JPH05267793A - 化合物半導体の結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体の結晶成長方法Info
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- JPH05267793A JPH05267793A JP6481992A JP6481992A JPH05267793A JP H05267793 A JPH05267793 A JP H05267793A JP 6481992 A JP6481992 A JP 6481992A JP 6481992 A JP6481992 A JP 6481992A JP H05267793 A JPH05267793 A JP H05267793A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な埋め込み界面を有し高発光効率の埋め
込み微細構造を形成する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に下部クラッド層２と発光
層３と上部クラッド層４を成長し、マスク５を用いドラ
イエッチング法により発光層３の直下までエッチングし
微細発光領域６を形成する。次に高真空中内で試料を成
長室に搬送し砒素分子ビ−ム８を照射しながら成長温度
以上に加熱し反応生成物等を除去する。次に砒素分子ビ
−ム８を照射したまま試料を室温程度まで降温し試料上
に砒素分子９を堆積させる。次に試料を再び昇温する
が、この時試料上に付着した砒素分子９はドライエッチ
ング時に表面近傍に形成された砒素枯渇層７中を拡散
し、砒素原子空孔と結合して結晶格子を形成する。上記
温度サイクルを繰り返すことにより砒素枯渇層７は除去
され良好な結晶面が得られる。この後に埋め込み層１０
を全面に成長すれば界面の結晶性が優れた埋め込み微細
構造１１が得られる。
込み微細構造を形成する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に下部クラッド層２と発光
層３と上部クラッド層４を成長し、マスク５を用いドラ
イエッチング法により発光層３の直下までエッチングし
微細発光領域６を形成する。次に高真空中内で試料を成
長室に搬送し砒素分子ビ−ム８を照射しながら成長温度
以上に加熱し反応生成物等を除去する。次に砒素分子ビ
−ム８を照射したまま試料を室温程度まで降温し試料上
に砒素分子９を堆積させる。次に試料を再び昇温する
が、この時試料上に付着した砒素分子９はドライエッチ
ング時に表面近傍に形成された砒素枯渇層７中を拡散
し、砒素原子空孔と結合して結晶格子を形成する。上記
温度サイクルを繰り返すことにより砒素枯渇層７は除去
され良好な結晶面が得られる。この後に埋め込み層１０
を全面に成長すれば界面の結晶性が優れた埋め込み微細
構造１１が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチングと再成
長を用いた化合物半導体の結晶成長及び埋め込み微細構
造形成方法に関し、特に発光領域を有する埋め込み微細
構造の形成方法に関する。
長を用いた化合物半導体の結晶成長及び埋め込み微細構
造形成方法に関し、特に発光領域を有する埋め込み微細
構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、面発光レ−ザの高効率化及び量子
細線レ−ザへの応用等のために埋め込み微細構造形成技
術が注目されており、その一例がＪ．Ｐ．Ｈａｒｂｉｓ
ｏｎ等によって報告されている（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒ
ｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏ
ｃ．Ｖｏｌ．１２６，Ｐ１１，１９８８）。この埋め込
み微細構造形成方法においては、まずＧａＡｓ基板上に
Ａｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓ層で挟まれた５０オングスト
ロームのＧａＡｓ層からなる単一量子井戸構造を形成
し、ストロンチウムフッ化物（ＳｒＦ2 ）をマスクとし
てアルゴンイオンと塩素ガスを用いたイオンビ−ムアシ
ストエッチング（ＩＢＡＥ）法により基板までエッチン
グし、直径約０．２μｍ〜１μｍの微細発光領域を形成
する。この後に分子線エピタキシ−（ＭＢＥ）法により
Ａｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓ層を全面に成長し埋め込み微
細構造を形成している。
細線レ−ザへの応用等のために埋め込み微細構造形成技
術が注目されており、その一例がＪ．Ｐ．Ｈａｒｂｉｓ
ｏｎ等によって報告されている（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒ
ｅｓｅａｒｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏ
ｃ．Ｖｏｌ．１２６，Ｐ１１，１９８８）。この埋め込
み微細構造形成方法においては、まずＧａＡｓ基板上に
Ａｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓ層で挟まれた５０オングスト
ロームのＧａＡｓ層からなる単一量子井戸構造を形成
