JPH0536654A - 化合物半導体のパターン形成方法 - Google Patents
化合物半導体のパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0536654A JPH0536654A JP21285691A JP21285691A JPH0536654A JP H0536654 A JPH0536654 A JP H0536654A JP 21285691 A JP21285691 A JP 21285691A JP 21285691 A JP21285691 A JP 21285691A JP H0536654 A JPH0536654 A JP H0536654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- compound semiconductor
- etching
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 汚染されることなく短時間で被加工物半導体
表面にグレーティングパターンを形成する。 【構成】 清浄な化合物半導体基板１０１の表面をエッ
チングガス１０３に接触させ、同時に半導体表面に所定
のグレーティングパターンを形成するようにしたレーザ
干渉光１０４を照射することで、光照射部分のみを選択
的にエッチングする。
表面にグレーティングパターンを形成する。 【構成】 清浄な化合物半導体基板１０１の表面をエッ
チングガス１０３に接触させ、同時に半導体表面に所定
のグレーティングパターンを形成するようにしたレーザ
干渉光１０４を照射することで、光照射部分のみを選択
的にエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体の加工法
に関し、特に被加工半導体を大気にさらすことなくグレ
ーティングパターンを形成する半導体のパターン形成方
法に関する。
に関し、特に被加工半導体を大気にさらすことなくグレ
ーティングパターンを形成する半導体のパターン形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体デバイス製作技術として、
結晶成長，エッチング加工及び加工面上への再成長を超
高真空下で連続して行う真空中連続プロセスの実用化が
検討されている。このようなプロセスでは、半導体を大
気にさらすことがないため、大気による半導体表面の汚
染がなく、ヘテロ構造において重要とされる良好な結晶
界面を得ることができる。
結晶成長，エッチング加工及び加工面上への再成長を超
高真空下で連続して行う真空中連続プロセスの実用化が
検討されている。このようなプロセスでは、半導体を大
気にさらすことがないため、大気による半導体表面の汚
染がなく、ヘテロ構造において重要とされる良好な結晶
界面を得ることができる。
【０００３】真空下でのエッチングプロセスとしては、
加速イオンを用いた方法が実用化されているが、イオン
衝撃による基板損傷が重大な問題となっている。
加速イオンを用いた方法が実用化されているが、イオン
衝撃による基板損傷が重大な問題となっている。
【０００４】基板損傷のないエッチング方法として、エ
ッチングガスを活性化して用いるいわゆるラジカルビー
ムエッチングが検討されているが、これらのエッチング
プロセスでは、半導体のパターン形成のためにエッチン
グマスクを用いる必要がある。真空下ではエッチングマ
スク用レジストとして、ガス放出の少ないレジストを用
いる必要がある。
ッチングガスを活性化して用いるいわゆるラジカルビー
ムエッチングが検討されているが、これらのエッチング
プロセスでは、半導体のパターン形成のためにエッチン
グマスクを用いる必要がある。真空下ではエッチングマ
スク用レジストとして、ガス放出の少ないレジストを用
いる必要がある。
【０００５】このため、有機レジストは好ましくない。
さらに、有機レジストでは分解物質に炭素を含有してお
り、除去困難である炭素汚染の原因となる。このような
理由から、一般的には、化学気相成長法（ＣＶＤ法）や
スパッタ法により作製した酸化ケイ素（ＳｉＯ2）膜や
窒化ケイ素（ＳｉＮ）等が無機レジストとして用いられ
ている。ＳｉＯ2膜などの無機レジストのパターン形成
には、集束イオンビームを用いたり、あるいは通常のリ
フトオフ法を用い有機レジストからパターンを転写する
方法が取られているが、有機レジストを用いたリフトオ
フ法では、真空プロセスへの適用性がはなはだ良くな
い。こうした点から集束イオンビームによる直接描画に
よるマスクパターンの形成が有望視されている。
さらに、有機レジストでは分解物質に炭素を含有してお
り、除去困難である炭素汚染の原因となる。このような
理由から、一般的には、化学気相成長法（ＣＶＤ法）や
スパッタ法により作製した酸化ケイ素（ＳｉＯ2）膜や
