JPH043914A - 結晶成長方法および結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長方法および結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH043914A JPH043914A JP10494790A JP10494790A JPH043914A JP H043914 A JPH043914 A JP H043914A JP 10494790 A JP10494790 A JP 10494790A JP 10494790 A JP10494790 A JP 10494790A JP H043914 A JPH043914 A JP H043914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- crystal growth
- gate valve
- etching
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 18
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 15
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶成長方法および結晶成長装置に関する。
これまで、電子および正孔を２次元あるいは１次元の空
間に閉じこめ、局在させることによって生じる量子力学
的効果を利用してバルク結晶とは本質的に異なる優れた
電子、光学物性を実現する試みが各所でなされてきた。
間に閉じこめ、局在させることによって生じる量子力学
的効果を利用してバルク結晶とは本質的に異なる優れた
電子、光学物性を実現する試みが各所でなされてきた。
例えば２次元超格子である量子井戸細線はペトロフ（Ｐ
ｅｔｒｏｆｆ）らによって７プライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）第４１巻。
ｅｔｒｏｆｆ）らによって７プライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ）第４１巻。
１９８２年、第６３５頁に製作評価結果が報告されてい
る。
る。
第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の結晶成長方法を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第４図（ａ）の示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板３１の上にＡ Ａ’ ０．２５ Ｇ ａ ｏ、ｔｓ
Ａ ３層４１を成長させ、次に、Ａ ｎ Ｏ，２ｉ Ｇ
ａ ｏ、ｙ ｓ Ａ ３層４１の上にＧａＡｓ層４２
とＡ ｊ２０．２５ Ｇ ａ ｏ、ｒｓ Ａ ５層４３
を交互に成長した多重量子井戸構造を形成する。
板３１の上にＡ Ａ’ ０．２５ Ｇ ａ ｏ、ｔｓ
Ａ ３層４１を成長させ、次に、Ａ ｎ Ｏ，２ｉ Ｇ
ａ ｏ、ｙ ｓ Ａ ３層４１の上にＧａＡｓ層４２
とＡ ｊ２０．２５ Ｇ ａ ｏ、ｒｓ Ａ ５層４３
を交互に成長した多重量子井戸構造を形成する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、上面にパターニング
したレジスト膜４４を形成する。
したレジスト膜４４を形成する。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、レジスト膜４４をマ
スクに化学エツチングを行い三角形の断面構造を有する
メサ構造を作る。
スクに化学エツチングを行い三角形の断面構造を有する
メサ構造を作る。
次に、第４図（ｄ）に示すように、レジス）［４４を除
去した後、分子線エピタキシー法により全面にエネルギ
ーバンドギャップの大きいＡρ。３□Ｇ ａ ０．６９
Ａ ３層４５を成長させる。このようにして作った構
造は断面の横方向寸法がそれぞれ異なる多層量子細線構
造となる。
去した後、分子線エピタキシー法により全面にエネルギ
ーバンドギャップの大きいＡρ。３□Ｇ ａ ０．６９
Ａ ３層４５を成長させる。このようにして作った構
造は断面の横方向寸法がそれぞれ異なる多層量子細線構
造となる。
しかしながら、化学エツチングを行なった後、分子線エ
ピタキシー成長を行なう従来の結晶成長方法では加工表
面が大気中に露出される。ＡρＧ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ
ａ Ａ ｓ系化合物半導体において、大気露出後に再
成長させた界面には界面準位や非発光再結合中心が発生
することが知られており、量子細線を有する半導体素子
の特性が劣化するという問題点がある。
ピタキシー成長を行なう従来の結晶成長方法では加工表
面が大気中に露出される。ＡρＧ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ
ａ Ａ ｓ系化合物半導体において、大気露出後に再
成長させた界面には界面準位や非発光再結合中心が発生
することが知られており、量子細線を有する半導体素子
の特性が劣化するという問題点がある。
本発明の目的は、大気中に加工表面を露出する事なしに
マスクを除去し、真空中で連続して再成長を行い、加工
再成長界面の劣化のない量子細線を形成する結晶成長方
法と、結晶成長装置を提供することにある。
マスクを除去し、真空中で連続して再成長を行い、加工
再成長界面の劣化のない量子細線を形成する結晶成長方
法と、結晶成長装置を提供することにある。
本発明の無云棄器士母結晶成長方法は、絶縁膜あるいは
高融点金属膜をマスクとして用い化合物半導体層を塩素
系ガスでエツチングする工程と、らす工程とを高真空中
で連続的に行なうことによりマスクを除去し且つ前記半
導体層表面を清浄化した後、前記半導体層の表面に結晶
成長を行なう工程を含んで構成される。