し、ストロンチウムフッ化物（ＳｒＦ2 ）をマスクとし
てアルゴンイオンと塩素ガスを用いたイオンビ−ムアシ
ストエッチング（ＩＢＡＥ）法により基板までエッチン
グし、直径約０．２μｍ〜１μｍの微細発光領域を形成
する。この後に分子線エピタキシ−（ＭＢＥ）法により
Ａｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓ層を全面に成長し埋め込み微
細構造を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ドライエッチング後の
表面上への結晶成長は結晶性が悪く良好な成長界面が得
られないという問題があった。
表面上への結晶成長は結晶性が悪く良好な成長界面が得
られないという問題があった。
【０００４】特に、従来の技術に記載した従来の埋め込
み微細構造を有する表面、側面への結晶成長方法におい
ては、ドライエッチングにより微細発光領域を形成した
後にそのまま埋め込み層を成長しているため、微細発光
領域側面の結晶性が悪く、良好な埋め込み界面が形成で
きないため、この界面における非発光再結合の寄与が大
きく発光効率が著しく低いという問題点があった。
み微細構造を有する表面、側面への結晶成長方法におい
ては、ドライエッチングにより微細発光領域を形成した
後にそのまま埋め込み層を成長しているため、微細発光
領域側面の結晶性が悪く、良好な埋め込み界面が形成で
きないため、この界面における非発光再結合の寄与が大
きく発光効率が著しく低いという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、ドライエッチング後の良
好な成長界面をもつ結晶成長方法、及び良好な埋め込み
界面が形成出来るため発光効率が高い埋め込み微細構造
の結晶成長方法を提供することにある。
好な成長界面をもつ結晶成長方法、及び良好な埋め込み
界面が形成出来るため発光効率が高い埋め込み微細構造
の結晶成長方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体の
結晶成長方法は、ドライエッチング後の表面に、３−５
族化合物半導体を結晶成長する方法において、半導体表
面をドライエッチングをする工程後、５族構成元素を照
射しつつ成長温度以上に基板を昇温する第１の工程と、
基板温度を降温し５族原子を基板表面上に堆積させる第
２の工程と、前記第１と第２の工程とを少なくとも１回
以上繰り返すことにより、ドライエッチング工程におい
て発生した前記半導体表面の５族枯渇層を除去する工程
と、次に３−５族化合物半導体を結晶成長する工程とを
有することを特徴とする。
結晶成長方法は、ドライエッチング後の表面に、３−５
族化合物半導体を結晶成長する方法において、半導体表
面をドライエッチングをする工程後、５族構成元素を照
射しつつ成長温度以上に基板を昇温する第１の工程と、
基板温度を降温し５族原子を基板表面上に堆積させる第
２の工程と、前記第１と第２の工程とを少なくとも１回
以上繰り返すことにより、ドライエッチング工程におい
て発生した前記半導体表面の５族枯渇層を除去する工程
と、次に３−５族化合物半導体を結晶成長する工程とを
有することを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、ドライエッチングによる
微細加工とその後の再成長を用いた３−５族化合物半導
体の埋め込み微細構造の結晶成長方法において、発光層
を含む３−５族化合物半導体基板をドライエッチングに
より少なくとも発光層直下までエッチング除去し微細発
光領域を形成する工程と、その後に５族構成元素を照射
しつつ成長温度以上に基板を昇温する第１の工程と、基
板温度を降温し５族原子を基板表面上に堆積させる第２
の工程と、前記第１及び第２の工程からなる温度サイク
ルを少なくとも一回以上繰り返すことにより前記微細構
造を形成する工程時に基板表面近傍に形成された５族原
子枯渇層を除去する工程と、その後に前記発光層を形成
する半導体層の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する
半導体層を全面に成長し埋め込み構造を形成する工程と
を有することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方
法。
微細加工とその後の再成長を用いた３−５族化合物半導
体の埋め込み微細構造の結晶成長方法において、発光層
を含む３−５族化合物半導体基板をドライエッチングに
より少なくとも発光層直下までエッチング除去し微細発
光領域を形成する工程と、その後に５族構成元素を照射
しつつ成長温度以上に基板を昇温する第１の工程と、基
板温度を降温し５族原子を基板表面上に堆積させる第２
の工程と、前記第１及び第２の工程からなる温度サイク
ルを少なくとも一回以上繰り返すことにより前記微細構
造を形成する工程時に基板表面近傍に形成された５族原
子枯渇層を除去する工程と、その後に前記発光層を形成
する半導体層の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する
半導体層を全面に成長し埋め込み構造を形成する工程と
を有することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方
法。
【０００８】また本発明は上記発明において全工程を高