窒化ケイ素（ＳｉＮ）等が無機レジストとして用いられ
ている。ＳｉＯ2膜などの無機レジストのパターン形成
には、集束イオンビームを用いたり、あるいは通常のリ
フトオフ法を用い有機レジストからパターンを転写する
方法が取られているが、有機レジストを用いたリフトオ
フ法では、真空プロセスへの適用性がはなはだ良くな
い。こうした点から集束イオンビームによる直接描画に
よるマスクパターンの形成が有望視されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集束イ
オンビームを用いたパターン形成方法は、集束イオンビ
ームを走査してＳｉＯ2膜等にパターンを形成するた
め、広範囲に亘るパターンの形成に時間がかかるという
問題点がある。また、ＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜をエッチン
グマスクとすると、エッチングマスクの除去にフッ素含
有の反応性ガス（ＳｉＯ2膜であればＣＦ4など）を使用
しなければならず、このフッ素含有物が汚染物質として
真空系内に残ってしまうという問題がある。
オンビームを用いたパターン形成方法は、集束イオンビ
ームを走査してＳｉＯ2膜等にパターンを形成するた
め、広範囲に亘るパターンの形成に時間がかかるという
問題点がある。また、ＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜をエッチン
グマスクとすると、エッチングマスクの除去にフッ素含
有の反応性ガス（ＳｉＯ2膜であればＣＦ4など）を使用
しなければならず、このフッ素含有物が汚染物質として
真空系内に残ってしまうという問題がある。
【０００７】さらに、結晶成長ガス以外に、膜形成用及
び除去用のガスを供給する手段が必要であり、装置の複
雑化を招くという問題点もある。
び除去用のガスを供給する手段が必要であり、装置の複
雑化を招くという問題点もある。
【０００８】本発明の目的は、装置内に汚染物質を導入
することなく、しかも広範囲に亘るパターン形成を短時
間で行える化合物半導体のパターン形成方法を提供する
ことにある。
することなく、しかも広範囲に亘るパターン形成を短時
間で行える化合物半導体のパターン形成方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による化合物半導体のパターン形成方法にお
いては、化合物半導体基板をエッチングガス雰囲気中に
おき、同時に該半導体の表面に所定のグレーティングパ
ターンを形成するようにレーザ干渉光を照射して、半導
体の表面を選択的にエッチングするものである。
め、本発明による化合物半導体のパターン形成方法にお
いては、化合物半導体基板をエッチングガス雰囲気中に
おき、同時に該半導体の表面に所定のグレーティングパ
ターンを形成するようにレーザ干渉光を照射して、半導
体の表面を選択的にエッチングするものである。
【００１０】また、化合物半導体基板としてＩｎを含む
化合物ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓを用い、エッチングガスと
してＣＨ3ＢｒあるいはＣＦ3Ｂｒを用いるものである。
化合物ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓを用い、エッチングガスと
してＣＨ3ＢｒあるいはＣＦ3Ｂｒを用いるものである。
【００１１】また、エッチング工程は、前記化合物半導
体を加熱しながら行うものである。
体を加熱しながら行うものである。
【００１２】
【作用】以下に本発明のプロセスについて図１を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】まず、表面をきれいに清浄した基板１０１
上に結晶成長を行い、清浄な表面を持つ結晶成長層１０
２を作る（図１（ａ））。
上に結晶成長を行い、清浄な表面を持つ結晶成長層１０
２を作る（図１（ａ））。
【００１４】結晶成長後、速やかに基板１０１をエッチ
ングガス雰囲気内に置き、その表面をエッチングガス１
０３に曝す。同時に、結晶１０２の表面に光１０４を照
射する（図１（ｂ））。光１０４が照射された結晶１０
２の表面のみエッチングが進行する（図１（ｃ））。従
って、照射する光１０４として干渉光、あるいは投影光
を用いることで所定のパターンを有するパターンが形成
される。
ングガス雰囲気内に置き、その表面をエッチングガス１
０３に曝す。同時に、結晶１０２の表面に光１０４を照
射する（図１（ｂ））。光１０４が照射された結晶１０
２の表面のみエッチングが進行する（図１（ｃ））。従
って、照射する光１０４として干渉光、あるいは投影光
を用いることで所定のパターンを有するパターンが形成
される。
【００１５】パターンの形成された基板１０１をＶ族元
素雰囲気下（１０５）におき、加熱する。これによって
