JP2998336B2 - 化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法 - Google Patents
化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体基板のエ
ッチング並びに化合物半導体基板の表面にパターンを有
する半導体構造の形成方法に関する。
ッチング並びに化合物半導体基板の表面にパターンを有
する半導体構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体を用いた素子は、成
長およびエッチングを数回繰り返し、さらに場合によっ
ては不純物を拡散させるなどの工程を経て製作されてい
る。この従来技術を用いて、例えば、埋め込み半導体レ
ーザのチップを製作するのに、次のような工程がとられ
る。
長およびエッチングを数回繰り返し、さらに場合によっ
ては不純物を拡散させるなどの工程を経て製作されてい
る。この従来技術を用いて、例えば、埋め込み半導体レ
ーザのチップを製作するのに、次のような工程がとられ
る。
【０００３】第１に、ＧａＡｓ基板に液相エピタキシャ
ル法などにより、ＧａＡｓバッファ層，ＡｌＧａＡｓク
ラッド層，ＧａＡｓ活性層，ＡｌＧａＡｓクラッド層，
ＧａＡｓ電極層を必要な不純物添加を同時に行い成長さ
せる。
ル法などにより、ＧａＡｓバッファ層，ＡｌＧａＡｓク
ラッド層，ＧａＡｓ活性層，ＡｌＧａＡｓクラッド層，
ＧａＡｓ電極層を必要な不純物添加を同時に行い成長さ
せる。
【０００４】第２に、該半導体表面にＳｉＯ2膜などの
保護膜を形成し、その表面にレジストを塗布する。次に
レーザのストライプに相当するパターンを露光し、続い
て現像してレジストのパターンを形成する。
保護膜を形成し、その表面にレジストを塗布する。次に
レーザのストライプに相当するパターンを露光し、続い
て現像してレジストのパターンを形成する。
【０００５】第３に、フッ化水素酸（ＨＦ）に該半導体
を接触させることにより、レジストパターンのない部分
のＳｉＯ2膜などを除去する。また、続いて有機溶剤等
により、パターン状に残っているレジストを除去してお
く。
を接触させることにより、レジストパターンのない部分
のＳｉＯ2膜などを除去する。また、続いて有機溶剤等
により、パターン状に残っているレジストを除去してお
く。
【０００６】第４に、硫酸等を含むエッチング液（これ
はＳｉＯ2等をエッチしない）に該半導体を接触させ、
該エピタキシャル層のＧａＡｓバッファ層に到る深さま
でエッチする。
はＳｉＯ2等をエッチしない）に該半導体を接触させ、
該エピタキシャル層のＧａＡｓバッファ層に到る深さま
でエッチする。
【０００７】第５に、液相エピタキシャル法などによ
り、ＡｌＧａＡｓ層を成長し、エッチングで除去した部
分を埋め込む。
り、ＡｌＧａＡｓ層を成長し、エッチングで除去した部
分を埋め込む。
【０００８】第６に、表面に残っているＳｉＯ2膜を除
去する。
去する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
半導体構造の形成方法は多くの工程を必要とし、その結
果、長い時間が必要である。また、ストライプ状にエッ
チングでパターンを形成するときなどは、半導体表面を
大気に曝さなくてはならず、表面が汚染されるという問
題がある。また、ドライエッチングを行うとイオンの照
射により半導体に損傷が発生するという問題もある。
半導体構造の形成方法は多くの工程を必要とし、その結
果、長い時間が必要である。また、ストライプ状にエッ
チングでパターンを形成するときなどは、半導体表面を
大気に曝さなくてはならず、表面が汚染されるという問
題がある。また、ドライエッチングを行うとイオンの照
射により半導体に損傷が発生するという問題もある。
【００１０】本発明の目的は、化合物半導体基板を空気
に曝すことなく、真空容器から真空容器に移動させると
共に、少なくとも電子ビームを照射することによるパタ
ーン形成並びにパターン形成後の結晶成長を連結した該
真空容器内で連続して行うことにより、汚染や損傷が少
ない半導体構造の形成方法を提供することにある。
に曝すことなく、真空容器から真空容器に移動させると
共に、少なくとも電子ビームを照射することによるパタ
ーン形成並びにパターン形成後の結晶成長を連結した該