高融点金属膜をマスクとして用い化合物半導体層を塩素
系ガスでエツチングする工程と、らす工程とを高真空中
で連続的に行なうことによりマスクを除去し且つ前記半
導体層表面を清浄化した後、前記半導体層の表面に結晶
成長を行なう工程を含んで構成される。
本発明の第１の結晶成長装置は、試料交換室と、前記試
料交換室と第１のゲートバルブを介して連結され且つ弗
素系カス導入口及びプラズマ発生源を有するマスク除去
室と、前記マスク除去室と第２のゲートバルブを介して
連結され且つ塩素系カス導入口を有するエツチング室と
、前記エツチング室と第３のゲートバルブを介して連結
され且つ水素カス導入口とラシカルヒーム照射ガンある
いはイオンビーム照射ガンを有する超高真空表面処理室
と、前記超高真空表面処理室と第４のゲートバルブを介
して連結された結晶成長室と、試料を前記試料交換室か
ら前記結晶成長室まで順次移送する移送機構とを備えて
いる。
料交換室と第１のゲートバルブを介して連結され且つ弗
素系カス導入口及びプラズマ発生源を有するマスク除去
室と、前記マスク除去室と第２のゲートバルブを介して
連結され且つ塩素系カス導入口を有するエツチング室と
、前記エツチング室と第３のゲートバルブを介して連結
され且つ水素カス導入口とラシカルヒーム照射ガンある
いはイオンビーム照射ガンを有する超高真空表面処理室
と、前記超高真空表面処理室と第４のゲートバルブを介
して連結された結晶成長室と、試料を前記試料交換室か
ら前記結晶成長室まで順次移送する移送機構とを備えて
いる。
本発明の第２の結晶成長装置は、試料交換室と、前記試
料交換室と第１のゲートバルブを介して連結され且つ弗
素系カス導入口と紫外線源を有するマスク除去室と、前
記マスク除去室と第２のゲートバルブを介して連結され
且つ塩素系ガス導入口を有するエツチング室と、前記エ
ツチング室と第３のゲートバルブを介して連結され且つ
水素カス導入口とラジカルビーム照射ガンあるいはイオ
ンビーム照射ガンを有する超高真空表面処理室と、前記
超高真空表面処理室と第４のゲートバルブを介して連結
された結晶成長室と、試料を前記試料交換室から前記結
晶成長室まで順次移送する移送機構とを備えている。
料交換室と第１のゲートバルブを介して連結され且つ弗
素系カス導入口と紫外線源を有するマスク除去室と、前
記マスク除去室と第２のゲートバルブを介して連結され
且つ塩素系ガス導入口を有するエツチング室と、前記エ
ツチング室と第３のゲートバルブを介して連結され且つ
水素カス導入口とラジカルビーム照射ガンあるいはイオ
ンビーム照射ガンを有する超高真空表面処理室と、前記
超高真空表面処理室と第４のゲートバルブを介して連結
された結晶成長室と、試料を前記試料交換室から前記結
晶成長室まで順次移送する移送機構とを備えている。
従来技術では加工マスクの除去後、加工表面は大気中に
されされていた。また真空中でマスク無しで加工する試
みは現在のところナノメータの寸法まで行なうことはで
きていない。
されされていた。また真空中でマスク無しで加工する試
みは現在のところナノメータの寸法まで行なうことはで
きていない。
本発明によれば、初めに絶縁膜あるいは高融点金属をマ
スクとして塩素系カスで化合物半導体層を加工した後、
励起された弗素系ガスで選択的にマスク材料を除去し、
その後励起された水素ガスにより半導体表面に形成され
た弗素系反応生成物を還元してＨＦの形で蒸発させ清浄
界面を露出させ連続して結晶成長を行なう。弗素系ガス
の励起を行なう手段としてラジカルビーム照射ガンある
いは紫外線光源を用いた。各室、成長室間は、各工程を
回りの状況に影響されず連続的に行なうために残留不純
物ガス圧の低い高真空中で接続される構成とした。
スクとして塩素系カスで化合物半導体層を加工した後、
励起された弗素系ガスで選択的にマスク材料を除去し、
その後励起された水素ガスにより半導体表面に形成され
た弗素系反応生成物を還元してＨＦの形で蒸発させ清浄
界面を露出させ連続して結晶成長を行なう。弗素系ガス
の励起を行なう手段としてラジカルビーム照射ガンある
いは紫外線光源を用いた。各室、成長室間は、各工程を
回りの状況に影響されず連続的に行なうために残留不純
物ガス圧の低い高真空中で接続される構成とした。
口実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
本発明の結晶成長方法は結晶成長装置と共に説明すると
理解し易いと考えられるので以下これにしたがって記述
する。
理解し易いと考えられるので以下これにしたがって記述
する。
第１図は本発明の結晶成長装置の第１の実施例を示す模
式図である。
式図である。
換室１と連結されるマスク除去室２と、ゲートバルブ６
を介してマスク除去室２と連結されるエツチング室３と
、ゲートバルブ７を介してエツチング室３と連結される
超高真空表面処理室４と、ゲートバルブ８を介して超高
真空表面処理室４と連結される結晶成長室５と、ゲート
バルブ９，１０゜１、１２を介して試料交換室ｌ、マス
ク除去室２゜エツチング室３．超高真空表面処理室４の
夫々と連結し且つ排気する排気装置１３，１４，１５゜
１６と、マスク除去室２および超高真空表面処理室４に
それぞれ装着されるラシカルヒームガンまたはイオンビ
ーム照射ガン１８およびマイクロ波導入口１９およびガ
ス導入口２０．２１を含んで構成される。
を介してマスク除去室２と連結されるエツチング室３と
、ゲートバルブ７を介してエツチング室３と連結される
超高真空表面処理室４と、ゲートバルブ８を介して超高
真空表面処理室４と連結される結晶成長室５と、ゲート
バルブ９，１０゜１、１２を介して試料交換室ｌ、マス
ク除去室２゜エツチング室３．超高真空表面処理室４の
夫々と連結し且つ排気する排気装置１３，１４，１５゜
１６と、マスク除去室２および超高真空表面処理室４に
それぞれ装着されるラシカルヒームガンまたはイオンビ
ーム照射ガン１８およびマイクロ波導入口１９およびガ
ス導入口２０．２１を含んで構成される。