表面に付着している反応生成物等は完全に除去される
（図１（ｄ））。
素雰囲気下（１０５）におき、加熱する。これによって
表面に付着している反応生成物等は完全に除去される
（図１（ｄ））。
【００１６】上記プロセスは、真空連結されたチャンバ
内で行われるため、形成したパターン上に再び結晶成長
を行うことが可能である（図１（ｅ））。
内で行われるため、形成したパターン上に再び結晶成長
を行うことが可能である（図１（ｅ））。
【００１７】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１８】始めに図２を参照して本発明の実施に使用
される真空連続装置について説明する。
される真空連続装置について説明する。
【００１９】図２に示す装置は、結晶成長室２０１、エ
ッチング室２０２を有し、これらチャンバは試料搬送室
２０３に真空チューブを介して接続されている。試料搬
送室２０３にはさらに装置内へ試料を導入するための試
料導入室２０４が接続されている。
ッチング室２０２を有し、これらチャンバは試料搬送室
２０３に真空チューブを介して接続されている。試料搬
送室２０３にはさらに装置内へ試料を導入するための試
料導入室２０４が接続されている。
【００２０】また、エッチング室２０２には、エッチン
グガス導入装置２０５が装着されている。さらに、エッ
チング室２０２には、外部に設けられている光照射装置
２０６からの光をチャンバ２０２内部に導入するための
石英窓２０７が設けられている。
グガス導入装置２０５が装着されている。さらに、エッ
チング室２０２には、外部に設けられている光照射装置
２０６からの光をチャンバ２０２内部に導入するための
石英窓２０７が設けられている。
【００２１】これらの、チャンバ２０１，２０２，２０
３及び２０４は、それぞれターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）
（図示せず）及びイオンポンプ（図示せず）によって１
０-8Ｔｏｒｒ以下に真空排気されている。
３及び２０４は、それぞれターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）
（図示せず）及びイオンポンプ（図示せず）によって１
０-8Ｔｏｒｒ以下に真空排気されている。
【００２２】次に、本発明の方法によるＩｎＧａＡｓへ
のグレーティングパターンの形成について図１及び図２
を参照して説明する。
のグレーティングパターンの形成について図１及び図２
を参照して説明する。
【００２３】まず、ＩｎＰ基板１０１の洗浄を、１１１
−トリクロロエタン，アセトン，エタノールを用いて行
った。洗浄後、基板１０１表面を硫酸系エッチング液
（Ｈ2ＳＯ4：Ｓ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：１）によって約
１μｍエッチングし、表面の損傷層除去を行った。
−トリクロロエタン，アセトン，エタノールを用いて行
った。洗浄後、基板１０１表面を硫酸系エッチング液
（Ｈ2ＳＯ4：Ｓ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：１）によって約
１μｍエッチングし、表面の損傷層除去を行った。
【００２４】次に、基板１０１を試料導入室２０４に導
入し、試料導入室２０４をＴＭＰで１０-8Ｔｏｒｒまで
排気する。その後、基板１０１を試料交換搬送室２０３
に移動させ、試料交換搬送室２０３内が１０-9Ｔｏｒｒ
以下に排気されるまで待ち、さらに基板１０１を結晶成
長室２０１に移動させた。
入し、試料導入室２０４をＴＭＰで１０-8Ｔｏｒｒまで
排気する。その後、基板１０１を試料交換搬送室２０３
に移動させ、試料交換搬送室２０３内が１０-9Ｔｏｒｒ
以下に排気されるまで待ち、さらに基板１０１を結晶成
長室２０１に移動させた。
【００２５】結晶成長室２０１では、分子線結晶成長法
による基板１０１上に結晶成長を行った。この結晶成長
は基板１０１を約５００℃に加熱して５分間の熱クリー
ニングを行った後、基板温度を４５０℃に下げ、ＩｎＧ
ａＡｓ層（成長層）１０２を１μｍ成長させた。結晶成
長終了後、成長層１０２の表面をオージェ電子分光法
（ＡＥＳ）による観察をしたが、炭素等の汚染物質は検
出されず、表面が清浄であることが確認できた。
による基板１０１上に結晶成長を行った。この結晶成長
は基板１０１を約５００℃に加熱して５分間の熱クリー
ニングを行った後、基板温度を４５０℃に下げ、ＩｎＧ
ａＡｓ層（成長層）１０２を１μｍ成長させた。結晶成
長終了後、成長層１０２の表面をオージェ電子分光法
（ＡＥＳ）による観察をしたが、炭素等の汚染物質は検
出されず、表面が清浄であることが確認できた。
【００２６】次に、成長層１０２を有する基板１０１を
試料交換搬送室２０３を介してエッチング室２０２へ移