真空容器内で連続して行うことにより、汚染や損傷が少
ない半導体構造の形成方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による化合物半導体のエッチング方法におい
ては、真空に排気できる容器内に化合物半導体を設置す
る第１の工程と、該化合物半導体の基板表面にマスク層
としてアルミニウムを含む層を単原子層ないし数原子層
エピタキシャル成長させる第２の工程と、該化合物半導
体表面に塩化水素あるいは塩化水素を含むガスを照射又
は接触させると同時に電子ビームを基板表面に照射する
第３の工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲気で光を
照射する第４の工程とを該真空容器内で行うものであ
る。
め、本発明による化合物半導体のエッチング方法におい
ては、真空に排気できる容器内に化合物半導体を設置す
る第１の工程と、該化合物半導体の基板表面にマスク層
としてアルミニウムを含む層を単原子層ないし数原子層
エピタキシャル成長させる第２の工程と、該化合物半導
体表面に塩化水素あるいは塩化水素を含むガスを照射又
は接触させると同時に電子ビームを基板表面に照射する
第３の工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲気で光を
照射する第４の工程とを該真空容器内で行うものであ
る。
【００１２】また、前記電子ビームを基板表面に照射す
る第３の工程において、微小寸法に絞った電子ビームを
基板表面で走査することにより、その走査領域で選択的
にガスと反応させて前記マスク層を除去し、パターンを
形成するものである。
る第３の工程において、微小寸法に絞った電子ビームを
基板表面で走査することにより、その走査領域で選択的
にガスと反応させて前記マスク層を除去し、パターンを
形成するものである。
【００１３】また、前記塩化水素雰囲気で光を照射する
第４の工程において、照射する光として水銀ランプを用
い、前記化合物半導体基板を加熱しながら行うものであ
る。
第４の工程において、照射する光として水銀ランプを用
い、前記化合物半導体基板を加熱しながら行うものであ
る。
【００１４】また、半導体構造の形成方法においては、
真空に排気できる容器内に化合物半導体を設置する第１
の工程と、該化合物半導体の基板表面にマスク層として
アルミニウムを含む層を単原子層ないし数原子層エピタ
キシャル成長させる第２の工程と、該化合物半導体表面
に塩化水素あるいは塩化水素を含むガスを照射又は接触
させると同時に電子ビームを基板表面に照射する第３の
工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲気で光を照射す
る第４の工程とに引き続いて該化合物半導体を大気に曝
すことなく同一容器内で、あるいは通路を介して別の容
器内に移動して該化合物半導体の表面にエピタキシャル
層を成長するものである。
真空に排気できる容器内に化合物半導体を設置する第１
の工程と、該化合物半導体の基板表面にマスク層として
アルミニウムを含む層を単原子層ないし数原子層エピタ
キシャル成長させる第２の工程と、該化合物半導体表面
に塩化水素あるいは塩化水素を含むガスを照射又は接触
させると同時に電子ビームを基板表面に照射する第３の
工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲気で光を照射す
る第４の工程とに引き続いて該化合物半導体を大気に曝
すことなく同一容器内で、あるいは通路を介して別の容
器内に移動して該化合物半導体の表面にエピタキシャル
層を成長するものである。
【００１５】
【作用】本発明により、真空に排気できる容器内に、化
合物半導体基板を設置し、その化合物半導体の表面にア
ルミニウムを含む層を数原子層以下エピタキシャル成長
してマスク層を形成し、その化合物半導体表面に塩化水
素を接触させると共に電子ビームを照射して、その電子
ビームを照射した部分のみを選択的にエッチングするこ
とにより基板表面にパターンを形成することができる。
合物半導体基板を設置し、その化合物半導体の表面にア
ルミニウムを含む層を数原子層以下エピタキシャル成長
してマスク層を形成し、その化合物半導体表面に塩化水
素を接触させると共に電子ビームを照射して、その電子
ビームを照射した部分のみを選択的にエッチングするこ