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の結晶成長方法の一実施
例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面
図である。
例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面
図である。
本実施例ではＧａＡｓ基板を用いたＡρＧａＡｓ／ Ｇ
ａ Ａ ｓ ／ Ａ １２ Ｇ ａ Ａ ｓ量子井戸
細線の形成力Ａｓ基板３１上にアンドープＧａＡｓ層３
２を４００ｎｍの厚さに成長させ、アンドープＧ ａ
Ａ ｓ層３２の上に厚さ５０ｎｍのアンドープＡ ｎ
ｏ３Ｇ ａ ｏ、＋Ａｓ層３３及び厚さ７ｎｍのアンド
ープＧ ａ Ａ ｓ層３４及び厚さ３０ｎｍの７ンドー
プＡ ４２０．３ Ｇ ａ ｃＬｔ Ａ ５層３５を順
次成長させて積層する。次に、アフリ５ｉＣｈ層３６を
５０ｎｍの厚さに堆積し、選択的にエツチングして幅３
００ｎｍの細線マスクを形成する。
ａ Ａ ｓ ／ Ａ １２ Ｇ ａ Ａ ｓ量子井戸
細線の形成力Ａｓ基板３１上にアンドープＧａＡｓ層３
２を４００ｎｍの厚さに成長させ、アンドープＧ ａ
Ａ ｓ層３２の上に厚さ５０ｎｍのアンドープＡ ｎ
ｏ３Ｇ ａ ｏ、＋Ａｓ層３３及び厚さ７ｎｍのアンド
ープＧ ａ Ａ ｓ層３４及び厚さ３０ｎｍの７ンドー
プＡ ４２０．３ Ｇ ａ ｃＬｔ Ａ ５層３５を順
次成長させて積層する。次に、アフリ５ｉＣｈ層３６を
５０ｎｍの厚さに堆積し、選択的にエツチングして幅３
００ｎｍの細線マスクを形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、この試料は基板ホル
ダー１７上にセットされ試料交換用扉２３を介し試料交
換室１内に収納される。ここでゲートバルブ５，６，７
．８を閉じ、ゲートバルブ９．１０，１、１２を開いて
それぞれ試料交換室、マスク除去室２．エツチング室３
．超高真空表面処理室４を例えばターボ・モリキュラー
・ポンプ等の排気装置１３，１４，１５．１６で排気す
る。このようにして試料交換室１の真空度が５ Ｘ １
０−８Ｔｏｒｒに到達した後、ゲートバルブ５を開き真
空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒのマスク除去室２にｊ基
板ホルダー１７を移動し、ただちにゲートバルブ５を閉
める。さらに、ゲートバルブ６を開き真空度２ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒのエツチング室３に移動してゲートバル
ブ６を閉める。ここで、エツチング室３は反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩ Ｅ Ｅ）室である。そしてエ
ツチング室３の真空度が１×１０−”Ｔｏｒｒになるよ
うに塩素ガスを導入し、イオ層３６をマスクとしてＡ
４２ ｏ３Ｇ ａ Ｑ、Ｔ Ａ ６層３５゜ＧａＡｓ層
３４． Ａｊ２ｏ３Ｇａｏ７ＡＳ層３３を１１００ｎの
慄さに順次エツチングする。
ダー１７上にセットされ試料交換用扉２３を介し試料交
換室１内に収納される。ここでゲートバルブ５，６，７
．８を閉じ、ゲートバルブ９．１０，１、１２を開いて
それぞれ試料交換室、マスク除去室２．エツチング室３
．超高真空表面処理室４を例えばターボ・モリキュラー
・ポンプ等の排気装置１３，１４，１５．１６で排気す
る。このようにして試料交換室１の真空度が５ Ｘ １
０−８Ｔｏｒｒに到達した後、ゲートバルブ５を開き真
空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒのマスク除去室２にｊ基
板ホルダー１７を移動し、ただちにゲートバルブ５を閉
める。さらに、ゲートバルブ６を開き真空度２ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒのエツチング室３に移動してゲートバル
ブ６を閉める。ここで、エツチング室３は反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩ Ｅ Ｅ）室である。そしてエ
ツチング室３の真空度が１×１０−”Ｔｏｒｒになるよ
うに塩素ガスを導入し、イオ層３６をマスクとしてＡ
４２ ｏ３Ｇ ａ Ｑ、Ｔ Ａ ６層３５゜ＧａＡｓ層
３４． Ａｊ２ｏ３Ｇａｏ７ＡＳ層３３を１１００ｎの
慄さに順次エツチングする。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、エツチング室３を５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートバルブ６
を開き、真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのマスク除去
室２に試料を移動し、ただちにゲートバルブ６を閉める
。そして弗素系ガス導入口２０からフレオンガス（ＣＦ
４）を真空度３Ｘ１０−３になるまで導入する。そして
マイクロ波電力導入口１９からマイクロ波電力を導入し
て電子共鳴（ＥＣＲ）イオン源を有するラジカルビーム
ガン１８でフレオン（以下ＣＦ ４と記す）ガスを励起
あるいは分解し、励起あるいは分解したＣＦ４ガスによ
りＳ ｉＯ２層３６と反応させ、５ｉＯｚ層３６を除去
する。このときＧａＡｓ層３４ 、 Ａ Ｉ！ ０．３
０ ａ ０．７ Ａ ６層３５゜３３の半導体表面上に
はそれぞれＧａの弗化物（Ｇａ、Ｆ、）ＡＡの弗化物（
ＡＣＦ、）であるフッソ系反応酸生物３７が形成され、
これは蒸発温度が高いためエツチングはおこらない。し
たがって８１０２層３６との高い選択性が得られる。
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートバルブ６
を開き、真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのマスク除去
室２に試料を移動し、ただちにゲートバルブ６を閉める