動させた。そして、ＣＨ3Ｂｒガス導入装置２０５を用
いてエッチング室２０２内へ高純度ＣＨ3Ｂｒ１０３を
１０-5Ｔｏｒｒ導入した。
試料交換搬送室２０３を介してエッチング室２０２へ移
動させた。そして、ＣＨ3Ｂｒガス導入装置２０５を用
いてエッチング室２０２内へ高純度ＣＨ3Ｂｒ１０３を
１０-5Ｔｏｒｒ導入した。
【００２７】このとき、同時に光照射装置２０６からの
光１０４を窓２０７を通して照射する。ＣＨ3Ｂｒ１０
３導入と光１０４照射により基板１０１の成長層１０２
の表面は、光１０４が照射された部分のみエッチングが
進行する。
光１０４を窓２０７を通して照射する。ＣＨ3Ｂｒ１０
３導入と光１０４照射により基板１０１の成長層１０２
の表面は、光１０４が照射された部分のみエッチングが
進行する。
【００２８】ここで光照射装置２０６について図３を参
照して説明しておく。
照して説明しておく。
【００２９】図３の光照射装置は、光源からの光を２分
して干渉させ、基板上に干渉縞を投影するものである。
して干渉させ、基板上に干渉縞を投影するものである。
【００３０】この光照射装置では、光源であるレーザー
（図示せず）からのレーザー光３０１はビームスプリッ
タ３０２で２分される。２分された光の一方は、空間フ
ィルタ３０３ａを通り、レンズ３０４ａによって平行に
された後、反射鏡３０５ａで反射されて基板３０７に照
射する。
（図示せず）からのレーザー光３０１はビームスプリッ
タ３０２で２分される。２分された光の一方は、空間フ
ィルタ３０３ａを通り、レンズ３０４ａによって平行に
された後、反射鏡３０５ａで反射されて基板３０７に照
射する。
【００３１】他方の光も同様に空間フィルタ３０３ｂを
通り、レンズ３０４ｂで平行にされる。平行にされた光
は、位相フィルタに入射され、基板表面に干渉縞を生じ
るように位相が調整される。位相が調節された光はさら
にレンズを通した後基板３０７に照射される。こうして
基板３０７上に干渉縞を投影することができる。
通り、レンズ３０４ｂで平行にされる。平行にされた光
は、位相フィルタに入射され、基板表面に干渉縞を生じ
るように位相が調整される。位相が調節された光はさら
にレンズを通した後基板３０７に照射される。こうして
基板３０７上に干渉縞を投影することができる。
【００３２】本実施例では光源としてアルゴンレーザを
用い、５００Ｊ／ｃｍ2の光を、基板に対し入射角６０
°で照射した。基板１０１の温度を８０℃にして１０分
間のエッチングを行った。この結果、約２９７ｎｍピッ
チのグレーティングを形成することができた。
用い、５００Ｊ／ｃｍ2の光を、基板に対し入射角６０
°で照射した。基板１０１の温度を８０℃にして１０分
間のエッチングを行った。この結果、約２９７ｎｍピッ
チのグレーティングを形成することができた。
【００３３】次に、基板１０１を再び結晶成長チャンバ
２０１に搬送し、リン１０７雰囲気下において基板１０
１をおよそ５００℃に加熱した。この状態で、反射高速
電子線回折法（ＲＨＥＥＤ）によりその表面観察を行っ
た。観察は試料表面のグレーティングを作製した領域以
外の領域で行ったが、エッチングされた領域及びエッチ
ングされなかった領域、共に良好なＩｎＧａＡｓ表面が
得られていることを確認した。
２０１に搬送し、リン１０７雰囲気下において基板１０
１をおよそ５００℃に加熱した。この状態で、反射高速
電子線回折法（ＲＨＥＥＤ）によりその表面観察を行っ
た。観察は試料表面のグレーティングを作製した領域以
外の領域で行ったが、エッチングされた領域及びエッチ
ングされなかった領域、共に良好なＩｎＧａＡｓ表面が
得られていることを確認した。
【００３４】また、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）を用
いて観察も行った。その結果、試料の表面の反応生成物
は除去され、残留分子は見られなかった。また、加熱に
よるグレーティングの消失も見られなかった。最後に、
グレーティング保護のために、ＩｎＰ層を厚さ０．５μ
ｍ成長させた。こうして得られた再成長結晶の表面は鏡
面であり、良好な結晶が得られたことを確認できた。
いて観察も行った。その結果、試料の表面の反応生成物
は除去され、残留分子は見られなかった。また、加熱に
よるグレーティングの消失も見られなかった。最後に、
グレーティング保護のために、ＩｎＰ層を厚さ０．５μ
ｍ成長させた。こうして得られた再成長結晶の表面は鏡
面であり、良好な結晶が得られたことを確認できた。
【００３５】以上のように、本実施例によれば、真空容
器内でマスクを用いることなく所定パターンのエッチン
グができるので、真空連続プロセスにおけるパターン形
成プロセスとして非常に有効である。
器内でマスクを用いることなく所定パターンのエッチン
グができるので、真空連続プロセスにおけるパターン形
成プロセスとして非常に有効である。