とにより基板表面にパターンを形成することができる。
【００１６】このパターン化されたマスク層をマスクと
して下地の化合物半導体を光照射下で塩化水素によりエ
ッチングする。またパターンを形成したマスク層表面を
大気に曝すことなく連続して、該表面にエピタキシャル
法により半導体層を成長させることができる。
して下地の化合物半導体を光照射下で塩化水素によりエ
ッチングする。またパターンを形成したマスク層表面を
大気に曝すことなく連続して、該表面にエピタキシャル
法により半導体層を成長させることができる。
【００１７】本発明は、塩化水素と電子ビームなどを同
時に照射することで半導体マスク層のパターンを形成す
るものであり、基板表面にあらかじめレジスト膜等を用
いてパターンを形成しておく必要はない。
時に照射することで半導体マスク層のパターンを形成す
るものであり、基板表面にあらかじめレジスト膜等を用
いてパターンを形成しておく必要はない。
【００１８】また、イオンビームを使用していないの
で、著しく損傷を減少させることができる。また、マス
クの除去が真空中で可能であるから、引き続いて表面に
エピタキシャル層を形成することもできる。
で、著しく損傷を減少させることができる。また、マス
クの除去が真空中で可能であるから、引き続いて表面に
エピタキシャル層を形成することもできる。
【００１９】
【実施例】以下に図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００２０】まず、本発明のパターン作成方法に用いら
れる装置について簡単に説明する。
れる装置について簡単に説明する。
【００２１】図２の装置は、この装置へのウエハーの出
し入れを行うための試料導入室２１、エピタキシャル成
長を行うためのＭＢＥ室２３、電子ビームを照射して半
導体を選択的にエッチングしパターンを形成するパター
ン形成室２４および光照射してエッチングを行うエッチ
ング室２５を有している。
し入れを行うための試料導入室２１、エピタキシャル成
長を行うためのＭＢＥ室２３、電子ビームを照射して半
導体を選択的にエッチングしパターンを形成するパター
ン形成室２４および光照射してエッチングを行うエッチ
ング室２５を有している。
【００２２】これら導入室２１，ＭＢＥ室２３，パター
ン形成室２４およびエッチング室２５は、それぞれ通路
を介して試料搬送室２６に接続されている。また、各室
２１，２３，２４，２５および２６には、それぞれター
ボ分子ポンプ，イオンポンプなど真空ポンプ（図示せ
ず）が設けられている。これにより、装置内に導入した
ウエハーを大気に曝すことなく、どの室にでもマグネッ
トフィードスルー２２ａ，２２ｂおよび２２ｃを用いて
搬送することができる。
ン形成室２４およびエッチング室２５は、それぞれ通路
を介して試料搬送室２６に接続されている。また、各室
２１，２３，２４，２５および２６には、それぞれター
ボ分子ポンプ，イオンポンプなど真空ポンプ（図示せ
ず）が設けられている。これにより、装置内に導入した
ウエハーを大気に曝すことなく、どの室にでもマグネッ
トフィードスルー２２ａ，２２ｂおよび２２ｃを用いて
搬送することができる。
【００２３】さらに、パターン形成室２４には、電子ビ
ーム発生装置２４１の他に、エッチングに用いるガス導
入装置２４２が備えられている。パターン形成室２４を
具体的に図示したのが図３である。
ーム発生装置２４１の他に、エッチングに用いるガス導
入装置２４２が備えられている。パターン形成室２４を
具体的に図示したのが図３である。
【００２４】図３において、エッチング室の上部に電子
ビーム発生装置３０１が設置され、鏡筒３０４内にある
集束レンズ３０３によって集束された電子ビーム３０２
が試料ステージ３０６上の試料３０５に照射される。こ
の試料３０５は試料ステージ３０６に内蔵されている、
ヒータ（図示せず）を通電することにより、加熱するこ
とができる。試料表面には、ガスノズル３０７からエッ
チングガス３０８を照射することができる。
ビーム発生装置３０１が設置され、鏡筒３０４内にある
集束レンズ３０３によって集束された電子ビーム３０２
が試料ステージ３０６上の試料３０５に照射される。こ
の試料３０５は試料ステージ３０６に内蔵されている、
ヒータ（図示せず）を通電することにより、加熱するこ
とができる。試料表面には、ガスノズル３０７からエッ