。そして弗素系ガス導入口２０からフレオンガス（ＣＦ
４）を真空度３Ｘ１０−３になるまで導入する。そして
マイクロ波電力導入口１９からマイクロ波電力を導入し
て電子共鳴（ＥＣＲ）イオン源を有するラジカルビーム
ガン１８でフレオン（以下ＣＦ ４と記す）ガスを励起
あるいは分解し、励起あるいは分解したＣＦ４ガスによ
りＳ ｉＯ２層３６と反応させ、５ｉＯｚ層３６を除去
する。このときＧａＡｓ層３４ 、 Ａ Ｉ！ ０．３
０ ａ ０．７ Ａ ６層３５゜３３の半導体表面上に
はそれぞれＧａの弗化物（Ｇａ、Ｆ、）ＡＡの弗化物（
ＡＣＦ、）であるフッソ系反応酸生物３７が形成され、
これは蒸発温度が高いためエツチングはおこらない。し
たがって８１０２層３６との高い選択性が得られる。
次に、第３図（ｄ）に示すように、マスク除去室２を５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後、ケートパルフ
ロを開き真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのエツチング
室３に移動する。そしてただちにゲートパルフロを閉め
る。さらにゲートバルブ７を開き、真空度２ Ｘ １０
−９Ｔｏｒｒの超高真空表面処理室４に試料を移動した
たちにゲートバルブ７を閉める。そして試料を４００℃
に加熱し、真空度が３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒになるように
水素ガス導入口２１から水素（Ｈ２）ガスを導入した。
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後、ケートパルフ
ロを開き真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのエツチング
室３に移動する。そしてただちにゲートパルフロを閉め
る。さらにゲートバルブ７を開き、真空度２ Ｘ １０
−９Ｔｏｒｒの超高真空表面処理室４に試料を移動した
たちにゲートバルブ７を閉める。そして試料を４００℃
に加熱し、真空度が３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒになるように
水素ガス導入口２１から水素（Ｈ２）ガスを導入した。
そしてラジカルビームカン１８て水素ガスを励起し、加
工表面に３０分間照射して半導体表面の弗素系反応酸生
物３７（ＧａｘＦｙ、Ａρ、Ｆ、）をＨＦの形に還元し
、半導体表面から除去する。次に、５×１０→Ｔｏｒｒ
まで排気する。清浄表面の確認は反射型高エネルギー電
子線回折（ＲＨＥＥＤ）装置により清浄表面特有の超構
造の像（２×４構造）を観測することにより行う。次に
、ゲートバルブ８を開き、真空度２×１０−１０Ｔｏｒ
ｒの成長室２２に試料を移動したたちにゲートバルブ８
を閉める。そして試料を成長温度６００℃に加熱して分
子線エピタキシャル法によ’；’ Ａ ｊ２ ｏ３Ｇ
ａ ａ、ｒ Ａ ｓ層３８を２００ｎ＋＋＋の厚さに成
長して量子井戸細線を形成する。
工表面に３０分間照射して半導体表面の弗素系反応酸生
物３７（ＧａｘＦｙ、Ａρ、Ｆ、）をＨＦの形に還元し
、半導体表面から除去する。次に、５×１０→Ｔｏｒｒ
まで排気する。清浄表面の確認は反射型高エネルギー電
子線回折（ＲＨＥＥＤ）装置により清浄表面特有の超構
造の像（２×４構造）を観測することにより行う。次に
、ゲートバルブ８を開き、真空度２×１０−１０Ｔｏｒ
ｒの成長室２２に試料を移動したたちにゲートバルブ８
を閉める。そして試料を成長温度６００℃に加熱して分
子線エピタキシャル法によ’；’ Ａ ｊ２ ｏ３Ｇ
ａ ａ、ｒ Ａ ｓ層３８を２００ｎ＋＋＋の厚さに成
長して量子井戸細線を形成する。
このように、本発明によれば、大気に露出させずに量子
井戸細線の形成が可能となり、加工再成長界面の劣化な
しに量子井戸細線が形成できる。
井戸細線の形成が可能となり、加工再成長界面の劣化な
しに量子井戸細線が形成できる。
このため理想的な量子井戸細線が形成され、レザ光をあ
て発光を観測すると構造特有の量子化されたエネルギー
準位からの強い発光がみられた。
て発光を観測すると構造特有の量子化されたエネルギー
準位からの強い発光がみられた。
また、本発明の方法は次のようにして実施することが可
能である。すなわち超高真空表面処理室４までの工程を
前述した方法と同様に行なったのち、超高真空表面処理
室４を水素ガス導入により大気圧として、結晶成長室を
有機金属気相成長室、あるいはハイドライド気相成長室
で構成する。また塩素系エツチングカスとしてＣＣ（！
４ 、マスク除去用弗素系カスとしてＳＦ、を用いて
もよい。
能である。すなわち超高真空表面処理室４までの工程を
前述した方法と同様に行なったのち、超高真空表面処理
室４を水素ガス導入により大気圧として、結晶成長室を
有機金属気相成長室、あるいはハイドライド気相成長室
で構成する。また塩素系エツチングカスとしてＣＣ（！
４ 、マスク除去用弗素系カスとしてＳＦ、を用いて
もよい。
第２図は本発明の結晶成長装置の第２の実施例を示す模
式図である。
式図である。
第２図に示すように、マスク除去室２のマイクル波導入
口１９の代りに紫外線ランプ２４を設けた以外は第１の
実施例と同じ構成を有している。
口１９の代りに紫外線ランプ２４を設けた以外は第１の
実施例と同じ構成を有している。
前実施例と同様にＧａＡｓ基板を用いたＡρＧａＡ ｓ
／ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ａ １２ Ｇ ａ Ａ ｓ
量子井戸細線の形成方法を第３図（ａ）〜（ｄ）を参照
して説明する。
／ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ａ １２ Ｇ ａ Ａ ｓ
量子井戸細線の形成方法を第３図（ａ）〜（ｄ）を参照
して説明する。
第３図（ａ）に示すように、半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基