【００３６】また、本実施例によればグレーティング上
に結晶成長を行うことができ、グレーティングの埋め込
みが可能である。したがって、このようなプロセスによ
り、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ，分布反射型（ＤＢ
Ｒ）レーザ，量子細線レーザ等グレーティングを用いた
各種デバイス作製に利用することができる。
に結晶成長を行うことができ、グレーティングの埋め込
みが可能である。したがって、このようなプロセスによ
り、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ，分布反射型（ＤＢ
Ｒ）レーザ，量子細線レーザ等グレーティングを用いた
各種デバイス作製に利用することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば半導体をエッチングガス
雰囲気中におき、該半導体の表面に所定のパターンを形
成するように光を照射してエッチングを行うことで広範
囲に亘るパターン形成の所要時間を短縮することができ
る。
雰囲気中におき、該半導体の表面に所定のパターンを形
成するように光を照射してエッチングを行うことで広範
囲に亘るパターン形成の所要時間を短縮することができ
る。
【００３８】また、マスクを利用しないので、レジス
ト，マスク除去用のガス，エッチャントを必要とせず、
これら物質による汚染の心配もない。
ト，マスク除去用のガス，エッチャントを必要とせず、
これら物質による汚染の心配もない。
【図１】本発明のパターン形成方法のプロセスを説明す
るための図である。
るための図である。
【図２】本発明の一実施例で使用した真空連続装置の平
面模式図である。
面模式図である。
【図３】図２の光照射装置の模式図である。
１０１ 基板
１０２ 成長層
１０３ エッチングガス
１０４ 光
１０５ リン
２０１ 結晶成長室
２０２ エッチング室
２０３ 試料交換搬送室
２０４ 試料導入室
２０５ エッチングガス導入装置
２０６ 光照射装置
２０７ 石英窓
３０１ レーザ光
３０２ ビームスプリッタ
３０３ 空間フィルタ
３０４ レンズ
３０５ 反射鏡
３０６ 位相シフタ
３０７ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 化合物半導体基板をエッチングガス雰囲
気中におき、同時に該半導体の表面に所定のグレーティ
ングパターンを形成するようにレーザ干渉光を照射し
て、半導体の表面を選択的にエッチングすることを特徴
とする化合物半導体のパターン形成方法。 - 【請求項２】 化合物半導体基板としてＩｎを含む化合
物ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓを用い、エッチングガスとして
ＣＨ3ＢｒあるいはＣＦ3Ｂｒを用いることを特徴とする
請求項１に記載の化合物半導体のパターン形成方法。 - 【請求項３】 エッチング工程は、前記化合物半導体を
加熱しながら行うものであることを特徴とする請求項１
および２に記載の化合物半導体のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21285691A JPH0536654A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 化合物半導体のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21285691A JPH0536654A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 化合物半導体のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536654A true JPH0536654A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16629445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21285691A Pending JPH0536654A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 化合物半導体のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5617267A (en) * | 1994-12-15 | 1997-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Servo data writing apparatus for supporting the free end of a rotating shaft in a magnetic disk device and method of writing servo data |