真空中内で試料を搬送することにより継続して行うこと
を特徴とする結晶成長方法である。
真空中内で試料を搬送することにより継続して行うこと
を特徴とする結晶成長方法である。
【０００９】
【作用】３−５族化合物半導体をイオンビ−ムを用いた
ドライエッチング法でエッチングする場合、５族構成元
素は蒸気圧が高いためにイオンビ−ム衝撃により容易に
脱離して５族空孔を生じ、そのためエッチング表面、微
細構造を形成した場合にはその底面及び側面の表面近傍
に５族原子枯渇層が形成される。この５族原子枯渇層は
キャリアの非発光再結合中心となり発光効率の低下を引
き起こすが、本発明によれば以下に示すように５族原子
枯渇層を除去することが出来る。
ドライエッチング法でエッチングする場合、５族構成元
素は蒸気圧が高いためにイオンビ−ム衝撃により容易に
脱離して５族空孔を生じ、そのためエッチング表面、微
細構造を形成した場合にはその底面及び側面の表面近傍
に５族原子枯渇層が形成される。この５族原子枯渇層は
キャリアの非発光再結合中心となり発光効率の低下を引
き起こすが、本発明によれば以下に示すように５族原子
枯渇層を除去することが出来る。
【００１０】ここでは微細構造を形成後に埋め込み成長
をする場合を例にとって説明する。まず微細発光領域形
成後に高真空室中で５族構成原子を照射しながら試料基
板を埋め込み成長温度以上に昇温しエッチング時の残留
反応性ガス及び基板表面に付着した反応生成物を除去す
る。その後に５族構成原子を照射したまま基板温度を室
温程度まで降温し、基板上に５族原子を数原子層以上積
層させる。この後に基板温度を再度成長温度程度まで上
昇させる。この時の昇温時に基板上に堆積した５族構成
原子は基板表面近傍を拡散し５族原子枯渇層中の５族空
孔と結合し結晶格子を形成する。前記温度サイクルを繰
り返すことにより５族原子枯渇層を完全に除去すること
が出来る。
をする場合を例にとって説明する。まず微細発光領域形
成後に高真空室中で５族構成原子を照射しながら試料基
板を埋め込み成長温度以上に昇温しエッチング時の残留
反応性ガス及び基板表面に付着した反応生成物を除去す
る。その後に５族構成原子を照射したまま基板温度を室
温程度まで降温し、基板上に５族原子を数原子層以上積
層させる。この後に基板温度を再度成長温度程度まで上
昇させる。この時の昇温時に基板上に堆積した５族構成
原子は基板表面近傍を拡散し５族原子枯渇層中の５族空
孔と結合し結晶格子を形成する。前記温度サイクルを繰
り返すことにより５族原子枯渇層を完全に除去すること
が出来る。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照にし
て詳細に説明する。ここでは微細構造をドライエッチン
グした後、結晶成長により埋め込み構造をつくる場合を
例にとって説明する。図１は本発明の一実施例を説明す
るための断面模式図である。
て詳細に説明する。ここでは微細構造をドライエッチン
グした後、結晶成長により埋め込み構造をつくる場合を
例にとって説明する。図１は本発明の一実施例を説明す
るための断面模式図である。
【００１２】まず、ＧａＡｓ基板１上に下部クラッド層
２としてＡｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）
層を約５００Ａ〜１μｍ、その上に発光層３としてＧａ
Ａｓ層を約５０〜１０００Ａ（Ａはオングストロー
ム）、その上に上部クラッド層４としてＡｌx Ｇａ
1 - x Ａｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）層を約５００Ａ〜１
μｍ順次成長する。次に成長した基板上にＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮまたはＳｒＦ2 等の絶縁膜を約１００Ａ〜５０００
Ａ形成し、フォトリソグラフィ法或いは電子ビ−ム露光
法により円形またはストライプ状のマスク５を形成す
る。このマスク５を用いてＣｌ2 プラズマによる反応性
イオンビ−ムエッチング（ＲＩＢＥ）法やＡｒイオンと
Ｃｌ2 ガスを用いたイオンビ−ムアシストエッチング
（ＩＢＡＥ）法等のドライエッチング技術により、Ｇａ
Ａｓ基板１に達するまでエッチングを行い微細発光領域
６を形成する。この時微細発光領域６の側面及びエッチ
ング底面近傍にはドライエッチング時のイオンビ−ムに
よる衝撃により砒素原子が脱離した砒素原子枯渇層７が
形成される（図１（ａ））。この後試料を高真空搬送路
中を移動させることにより高真空成長室に導入する。こ
の時試料は大気中にさらされることはないので酸化や炭
化物付着等の汚染は受けない。高真空成長室においてフ
ラックスビ−ムとして約１０- 5 Ｔｏｒｒ程度の砒素分
子ビ−ム８を照射しながら試料を６００℃以上７００℃
程度まで加熱することによりドライエッチング後に試料
上に付着した残留反応性ガス（例えば塩素分子）や反応
生成物（例えばＧａＣｌx ）等を除去する。この時砒素
分子ビ−ム８と同時に例えば水素ガスを高温加熱ヒ−タ
−中を通過させることにより得られる水素原子ビ−ムを
試料上に照射する事により上記除去過程を促進させるこ
とが出来る。この後に砒素分子ビ−ム８を試料上に照射
したままで試料温度を室温近傍まで降温する。この時試
料上に砒素分子９が数原子層以上付着する（図１
（ｂ））。
２としてＡｌx Ｇａ1 - x Ａｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）