板３１上に４００ｎｍの厚さのアンドープＧ ａ Ａ
ｓ層３２．厚さ５０ｎｍのアンドープＡ Ａ Ｏ，１Ｇ
ａ ｏ、ｒ Ａ ６層３３．厚さ７ｎｍのアンドープ
Ｇ ａ Ａ ｓ層３４゜厚さ３０ｎｍのアンドープＡ
ＲＯ，３Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ６層３５を順次成長させ
て積層する。その基板上にＣＶＤにより５１０２層３６
を５０ｎｍの厚さに堆積し選択的にエツチングして３０
０ｎｍ幅の細線マスクを形成する。
板３１上に４００ｎｍの厚さのアンドープＧ ａ Ａ
ｓ層３２．厚さ５０ｎｍのアンドープＡ Ａ Ｏ，１Ｇ
ａ ｏ、ｒ Ａ ６層３３．厚さ７ｎｍのアンドープ
Ｇ ａ Ａ ｓ層３４゜厚さ３０ｎｍのアンドープＡ
ＲＯ，３Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ６層３５を順次成長させ
て積層する。その基板上にＣＶＤにより５１０２層３６
を５０ｎｍの厚さに堆積し選択的にエツチングして３０
０ｎｍ幅の細線マスクを形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、この試料は基板ホル
ダー上にセットされ試料交換片扉２３を介し試料交換室
ｌ内に収容される。ここでゲートバルブ５，６，７．８
を閉じ、ゲートバルブ９．１０゜１、１２を開いてそれ
ぞれＡ試料交換室、マスク除去室２．エツチング室３．
超高真空表面処理室４を例えばターボ・モリキュラー・
ポンプ等の排気装置１３，１４，１５．１６で排気する
。
ダー上にセットされ試料交換片扉２３を介し試料交換室
ｌ内に収容される。ここでゲートバルブ５，６，７．８
を閉じ、ゲートバルブ９．１０゜１、１２を開いてそれ
ぞれＡ試料交換室、マスク除去室２．エツチング室３．
超高真空表面処理室４を例えばターボ・モリキュラー・
ポンプ等の排気装置１３，１４，１５．１６で排気する
。
このようにして試料交換室１の真空度が５Ｘ１０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒ ニ到達した後、ゲートバルブ５を開き、
真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのマスク除去室２に移
動してただちにゲートバルブ５を閉める。さらに、ゲー
トバルブ６を開き、真空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒの
エツチング室３に移動した後ただちにゲートバルブ６を
閉める。本構成ではエツチング室３は化学ドライエツチ
ング室である。エツチング室において基板温度３５０℃
にだもち真空度がＩ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒになるよう
に塩素カスを導入し、８１０２層３６をマスクとして１
１００ｎの深さにエツチングした。このエツチング方法
は全くイオンやプラズマをもちいず、化学反応のみを用
いているため加工表面にイオン衝撃を与えず加工損傷の
発生がまったくない。
ｏ ｒ ｒ ニ到達した後、ゲートバルブ５を開き、
真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのマスク除去室２に移
動してただちにゲートバルブ５を閉める。さらに、ゲー
トバルブ６を開き、真空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒの
エツチング室３に移動した後ただちにゲートバルブ６を
閉める。本構成ではエツチング室３は化学ドライエツチ
ング室である。エツチング室において基板温度３５０℃
にだもち真空度がＩ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒになるよう
に塩素カスを導入し、８１０２層３６をマスクとして１
１００ｎの深さにエツチングした。このエツチング方法
は全くイオンやプラズマをもちいず、化学反応のみを用
いているため加工表面にイオン衝撃を与えず加工損傷の
発生がまったくない。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、エツチング室３を５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートパルフロ
を開き、真空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒのマスク除去
室２に試料を移動しただちにゲートバルブ６を閉める。
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートパルフロ
を開き、真空度２ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒのマスク除去
室２に試料を移動しただちにゲートバルブ６を閉める。
そして弗素系ガス導入口２０からフレオン（ＣＦ４）ガ
スを真空度３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒになるだけ入れ紫
外線ランプ２２を点灯する。波長１８４９ｎｍおよび２
５３．７ｎｍの紫外線によってフレオン（ＣＦ４）ガス
は励起あるいは分解される。これがＳｉＯ□層３６全３
６しＳｉＯ□層３６全３６する。このときＧａＡｓ層３
４ 、 Ａ ｎ Ｑ、３ Ｇ ＪＬ ｏ、ｒ Ａ Ｓ系
反応生成物３７が形成されエツチングはおこらすＳ ｉ
Ｏ２層３６との高い選択性が得られる。またプラズマ
を用いてないため質量の大きいＣＦ。
スを真空度３ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒになるだけ入れ紫
外線ランプ２２を点灯する。波長１８４９ｎｍおよび２
５３．７ｎｍの紫外線によってフレオン（ＣＦ４）ガス
は励起あるいは分解される。これがＳｉＯ□層３６全３
６しＳｉＯ□層３６全３６する。このときＧａＡｓ層３