| KR101065195B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2011-09-19 | 주식회사 엘지화학 | 레이저 간섭 리소그라피 장치 및 이를 이용한 나노그래이팅 형성 방법 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP21285691A patent/JPH0536654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5617267A (en) * | 1994-12-15 | 1997-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Servo data writing apparatus for supporting the free end of a rotating shaft in a magnetic disk device and method of writing servo data |
| KR101065195B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2011-09-19 | 주식회사 엘지화학 | 레이저 간섭 리소그라피 장치 및 이를 이용한 나노그래이팅 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5344522A (en) | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process | |
| US4994140A (en) | Method capable of forming a fine pattern without crystal defects | |
| JPS61117822A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| KR100500908B1 (ko) | 건식 산화물 에칭용 자외선/할로겐 처리 | |
| US5139606A (en) | Laser bilayer etching of GaAs surfaces | |
| US5741431A (en) | Laser assisted cryoetching | |
| JPH0536654A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2694625B2 (ja) | 化合物半導体基体のエッチング方法および製造方法 | |
| JPH043423A (ja) | 半導体のパターン形成方法 | |
| JP2717162B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JP3080860B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH043914A (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置 | |
| JP2717165B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JP2717163B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| JP2883918B2 (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2998336B2 (ja) | 化合物半導体のエッチング方法および半導体構造の形成方法 | |
| JP3198302B2 (ja) | 微細構造パターンの形成方法 | |
| JPH02288333A (ja) | 化合物半導体のパターン形成方法 | |
| JP2683612B2 (ja) | 化合物半導体の構造形成方法 | |
| US5877071A (en) | Masking methods during semiconductor device fabrication | |
| JPH0536655A (ja) | 化合物半導体の加工方法 | |
| JP2737613B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH03131024A (ja) | 半導体のエッチング方法 | |
| JPS60177618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02183530A (ja) | 半導体素子の作製方法 |