層を約５００Ａ〜１μｍ、その上に発光層３としてＧａ
Ａｓ層を約５０〜１０００Ａ（Ａはオングストロー
ム）、その上に上部クラッド層４としてＡｌx Ｇａ
1 - x Ａｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）層を約５００Ａ〜１
μｍ順次成長する。次に成長した基板上にＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮまたはＳｒＦ2 等の絶縁膜を約１００Ａ〜５０００
Ａ形成し、フォトリソグラフィ法或いは電子ビ−ム露光
法により円形またはストライプ状のマスク５を形成す
る。このマスク５を用いてＣｌ2 プラズマによる反応性
イオンビ−ムエッチング（ＲＩＢＥ）法やＡｒイオンと
Ｃｌ2 ガスを用いたイオンビ−ムアシストエッチング
（ＩＢＡＥ）法等のドライエッチング技術により、Ｇａ
Ａｓ基板１に達するまでエッチングを行い微細発光領域
６を形成する。この時微細発光領域６の側面及びエッチ
ング底面近傍にはドライエッチング時のイオンビ−ムに
よる衝撃により砒素原子が脱離した砒素原子枯渇層７が
形成される（図１（ａ））。この後試料を高真空搬送路
中を移動させることにより高真空成長室に導入する。こ
の時試料は大気中にさらされることはないので酸化や炭
化物付着等の汚染は受けない。高真空成長室においてフ
ラックスビ−ムとして約１０- 5 Ｔｏｒｒ程度の砒素分
子ビ−ム８を照射しながら試料を６００℃以上７００℃
程度まで加熱することによりドライエッチング後に試料
上に付着した残留反応性ガス（例えば塩素分子）や反応
生成物（例えばＧａＣｌx ）等を除去する。この時砒素
分子ビ−ム８と同時に例えば水素ガスを高温加熱ヒ−タ
−中を通過させることにより得られる水素原子ビ−ムを
試料上に照射する事により上記除去過程を促進させるこ
とが出来る。この後に砒素分子ビ−ム８を試料上に照射
したままで試料温度を室温近傍まで降温する。この時試
料上に砒素分子９が数原子層以上付着する（図１
（ｂ））。
【００１３】この後に試料を再び約７００℃程度まで加
熱昇温する。この過程において前記試料上に付着した砒
素分子９は試料表面上及び砒素原子枯渇層７中を拡散し
砒素原子枯渇層７中の砒素原子空孔と結合し結晶格子を
形成する。この後に上記工程を繰り返すことにより砒素
原子枯渇層７は完全に回復し良好な結晶表面が得られる
（図１（ｃ））。
熱昇温する。この過程において前記試料上に付着した砒
素分子９は試料表面上及び砒素原子枯渇層７中を拡散し
砒素原子枯渇層７中の砒素原子空孔と結合し結晶格子を
形成する。この後に上記工程を繰り返すことにより砒素
原子枯渇層７は完全に回復し良好な結晶表面が得られる
（図１（ｃ））。
【００１４】この後に成長温度（約５００℃〜７００
℃）において埋め込み層１０としてＡｌx Ｇａ1 - x Ａ
ｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）層を約５００Ａ〜１μｍ全面
に成長し、埋め込み微細構造１１を形成する（図１
（ｄ））。このとき微細発光領域６の側面及び底面は上
記工程により良好な結晶表面が得られているので埋め込
み界面における非発光再結合中心は著しく低減し、発光
効率の高い埋め込み微細構造が得られる。
℃）において埋め込み層１０としてＡｌx Ｇａ1 - x Ａ
ｓ（Ｘ＝０．１〜０．５）層を約５００Ａ〜１μｍ全面
に成長し、埋め込み微細構造１１を形成する（図１
（ｄ））。このとき微細発光領域６の側面及び底面は上
記工程により良好な結晶表面が得られているので埋め込
み界面における非発光再結合中心は著しく低減し、発光
効率の高い埋め込み微細構造が得られる。
【００１５】本実施例では高真空中で一貫してプロセス
工程及び成長工程を行なったが、必ずしも高真空中で一
貫して行なう必要はない。しかし、汚染を避けるために
は高真空中で継続して工程をすすめる方が望ましい。
工程及び成長工程を行なったが、必ずしも高真空中で一
貫して行なう必要はない。しかし、汚染を避けるために
は高真空中で継続して工程をすすめる方が望ましい。
【００１６】上記実施例において発光層は単一層とした
がこれに限らず、多重量子井戸構造等の多層発光層であ
っても本発明は適用できる。
がこれに限らず、多重量子井戸構造等の多層発光層であ
っても本発明は適用できる。
【００１７】上記実施例において材料系はＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ系としたがこれに限らず、他の化合物半導体
材料系、例えばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系においても本
発明は適用できる。
ｌＧａＡｓ系としたがこれに限らず、他の化合物半導体
材料系、例えばＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系においても本
発明は適用できる。
【００１８】本実施例では微細構造の形成に本発明を適
用した例を示したが微細構造に限らず、ドライエッチン
グを用いた工程後の成長において本発明を適用できる。
即ち平坦な表面、斜面等の形成にも用いることができ
る。
用した例を示したが微細構造に限らず、ドライエッチン
グを用いた工程後の成長において本発明を適用できる。
即ち平坦な表面、斜面等の形成にも用いることができ
