ｎｍ、順次連続的にエ
ピタキシャル成長する（図１（ａ））。次に、試料温度
を６５℃に保ち、３×１０-6Ｔｏｒｒの塩素ガス１４雰
囲気中で運動エネルギー５ｋｅＶ、ビーム径５０ｎｍの
集束電子線１５を電子ドーズ１×１０17（電子／ｃ
ｍ-2）になるように２分間照射する事でエッチングを行
い、第２のマスクであるＧａＡｓ１３に深さ７．５ｎ
ｍ、幅５０ｎｍのパターンを１０個形成する（図１
（ｂ）、ただし、この図ではパターンは１個）。深さ
は、エッチング時間が同じならば一定である。この時、
最初にエッチングしたパターンの、雰囲気塩素ガスエッ
チングによる幅広がりは、高々１．３ｎｍと少ない。次
に、試料温度を室温に保ち、塩素ラジカル１６を用いた
イオン１７の加速電圧３０Ｖの反応性イオンビームエッ
チング法により第２のマスク１３に形成した１０個のパ
ターンを第１のマスク１２に転写する（図１（ｃ））。
この時、第１，第２のマスクではＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａ
ｓ、ＧａＡｓと材料は異なるが、イオンを用いる反応性
イオンビームエッチング法では、エッチング速度は殆ど
同じであり、また、ＩｎＧａＡｓ１２は５ｎｍと非常に
薄いので、容易にパターン転写が行われる。次に、試料
温度を室温に保ったまま、５×１０-5Ｔｏｒｒの塩素ガ
ス１８雰囲気中で試料全面に運動エネルギー５００ｅＶ
のシャワー状電子ビーム１９を照射する（図１
（ｃ））。この時、被加工材料のＧａＡｓ１１は容易に
エッチングされるが、第１のマスクであるＩｎＧａＡｓ
１２は殆どエッチングされないため、被加工材料のＧａ
Ａｓ１１には、エッチング深さが一定で、幅広がりの非
常に少ない構造が形成できる。
【００１４】なお、この被加工材料のＧａＡｓのエッチ
ングにおいては、塩素ガスのみを用いても良い。
ングにおいては、塩素ガスのみを用いても良い。
【００１５】
【発明の効果】本発明に寄れば、深さ・幅加工寸法のば
らつきの非常に少ない化合物半導体の構造を、同種類の
化合物半導体のみをマスクとして形成する事ができるた
め、異物による汚染の無い加工ができる。また、本方法
は、すべて真空中で連続して行う事ができるため、エッ
チングによる構造形成の後、更に、試料を大気に晒す事
無く、加工構造を化合物半導体により埋込成長する事が
できる。こうする事により、加工構造の電気的・光学的
品質の向上が期待できる。また、例えば前述の実施例で
言えば、従来法の様に、ＩｎＧａＡｓマスクおよび被加
工材料のＧａＡｓを直接電子線と反応性ガスによりエッ
チングせず、よりエッチングが容易なＧａＡｓを電子線
と反応性ガスによりエッチングすればよく、また、この
エッチングは浅くてよいので、パターニングに要する時
間を大幅に低減できる。
らつきの非常に少ない化合物半導体の構造を、同種類の
化合物半導体のみをマスクとして形成する事ができるた
め、異物による汚染の無い加工ができる。また、本方法
は、すべて真空中で連続して行う事ができるため、エッ
チングによる構造形成の後、更に、試料を大気に晒す事
無く、加工構造を化合物半導体により埋込成長する事が
できる。こうする事により、加工構造の電気的・光学的
品質の向上が期待できる。また、例えば前述の実施例で
言えば、従来法の様に、ＩｎＧａＡｓマスクおよび被加
工材料のＧａＡｓを直接電子線と反応性ガスによりエッ
チングせず、よりエッチングが容易なＧａＡｓを電子線
と反応性ガスによりエッチングすればよく、また、この
エッチングは浅くてよいので、パターニングに要する時
間を大幅に低減できる。
【図１】本発明の方法による一実施例を説明する図。
【図２】従来のエッチング方法を示す図。
【図３】従来のエッチング方法を示す図。
１１ ＧａＡｓ １２ ＩｎＧａＡｓ（第１のマスク） １３ ＧａＡｓ（第２のマスク） １４，１８，２６，３４ 塩素ガス １５，２５，３３ 集束電子線 １６ 塩素ラジカル １７ イオン １９ シャワー状電子線 ２１ ＧａＡｓ層 ２２ 酸素ガス ２３ 光照射 ２４ ＧａＡｓ酸化膜 ３１ ＧａＡＳ ３２ ＩｎＧａＡｓ層（マスク）
Claims (1)
- 【請求項１】 被加工化合物半導体表面上に、反応性ガ
スの照射、あるいは電子線と前記反応性ガスとの同時照
射によってはエッチングされず、イオンの照射、あるい
は前記イオンと前記反応性ガスとの同時照射により容易
にエッチングされる化合物半導体から成る第１のマスク
を形成する工程と、前記第１のマスクの上に前記電子線
と前記反応性ガスとの同時照射により容易にエッチング
され、前記イオンあるいは前記イオンと前記反応性ガス
との同時照射によっても容易にエッチングされる化合物
半導体から成る第２のマスクを形成する工程と、前記第
２のマスクの表面に前記電子線と前記反応性ガスの同時
照射により前記第１のマスクの厚さ以上の深さを有する
凹みを形成する工程と、前記第２のマスクの表面への前
記イオンの照射、あるいは前記イオンと前記反応性ガス
との同時照射により、前記第１のマスクのうち前記凹み
の下方にある部分のみを除去する工程と、前記被加工化
合物半導体表面全体に前記反応性ガスを照射、あるいは
前記電子線と前記反応性ガスとを同時照射する工程とを
有することを特徴とする化合物半導体のドライエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129869A JP2500443B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 化合物半導体のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5129869A JP2500443B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 化合物半導体のドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342777A JPH06342777A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2500443B2 true JP2500443B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=15020313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5129869A Expired - Lifetime JP2500443B2 (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 化合物半導体のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7744827B2 (en) | 2004-02-13 | 2010-06-29 | United Technologies Corporation | Catalytic treatment of fuel to impart coking resistance |
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1993
- 1993-06-01 JP JP5129869A patent/JP2500443B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7744827B2 (en) | 2004-02-13 | 2010-06-29 | United Technologies Corporation | Catalytic treatment of fuel to impart coking resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH06342777A (ja) | 1994-12-13 |
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