４ 、 Ａ ｎ Ｑ、３ Ｇ ＪＬ ｏ、ｒ Ａ Ｓ系
反応生成物３７が形成されエツチングはおこらすＳ ｉ
Ｏ２層３６との高い選択性が得られる。またプラズマ
を用いてないため質量の大きいＣＦ。
イオンがエツチング室中に存在せずイオン衝撃による表
面損傷も発生しない。
面損傷も発生しない。
次に、第３図（ｄ）に示すように、マスク除去室２を５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートバルブ６
を開き、真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのエツチング
室３に試料を移動し、ただちにゲートバルブ６を閉める
。さらに、ゲートバルブ７を開き、真空度２ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒの超高真空表面処理室４に試料ガスを導入
した。そしてラジカルビームカン１８Ａｕ、Ｆｙ）をＨ
Ｆの形に還元し、半導体表面から除去する。次に、５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気する。
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後ゲートバルブ６
を開き、真空度２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのエツチング
室３に試料を移動し、ただちにゲートバルブ６を閉める
。さらに、ゲートバルブ７を開き、真空度２ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒの超高真空表面処理室４に試料ガスを導入
した。そしてラジカルビームカン１８Ａｕ、Ｆｙ）をＨ
Ｆの形に還元し、半導体表面から除去する。次に、５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気する。
清浄表面の確認は反射型高エネルギー電子線回折（ＲＨ
ＥＥＤ）装置により清浄表面特有の超構造の像（２×４
構造）を観測することにより行う。次に、ゲートバルブ
８を開き、真空度２Ｘ１０−”Ｔｏｒｒの成長室２２に
試料を移動しただちにゲートバルブ８を閉める。そして
試料を成長温度６００℃に加熱して分子線エピタキシャ
ル法によりＡ Ａ ０゜Ｇ ａ ａ、ｒ Ａ ｓ層３８
を２００ｎｍの厚さに成長して量子井戸細線を形成する
。
ＥＥＤ）装置により清浄表面特有の超構造の像（２×４
構造）を観測することにより行う。次に、ゲートバルブ
８を開き、真空度２Ｘ１０−”Ｔｏｒｒの成長室２２に
試料を移動しただちにゲートバルブ８を閉める。そして
試料を成長温度６００℃に加熱して分子線エピタキシャ
ル法によりＡ Ａ ０゜Ｇ ａ ａ、ｒ Ａ ｓ層３８
を２００ｎｍの厚さに成長して量子井戸細線を形成する
。
以上のように、前実施例と同様に、大気に露出させずに
量子井戸細線の形成が可能となり、加工再成長界面の劣
化なしに量子井戸細線が形成される。
量子井戸細線の形成が可能となり、加工再成長界面の劣
化なしに量子井戸細線が形成される。
とくに、エツチング室、マスク除去時反応性カシ
劣化なしに量子井戸細線が形成された。したがって、こ
の量子井戸細線にレーザ光をあて発光を観測すると構造
特有の量子化されたエネルギー準位からの強い発光がみ
られた。
の量子井戸細線にレーザ光をあて発光を観測すると構造
特有の量子化されたエネルギー準位からの強い発光がみ
られた。
以上説明したように本発明によれば、２次元超格子であ
る量子井戸細線の形成方法において従来技術では不可能
であった加工埋め込み再成長界面の制御を可能とし、バ
ルク結晶と異なった量子井戸細線特有の光学的物質をよ
り強い信号強度で観測できるようになった。
る量子井戸細線の形成方法において従来技術では不可能
であった加工埋め込み再成長界面の制御を可能とし、バ
ルク結晶と異なった量子井戸細線特有の光学的物質をよ
り強い信号強度で観測できるようになった。
第１図は本発明の結晶成長装置の第１の実施例を示す模
式図、第２図は本発明の結晶成長装置の第２の実施例を
示す模式図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の結晶成長
方法の一実旅例を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の結晶成
長方法を説明するための工程順に示した半導体チップの
断面図である。 １・・・・・・試料交換室、２・・・・・・マスク除去
室、３・・・・・エツチング室、４・・・・・超高真空
表面処理室、５．６，７，８，９，１０，１、１２・・
・・・・ケートバルフ、１３，１４，１５．１６・・・
・・排気装置、１７・・・・・・基板ホルタ−１８・・
・・・・ラジカルビーム又はイオンビーム照射カン、１
９・・・・・・マイクロ波電力導入口、２０・・・・・
・弗素系ガス導入口、２１・・・・・水素ガス導入口、
２２・・・・・・結晶成長室、２３・・・・・試料交換
用界、２４・・・・・・紫外線ランプ、３１・・・・・
半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３２・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｓ層、３３ ・’・”’Ａ Ｉ２０．３０ ａ
０．７Ａ Ｓ層、３４−−−Ｇ ａ Ａ ｓ層、３５−
−Ａ Ｉ２０．３０ ａ ０．７ Ａ Ｓ層、３６−−
８２０２層、３７・・・・弗素系反応生成物、３８・・
・・・・Ａ ｐｏ３Ｇ ａ ｏ、＋ Ａ ｓ層、４１
””・・Ａ Ｉ２０２５ Ｇ ａ ｏｒ、Ａ Ｓ層、４
２− Ｇ ａ Ａ ｓ層、４３ ・＝ −Ａ Ｉ！ ０
．２１ Ｇ ａ ｏ、ｙｓＡｓ層、４４・・・・・・レ
ジスト膜、４５・旧・・Ａ （ｉ ０．３Ｇ ａ ｏ、
ａ９Ａ ｓ層。 代理人 弁理士 内 原 晋 図 第 図
式図、第２図は本発明の結晶成長装置の第２の実施例を