チングガス３０８を照射することができる。
【００２５】以下、本発明のパターン形成方法に係わる
実施例を図１および図２を参照して説明する。
実施例を図１および図２を参照して説明する。
【００２６】まず、導入室２１より導入されたＧａＡｓ
基板１０１をマグネットフィードスルー２２ａによって
ＭＢＥ室２３に搬送する。ＭＢＥ室２３に搬送されたＧ
ａＡｓ基板１０１上に図１（ａ）に示すようにＡｌXＧ
ａ1-XＡｓクラッド層１０２（０＜ｘ＜１）を１．２μ
ｍ，ＧａＡｓガイド層１０３を０．２μｍ，ＡｌＧａＡ
ｓマスク層１０４を１ｎｍ連続的に成長させる。
基板１０１をマグネットフィードスルー２２ａによって
ＭＢＥ室２３に搬送する。ＭＢＥ室２３に搬送されたＧ
ａＡｓ基板１０１上に図１（ａ）に示すようにＡｌXＧ
ａ1-XＡｓクラッド層１０２（０＜ｘ＜１）を１．２μ
ｍ，ＧａＡｓガイド層１０３を０．２μｍ，ＡｌＧａＡ
ｓマスク層１０４を１ｎｍ連続的に成長させる。
【００２７】このウエハー１００をＭＢＥ室２３と超高
真空の通路により結合された試料搬送室２６を経てパタ
ーン形成室２４へ搬送する。パターン形成室２４には、
エッチングガス導入装置２４２があり、ウエハーホルダ
ー（図示せず）には基板加熱用のヒータが具備されてい
る。
真空の通路により結合された試料搬送室２６を経てパタ
ーン形成室２４へ搬送する。パターン形成室２４には、
エッチングガス導入装置２４２があり、ウエハーホルダ
ー（図示せず）には基板加熱用のヒータが具備されてい
る。
【００２８】パターン形成室２４に搬送されたウエハー
１００の温度を８０℃とし、パターン形成室２４のガス
ノズル（図３の３０７）を通して塩化水素ガス１０６を
導入する。そのときチャンバ内の圧力は８×１０-5Ｔｏ
ｒｒに上昇する。
１００の温度を８０℃とし、パターン形成室２４のガス
ノズル（図３の３０７）を通して塩化水素ガス１０６を
導入する。そのときチャンバ内の圧力は８×１０-5Ｔｏ
ｒｒに上昇する。
【００２９】ガスと同時に電子ビーム１０５を照射す
る。電子ビーム１０５は、その径が５０ｎｍとし、かつ
１００ｐＡの電流として、１５０ｎｍ幅のラインアンド
スペースのパターンを描くように走査させる。最表面の
ＡｌＧａＡｓマスク層は、塩化水素ガスと電子ビームの
両方が照射された部分のみ、エッチングが進行する。
る。電子ビーム１０５は、その径が５０ｎｍとし、かつ
１００ｐＡの電流として、１５０ｎｍ幅のラインアンド
スペースのパターンを描くように走査させる。最表面の
ＡｌＧａＡｓマスク層は、塩化水素ガスと電子ビームの
両方が照射された部分のみ、エッチングが進行する。
【００３０】塩化水素ガスは、ＡｌＧａＡｓマスク表面
上で直径数ｍｍの範囲に亘ってブロードに照射される
が、電子ビームは前述のように非常に狭いラインアンド
スペースのパターンを描く。従って、電子ビームの走査
に従い、ラインアンドスペースのパターンが形成される
（図１（ｂ））。
上で直径数ｍｍの範囲に亘ってブロードに照射される
が、電子ビームは前述のように非常に狭いラインアンド
スペースのパターンを描く。従って、電子ビームの走査
に従い、ラインアンドスペースのパターンが形成される
（図１（ｂ））。
【００３１】この塩化水素によるエッチングは、電子ビ
ームが照射されていない領域ではＡｌＧａＡｓマスク層
を全くエッチングせず、１ｎｍ程度の原子層レベルの厚
さのマスクでも十分有効であることがわかる。
ームが照射されていない領域ではＡｌＧａＡｓマスク層
を全くエッチングせず、１ｎｍ程度の原子層レベルの厚
さのマスクでも十分有効であることがわかる。
【００３２】次に、ウエハー１００を試料搬送室２６を
通してエッチング室２５に移動させる。このエッチング
室２５には、光照射装置２５１、光導入窓２５２、ガス
導入装置２５３が設けられている。塩化水素１０６の雰
囲気下で水銀ランプ光１０７を照射することでＧａＡｓ
ガイド層１０３をエッチングする。このとき、ＡｌＧａ
Ａｓ層は全くエッチングされず、パターン転写のマスク
層として有効に働く（図１（ｃ））。
通してエッチング室２５に移動させる。このエッチング
室２５には、光照射装置２５１、光導入窓２５２、ガス
導入装置２５３が設けられている。塩化水素１０６の雰
囲気下で水銀ランプ光１０７を照射することでＧａＡｓ
ガイド層１０３をエッチングする。このとき、ＡｌＧａ
Ａｓ層は全くエッチングされず、パターン転写のマスク