る。
【００１９】例えば基板上にドライエッチングにより段
差を形成し、そこに本発明により良好な結晶性の成長層
を形成し、その上に電子デバイスや光デバイスの層構造
を成長することにより、高品質なデバイスあるいは集積
素子が得られる。
差を形成し、そこに本発明により良好な結晶性の成長層
を形成し、その上に電子デバイスや光デバイスの層構造
を成長することにより、高品質なデバイスあるいは集積
素子が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ド
ライエッチング後の成長においても良好な界面が得られ
る。特に良好な埋め込み界面が形成出来るため発光効率
が高い埋め込み微細構造を形成する事が出来る。
ライエッチング後の成長においても良好な界面が得られ
る。特に良好な埋め込み界面が形成出来るため発光効率
が高い埋め込み微細構造を形成する事が出来る。
【図１】本発明の一実施例を説明するための断面模式図
である。
である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ 下部クラッド層 ３ 発光層 ４ 上部クラッド層 ５ マスク ６ 微細発光領域 ７ 砒素原子枯渇層 ８ 砒素分子ビ−ム ９ 砒素分子 １０ 埋め込み層 １１ 埋め込み微細構造
Claims (3)
- 【請求項１】 ドライエッチング後の表面に、３−５族
化合物半導体を結晶成長する方法において、半導体表面
をドライエッチングをする工程後、５族構成元素を照射
しつつ成長温度以上に基板を昇温する第１の工程と、基
板温度を降温し５族原子を基板表面上に堆積させる第２
の工程と、前記第１と第２の工程とを少なくとも１回以
上繰り返すことにより、ドライエッチング工程において
発生した前記半導体表面の５族枯渇層を除去する工程
と、次に３−５族化合物半導体を結晶成長する工程とを
有することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。 - 【請求項２】 ドライエッチングによる微細加工とその
後の再成長を用いた３−５族化合物半導体の埋め込み微
細構造の結晶成長方法において、発光層を含む３−５族
化合物半導体基板をドライエッチングにより少なくとも
発光層直下までエッチング除去し微細発光領域を形成す
る工程と、その後に５族構成元素を照射しつつ成長温度
以上に基板を昇温する第１の工程と、基板温度を降温し
５族原子を基板表面上に堆積させる第２の工程と、前記
第１及び第２の工程からなる温度サイクルを少なくとも
一回以上繰り返すことにより前記微細構造を形成する工
程時に基板表面近傍に形成された５族原子枯渇層を除去
する工程と、その後に前記発光層を形成する半導体層の
禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する半導体層を全面
に成長し埋め込み構造を形成する工程とを有することを
特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。 - 【請求項３】 全工程を高真空中内で試料を搬送するこ
とにより継続して行うことを特徴とする請求項１または
請求項２記載の化合物半導体の結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481992A JPH05267793A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481992A JPH05267793A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267793A true JPH05267793A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13269246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6481992A Withdrawn JPH05267793A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267793A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805629A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| WO2009057764A1 (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法およびそれを用いた光／電子デバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP6481992A patent/JPH05267793A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805629A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| WO2009057764A1 (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | エッチング方法およびそれを用いた光／電子デバイスの製造方法 |
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