示す模式図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の結晶成長
方法の一実旅例を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の結晶成
長方法を説明するための工程順に示した半導体チップの
断面図である。 １・・・・・・試料交換室、２・・・・・・マスク除去
室、３・・・・・エツチング室、４・・・・・超高真空
表面処理室、５．６，７，８，９，１０，１、１２・・
・・・・ケートバルフ、１３，１４，１５．１６・・・
・・排気装置、１７・・・・・・基板ホルタ−１８・・
・・・・ラジカルビーム又はイオンビーム照射カン、１
９・・・・・・マイクロ波電力導入口、２０・・・・・
・弗素系ガス導入口、２１・・・・・水素ガス導入口、
２２・・・・・・結晶成長室、２３・・・・・試料交換
用界、２４・・・・・・紫外線ランプ、３１・・・・・
半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３２・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｓ層、３３ ・’・”’Ａ Ｉ２０．３０ ａ
０．７Ａ Ｓ層、３４−−−Ｇ ａ Ａ ｓ層、３５−
−Ａ Ｉ２０．３０ ａ ０．７ Ａ Ｓ層、３６−−
８２０２層、３７・・・・弗素系反応生成物、３８・・
・・・・Ａ ｐｏ３Ｇ ａ ｏ、＋ Ａ ｓ層、４１
””・・Ａ Ｉ２０２５ Ｇ ａ ｏｒ、Ａ Ｓ層、４
２− Ｇ ａ Ａ ｓ層、４３ ・＝ −Ａ Ｉ！ ０
．２１ Ｇ ａ ｏ、ｙｓＡｓ層、４４・・・・・・レ
ジスト膜、４５・旧・・Ａ （ｉ ０．３Ｇ ａ ｏ、
ａ９Ａ ｓ層。 代理人 弁理士 内 原 晋 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁膜あるいは高融点金属膜をマスクとして用い化
合物半導体層を塩素系ガスでエッチングする工程と、前
記マスクを弗素系ガスで除去する工程と、マスク除去後
の前記半導体層表面を励起された水素にさらす工程とを
高真空中で連続的に行なうことによりマスクを除去し且
つ前記半導体層表面を清浄化した後前記半導体層の表面
に結晶成長を行なう工程とを含むことを特徴とする結晶
成長方法。 ２、試料交換室と、前記試料交換室と第１のゲートバル
ブを介して連結され且つ弗素系ガス導入口及びプラズマ
発生源を有するマスク除去室と、前記マスク除去室と第
２のゲートバルブを介して連結され且つ塩素系ガス導入
口を有するエッチング室と、前記エッチング室と第３の
ゲートバルブを介して連結され且つ水素ガス導入口とラ
ジカルビーム照射ガンあるいはイオンビーム照射ガンを
有する超高真空表面処理室と、前記超高真空表面処理室
と第４のゲートバルブを介して連結された結晶成長室と
、試料を前記試料交換室から前記結晶成長室まで順次移
送する移送機構とを備えたことを特徴とする結晶成長装
置。 ３、試料交換室と、前記試料交換室と第１のゲートバル
ブを介して連結され且つ弗素系ガス導入口と紫外線源を
有するマスク除去室と、前記マスク除去室と第２のゲー
トバルブを介して連結され且つ塩素系ガス導入口を有す
るエッチング室と、前記エッチング室と第３のゲートバ
ルブを介して連結され且つ水素ガス導入口とラジカルビ
ーム照射ガンあるいはイオンビーム照射ガンを有する超
高真空表面処理室と、前記超高真空表面処理室と第４の
ゲートバルブを介して連結された結晶成長室と、試料を
前記試料交換室から前記結晶成長室まで順次移送する移
送機構とを備えたことを特徴とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10494790A JPH043914A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10494790A JPH043914A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043914A true JPH043914A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14394291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10494790A Pending JPH043914A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 結晶成長方法および結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043914A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
| WO2000039847A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum strukturieren eines substrats sowie vorrichtung zur durchführung eines derartigen verfahrens |
| KR100666349B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 증착 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법. |
| US7918940B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-04-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