層として有効に働く（図１（ｃ））。
【００３３】さらに塩素ガス１０８を導入して表面の極
薄いＡｌＧａＡｓマスク層を除去することが可能である
（図１（ｄ））。
薄いＡｌＧａＡｓマスク層を除去することが可能である
（図１（ｄ））。
【００３４】続いて、このようにして表面にＧａＡｓガ
イド層１０３にパターンを有するウエハー１００を再度
ＭＢＥ室２３に搬送する。ＭＢＥ室２３に搬送されたウ
エハー１００をその表面に砒素分子線を照射しながら５
５０℃以上に加熱し、約１時間表面クリーニングを行っ
た。
イド層１０３にパターンを有するウエハー１００を再度
ＭＢＥ室２３に搬送する。ＭＢＥ室２３に搬送されたウ
エハー１００をその表面に砒素分子線を照射しながら５
５０℃以上に加熱し、約１時間表面クリーニングを行っ
た。
【００３５】この表面クリーニングにより、エッチング
中にＧａＡｓ１０３やＡｌＧａＡｓ１０２の表面に付着
した塩化水素等は除去され、純粋なＧａＡｓ結晶面を得
ることが可能である（このクリーニングの度合いのモニ
ターには反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）を用いることが
できる）。
中にＧａＡｓ１０３やＡｌＧａＡｓ１０２の表面に付着
した塩化水素等は除去され、純粋なＧａＡｓ結晶面を得
ることが可能である（このクリーニングの度合いのモニ
ターには反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）を用いることが
できる）。
【００３６】続いてＡｌXＧａ1-XＡｓ上部クラッド層１
０９を１．５μｍ、ＧａＡｓ酸化防止層１１０を０．１
μｍ成長させる。このようにして超高真空装置からウエ
ハーを大気中に取り出すことなく図１（ｅ）に示すよう
な所望の埋め込み構造を実現できる。
０９を１．５μｍ、ＧａＡｓ酸化防止層１１０を０．１
μｍ成長させる。このようにして超高真空装置からウエ
ハーを大気中に取り出すことなく図１（ｅ）に示すよう
な所望の埋め込み構造を実現できる。
【００３７】上記のように、本実施例では、有機レジス
トやＳｉＯ2などを用いたマスクを使用しないでパター
ンを有するエッチングが可能である。従って、連続して
パターンを形成した表面に最成長させることができる。
トやＳｉＯ2などを用いたマスクを使用しないでパター
ンを有するエッチングが可能である。従って、連続して
パターンを形成した表面に最成長させることができる。
【００３８】この実施例では、細い電子ビームを用い
て、微細な構造の形成について説明する。細い電子ビー
ムの代わりに、ブロードな電子ビームを基板表面の全面
に照射して、その表面をエッチングすることもできる。
て、微細な構造の形成について説明する。細い電子ビー
ムの代わりに、ブロードな電子ビームを基板表面の全面
に照射して、その表面をエッチングすることもできる。
【００３９】また、パターンを形成した表面には、半導
体薄膜をエピタキシャル成長させることの他、大気に曝
すことなく絶縁薄膜あるいは金属薄膜を形成することが
できる。
体薄膜をエピタキシャル成長させることの他、大気に曝
すことなく絶縁薄膜あるいは金属薄膜を形成することが
できる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、化合物半
導体表面にアルミニウムを含む半導体マスク層を形成
し、電子ビームと塩化水素ガスを照射することによっ
て、パターンを形成するようにしたことで、化合物半導
体表面近傍に結晶欠陥を引き起こすことなく、微細なパ
ターンを形成することができる。
導体表面にアルミニウムを含む半導体マスク層を形成
し、電子ビームと塩化水素ガスを照射することによっ
て、パターンを形成するようにしたことで、化合物半導
体表面近傍に結晶欠陥を引き起こすことなく、微細なパ
ターンを形成することができる。
【００４１】また、パターンを形成した半導体表面をＶ
族元素又は、Ｖ族元素を含む減圧された雰囲気中で加熱
することにより、塩化水素の吸着のない清浄な表面とす
ることができ、その半導体表面にエピタキシャル成長層
を形成できる。
族元素又は、Ｖ族元素を含む減圧された雰囲気中で加熱
することにより、塩化水素の吸着のない清浄な表面とす
ることができ、その半導体表面にエピタキシャル成長層
を形成できる。
【００４２】さらに、一連の基板加工あるいは成長プロ