| US8795935B2 (en) | 2009-03-17 | 2014-08-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, production method of the same, image forming apparatus, and process cartridge |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10494790A patent/JPH043914A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202349A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Korea Electron Telecommun | Ｍｂｅ材結晶成長の分子線回折を利用した量子細線レーザーダイオードの製造方法 |
| WO2000039847A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum strukturieren eines substrats sowie vorrichtung zur durchführung eines derartigen verfahrens |
| US7918940B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-04-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
| KR100666349B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2007-01-11 | 세메스 주식회사 | 증착 장치 및 상기 장치에서 마스크를 회수하는 방법. |
| US8795935B2 (en) | 2009-03-17 | 2014-08-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, production method of the same, image forming apparatus, and process cartridge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59123226A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH043914A (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置 | |
| JP2694625B2 (ja) | 化合物半導体基体のエッチング方法および製造方法 | |
| JP2500443B2 (ja) | 化合物半導体のドライエッチング方法 | |
| JP2704931B2 (ja) | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 | |
| JP2717162B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| Akita et al. | Pattern etching and selective growth of GaAs by in-situ electron-beam lithography using an oxidized thin layer | |
| JP2699928B2 (ja) | 化合物半導体基板の前処理方法 | |
| JP2717163B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JPH02288333A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2858095B2 (ja) | 化合物半導体の微細埋込構造の形成方法 | |
| JP2671089B2 (ja) | 量子構造作製方法 | |
| JP2596027B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法及び結晶成長装置 | |
| JP2883918B2 (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2717165B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JP2686699B2 (ja) | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 | |
| JP3495786B2 (ja) | 酸素除去方法、及び汚染物除去方法、及びそれらを用いた化合物半導体デバイスの成長方法、及びそれに用いる成長装置 | |
| JPH0536654A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2998336B2 (ja) | 化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法 | |
| JP2891114B2 (ja) | 半導体のパターン形成方法 | |
| JPH0283916A (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置 | |
| JP2647056B2 (ja) | 半導体のパターン形成方法 | |
| JPH05139881A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 | |
| ISHIKAWA et al. | Electron Beam Lithography Using GaAs Oxidized Resist for GaAs/AlGaAs Ultrafine Structure Fabrication | |
| JPH05267793A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 |