セスにおいて基板を大気に曝すことなく連続して、制御
された雰囲気中で行うことができ、基板の表面を大気に
曝すことで発生する表面汚染あるいは界面での不純物の
取り込みを抑えることができる。
セスにおいて基板を大気に曝すことなく連続して、制御
された雰囲気中で行うことができ、基板の表面を大気に
曝すことで発生する表面汚染あるいは界面での不純物の
取り込みを抑えることができる。
【図１】本発明のパターン形成方法のプロセス工程図で
ある。
ある。
【図２】図１のプロセスで使用される真空システムの概
略図である。
略図である。
【図３】パターン形成室の説明図である。
２１ 試料導入室 ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ マグネットフィードスルー ２３ ＭＢＥ室 ２４ パターン形成室 ２５ エッチング室 ２６ 試料搬送室 １００ ＧａＡｓウエハー １０１ ＧａＡｓ基板 １０２ ＡｌＧａＡｓクラッド層 １０３ ＧａＡｓガイド層 １０４ ＡｌＧａＡｓマスク層 １０５ 電子ビーム １０６ 塩化水素 １０７ 水銀ランプ照射光 １０８ 塩素ガス １０９ ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層 １１０ ＧａＡｓ酸化防止層 ２４１ 電子ビーム発生装置 ２４２ ガス導入装置 ２５１ 光照射装置 ２５２ 光導入窓 ２５３ ガス導入装置
Claims (4)
- 【請求項１】 真空に排気できる容器内に化合物半導体
を設置する第１の工程と、該化合物半導体の基板表面に
マスク層としてアルミニウムを含む層を単原子層ないし
数原子層エピタキシャル成長させる第２の工程と、該化
合物半導体表面に塩化水素あるいは塩化水素を含むガス
を照射又は接触させると同時に電子ビームを基板表面に
照射する第３の工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲
気で光を照射する第４の工程とを該真空容器内で行うこ
とを特徴とする化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記電子ビームを基板表面に照射する第
３の工程において、微小寸法に絞った電子ビームを基板
表面で走査することにより、その走査領域で選択的にガ
スと反応させて前記マスク層を除去し、パターンを形成
することを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体の
エッチング方法。 - 【請求項３】 前記塩化水素雰囲気で光を照射する第４
の工程において、照射する光として水銀ランプを用い、
前記化合物半導体基板を加熱しながら行うことを特徴と
する請求項１に記載の化合物半導体のエッチング方法。 - 【請求項４】 真空に排気できる容器内に化合物半導体
を設置する第１の工程と、該化合物半導体の基板表面に
マスク層としてアルミニウムを含む層を単原子層ないし
数原子層エピタキシャル成長させる第２の工程と、該化
合物半導体表面に塩化水素あるいは塩化水素を含むガス
を照射又は接触させると同時に電子ビームを基板表面に
照射する第３の工程と、電子ビーム停止後塩化水素雰囲
気で光を照射する第４の工程とに引き続いて該化合物半
導体を大気に曝すことなく同一容器内で、あるいは通路
を介して別の容器内に移動して該化合物半導体の表面に
エピタキシャル層を成長することを特徴とする半導体構
造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24699491A JP2998336B2 (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24699491A JP2998336B2 (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法 |
Publications (2)
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1991
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| JPH0562949A (ja) | 1993-03-12 |
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